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特許 7932472出願番号 特願 2024-232210
半導体装置
出願人 株式会社半導体エネルギー研究所（識別番号 153878）
2026年 特許公開件数ランキング 10位 1,009件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 18位 774件（※）
公報発行日 2026年10月8
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7932472 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
絶縁膜及び電界効果トランジスタを有する半導体装置の作製方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損は、ト
ランジスタの電気特性の不良に繋がる。例えば、膜中に酸素欠損が含まれている酸化物半
導体を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナス方向に変動しやすく、ノーマリー
オン特性となりやすい。これは、酸化物半導体に含まれる酸素欠損に起因して電荷が生じ
てしまい、低抵抗化するためである。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、プラズマＣＶＤ法を用いて化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの
酸素を含む酸化絶縁膜を形成することを特徴とする。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、トランジスタ上に形成される保護膜として
化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜を形成することで、更に
は当該保護膜から酸化物半導体膜に酸素を拡散させることで、酸化物半導体膜に含まれる
酸素欠損量を低減することができる。このため、本発明の一態様により、優れた電気特性
を有する半導体装置を作製することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
トランジスタの一形態を説明する上面図及び断面図である。
【図2】
トランジスタの作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図3】
トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図4】
トランジスタの作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図5】
トランジスタの一形態を説明する上面図及び断面図である。
【図6】
トランジスタの作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図7】
トランジスタの一形態を説明する上面図及び断面図である。
【図8】
トランジスタの一形態を説明する上面図及び断面図である。
【図9】
トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図10】
トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図11】
トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図12】
トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図13】
半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図14】
半導体装置の一形態を示す回路図である。
【図15】
半導体装置の一形態を示すブロック図である。
【図16】
半導体装置の一形態を示すブロック図である。
【図17】
半導体装置の一形態を示すブロック図である。
【図18】
作製した試料のＴＤＳ分析結果を示す図である。
【図19】
作製した試料の酸素分子脱離量を示す図である。
【図20】
作製した試料のＴＤＳ分析結果を示す図である。
【図21】
作製した試料における電力と、単位面積あたりのスピン数の関係を示す図である。
【図22】
作製した試料におけるシラン流量と、単位面積あたりのスピン数の関係を示す図である。
【図23】
作製した試料のＣＰＭ測定結果を示す図である。
【図24】
作製した試料の電流－電圧特性の初期特性を示す図である。
【図25】
作製した試料の電流－電圧特性の初期特性を示す図である。
【図26】
Ｃ－Ｖ測定用のＭＯＳ構造素子を示す図である。
【図27】
作製した試料のＣ－Ｖ測定結果を示す図である。
【図28】
作製した試料のＥＳＲ測定結果を示す図である。
【図29】
作製した試料の欠陥密度とヒステリシス量の関係を示す図である。
代表図 図1本件の代表的な図
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