特許7929285IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

電力変換装置及びスイッチング特性調整方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の目的は、圧接型の半導体スイッチング素子のスイッチング特性が自素子又は隣の素子のスイッチング電流の影響を受けて、電力変換装置の信頼性に影響することを抑制する電力変換装置及びスイッチング特性調整方法を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

実施形態の電力変換装置は、圧接型の半導体スイッチング素子と、駆動回路と、接続ケーブルとを備える。前記駆動回路は、前記半導体スイッチング素子の制御信号を供給する。前記接続ケーブルは、前記駆動回路と前記半導体スイッチング素子の制御信号用端子とを接続して、前記半導体スイッチング素子の制御信号用端子に前記制御信号を供給する。前記接続ケーブルにおいて、前記半導体スイッチング素子の制御信号用端子から前記・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 本実施形態の電力変換用半導体装置の状態推定システムの適用対象である電力変換システムの構成図。
【図1B】 本実施形態のインバータの構成図。
【図1C】 本実施形態のインバータ内の電流経路図。
【図1D】 本実施形態のインバータ内のレグの動作説明図。
【図2】 本実施形態のレグ内の構成図。
【図3A】 本実施形態のレグ内の構成図。
【図3B】 本実施形態のレグ内の素子配置図。
【図4A】 本実施形態のレグ内の半導体スイッチング素子ユニットのスタック構成図。
【図4B】 本実施形態のレグ内のダイオードユニットのスタック構成図。
【図5A】 本実施形態のレグ内の半導体スイッチング素子ユニットの俯瞰図。
【図5B】 本実施形態のレグ内の半導体スイッチング素子ユニットの俯瞰図。
【図6A】 本実施形態のレグ内の半導体スイッチング素子のゲートリードの引き出し方法を説明するための図。
【図6B】 本実施形態のレグ内の半導体スイッチング素子のゲートリードの引き出し方法を説明するための図。
【図7A】 本実施形態のゲートリードの引き出し方法を説明するための図。
【図7B】 本実施形態のゲートリードの引き出し方法を説明するための図。
【図7C】 本実施形態のゲートリードの引き出し方法を説明するための図。
【図8A】 本実施形態のゲートリードに発生する電流を説明するための図。
【図8B】 本実施形態のゲートリードに発生する電流を説明するための図。
１ 電力変換システム ２ ３相交流モータ ３ インバータ ３Ｕ、３Ｖ、３Ｗ レグ Ｃ、Ｃ１－Ｃ６ スナバコンデンサ Ｄ、Ｄ１－Ｄ４ 還流ダイオード Ｄ５、Ｄ６ ダイオード Ｑ、１－Ｑ４ 半導体スイッチング素子

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