特許文献１に示される構造において、半導体層のバルク中に配されたＰＤは、拡散層によって素子分離がされているため暗電流は小さくなる。一方、ポテンシャル分布を考慮した場合に、信号電荷に対してＰＤの中央部はポテンシャルが深く、ＰＤの端部はポテンシャルが高くなる。特許文献１に示される構造において、バルク中のＰＤの信号電荷を転送するための転送ゲートは、半導体層の主面上に、バルク中のＰＤの端部に対応するように配される。バルク中のＰＤは主面から離れて配されるため、半導体層の主面上に配された転送ゲートが、バルク中のＰＤの端部のポテンシャルを小さくする電界を発生させることは難しい。そのため、バルク中のＰＤの端部のポテンシャルの高さを、転送ゲートが発生させる電界によって信号電荷が転送できるように低く設計する必要があり、結果的にバルク中のＰＤの飽和信号量は小さくなってしまう。

課題に鑑みて、本発明の光電変換装置は、第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを備える半導体層に配された複数の画素を含む光電変換装置であって、前記複数の画素のそれぞれは、信号電荷を蓄積する第１導電型の第１領域を含む第１フォトダイオードと、前記第１主面に対する正射影において少なくとも一部が前記第１領域に重なるように前記第１領域と前記第２主面との間に配され、信号電荷を蓄積す・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る