特許7916735IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

半導体装置の上面電極には、ワイヤ等が接続される。ワイヤ等は、上面電極における所定の位置に精度よく接続されていることが好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、本発明の一つの態様においては、上面視において異なる位置に設けられたトランジスタ部およびダイオード部を備える半導体装置を提供する。半導体装置は、前記トランジスタ部および前記ダイオード部が設けられた半導体基板を備えてよい。何れかの半導体装置は、前記半導体基板の上方に配置された上面電極を備えてよい。何れかの半導体装置は、前記上面電極よりも上方に配置され、上面視にお・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 半導体ウエハ２００の一例を示す上面図である。
【図2】 本発明の一つの半導体モジュール３００の一例を示す断面図である。
【図3】 参考例に係る半導体装置１００－ｒの上面構造の一例を示す図である。
【図4】 本発明の一つの半導体装置１００の上面構造の一例を示す図である。
【図5】 各マーク部と、接続部１７２の配置例を示す図である。
【図6】 図４におけるＡ－Ａ断面の一例を示す図である。
【図7】 図４におけるＢ－Ｂ断面の一例を示す図である。
【図8】 図４におけるＣ－Ｃ断面の一例を示す図である。
【図9】 Ｃ－Ｃ断面の他の例を示す図である。
【図10】 半導体装置１００の上面構造の他の例を示す図である。
【図11】 半導体装置１００の上面構造の他の例を示す図である。
【図12】 図１１におけるＤ－Ｄ断面の一例を示す図である。
【図13】 図１１におけるＤ－Ｄ断面の他の例を示す図である。
【図14】 半導体モジュール３００の製造方法の一例を示す図である。
【図15】 接続部１７２の位置と、接続部１７２の温度との関係を示す図である。
【図16】 接続部１７２の温度と、パワーサイクル耐量との関係を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、３０・・・ダミートレンチ部、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、６０、６１・・・メサ部、７０・・・トランジスタ部、８０・・・ダイオード部、８２・・・カソード領域、９０・・・耐圧構造部、９２・・・ガードリング、９８・・・チャネルストッパ、１００・・・半導体装置、１０１・・・上面、１０２・・・端辺、１１０・・・保護膜、１１１・・・第１延伸部、１１２・・・第２延伸部、１１３・・・第３延伸部、１１４・・・第４延伸部、１２０・・・ゲートパッド、１３０・・・ゲート配線、１４１・・・第１マーク部、１４２・・・第２マーク部、１４３・・・第３マーク部、１４４・・・第４マーク部、１４５・・・領域、１４６・・・領域、１６０・・・活性部、１７０・・・ワイヤ、１７２・・・接続部、２００・・・半導体ウエハ、２０２・・・ダイシングライン、２０４・・・基準部、３００・・・半導体モジュール、３１０・・・ケース部、３１２・・・封止部、３２０・・・配線、３３０・・・配線

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