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特許 7930247出願番号 特願 2022-152238
デバイスの製造方法
出願人 セイコーエプソン株式会社（識別番号 2369）
2026年 特許公開件数ランキング 7位 1,400件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 17位 777件（※）
公報発行日 2026年10月6
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7930247 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
デバイスの製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、電極パッド上のシリコン酸化膜を除去した際に、振動部の周囲に配置され、共振周波数の補正に用いられるシリコン酸化膜も除去してしまうことから、振動素子の共振周波数のバラツキが大きくなるという課題がある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
デバイスの製造方法は、素子と、前記素子を駆動するための素子電極と、前記素子の周囲に配置された枠部と、前記枠部に配置され前記素子電極に接続された電極パッドと、を有する素子基板と、前記素子基板の一方面側に接合された支持基板と、を備えたデバイスの製造方法であって、エッチング液に耐性を有し、前記素子の外形と前記枠部との間の第１開口部と、前記電極パッド上の第２開口部と、を有する保護膜を、前記枠部の他方・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
振動デバイスの構成を示す平面図。
【図2】
図１に示す振動デバイスのＡ－Ａ線に沿う断面図。
【図3】
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
【図4】
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
【図5】
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
【図6】
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
【図7】
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
【図8】
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
代表図 図1本件の代表的な図
１０…素子基板、１０ａ…シリコン層、１１…基部、１２ａ…熱酸化膜（素子調整層）、１２ｂ…酸化シリコン膜（素子調整層）、１２ｃ…酸化シリコン膜、２０…支持基板、２０ａ…シリコン層、３０…ＢＯＸ層、３０ａ…酸化シリコン層、４０…ＳＯＩ基板、５０…素子、６０…圧電駆動部、６１…第１素子電極、６１ａ…モリブデン膜、６２…第２素子電極、６２ａ…モリブデン膜、６３…圧電体層、６３ａ…窒化アルミニウム膜、７０…枠部、８０…電極パッド、８０ａ…アルミニウム合金膜、８０ｂ…窒化チタン膜、８１…下部電極パッド、８２…上部電極パッド、９０…空間、１００…振動デバイス、２００…保護膜、２０１…第１開口部、２０２…第２開口部。
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