【図1】
一実施形態に従った、光導波路によって共に結合された非集約化ダイを有するエレクトロニクスパッケージの断面図である。
【図2A】
一実施形態に従った、グレーティングカプラを用いて第2のフォトニクス集積回路(PIC)に結合された第1のPICの概略図である。
【図2B】
一実施形態に従った、エバネッセントカプラを用いて第2のフォトニクス集積回路(PIC)に結合された第1のPICの概略図である。
【図2C】
一実施形態に従った、オフセットダイ配置に対処するパターン形成された光導波路を用いて第2のPICに結合された第1のPICの概略図である。
【図3A】
一実施形態に従った、PICの頂面に活性層を有するPICを備えたエレクトロニクスパッケージの断面図である。
【図3B】
一実施形態に従った、PICの底面に活性層を有するPICを備えたエレクトロニクスパッケージの断面図である。
【図3C】
一実施形態に従った、モールド層及びガラス層に埋め込まれたPICを備えたエレクトロニクスパッケージの断面図である。
【図4A】
一実施形態に従った、ダイを共に結合する一対のPICを有するエレクトロニクスパッケージの平面図である。
【図4B】
一実施形態に従った、ダイを共に結合する4つのPICのセットを有するエレクトロニクスパッケージの平面図である。
【図5A】
一実施形態に従った、ガラス貫通ビア(TGV)を有するガラス基板の斜視図である。
【図5B】
一実施形態に従った、ガラス基板の頂面の上にPICが配置された後のガラス基板の斜視図である。
【図5C】
一実施形態に従った、ガラス基板の表面の上にモールド層が配置された後のガラス基板の斜視図である。
【図5D】
一実施形態に従った、ガラス基板内に導波路が形成された後のガラス基板の斜視図である。
【図5E】
一実施形態に従った、モールド層の上にダイが取り付けられた後のガラス基板の斜視図である。
【図6A】
一実施形態に従った、ダイを共に結合するためのPICを有するエレクトロニクスパッケージの断面図であり、PICはモールド層内にある。
【図6B】
一実施形態に従った、ダイを共に結合するためのPICを有するエレクトロニクスパッケージの断面図であり、PICはビルドアップ層内にある。
【図7A】
一実施形態に従った、グレーティングカプラを用いて第2のPICに結合された第1のPICの概略図である。
【図7B】
一実施形態に従った、エバネッセントカプラを用いて第2のフォトニクス集積回路(PIC)に結合された第1のPICの概略図である。
【図7C】
一実施形態に従った、オフセットダイ配置に対処するパターン形成された光導波路を用いて第2のPICに結合された第1のPICの概略図である。
【図8A】
一実施形態に従った、ダイを共に結合する一対のPICを有するエレクトロニクスパッケージの平面図である。
【図8B】
一実施形態に従った、ダイを共に結合する4つのPICのセットを有するエレクトロニクスパッケージの平面図である。
【図9A】
一実施形態に従った、TGVを有するガラス基板の斜視図である。
【図9B】
一実施形態に従った、ガラス基板の表面の上にPICが配置された後のガラス基板の斜視図である。
【図9C】
一実施形態に従った、ガラス基板の上にモールド層が配置された後のガラス基板の斜視図である。
【図9D】
一実施形態に従った、モールド層の上に導波路層が配置された後のガラス基板の斜視図である。
【図9E】
一実施形態に従った、複数の導波路を形成するように導波路層がパターニングされた後のガラス基板の斜視図である。
【図9F】
一実施形態に従った、導波路の上に第2のモールド層が設けられた後のガラス基板の斜視図である。
【図9G】
一実施形態に従った、第2のモールド層にダイが取り付けられた後のガラス基板の斜視図である。
【図10】
一実施形態に従った、ダイを共に接続する光導波路を含むパッチを有するエレクトロニクスシステムの断面図である。
【図11】
一実施形態に従って構築されるコンピューティング装置の概略図である。