特許7930521IP Force 特許公報全文掲載

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一般に、電気、電子およびコンピュータ技術に関し、より詳細には、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明が解決しようとする課題は、ＭＲＡＭなどに正方晶系半金属性ホイスラー（ｈａｌｆ ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｈｅｕｓｌｅｒ）化合物を使用する技術を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

一態様で、例示的な磁気抵抗ランダムアクセスメモリセルそれぞれは、交互層格子構造を有する２元合金（ｂｉｎａｒｙ ａｌｌｏｙ）を含むテンプレート層；正方晶系格子構造（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ ｌａｔｔｉｃｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する半金属性ホイスラー材料（ｈａｌｆ ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｈｅｕｓｌｅｒ ｍａｔｅｒｉａｌ）を含む半金属性ホイスラー層であって、テンプレート層の外側に位置して、・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

次の図面は、例としてのみ提示され、限定されるものではなく、類似の符号（使用された場合）は、複数の図面にわたって対応する要素を示す。
【図1】 本発明の態様で、使用されるホイスラー化合物を示す。
【図2】 本発明の態様による、テンプレート層上のホイスラー化合物の成長を示す。
【図3】 本発明の態様により、ＭＲＡＭで正方晶系の形態で使用できる半金属性ホイスラー化合物の表を示す。
【図4】 それぞれ本発明の態様により、ＭＲＡＭで正方晶系の形態で使用できる半金属性ホイスラー化合物の立方体および正方晶系の形態を示して、比較する。
【図5】 それぞれ本発明の態様により、ＭＲＡＭで正方晶系の形態で使用できる半金属性ホイスラー化合物の立方体および正方晶系の形態を示して、比較する。
【図6】 それぞれ本発明の態様により、ＭＲＡＭで正方晶系の形態で使用できる半金属性ホイスラー化合物の立方体および正方晶系の形態を示して、比較する。
【図7a】 面内格子定数に対する一つ以上の実施形態で使用された、Ｍｎ２ＦｅＳｂ特性の依存性を示す。
【図7b】 面内格子定数に対する一つ以上の実施形態で使用された、Ｍｎ２ＦｅＳｂ特性の依存性を示す。
【図7c】 面内格子定数に対する一つ以上の実施形態で使用されたＭｎ２ＦｅＳｂ特性の依存性を示す。
【図7d】 面内格子定数に対する一つ以上の実施形態で使用されたＭｎ２ＦｅＳｂ特性の依存性を示す。
【図7e】 面内格子定数に対する一つ以上の実施形態で使用されたＭｎ２ＦｅＳｂ特性の依存性を示す。
【図7f】 面内格子定数に対する一つ以上の実施形態で使用されたＭｎ２ＦｅＳｂ特性の依存性を示す。
【図8】 本発明の態様により、高い垂直磁気異方性（ＰＭＡ）に対する最適な面内格子定数を有する半金属性ホイスラー化合物を示す。
【図9】 一つ以上の実施形態で有用な、化学的テンプレート層の非制限的な例を示す。
【図10】 本発明の態様による、第１の例示的なＭＲＡＭセルを示す。
【図11】 本発明の態様による、第２の例示的なＭＲＡＭセルを示す。
【図12】 本発明の態様による、ＭＲＡＭセルのアレイを示す。
【図13】 本発明の態様による、製造方法の流れ図を示す。
【図14】 本発明の一つ以上の態様および／または要素を実現するのに有用であり得るコンピュータシステムを示す。
【図15】 半導体の設計、製造、および／またはテストに用いられる設計工程の流れ図である。
図面の要素は、単純化と明確化のために例示されていることを理解されたい。商業的に実現可能な実施形態で、有用であるか、または、必要であり得る共通的であるがよく理解されている要素は、例示した実施形態の表示の妨げを少なくするために図示されない場合がある。

代表図 図1本件の代表的な図

３０１ 主族元素原子 ３０３、３０５ 遷移金属原子 ４０１ ＣｏＡｌ層 ４０３ ホイスラー化合物 ４０５ 原子的段階 ４２１、４２３ ビュー ６０１、６０３ Ｍｎ原子 ６０４ Ｓｂ原子 ６０５ Ｆｅ原子

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