特許7916692IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

位置検出用マークは、精度よく観察できることが好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、本発明の一つの態様においては、半導体装置の製造方法を提供する。製造方法は、半導体基板の上面に上面マーク、前記半導体基板の下面に下面マークを形成するマーク形成段階を備えてよい。製造方法は、前記半導体基板の前記上面の上方から前記上面マークを観察した上面画像、および、前記半導体基板の前記上面の上方から前記半導体基板を透過して前記下面マークを観察した下面画像を取得することで・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一つの半導体装置の製造方法の一例を説明する図である。
【図2】 半導体基板１０の一例を示す上面図である。
【図3】 図２の領域Ａの拡大図である。
【図4】 位置検出段階Ｓ１０２の一例を説明する図である。
【図5】 参考例に係る上面画像２０２および下面画像２０４の一例を示す図である。
【図6】 参考例に係る上面画像２０６－１および下面画像２０８－１の一例を示す図である。
【図7】 参考例に係る上面画像２０６－２および下面画像２０８－２の一例を示す図である。
【図8】 参考例に係る上面画像２０６－３および下面画像２０８－３の一例を示す図である。
【図9】 実施例に係る半導体基板１０の構成例を示す断面図である。
【図10】 上面画像２１２および下面画像２１４の一例を示す図である。
【図11】 実施例に係る上面画像２１６－１および下面画像２１８－１の一例を示す図である。
【図12】 上面画像２１６－２および下面画像２１８－２の一例を示す図である。
【図13】 上面視における上面マーク３０および下面マーク５０の形状例を説明する図である。
【図14】 上面マークおよび下面マークの形状およびサイズを変更した複数のサンプルについての、マーク位置の測定結果を示す表である。
【図15】 各部材の膜厚を示す図である。
【図16】 下面マーク５０の他の構造例を示す図である。
【図17】 下面マーク５０の他の構造例を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０・・・半導体基板、１２・・・上面、１４・・・下面、２０・・・スクライブライン、２２・・・半導体チップ、３０・・・上面マーク、３２・・・レジスト、５０・・・下面マーク、５１・・・直線部分、５２・・・溝部、５４・・・膜、５６・・・カバー部、１３０・・・上面マーク、１３２・・・溝部、２００・・・撮像部、２０２、２０６、２１２、２１６・・・上面画像、２０４、２０８、２１４、２１８・・・下面画像

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