特許7930308IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

PN接合を有する光位相変調器に関するものである。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、の光位相変調器では、層間絶縁膜の伝熱性が低く、光導波路部の温度とサーミスタで検出される温度との間で差が発生し易い。このため、光導波路部と加熱部との間の熱抵抗と、加熱部とサーミスタとの間の熱抵抗とが等しくなるように、光導波路部と加熱部との間の距離と、加熱部とサーミスタとの間の距離を調整することが考えられる。しかしながら、この構成では、実際には、光導波路部と加熱部との間に位置する部分の材料と、加熱部とサーミスタとの間に配置される部分の材料とが異なるため、熱抵抗を等しくするための設計が複雑になり易い。そして、本発明者らは、リブ部を有する光導波路部について、リブ部と温度センス素子で検出される温度との差を小さくできる光位相変調器について検討している。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するための請求項1は、光位相変調器であって、半導体層(13)を有する半導体基板(10)と、半導体層に、一方向を延設方向として延設され、光が伝搬されると共にPN接合を有する構成とされたリブ部(22)を有する変調部(M)と、リブ部の温度に基づいた検出信号を出力する温度センス素子(40)と、半導体層を覆い、半導体層よりも伝熱性が低い材料で構成された層間絶縁膜(50)と、を備え、変調部・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第1実施形態における光位相変調器の平面模式図である。
【図2】 図1中のII-II線に沿った断面図である。
【図3】 温度センス素子の温度特性を示す図である。
【図4】 第1実施形態における光位相変調器の温度に関するシミュレーション結果である。
【図5】 第2リブ部の温度上昇と位相シフト量との関係を示す図である。
【図6】 第2実施形態における光位相変調器の平面模式図である。
【図7】 図6中のVII-VII線に沿った断面図である。
【図8】 図6中のVIII-VIII線に沿った断面図である。
【図9】 第3実施形態における光位相変調器の平面模式図である。
【図10】 図9中のX-X線に沿った断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

10 半導体基板 13 半導体層 35 絶縁部 41 N型層 42 P型層 50 層間絶縁膜 M 変調部

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