発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の化学増幅レジスト組成物を用いることで、高感度であり、ＣＤＵ、ＬＷＲ等のリソグラフィー性能が向上し、撥水性、現像欠陥抑制能が改善されたパターンを形成することができる。また、本発明の化学増幅レジスト組成物は、ＡｒＦ液浸リソグラフィーの材料として好適であり、アルカリ現像によるポジティブパターン形成においても、有機溶剤現像によるネガティブパターン形成においても有用である。本発明のパターン形成方法は、ＬＳＩの高集積化及び高速度化に対応した、微細なパターンである５ｎｍノードのデバイスの量産、更には、次世代の３ｎｍノード、次次世代の２ｎｍノードデバイスの量産に適用することができ、ＰＦＡＳ非該当化合物であることから量産における環境負荷も低いことから有用である。