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本発明の一態様は、表示装置、電子機器、及び半導体装置の作製方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

のとおり、ＸＲ向けの機器としては、表示品位が高い表示装置が求められている。また、ＸＲ向けの表示装置としては、例えば、眼鏡型の筐体、ゴーグル型の筐体に備える必要があるため、表示装置のサイズを小さくすることが好ましい。具体的には、例えば、ＶＲ向け機器の場合、表示装置の大きさ（対角の長さ）は、１インチ以上２インチ以下とすることが好ましい。また、例えば、ＡＲ向け機器の場合、表示装置の大きさは、３インチ以下とすることが好ましく、２インチ以下とすることがより好ましく、１．５インチ以下とすることがさらに好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

（１） 本発明の一態様は、第１層と、前記第１層の上方に位置する第２層と、を有する表示装置である。第１層は、第１駆動回路と、第２駆動回路と、を有し、第２層は、第１画素領域と、第２画素領域と、を有する。また、第１画素領域は、第１画素回路を有し、第２画素領域は、第２画素回路を有する。また、第１画素領域は、第１回路に重畳する領域を有し、第２画素領域は、第２回路に重畳する領域を有する。第１画素回路は、・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によって、駆動回路が冗長性を有する表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、歩留まりが高い表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、表示品位が高い表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、新規な表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、上述したいずれかの表示装置を有する電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、駆動回路が冗長性を有するための半導体装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、新規な半導体装置の作製方法を提供することができる。

なお本発明の一態様の効果は、列挙した効果に限定されない。列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、列挙した効果、及び他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、列挙した効果を有さない場合もある。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１Ａ、及び図１Ｂは、表示装置の構成例を示す斜視模式図である。
【図2】 図２Ａ、及び図２Ｂは、表示装置の構成例を示す断面模式図である。
【図3】 図３Ａ、及び図３Ｂは、表示装置の構成例を示した平面模式図である。
【図4】 図４Ａ、及び図４Ｂは、表示装置の構成例を示した平面模式図である。
【図5】 図５Ａ、及び図５Ｂは、表示装置の構成例を示す斜視模式図である。
【図6】 図６は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図7】 図７は、表示装置の動作例を示すタイミングチャートである。
【図8】 図８は、表示装置の動作例を示すタイミングチャートである。
【図9】 図９は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図10】 図１０は、表示装置の動作例を示すタイミングチャートである。
【図11】 図１１Ａは表示装置の構成例を示す平面模式図であり、図１１Ｂは表示装置の構成例を示す断面模式図である。
【図12】 図１２Ａは表示装置の構成例を示す平面模式図であり、図１２Ｂは表示装置の構成例を示す断面模式図である。
【図13】 図１３は、表示装置の作製方法の一例を示すフローチャートである。
【図14】 図１４は、表示装置の作製方法の一例を示すフローチャートである。
【図15】 図１５Ａは表示装置の構成例を示す平面模式図であり、図１５Ｂは表示装置の構成例を示す断面模式図である。
【図16】 図１６Ａは表示装置の構成例を示す平面模式図であり、図１６Ｂは表示装置の構成例を示す断面模式図である。
【図17】 図１７は、表示装置の構成例を示す断面模式図である。
【図18】 図１８Ａ乃至図１８Ｄは、発光デバイスの構成例を示した模式図である。
【図19】 図１９は、表示装置の構成例を示す断面模式図である。
【図20】 図２０Ａ、及び図２０Ｂは、トランジスタの構成例を示した断面模式図である。
【図21】 図２１Ａ、及び図２１Ｂは、トランジスタの構成例を示した断面模式図である。
【図22】 図２２Ａ、及び図２２Ｂは、表示装置の構成例を示した断面模式図である。
【図23】 図２３Ａ乃至図２３Ｄは、表示装置の構成例を示した断面模式図である。
【図24】 図２４Ａ、及び図２４Ｂは、表示装置の構成例を示した断面模式図である。
【図25】 図２５Ａ、及び図２５Ｂは、表示装置の構成例を示した断面模式図である。
【図26】 図２６Ａは、表示装置に含まれる画素回路の構成例を示した回路図であり、図２６Ｂは、表示装置に含まれる画素回路の構成例を示した斜視模式図である。
【図27】 図２７Ａ乃至図２７Ｄは、表示装置に含まれる画素回路の構成例を示した回路図である。
【図28】 図２８Ａ乃至図２８Ｄは、表示装置に含まれる画素回路の構成例を示した回路図である。
【図29】 図２９Ａ、及び図２９Ｂは、表示装置に含まれる発光デバイス、及び受光デバイスの構成例を示した上面図である。
【図30】 図３０Ａ乃至図３０Ｄは、表示装置に含まれる発光デバイス、受光デバイス、及び接続電極の構成例を示した断面模式図である。
【図31】 図３１Ａ、及び図３１Ｂは、表示モジュールの構成例を示した図である。
【図32】 図３２Ａ乃至図３２Ｆは、電子機器の構成例を示した図である。
【図33】 図３３Ａ、及び図３３Ｂは、表示モジュールの構成例を示した図である。
【図34】 図３４Ａ、及び図３４Ｂは、電子機器の構成例を示した図である。
【図35】 図３５Ａ乃至図３５Ｃは、電子機器の構成例を示した図である。
【図36】 図３６Ａ乃至図３６Ｄは、電子機器の構成例を示した図である。

代表図 図1本件の代表的な図

ＳＩＣＬ：回路層、ＬＩＮＬ：配線層、ＰＸＡＬ：画素層、ＢＳ１：基板、ＢＳ２：基板、ＬＩＡ：領域、ＤＲＶ：駆動回路領域、ＡＬＰ：画素アレイ、ＬＤ：ローカルドライバ回路、ＳＤ：駆動回路、ＧＤ：駆動回路、ＣＯＮ：コントローラ、ＰＧ：電圧生成回路、ＡＲＡ：画素領域、ＰＸ：画素回路、ＳＬ：配線、ＧＬ：配線、ＳＳＷ：スイッチ、ＧＳＷ：スイッチ、ＣＮＴ１Ａ：導電体、ＣＮＴ１Ｂ：導電体、ＣＮＴ２：導電体、ＥＲ：導電体、ＥＲＡ：導電体、ＬＲＡ：低抵抗領域、ＬＲＡ３：低抵抗領域、ＳＨＡ：半導体領域、ＤＤＬ：分離層、ＭＳＫ：絶縁体、ＩＮＳ１：絶縁体、ＩＮＳ２：絶縁体、ＩＮＳ３：絶縁体、ＩＮＳ４：絶縁体、ＷＴｒ：書き込みトランジスタ、ＧＥ：導電体、ＳＨＢ：半導体領域、ＬＲＢ：低抵抗領域、ＥＭＬ：層、ＯＳＬ：層、ＡＮＯ：配線、ＧＬ１：配線、ＧＬ２：配線、ＧＬ３：配線、Ｖ０：配線、ＶＣＯＭ：配線、１０：表示装置、１０Ａ：表示装置、１０Ｂ：表示装置、３０：駆動回路、８０：画素、８５Ｒ：正孔注入層、８５Ｇ：正孔注入層、８５Ｂ：正孔注入層、８６Ｒ：正孔輸送層、８６Ｇ：正孔輸送層、８６Ｂ：正孔輸送層、８６ＰＤ：正孔輸送層、８７Ｒ：発光層、８７Ｇ：発光層、８７Ｂ：発光層、８８Ｒ：電子輸送層、８８Ｇ：電子輸送層、８８Ｂ：電子輸送層、８８ＰＤ：電子輸送層、８９：共通層、９０：受光層、９１：保護層、９２：絶縁層、９３：接続部、１００：表示装置、１０２：基板、１１１：絶縁体、１１２：絶縁体、１１３：絶縁体、１１３ａ：絶縁体、１１３ｂ：絶縁体、１１３ｃ：絶縁体、１１４：絶縁体、１２１ａ：導電体、１２１ｂ：導電体、１２１ｃ：導電体、１２１Ｒ：導電体、１２１Ｇ：導電体、１２１Ｂ：導電体、１２１ＰＤ：導電体、１２１ＣＭ：導電体、１２２：導電体、１２３：導電体、１４１ａ：ＥＬ層、１４１ｂ：ＥＬ層、１４１ｃ：ＥＬ層、１４２：ＥＬ層、１５０：発光デバイス、１５０ａ：発光デバイス、１５０ｂ：発光デバイス、１５０ｃ：発光デバイス、１５０Ｒ：発光デバイス、１５０Ｇ：発光デバイス、１５０Ｂ：発光デバイス、１５０ＩＲ：発光デバイス、１６０：受光デバイス、１６１：樹脂層、１６２ａ：着色層、１６２ｂ：着色層、１６２ｃ：着色層、１６４：接着層、１６５：接着層、２００：トランジスタ、２０２：絶縁体、２１０：基板、２１４：絶縁体、２１６：導電体、２２０：絶縁体、２２２：絶縁体、２２４：絶縁体、２２６：絶縁体、２２８：導電体、２３０：導電体、２５０：絶縁体、２５２：絶縁体、２５６：導電体、３００：トランジスタ、３１０：基板、３１２：素子分離層、３１３：半導体領域、３１４ａ：低抵抗領域、３１４ｂ：低抵抗領域、３１５：絶縁体、３１６：導電体、３１７：絶縁体、３２０：絶縁体、３２２：絶縁体、３２４：絶縁体、３２６：絶縁体、３２８：導電体、３３０：導電体、３５０：絶縁体、３５２：絶縁体、３５４：絶縁体、３５６：導電体、３６０：絶縁体、３６２：絶縁体、３６４：絶縁体、３６６：導電体、３７０：絶縁体、３７２：絶縁体、３７６：導電体、３８０：絶縁体、４００：画素回路、４００Ａ：画素回路、４００Ｂ：画素回路、４００Ｃ：画素回路、４００Ｄ：画素回路、４００Ｅ：画素回路、４００Ｆ：画素回路、４００Ｇ：画素回路、４００Ｈ：画素回路、５００：トランジスタ、５００Ａ：トランジスタ、５００Ｂ：トランジスタ、５００Ｃ：トランジスタ、５００Ｄ：トランジスタ、５０３：導電体、５０３ａ：導電体、５０３ｂ：導電体、５１２：絶縁体、５１４：絶縁体、５１６：絶縁体、５２２：絶縁体、５２４：絶縁体、５３０：酸化物、５３０ａ：酸化物、５３０ｂ：酸化物、５３０ｂａ：領域、５３０ｂｂ：領域、５３０ｂｃ：領域、５４０：導電体、５４０ａ：導電体、５４０ｂ：導電体、５４１：絶縁体、５４１ａ：絶縁体、５４１ｂ：絶縁体、５４２：導電体、５４２ａ：導電体、５４２ｂ：導電体、５４４：絶縁体、５５０：絶縁体、５５０ａ：絶縁体、５５０ｂ：絶縁体、５５２：絶縁体、５５４：絶縁体、５６０：導電体、５６０ａ：導電体、５６０ｂ：導電体、５７１：絶縁体、５７１ａ：絶縁体、５７１ｂ：絶縁体、５７４：絶縁体、５７６：絶縁体、５８０：絶縁体、５８１：絶縁体、６００：容量、６００Ａ：容量、１２８０：表示モジュール、１２８１：表示部、１２９０：ＦＰＣ、１２８３：画素回路部、１２８３ａ：画素回路、１２８４：画素部、１２８４ａ：画素、１２８５：端子部、１２８６：配線部、１２９１：基板、１２９２：基板、１４３０ａ：発光デバイス、１４３０ｂ：発光デバイス、１４３０ｃ：発光デバイス、４４００ａ：発光ユニット、４４００ｂ：発光ユニット、４４１１：発光層、４４１２：発光層、４４１３：発光層、４４２０：層、４４２０－１：層、４４２０－２：層、４４３０：層、４４３０－１：層、４４３０－２：層、４４４０：中間層、５２００：携帯ゲーム機、５２０１：筐体、５２０２：表示部、５２０３：ボタン、５９００：情報端末、５９０１：筐体、５９０２：表示部、５９０３：操作ボタン、５９０４：操作子、５９０５：バンド、６０００：表示モジュール、６００１：上部カバー、６００２：下部カバー、６００５：ＦＰＣ、６００６：表示装置、６００９：フレーム、６０１０：プリント基板、６０１１：バッテリ、６０１５：発光部、６０１６：受光部、６０１７ａ：導光部、６０１７ｂ：導光部、６０１８：光、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、８０００：カメラ、８００１：筐体、８００２：表示部、８００３：操作ボタン、８００４：シャッターボタン、８００６：レンズ、８１００：ファインダー、８１０１：筐体、８１０２：表示部、８１０３：ボタン、８２００：ヘッドマウントディスプレイ、８２０１：装着部、８２０２：レンズ、８２０３：本体、８２０４：表示部、８２０５：ケーブル、８２０６：バッテリ、８３００：ヘッドマウントディスプレイ、８３０１：筐体、８３０２：表示部、８３０３：操作ボタン、８３０４：固定具、８３０５：レンズ、８３０６：ダイヤル、８３０７：ダイヤル、８３０８：駆動部、８３１０：ユーザ、８３１１：ユーザ

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