特許 7916849出願番号 特願 2023-137285
半導体装置
公報発行日 2026年9月8
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7916849 ログイン済みの方はこのURLへ
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技術分野
トレンチゲート型の絶縁ゲート型半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題に鑑み、本発明は、セルピッチの増大を抑制しつつ、トレンチ底部周辺の下側埋込領域と上側埋込領域の相対的な位置の製造工程に起因したズレによる特性のばらつきを抑制することができる絶縁ゲート型半導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、（ａ）シリコンよりも禁制帯幅が広い半導体材料からなる第１導電型の担体輸送層と、（ｂ）担体輸送層の上部に選択的に埋め込まれた第２導電型の下側埋込領域と、（ｃ）担体輸送層の上部において、下側埋込領域の上に分散して埋め込まれた複数の第２導電型の上側埋込領域と、（ｄ）担体輸送層及び上側埋込領域の上に設けられた第２導電型の注入制御領域と、（ｅ）下側埋込領域の上面の位置に向かって注入制・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、セルピッチの増大を抑制しつつ、トレンチ底部周辺の下側埋込領域と上側埋込領域の相対的な位置の製造工程に起因したズレによる特性のばらつきを抑制することができる絶縁ゲート型半導体装置を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明の絶縁ゲート型半導体装置の一例を示す要部断面図である。
【図2】
図１のＡ－Ａ´方向から見た水平方向の断面図である。
【図3】
図１のＢ－Ｂ´方向から見た水平方向の断面図である。
【図4】
図１のＣ－Ｃ´方向から見た水平方向の断面図である。
【図5】
図２～図４のＢ－Ｂ´方向から見た垂直方向の断面図である。
【図6】
比較例に係る絶縁ゲート型半導体装置の水平方向の断面図である。
【図7】
図６のＡ－Ａ´方向から見た垂直方向の断面図である。
【図8】
図６のＡ－Ａ´方向から見た垂直方向の位置ズレが発生した場合の断面図である。
【図9】
図１のＢ－Ｂ´方向から見た水平方向の位置ズレが発生した場合の断面図である。
【図10】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。
【図11】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１０に引き続く工程断面図である。
【図12】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１１に引き続く工程断面図である。
【図13A】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１２に引き続く工程断面図である。
【図13B】
図１３ＡのＡ－Ａ´方向から見た垂直方向の工程断面図である。
【図13C】
図１３ＡのＢ－Ｂ´方向から見た垂直方向の工程断面図である。
【図14】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１３Ａ～図１３Ｃに引き続く工程断面図である。
【図15A】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１４に引き続く工程断面図である。
【図15B】
図１５ＡのＡ－Ａ´方向から見た垂直方向の断面図である。
【図16A】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１５Ａ及び図１５Ｂに引き続く工程断面図である。
【図16B】
図１６ＡのＡ－Ａ´方向から見た垂直方向の工程断面図である。
【図17】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１６Ａ及び図１６Ｂに引き続く工程断面図である。
【図18】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１７に引き続く工程断面図である。
【図19】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１８に引き続く工程断面図である。
【図20】
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１９に引き続く工程断面図である。
【図21】
図３の一部を拡大した平面図である。
【図22】
実施形態の第１変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の一例を示す要部平面図である。
【図23】
図２０の一部を拡大した平面図である。
【図24】
実施形態の第１変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の一例を示す要部平面図である。
【図25】
実施形態の第２変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の他の一例を示す要部平面図である。
【図26】
実施形態の第２変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の他の一例を示す要部平面図である。
【図27】
実施形態の第３変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の一例を示す要部平面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１…担体受領領域（ドレイン領域）
２…走行層
３…下側電流拡散層
４…下側埋込領域
５…上側電流拡散層
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ，６ｈ，６ｉ，６ｊ，６ｋ，６ｌ，６ｘ，６ｙ…上側埋込領域
７…注入制御領域
８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ…ベースコンタクト領域
９…担体供給領域（ソース領域）
１０…トレンチ
１１…ゲート絶縁膜
１２…ゲート電極
１３…層間絶縁膜
１４…第１主電極（ソース電極）
１５…第２主電極（ドレイン電極）
２１…酸化膜
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