特許7930212IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、特許文献１に記載のスパッタリングターゲットは、スパッタリング時のクラックの発生を抑制する点で改善の余地を有していた。 スパッタリング時のクラックの発生を抑制できるスパッタリングターゲット及びその製造方法の少なくともいずれかを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者らは、スパッタリング面を有する多結晶体に含まれる結晶粒の形状に着目し、結晶粒の形状を棒状としてみた。しかし、結晶粒の形状を棒状とするだけでは必ずしも、スパッタリング時のクラックを抑制することができない場合があった。そこで、本発明者らは、多結晶体を構成する複数の結晶粒の少なくとも一部の結晶粒を棒状結晶粒としつつ、棒状結晶粒をスパッタリング面に垂直な方向に延びるようにすることで、課題・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示によれば、スパッタリング時のクラックの発生を抑制できるスパッタリングターゲット及びその製造方法の少なくともいずれかが提供される。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本開示のスパッタリングターゲットの一実施形態を示す断面図である。
【図2】 図１の多結晶体のスパッタリング面に垂直な方向に沿った切断面を部分的に示す概略図である。
【図3】 本開示のスパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態における多結晶体形成工程を示す概略図である。
【図4】 実施例１の多結晶体のスパッタリング面に垂直な方向に沿った切断面のＳＥＭ画像を示す図である。
【図5】 比較例１の多結晶体のスパッタリング面に垂直な方向に沿った切断面のＳＥＭ画像を示す図である。
【図6】 比較例２の多結晶体のスパッタリング面に垂直な方向に沿った切断面のＳＥＭ画像を示す図である。
【図7】 比較例３の多結晶体のスパッタリング面に垂直な方向に沿った切断面のＳＥＭ画像を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…バッキングプレート、２…多結晶体、２ａ…スパッタリング面、２Ａ…原料、３…棒状結晶粒、４…ベースプレート、１０…スパッタリングターゲット。

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