１０・・・半導体基板、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１７・・・ウェル領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・おもて面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・裏面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、３０・・・ダミートレンチ部、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・延伸部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４３・・・接続部分、４４・・・ゲート導電部、５２・・・エミッタ電極、５３・・・コンタクトホール、５４・・・コンタクトホール、５５・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、５７・・・コンタクトホール、６０・・・抵抗調整部、６１・・・ダイオード素子部、６２・・・抵抗部、６３・・・抵抗領域、６４・・・抵抗調整絶縁膜、６５・・・抵抗調整トレンチ部、７０・・・トランジスタ部、７１・・・メサ部、８１・・・第１絶縁部、８２・・・第２絶縁部、８３・・・第３絶縁部、９０・・・電流センス部、９１・・・第１ポリシリコン層、９２・・・第２ポリシリコン層、９３・・・界面、１００・・・半導体装置、１０２・・・端辺、１０４・・・活性部、１０６・・・外周部、１１０・・・おもて面側金属層、１２０・・・裏面側ライフタイム制御領域、１３０・・・アノードパッド、１３２・・・アノード配線、１４０・・・カソードパッド、１４２・・・カソード配線、１５０・・・ゲートパッド、１５２・・・ゲート金属配線、１６０・・・メイン調整部、１６１・・・メイン用オン側ダイオード、１６２・・・メイン用オフ側ダイオード、１６６・・・メイン用オン側抵抗、１６７・・・メイン用オフ側抵抗、１７１・・・第１コンタクト部、１７２・・・第２コンタクト部、１７３・・・第３コンタクト部、１８０・・・温度センス部、１９０・・・電流センスパッド、１９４・・・ゲート導電部、２６０・・・センス調整部、２６１・・・センス用オン側ダイオード、２６２・・・センス用オフ側ダイオード、２６６・・・センス用オン側抵抗、２６７・・・センス用オフ側抵抗、２７１・・・第１開口、２７２・・・第２開口、２７３・・・第３開口、３６１・・・カソード領域、３６２・・・アノード領域