特許7913648IP Force 特許公報全文掲載

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パワー半導体チップを内蔵する半導体装置（半導体モジュール）

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１のように半導体チップと導電板を焼結接合層で接合した半導体装置では、高耐熱化のためにエポキシ樹脂等の封止樹脂で封止すると、封止樹脂と焼結接合層との界面で剥離が発生し、寿命がばらつく場合がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、主面を有する導電板と、導電板の主面に対向して配置された半導体チップと、導電板と半導体チップとの間に配置された焼結接合層と、半導体チップ及び焼結接合層を封止する封止樹脂と、焼結接合層と封止樹脂との間に配置されたプライマー層と、を備え、焼結接合層と導電板との接合界面の第１外縁が、半導体チップの外周よりも内側で、且つ焼結接合層と半導体チップとの接合界面の第２外縁よりも内側に位置す・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、焼結接合層と封止樹脂との界面における剥離を防止することができ、寿命のばらつきを低減することができる半導体装置を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１半導体装置の断面図である。
【図2】 第１半導体装置の平面図である。
【図3】 図２のＡ－Ａ方向から見た断面図である。
【図4】 第１半導体装置の断面画像である。
【図5】 第１比較例に係る半導体装置の断面図である。
【図6】 第２比較例に係る半導体装置の断面図である。
【図7】 第３比較例に係る半導体装置の断面図である。
【図8】 第４比較例に係る半導体装置の断面図である。
【図9】 第５比較例に係る半導体装置の断面図である。
【図10】 図２のＡ－Ａ方向から見た他の断面図である。
【図11】 実施例及び第１～第５比較例の信頼性試験の結果を示す表である。
【図12】 第１半導体装置の製造方法の概略図である。
【図13】 第１半導体装置の製造方法の図１２に引き続く概略図である。
【図14】 第１半導体装置の製造方法の図１３に引き続く概略図である。
【図15】 第１半導体装置の製造方法の図１４に引き続く概略図である。
【図16】 第１半導体装置の製造方法の図１５に引き続く概略図である。
【図17】 第２半導体装置の断面図である。
【図18】 第３半導体装置の断面図である。
【図19】 第４半導体装置の断面図である。
【図20】 第５半導体装置の断面図である。
【図21】 第６半導体装置の断面図である。
【図22】 第７半導体装置の断面図である。
【図23】 第７半導体装置の製造方法の概略図である。
【図24】 第７半導体装置の製造方法の図２３に引き続く概略図である。
【図25】 第７半導体装置の製造方法の図２４に引き続く概略図である。
【図26】 第８半導体装置の断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…絶縁回路基板 ２…焼結シート ２ａ，２ｄ…焼結接合層 ２ｂ，２ｃ，２ｇ…接合層 ２ｅ…下側接合層 ２ｆ…上側接合層 ３…半導体チップ ４ａ，４ｂ…外部端子 ５…ケース ６ａ，６ｂ，６ｃ…ボンディングワイヤ ６ｄ…リードフレーム ８…放熱ベース ９…放熱フィン １０…絶縁板 １１ａ，１１ｂ…導電板 １２…導電板 ２１，２２，２３，２４…接合界面 ２５…亀裂 ３１…台座 ３２…ゴムシート ３３…マウンタヘッド ３４…吸着部 ４１…加圧部 ４２…金型 ７１…プライマー層 ７２…封止樹脂 ７２ａ…樹脂主剤 ７２ｂ…無機充填剤 ７３…空隙 Ｄ１，Ｄ２…距離 Ｗ１，Ｗ２…幅 Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…応力集中部

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