特許 7930887出願番号 特願 2023-20566
半導体装置及びその製造方法
出願人 株式会社東芝（識別番号 3078）
2026年 特許公開件数ランキング 8位 1,303件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8位 1,066件（※）
出願人 東芝デバイス＆ストレージ株式会社（識別番号 317011920）
2026年 特許公開件数ランキング 26616位 282件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 7930位 156件（※）
公報発行日 2026年10月6
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7930887 ログイン済みの方はこのURLへ
［この特許公報を共有したい場合］あなたがログインしてこの特許公報を表示すれば、他の人はログインしなくてもこのURLで見ることができるようになります。
※ 共同出願を含む
知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、この公報の全文を閲覧できます。 ログインはこちら ログイン・ユーザー登録
技術分野
半導体装置及びその製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特性を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１電極、第２電極、第３電極、第１半導体領域、第２半導体領域、第１窒化物領域及び第１絶縁部材を含む。前記第１電極から前記第２電極への方向は第１方向に沿う。前記第３電極は、第１電極部分を含む。前記第３電極の前記第１方向における位置は、前記第１電極の前記第１方向における位置と、前記第２電極の前記第１方向における位置と、の間にある。前記第１半導体領域は、Ａｌ・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図2】
図２は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図3】
図３は、第１半導体装置の特性を例示するグラフである。
【図4】
図４は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図5】
図５は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図6】
図６は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図7】
図７は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図8】
図８は、第１半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図9】
図９は、第２半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図10】
図１０は、第２半導体装置を例示する模式的断面図である。
【図11】
図１１（ａ）～図１１（ｄ）は、第３半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図12】
図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、第３半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０：第１半導体領域、 １０Ｂ：構造体、 １０ｃ：キャリア領域、 １１～１５：第１～第５部分領域、 １７：凹部、 １７Ｂ：底部、 １７Ｓ：側部、 １８ｂ：窒化物層、 １８ｓ：基体、 ２０：第２半導体領域、 ２１、２２：第１、第２半導体部分、 ３０：第１窒化物領域、 ３０ａ、３０ｂ：第１、第２膜部分、 ３０ｆ：膜、 ３１～３５：第１～第５窒化物部分、 ４１、４２：第１、第２絶縁部材、 ４１ａ～４１ｅ：第１～第５絶縁部分、 ４２ａ、４２ｂ：第１、第２絶縁領域、 ５１～５３：第１～第３電極、 ５３ａ：第１電極部分、 ６０：第１化合物領域、 ６１、６２：第１、第２化合物部分、 １１０～１１６、１２０、１２１：半導体装置、 Ｄ１、Ｄ２：第１、第２方向、 Ｆ１、Ｆ２：第１、第２面、 Ｆａ１：第１対向面、 ｄ１：距離、 ｔ２１、ｔ２２：第１、第２半導体部分厚さ、 ｔ３０ａ、ｔ３０ｂ：厚さ、 ｔ３１～ｔ３５：第１～第５窒化物部分厚さ、 ｔ６１、ｔ６２：第１、第２化合物部分厚さ、 μ１：キャリア移動度
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録
［広告欄］
ログインすれば広告は減ります
ログインすれば広告は減ります