特許7928328IP Force 特許公報全文掲載

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反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

従来から、位相シフト膜の材料として、Ａｇなどが検討されている。Ａｇは、小さな屈折率と大きな消衰係数を有し、光学特性に優れている。しかし、Ａｇのみからなる膜は、ドライエッチング（異方性エッチング）によるエッチング速度が遅く、位相シフト膜と保護膜とのエッチング速度比（選択比）が小さいので、開口パターンの形成が難しい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様に係る反射型マスクブランクは、基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜を保護する保護膜と、前記ＥＵＶ光の位相をシフトさせる位相シフト膜と、をこの順で有する。前記位相シフト膜は、化合物からなる層を有する。前記化合物は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ及びＡｕから選ばれる少なくとも１つの元素Ｘ１と、Ｒｕ、Ｔａ、Ｏｓ、Ｓｉ及びＣｒから選ばれる少なくとも１つの元素・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様によれば、位相シフト膜はＸ１とＸ２を含む化合物からなる層を有する。Ｘ２をＸ１に添加することで、光学特性と加工性に優れた位相シフト膜を提供することができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、一反射型マスクブランクを示す断面図である。
【図2】 図２は、一反射型マスクを示す断面図である。
【図3】 図３は、図２の反射型マスクで反射されるＥＵＶ光の一例を示す断面図である。
【図4】 図４は、一反射型マスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。
【図5】 図５は、一反射型マスクの製造方法を示すフローチャートである。
【図6】 図６は、各元素の屈折率と消衰係数の一例を示す図である。
【図7】 図７は、図５のＳ２０３の一例を示すフローチャートである。
【図8】 図８は、図５のＳ２０３の一例を示す断面図である。
【図9】 図９は、図５のＳ２０３の一例を示すＳＥＭ写真である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 反射型マスクブランク ２ 反射型マスク １０ 基板 １１ 多層反射膜 １２ 保護膜 １３ 位相シフト膜

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