特許 7929774出願番号 特願 2023-83719
半導体装置及びその製造方法
出願人 株式会社東芝（識別番号 3078）
2026年 特許公開件数ランキング 8位 1,341件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8位 1,067件（※）
出願人 東芝デバイス＆ストレージ株式会社（識別番号 317011920）
2026年 特許公開件数ランキング 26909位 299件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8004位 156件（※）
公報発行日 2026年10月5
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7929774 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置及びその製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特性を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１電極、第２電極、第３電極、第１半導体領域及び第２半導体領域を含む。前記第１電極は、第１方向に延びる。前記第２電極は、前記第１方向に延びる。前記第１電極から前記第２電極への第２方向は、前記第１方向に対して垂直である。前記第３電極は、前記第１方向に延びる。前記第３電極の前記第２方向における位置は、前記第１電極の前記第２方向における位置と、前記第２電極の・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１は、第１半導体装置を例示する模式的平面図である。
【図2】
図２は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図3】
図３は、第１半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図4】
図４は、第１半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図5】
図５は、第１半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図6】
図６は、第１半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図7】
図７は、第１半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図8】
図８は、第１半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図9】
図９は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図10】
図１０は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図11】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第２半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図12】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第２半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０：第１半導体領域、 １０Ｂ：構造体、 １０Ｆ：領域、 １０ｃ：キャリア領域、 １１～１５：第１～第５部分領域、 １８ｂ：窒化物層、 １８ｓ：基体、 ２０：第２半導体領域、 ２１、２２：第１、第２半導体部分、 ２２ａ～２２ｄ：第１～第４領域、 ２２ｘ：境界、 ４１～４３：第１～第３絶縁部材、 ４１ａ、４１ｂ：第１、第２絶縁部、 ４１ｆ：第１絶縁膜、 ４１ｐ、４１ｑ：一部、 ４２ｆ：第２絶縁膜、 ５０：電極、 ５１～５３：第１～第３電極、 ５１Ｐ、５１Ｑ：第１電極導電部材、 ５１ｅ、５１ｆ：第５、第６電極部分、 ５２Ｃ：導電領域、 ５２Ｎ：窒化物領域、 ５２Ｐ：第２電極導電部材、 ５２ａ、５２ｂ：第１、第２電極部分、 ５３ｃ、５３ｄ：第３、第４電極部分、 １１０～１１５、１２０、１２１：半導体装置、 Ｄ１～Ｄ３：第１～第３方向、 ｔ４１ｐ、ｔ４１ｑ：厚さ
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