１０・・・半導体基板、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１７・・・ウェル領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・おもて面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・裏面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・延伸部分、３２・・・ダミー絶縁膜、３３・・・接続部分、３４・・・ダミー導電部、３６・・・第１層間絶縁膜、３７・・・第２層間絶縁膜、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・延伸部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４３・・・接続部分、４４・・・ゲート導電部、５０・・・ゲート金属層、５１・・・パッド電極、５２・・・エミッタ電極、５３・・・コンタクトホール、５４・・・コンタクトホール、５５・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、５７・・・コンタクトホール、５８・・・コンタクトホール、５９・・・コンタクトホール、７０・・・トランジスタ部、７１・・・メサ部、８０・・・ダイオード部、８１・・・メサ部、８２・・・カソード領域、９０・・・境界部、９１・・・メサ部、１００・・・半導体装置、１０２・・・端辺、１１２・・・ゲートパッド、１１４・・・センス電極、１１５・・・電流センス部、１１６・・・アノードパッド、１１７・・・アノード配線部、１１８・・・カソードパッド、１１９・・・カソード配線部、１２０・・・活性部、１２２・・・活性トレンチ部、１２４・・・活性コンタクト部、１２５・・・パッド接続部、１４０・・・エッジ終端構造部、１４２・・・ガードリング、１４４・・・フィールドプレート、１４６・・・エッジ金属層、１４８・・・フィールド絶縁膜、１５１・・・裏面側ライフタイム制御領域、１５２・・・おもて面側ライフタイム制御領域、１７０・・・ツェナーダイオード、１８０・・・感温部、１８１・・・感温カソード領域、１８２・・・感温アノード領域、１８３・・・感温ダイオード、１８８・・・感温コンタクト部、１９４・・・リセス領域、１９６・・・絶縁膜、１９８・・・ハウジング部、２００・・・窪み、２２０・・・主領域、２２４・・・主領域コンタクト部、２３０・・・外周領域、２３２・・・多結晶部、２３４・・・第１外周領域コンタクト部、２３５・・・第２外周領域コンタクト部、２３６・・・リセス領域、２３８・・・第３層間絶縁膜、３００・・・接触領域、３３０・・・パッド領域、３３２・・・多結晶部、３３６・・・リセス領域、３３４・・・パッド領域コンタクト部、３３８・・・パッド領域絶縁膜、１２４１・・・第１活性コンタクト部、１２４２・・・第２活性コンタクト部、１２４３・・・バリアメタル膜、１２４４・・・プラグ部、１２４５・・・活性トレンチコンタクト部、１４２０・・・非コーナー領域、１４２２・・・コーナー領域、１８８０・・・底面角部、１８８２・・・バリアメタル膜、１８８４・・・プラグ部、１８８５・・・感温トレンチコンタクト部、２２４２・・・バリアメタル膜、２２４４・・・プラグ部、２２４５・・・主領域トレンチコンタクト部、２３４０・・・底面角部、２３４２・・・バリアメタル膜、２３４４・・・プラグ部、２３４５・・・第１外周領域トレンチコンタクト部、２３５２・・・バリアメタル膜、２３５４・・・プラグ部、２３５５・・・第２外周領域トレンチコンタクト部、３３４０・・・底面角部、３３４２・・・バリアメタル膜、３３４４・・・プラグ部、３３４５・・・パッド領域トレンチコンタクト部