特許 7929791出願番号 特願 2023-150228
半導体装置
出願人 株式会社東芝（識別番号 3078）
2026年 特許公開件数ランキング 8位 1,228件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8位 1,062件（※）
出願人 東芝デバイス＆ストレージ株式会社（識別番号 317011920）
2026年 特許公開件数ランキング 26491位 259件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 7873位 154件（※）
公報発行日 2026年10月5
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7929791 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特性を向上できる半導体装置を提供する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
実施形態によれば、半導体装置は、第１電極、第２電極、第３電極、第１半導体部材、第２半導体部材、第３半導体部材、第４半導体部材、第４半導体部材、第５半導体部材及び第１絶縁部材を有する。前記第１半導体領域は、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、第１導電形である。前記第１半導体領域は、第１部分領域と、第２部分領域と、前記第１電極から前記第２電極への第１方向と交差する第２方向において、前記第・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０Ｓ：半導体層、 １１～１６：第１～第６半導体部材、 １１ａ～１１ｈ：第１～第８部分領域、 １２ａ～１２ｆ：第１～第６半導体領域、 １３ａ～１３ｄ：第１～第４半導体部分、 ４１：第１絶縁部材、 ４１ａ～４１ｄ：第１～第４絶縁領域、 ５１～５３：第１～第３電極、 ５２ａ、５２ｂ：第１、第２電極部分、 ５３ａ、５３ｂ：第１、第２導電部分、 １１０：半導体装置、 Ｄ１～Ｄ３：第１～第３方向
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