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技術分野

配線基板ユニットおよび配線基板ユニットの製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

シリコンインターポーザは、シリコンウェハを利用して、半導体製造における前工程用の設備を用いて製作されることから、微細な配線層を形成することに適している。しかし、シリコンウェハは形状、サイズに制約があり、１枚のウェハから製作できるインターポーザの数が少なく、製造設備も高価であるため、インターポーザも高価となる。また、シリコンウェハが半導体であることから、伝送特性も劣化するという問題がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

の課題を解決するために、本発明の代表的な配線基板ユニットの一つは、 第１配線基板と、前記第１配線基板に接合された第２配線基板と、を備え、前記第２配線基板の前記第１配線基板との接合面の対向面に半導体素子が実装可能な配線基板ユニットにおいて、前記第２配線基板の半導体素子が実装される側の最外層に補強層を有することを特徴とする配線基板ユニットである。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、支持基板の上に微細な配線層（第２配線基板に相当）を形成し、これを例えば、ＦＣ－ＢＧＡ用配線基板（第１配線基板に相当）に搭載し、第２配線基板上に半導体チップを搭載する方式において、第２配線基板内部の応力を緩和させ、応力が集中する箇所を起点とするクラックを防ぎ、配線基板ユニットの信頼性を向上させることが可能となる。
した以外の課題、構成及び効果は以下の実施形態の説明により明らかにされる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、支持体上に剥離層を形成した状態を示す断面図である。
【図2A】 図２Ａは、補強層を形成した状態を示す断面図である。
【図2B】 図２Ｂは、補強層のパターニングをした状態を示す断面図である。
【図2C】 図２Ｃは、補強層のパターニングをした状態を示す断面図である。
【図3A】 図３Ａは、感光性樹脂層を形成した状態を示す断面図である。
【図3B】 感光性樹脂層のパターニングをした状態を示す断面図である。
【図3C】 図３Ｂは、シード密着層を形成した状態を示す断面図である。
【図3D】 図３Ｄは、シード層を形成した状態を示す断面図である。
【図3E】 図３Ｅは、導体層を形成した状態を示す断面図である。
【図3F】 図３Ｆは、表面研磨により導体層及びシード層を研磨した状態を示す断面図である。
【図3G】 図３Ｇは、表面研磨によりシード密着層及び感光性樹脂層を研磨し半導体素子との接合用電極を形成した状態を示す断面図である。
【図3H】 図３Ｈは、微細配線層の接続孔形成の第２の形態を説明する断面図である。
【図3I】 図３Ｉは、微細配線層の接続孔形成の第２の形態を説明する断面図である。
【図3J】 図３Ｊは、微細配線層の接続孔形成の第３の形態を説明する断面図である。
【図3K】 図３Ｋは、微細配線層の接続孔形成の第３の形態を説明する断面図である。
【図4A】 図４Ａは、ビア部の感光性樹脂層を形成した状態を示す断面図である。
【図4B】 図４Ｂは、ビア部と配線部の感光性樹脂層を形成した状態を示す断面図である。
【図4C】 図４Ｃは、シード密着層を形成した状態を示す断面図である。
【図4D】 図４Ｄは、シード層を形成した状態を示す断面図である。
【図4E】 図４Ｅは、導体層を形成した状態を示す断面図である。
【図4F】 図４Ｆは、表面研磨によりビア部及び配線部を形成した状態を示す断面図である。
【図5A】 図５Ａは、図４Ａ～図４Ｆを繰り返して多層配線を形成した状態を示す断面図である。
【図5B】 図５Ｂは、ＳＡＰ工法で多層配線を形成した状態を示す断面図である。
【図6A】 ６Ａは、感光性樹脂層を形成した状態を示す断面図である。
【図6B】 図６Ｂは、シード密着層を形成した状態を示す断面図である。
【図6C】 図６Ｃは、シード層を形成した状態を示す断面図である。
【図6D】 図６Ｄは、レジストパターンを形成した状態を示す断面図である。
【図6E】 図６Ｅは、導体層を形成した状態を示す断面図である。
【図6F】 図６Ｆは、レジストパターンを除去した状態を示す断面図である。
【図6G】 図６Ｇは、不要なシード密着層及びシード層をエッチング除去した状態を示す断面図である。
【図7A】 図７Ａは、ソルダーレジスト層を形成した状態を示す断面図である。
【図7B】 図７Ｂは、表面処理層、はんだ接合部を形成し、支持体付の配線基板が完成した状態を示す断面図である。
【図8A】 図８Ａは、支持体付の配線基板とＦＣ－ＢＧＡ基板を接合しアンダーフィル層で封止した状態を示す断面図である。
【図8B】 図８Ｂは、剥離層にレーザー光を照射する状態を示す断面図である。
【図8C】 図８Ｃは、支持体を除去した状態を示す断面図である。
【図8D】 図８Ｄは、半導体素子を実装した状態を示す断面図である。
【図9A】 図９Ａは、本実施形態（ダマシン工法）におけるＡ－Ａ′囲い部の拡大詳細断面図である。
【図9B】 図９Ｂは、本実施形態（ＳＡＰ工法）におけるＡ－Ａ′囲い部の拡大詳細断面図である。
【図9C】 図９Ｃは、比較例における拡大詳細断面図である。
【図10】 図１０は、第２の実施態様において、剥離層と補強層との間に中間層を形成した状態を示す断面図である。
【図11】 図１１は、第２の実施態様において、補強層のパターニングをした状態を示す断面図である。
【図12】 図１２は、第２の実施態様において、表面処理層、はんだ接合部を形成し、支持体付の配線基板が完成した状態を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 支持体 ２ 剥離層 ３ 感光性樹脂層 ４ シード密着層 ５ シード層 ６ 導体層 ７ レジストパターン ８ ソルダーレジスト層 ９ 表面処理層 １０ はんだ １１ 支持体付の配線基板 １２ ＦＣ－ＢＧＡ基板 １３ レーザー光 １４ 配線基板ユニット １５ 半導体素子 １６ 半導体装置 １８ 補強層 １９ 微細配線層 ２０ アンダーフィル層 ５０ 中間層

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