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2026年 特許公開件数ランキング 10位 1,009件(※)
2026年 特許取得件数ランキング 18位 774件(※)
公報発行日 2026年10月8
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7932539 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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本発明の一態様によって、光電流が少なく、寄生容量が小さく、オン・オフ比の高い薄膜
トランジスタを得ることができ、良好な動特性(f特性)を有する薄膜トランジスタを作
製できる。よって、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を
提供できる。
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