技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、十分な耐電圧特性が確保された半導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一観点によれば、おもて面の第1方向の辺部に設けられた制御電極を含む第1半導体チップと、前記第1方向と前記第1方向に直交する第2方向とにそれぞれ伸びる辺を有し、前記第1半導体チップが配置された矩形状の第1部分と、前記第1部分の前記第1方向の辺に接続され、前記第1方向の辺の第1側から第2側に延伸する第2部分とを含む出力導電パターンと、前記出力導電パターンの前記第2部分に配置された出力端子・・・ 続きを
知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
開示の技術によれば、十分な耐電圧特性が確保されて、信頼性の低下を抑制できる。
本発明の及び他の目的、特徴及び利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
半導体装置の平面図である。
【図2】
半導体装置の側面図である。
【図3】
第1の実施の形態の半導体装置の平面図(ケース離脱時)である。
【図4】
第1の実施の形態の半導体装置に含まれる半導体ユニットの平面図である。
【図5】
第1の実施の形態の半導体装置に含まれる絶縁回路基板の平面図である。
【図6】
第1の実施の形態の半導体装置に含まれる絶縁回路基板の断面図である。
【図7】
参考例の半導体装置に含まれる半導体ユニットの平面図である。
【図8】
第2の実施の形態の半導体装置の平面図(ケース離脱時)である。
【図9】
第2の実施の形態の半導体装置に含まれる半導体ユニットの平面図である。
【図10】
第2の実施の形態の半導体装置に含まれる絶縁回路基板の平面図である。
【図11】
電圧に対して放電を抑制するために必要な端子-ワイヤ間距離を示すグラフである。
【図12】
第3の実施の形態の半導体装置に含まれる半導体ユニットの平面図である。
【図13】
第4の実施の形態の半導体装置に含まれる半導体ユニットの平面図である。
1 半導体装置
10,10a~10f 半導体ユニット
11 絶縁回路基板
12 絶縁板
12a,12c 長辺
12b,12d 短辺
13a 正極導電パターン
13a1 チップ領域
13a2 端子領域
13b 負極導電パターン
13c 出力導電パターン
13c1 チップ領域
13c2 端子領域
13c3 窪み
13c4 連結領域
13d,13e 制御導電パターン
13d1,13e1 接続領域
13f,13g センス導電パターン
14 金属板
15a,15b 半導体チップ
15a1,15b1 制御電極
15a2,15b2 出力電極
16a,16b 半導体チップ(ダイオード)
16a1,16b1 入力電極
17a,17b 主電流ワイヤ
18a1,18a2,18b1,18b2 制御ワイヤ
18a3,18b3 センスワイヤ
19 接合部材
20 ケース
21 下部収納部
21a,21c 長側壁
21b,21d 短側壁
21e 下部おもて面
21e1~21e5 端子領域
22 上部収納部
22a,22c 長側壁
22b,22d 短側壁
22e 上部おもて面
30 放熱ベース板
30a,30c 長辺
30b,30d 短辺
31 上面
32 下面
50,50a~50e 制御配線ユニット
51 絶縁板
52 配線板
61~64 配線部材(正極用,負極用,出力用,制御用)
61a 正極端子
62a 負極端子
63a,63b 出力端子
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録