近年の半導体装置の高性能化に伴い、半導体装置に種々の加工を施す工程が行われるようになってきた。例えば、半導体装置の表面にスパッタリングにより金属薄膜を形成する工程では、３００～３５０℃程度の高温で加工を行うことにより、より導電性に優れた金属薄膜を形成することができる。 しかしながら、従来の粘着剤組成物や粘着テープを用いて保護した半導体装置に、３００℃以上の高温加工処理を行うと、接着亢進を起こして、剥離時に充分に粘着力が低下しなかったり、糊残りが発生したりすることがある。また、３００℃以上の高温加工処理を経て製造される半導体装置は薄化が進んでおり、通常のメカニカル剥離方法を採用した場合、粘着剤組成物や粘着テープの剥離時に半導体装置の破損が生じることがある。

本開示１は、仮固定材を半導体装置に仮固定する仮固定工程（１）と、前記半導体装置に熱処理を行う熱処理工程（２）と、前記仮固定材から熱処理後の前記半導体装置を剥離する剥離工程（３）とをこの順に有し、前記剥離工程（３）において、下記式（Ｆ１）及び式（Ｆ２）を満たす条件で、前記仮固定材から熱処理後の前記半導体装置を剥離する半導体装置の製造方法である。 Ｅ’（Ｔ１）≦３×１０７ （Ｆ１） ０．０８０＜Ｌ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る