１０・・・半導体基板、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１７・・・ウェル領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・おもて面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・裏面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、・・・３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・延伸部分、３２・・・ダミー絶縁膜、３３・・・接続部分、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・延伸部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４３・・・接続部分、４４・・・ゲート導電部、５０・・・ゲート金属層、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、５５・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、７０・・・トランジスタ部、７１・・・メサ部、８０・・・ダイオード部、８１・・・メサ部、８２・・・カソード領域、８５・・・延長領域、９０・・・境界領域、９１・・・メサ部、１００・・・半導体装置、１０５・・・端辺、１１２・・・ゲートパッド、１２１・・・第１ピーク、１２２・・・第２ピーク、１２３・・・第３ピーク、１２４・・・第４ピーク、１２５・・・第５ピーク、１２０・・・ピーク群、１３０・・・外周ゲート配線、１３１・・・活性側ゲート配線、１４０・・・エッジ終端構造部、１５１・・・第１ライフタイム制御領域、１５２・・・第２ライフタイム制御領域、１６０・・・活性部