特許7929792IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 株式会社東芝 > 特許7929792

技術分野

半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明が解決しようとする課題は、アバランシェ耐量を向上できる半導体装置を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

半導体装置は、第１電極と、第１導電形の第１半導体領域と、第２導電形の第２半導体領域と、前記第１導電形の第３半導体領域と、第２電極と、第３電極と、第１絶縁部と、第４電極と、第２絶縁部と、接続部と、を備える。前記第１半導体領域は、前記第１電極の上に設けられる。前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域の上に設けられる。前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域の上に設けられる。前記第２・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１半導体装置を表す平面図である。
【図2】 第１半導体装置の一部を表す平面図である。
【図3】 第１半導体装置の一部を表す断面図である。
【図4】 第１半導体装置の一部を表す断面図である。
【図5】 第１半導体装置の一部を表す断面図である。
【図6】 第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
【図7】 第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
【図8】 第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
【図9】 第２半導体装置の一部を表す平面図である。
【図10】 第２半導体装置の一部を表す断面図である。
【図11】 第３半導体装置の一部を表す平面図である。
【図12】 第３半導体装置の一部を表す断面図である。
【図13】 第４半導体装置の一部を表す平面図である。
【図14】 第４半導体装置の一部を表す断面図である。
【図15】 図１５（ａ）～図１５（ｈ）は、第１半導体装置の製造方法の一例を表す断面図である。
【図16】 図１６（ａ）～図１６（ｈ）は、第２半導体装置の製造方法の一例を表す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１１：ドレイン電極（第１電極） １２：ソース電極（第２電極） １３：ゲート電極（第３電極） １３ａ：第１電極領域 １３ｂ：第２電極領域 １３ｃ：第３電極領域 １４：ＦＰ電極（第４電極） １５：ゲートパッド ２１：ｎ－形ドリフト領域（第１半導体領域） ２２：ｐ形ベース領域（第２半導体領域） ２３：ｎ＋形ソース領域（第３半導体領域） ２４：ｐ＋形半導体領域（第４半導体領域） ２４ａ：第１半導体部分 ２４ｂ：第２半導体部分 ２４ｃ：第３半導体部分 ２４ｄ：第４半導体部分 ２４ｅ：第５半導体部分 ２４ｆ：第６半導体部分 ２７：ｐ＋形コンタクト領域 ２８：ｎ＋形ドレイン領域 ３１：ゲート絶縁部（第１絶縁部） ３１ａ：第１絶縁領域 ３１ａ１：第１絶縁部分 ３１ａ２：第２絶縁部分 ３１ｂ：第２絶縁領域 ３１ｂ１：第３絶縁部分 ３１ｂ２：第４絶縁部分 ３１ｃ：第３絶縁領域 ３１ｃ１：第５絶縁部分 ３１ｃ２：第６絶縁部分 ３２：ＦＰ絶縁部（第２絶縁部） ４０：接続部 ４１：第１接続部 ４２：第２接続部 ４３：第３接続部 ５１：絶縁層 ６１ａ、６１ｂ：半導体領域 ６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ：絶縁領域 ６３ａ、６３ｂ、６３ｃ：導電領域 ６５：トレンチ ６６：ビア ７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ、７１ｅ：半導体領域 ７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ、７２ｅ：絶縁領域 ７３ａ、７３ｂ、７３ｃ：導電領域 ７５：トレンチ ７６：ビア １００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、２００、３００、４００：半導体装置

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.