特許7931222IP Force 特許公報全文掲載

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本発明の一態様は、酸化物半導体膜を有する半導体装置及び該半導体装置を有する表示 装置に関する。または、本発明の一態様は、酸化物半導体膜を有する半導体装置の作製方 法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

酸化物半導体膜をチャネル領域に用いるトランジスタとしては、電界効果移動度(単に 移動度、またはμFEという場合がある)が高い方が好ましい。例えば、特許文献1に示 すように、2つのゲート電極の間に酸化物半導体膜が設けられるデュアルゲート構造のト ランジスタを用いることで、トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を高めることが できる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、第1 のゲート電極と、第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上の酸化物半導体 膜と、酸化物半導体膜上のソース電極と、酸化物半導体膜上のドレイン電極と、酸化物半 導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上の第2のゲ ート電極と、を有し、第1の絶縁膜は、第1の開口部を有し、第1の絶縁膜・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様により、酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電気特性の変
動を抑制すると共に、信頼性を向上させることができる。または、本発明の一態様により
、2つのゲート電極を有するデュアルゲート構造のトランジスタにおいて、一方のゲート
電極と他方のゲート電極との接続抵抗を低減させ、安定した電気特性を有する半導体装置
を提供することができる。または、本発明の一態様により、消費電力が低減された半導体
装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な半導体装置を提供
することができる。または、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供することがで
きる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 半導体装置の一態様を示す上面図及び断面図。
【図2】 半導体装置の一態様を示す断面図。
【図3】 半導体装置の一態様を示す断面図。
【図4】 半導体装置の一態様を示す断面図。
【図5】 半導体装置の一態様を示す断面図。
【図6】 半導体装置の一態様を示す断面図。
【図7】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図8】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図9】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図10】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図11】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図12】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図13】 酸化物半導体の原子数比の範囲を説明する図。
【図14】 InMZnO4の結晶を説明する図。
【図15】 酸化物半導体の積層構造におけるバンド図。
【図16】 CAAC-OS及び単結晶酸化物半導体のXRDによる構造解析を説明する図、ならびにCAAC-OSの制限視野電子回折パターンを示す図。
【図17】 CAAC-OSの断面TEM像、ならびに平面TEM像及びその画像解析像。
【図18】 nc-OSの電子回折パターンを示す図、及びnc-OSの断面TEM像。
【図19】 a-like OSの断面TEM像。
【図20】 In-Ga-Zn酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。
【図21】 表示装置の一態様を示す上面図。
【図22】 表示装置の一態様を示す断面図。
【図23】 表示装置の一態様を示す断面図。
【図24】 表示装置の一態様を示す断面図。
【図25】 表示装置の一態様を示す断面図。
【図26】 表示装置の一態様を示す断面図。
【図27】 表示装置の一態様を示す断面図。
【図28】 表示装置を説明するブロック図及び回路図。
【図29】 本発明の一態様を説明するための回路図およびタイミングチャート。
【図30】 本発明の一態様を説明するためのグラフおよび回路図。
【図31】 本発明の一態様を説明するための回路図およびタイミングチャート。
【図32】 本発明の一態様を説明するための回路図およびタイミングチャート。
【図33】 本発明の一態様を説明するためのブロック図、回路図および波形図。
【図34】 本発明の一態様を説明するための回路図およびタイミングチャート。
【図35】 本発明の一態様を説明するための回路図。
【図36】 本発明の一態様を説明するための回路図。
【図37】 表示モジュールを説明する図。
【図38】 電子機器を説明する図。
【図39】 電子機器を説明する図。
【図40】 表示装置を説明する斜視図。

代表図 図1本件の代表的な図

100 トランジスタ 100A トランジスタ 100B トランジスタ 100C トランジスタ 100D トランジスタ 100E トランジスタ 102 基板 104 導電膜 106 絶縁膜 107 絶縁膜 108 酸化物半導体膜 108a 酸化物半導体膜 108b 酸化物半導体膜 108b_0 酸化物半導体膜 108c 酸化物半導体膜 108c_ 酸化物半導体膜 108c_0 酸化物半導体膜 112_1 導電膜 112_2 導電膜 112_3 導電膜 112a 導電膜 112a_1 金属膜 112a_2 金属膜 112a_3 金属膜 112b 導電膜 112b_ 導電膜 112b_1 金属膜 112b_2 金属膜 112b_3 金属膜 112c 導電膜 112c_1 金属膜 112c_2 金属膜 112c_3 金属膜 114 絶縁膜 115 絶縁膜 116 絶縁膜 118 絶縁膜 120_1 酸化物導電膜 120_2 金属膜 120a 導電膜 120a_1 酸化物導電膜 120a_2 金属膜 120b 導電膜 120b_1 酸化物導電膜 120b_2 金属膜 141a マスク 141b マスク 141c マスク 142a マスク 142b マスク 142c マスク 151 開口部 152a 開口部 152b 開口部 191 ターゲット 192 プラズマ 193 ターゲット 194 プラズマ 501 画素回路 502 画素部 504 駆動回路部 504a ゲートドライバ 504b ソースドライバ 506 保護回路 507 端子部 550 トランジスタ 552 トランジスタ 554 トランジスタ 560 容量素子 562 容量素子 570 液晶素子 572 発光素子 664 電極 665 電極 667 電極 700 表示装置 701 基板 702 画素部 704 ソースドライバ回路部 705 基板 706 ゲートドライバ回路部 708 FPC端子部 710 信号線 711 配線部 712 シール材 716 FPC 730 絶縁膜 732 封止膜 734 絶縁膜 736 着色膜 738 遮光膜 750 トランジスタ 752 トランジスタ 760 接続電極 770 平坦化絶縁膜 772 導電膜 773 絶縁膜 774 導電膜 775 液晶素子 776 液晶層 777 導電膜 778 構造体 780 異方性導電膜 782 発光素子 786 EL層 788 導電膜 790 容量素子 791 タッチパネル 792 絶縁膜 793 電極 794 電極 795 絶縁膜 796 電極 797 絶縁膜 800 インバータ 810 OSトランジスタ 820 OSトランジスタ 831 信号波形 832 信号波形 840 破線 841 実線 850 OSトランジスタ 860 CMOSインバータ 900 半導体装置 901 電源回路 902 回路 903 電圧生成回路 903A 電圧生成回路 903B 電圧生成回路 903C 電圧生成回路 904 回路 905 電圧生成回路 906 回路 911 トランジスタ 912 トランジスタ 912A トランジスタ 912B トランジスタ 921 制御回路 922 トランジスタ 7000 表示モジュール 7001 上部カバー 7002 下部カバー 7003 FPC 7004 タッチパネル 7005 FPC 7006 表示パネル 7007 バックライト 7008 光源 7009 フレーム 7010 プリント基板 7011 バッテリ 8000 カメラ 8001 筐体 8002 表示部 8003 操作ボタン 8004 シャッターボタン 8006 レンズ 8100 ファインダー 8101 筐体 8102 表示部 8103 ボタン 8200 ヘッドマウントディスプレイ 8201 装着部 8202 レンズ 8203 本体 8204 表示部 8205 ケーブル 8206 バッテリ 8300 ヘッドマウントディスプレイ 8301 筐体 8302 表示部 8304 固定具 8305 レンズ 9000 筐体 9001 表示部 9003 スピーカ 9005 操作キー 9006 接続端子 9007 センサ 9008 マイクロフォン 9050 操作ボタン 9051 情報 9052 情報 9053 情報 9054 情報 9055 ヒンジ 9100 テレビジョン装置 9101 携帯情報端末 9102 携帯情報端末 9200 携帯情報端末 9201 携帯情報端末 9500 表示装置 9501 表示パネル 9502 表示領域 9503 領域 9511 軸部 9512 軸受部

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