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特許 7931935出願番号 特願 2025-127316
半導体装置
出願人 株式会社豊田中央研究所（識別番号 3609）
2026年 特許公開件数ランキング 80位 316件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 76位 268件（※）
出願人 株式会社デンソー（識別番号 4260）
2026年 特許公開件数ランキング 16位 902件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 10位 1,118件（※）
公報発行日 2026年10月7
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7931935 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
本明細書が開示する技術は、半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本明細書は、リカバリ損失が抑えられるとともに高耐圧な特性を有する半導体装置を提供する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本明細書が開示する半導体装置の一半導体層と、前記半導体層の下面に被覆されている第１主電極と、前記半導体層の上面に被覆されている第２主電極と、を備えることができる。前記半導体層は、第１導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上面の一部に接している第１導電型のピラー領域と、前記ドリフト領域の上面の他の一部に接している第２導電型領域であって、前記ピラー領域の側面に接する部分に配置され・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
半導体装置の要部断面図を模式的に示す図である。
【図2】
変形例の半導体装置の要部断面図を模式的に示す図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１：半導体装置、 １０：半導体層、 １１：カソード領域、 １２：ドリフト領域、 １３：ピラー領域、 １４：ｐ型領域、 １５：アノード領域、 １６：ベース領域、 １７：コンタクト領域、 １８：ソース領域、 ２２：カソード電極、 ２４：アノード電極
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