特許7930491IP Force 特許公報全文掲載

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反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

反射型マスクブランクの保護膜が、Ｒｕを含むことがある。Ｒｕを含む保護膜が結晶化してしまうと、保護膜の結晶構造を吸収膜が引き継ぎ、吸収膜が結晶化してしまうことがある。その結果、吸収膜の結晶粒界に沿って開口パターンが形成されてしまい、開口パターンが粗くなってしまう。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様に係る反射型マスクブランクは、基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜を保護する保護膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有する。前記保護膜はＲｕ化合物を含み、前記Ｒｕ化合物はＲｕとＳｉとＯを含む。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様によれば、反射型マスクブランクの保護膜がＲｕを含む場合に、保護膜の結晶化を抑制することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、一反射型マスクブランクを示す断面図である。
【図2】 図２は、一反射型マスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。
【図3】 図３は、一反射型マスクを示す断面図である。
【図4】 図４は、一反射型マスクの製造方法を示すフローチャートである。
【図5】 図５（Ａ）はＳ２０１の一例を示す断面図であり、図５（Ｂ）はＳ２０２の一例を示す断面図であり、図５（Ｃ）はＳ２０３の一例を示す断面図である。
【図6】 図６は、図３の反射型マスクで反射されるＥＵＶ光の一例を示す断面図である。
【図7】 図７は、例１に係る反射型マスクブランクのＴＥＭ画像とＴＥＭ－ＥＤＸで測定した各元素の分布を示す図である。
【図8】 図８は、例５に係る反射型マスクブランクのＴＥＭ画像とＴＥＭ－ＥＤＸで測定した各元素の分布を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 反射型マスクブランク ２ 反射型マスク １０ 基板 １１ 多層反射膜 １２ 保護膜 １３ 吸収膜

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