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半導体基板の評価方法および半導体装置の製造方法

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 半導体基板１０に、水素イオンを注入する工程を説明する図である。
【図2】 図１のＡ－Ａ線におけるキャリア濃度分布の一例を示す図である。
【図3】 差分キャリア濃度ΔＤと、半導体基板１０の炭素濃度との関係を示す図である。
【図4】 本発明の一つの、半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図5】 評価用の半導体基板１０における、キャリア濃度分布および水素化学濃度分布の一例を示す図である。
【図6】 第１の注入位置Ｉ１および第２の注入位置Ｉ２の近傍におけるキャリア濃度分布を拡大した図である。
【図7】 評価用の半導体基板１０におけるキャリア濃度分布の他の例を示す図である。
【図8】 評価用の半導体基板１０におけるキャリア濃度分布の他の例を示す図である。
【図9】 相関情報３１０と、ＳＲ法の測定誤差による相関情報３１０の変動範囲を示す図である。
【図10】 製造用の半導体基板１０を用いて製造した半導体装置１００の一例を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０・・・半導体基板、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、３０・・・ダミートレンチ部、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、６０、６１・・・メサ部、７０・・・トランジスタ部、８０・・・ダイオード部、８２・・・カソード領域、１００・・・半導体装置、２０２・・・注入面、３０１、３０２、３０３・・・キャリア濃度分布、３０４、３０５・・・サンプル、３１０・・・相関情報、３１１、３１２・・・直線、３２１・・・第１の濃度ピーク、３２２・・・第２の濃度ピーク、３２３・・・第３の濃度ピーク、３３１、３３２、３３３・・・部分、３５１、３５２・・・ピーク

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