特許7921439IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体装置

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 半導体装置100の上面図の一例を示す。
【図1B】 図1Aにおけるa-a'断面の一例を示す。
【図1C】 図1Aにおけるb-b'断面の一例を示す。
【図1D】 半導体装置100の変形例のb-b'断面を示す。
【図2A】 半導体装置100の変形例のb-b'断面を示す。
【図2B】 半導体装置100の変形例のb-b'断面を示す。
【図2C】 半導体装置100の変形例のb-b'断面を示す。
【図2D】 半導体装置100の変形例のb-b'断面を示す。
【図2E】 半導体装置100の変形例のb-b'断面を示す。
【図3A】 半導体装置100の変形例の上面図の一例を示す。
【図3B】 半導体装置100の変形例の上面図の一例を示す。
【図3C】 半導体装置100の変形例の上面図の一例を示す。
10・・・半導体基板、12・・・エミッタ領域、13・・・アノード領域、14・・・ベース領域、15・・・コンタクト領域、16・・・蓄積領域、18・・・ドリフト領域、19・・・注入抑制領域、20・・・バッファ領域、21・・・おもて面、22・・・コレクタ領域、23・・・裏面、24・・・コレクタ電極、30・・・ダミートレンチ部、32・・・ダミー絶縁膜、34・・・ダミー導電部、38・・・層間絶縁膜、40・・・ゲートトレンチ部、42・・・ゲート絶縁膜、44・・・ゲート導電部、52・・・エミッタ電極、54・・・コンタクトホール、70・・・トランジスタ部、71・・・メサ部、72・・・主領域、74・・・境界領域、80・・・ダイオード部、81・・・メサ部、82・・・カソード領域、100・・・半導体装置、151・・・裏面側ライフタイム制御領域、152・・・おもて面側ライフタイム制御領域、520・・・主金属部、522・・・バリアメタル、524・・・プラグ層

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