特許7932545IP Force 特許公報全文掲載

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本発明の一態様は、表示装置の動作方法に関する。また、本発明の一態様は、表示装置に 関する。また、本発明の一態様は、電子機器

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ＨＭＤ等、表示部と使用者の距離が近い表示装置においては、使用者が画素を視認しやす く粒状感を強く感じてしまうことから、ＡＲやＶＲの没入感、及び臨場感が薄れる場合が ある。このため、ＨＭＤにおいては、使用者に画素を視認されないように画素密度の高い 表示装置が望まれる。例えば、１０００ｐｐｉ以上、好ましくは５０００ｐｐｉ以上、よ り好ましくは７０００ｐｐｉ以上の画素密度であることが好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、表示部と、センサ部と、を有し、表示部には、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは２ 以上の整数）の画素がマトリクス状に配列され、センサ部には、光電変換素子が設けられ た表示装置の動作方法であって、表示部を、第１の領域と、第２の領域と、に分割し、第 １の領域に含まれる画素から第１の光を射出して、第１の光の輝度を光電変換素子により 検出し、第２の領域に含まれる画素から第２の光を射出して、第２の光の輝度・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様により、画素の欠陥が視認されにくい表示装置の動作方法を提供すること
ができる。又は、本発明の一態様により、高品位の画像を表示することができる表示装置
の動作方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、画素密度が高い表示
装置の動作方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高速に動作する
表示装置の動作方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、低消費電力
な表示装置の動作方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、新規な表
示装置の動作方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、動作方法
で動作する表示装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１Ａは、表示装置の構成例を示すブロック図である。図１Ｂは、画素の構成例を示す図である。
【図2】 図２Ａ１及び図２Ａ２、図２Ｂ１及び図２Ｂ２、図２Ｃ１及び図２Ｃ２、並びに図２Ｄ１及び図２Ｄ２は、表示装置の動作の一例を示す図である。
【図3】 図３Ａ乃至図３Ｃは、表示装置の動作の一例を示す図である。
【図4】 図４Ａ乃至図４Ｈは、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図5】 図５Ａ、及び図５Ｂは、表示装置の動作の一例を示す図である。
【図6】 図６Ａ、及び図６Ｂは、表示装置の動作の一例を示す図である。
【図7】 図７Ａ、及び図７Ｂは、表示装置の動作の一例を示す図である。
【図8】 図８Ａ、及び図８Ｂは、表示装置の動作の一例を示す図である。
【図9】 図９Ａは、電子機器の構成例を示す斜視図である。図９Ｂは、画素の構成例を示す図である。
【図10】 図１０Ａ、及び図１０Ｂは、表示装置と使用者の位置関係を示す図である。
【図11】 図１１は、表示装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図12】 図１２Ａ乃至図１２Ｃは、判定テーブル１、判定テーブル２、及び警告表示の一例を示す図である。
【図13】 図１３は、表示装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図14】 図１４Ａ、及び図１４Ｂは、判定テーブル３、及び警告表示の一例を示す図である。
【図15】 図１５は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図16】 図１６は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図17】 図１７は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図18】 図１８は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図19】 図１９は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図20】 図２０は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図21】 図２１は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図22】 図２２は、ゲートドライバ回路の構成例を示すブロック図である。
【図23】 図２３Ａは、レジスタ回路の構成例を示すブロック図である。図２３Ｂは、レジスタ回路の構成例を示す回路図である。
【図24】 図２４は、ゲートドライバ回路及びデータドライバ回路の配置の例を示す模式図である。
【図25】 図２５は、ゲートドライバ回路及びデータドライバ回路の構成例を示す上面図である。
【図26】 図２６Ａ乃至図２６Ｇは、画素の構成例を示す図である。
【図27】 図２７Ａ乃至図２７Ｃは、画素の構成例を示す回路図である。
【図28】 図２８Ａは、画素の構成例を示す回路図である。図２８Ｂは、画素の動作方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図29】 図２９Ａ、図２９Ｃ、及び図２９Ｄは、画素の構成例を示す回路図である。図２９Ｂは、画素の動作方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図30】 図３０Ａ乃至図３０Ｅは、画素の構成例を示す回路図である。
【図31】 図３１は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図32】 図３２は、表示装置の動作例を説明する図である。
【図33】 図３３は、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図34】 図３４は、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図35】 図３５は、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図36】 図３６は、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図37】 図３７は、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図38】 図３８は、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図39】 図３９Ａ、及び図３９Ｂは、画素の構成例を示す上面図である。
【図40】 図４０は、画素の構成例を示す上面図である。
【図41】 図４１は、画素の構成例を示す断面図である。
【図42】 図４２Ａは、画素の構成例を示す模式図である。図４２Ｂは、画素の構成例を示す上面図である。
【図43】 図４３Ａ、及び図４３Ｂは、画素の構成例を示す上面図である。
【図44】 図４４は、画素の構成例を示す上面図である。
【図45】 図４５は、画素の構成例を示す上面図である。
【図46】 図４６は、画素の構成例を示す断面図である。
【図47】 図４７Ａ乃至図４７Ｅは、発光素子の構成例を示す図である。
【図48】 図４８Ａは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図４８Ｂ及び図４８Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
【図49】 図４９Ａは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図４９Ｂ及び図４９Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
【図50】 図５０Ａは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図５０Ｂ及び図５０Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
【図51】 図５１Ａは、ＩＧＺＯの結晶構造の分類を説明する図である。図５１Ｂは、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜のＸＲＤスペクトルを説明する図である。図５１Ｃは、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜の極微電子線回折パターンを説明する図である。
【図52】 図５２Ａ乃至図５２Ｇは、電子機器の構成例を示す斜視図である。
【図53】 図５３Ａは、実施例に係るＩｇ－Ｖｇ特性の測定結果を示す図である。図５３Ｂ及び図５３Ｃは、実施例に係るＩｄ－Ｖｄ特性の測定結果を示す図である。
【図54】 図５４Ａ、及び図５４Ｂは、実施例に係るＩｄ－Ｖｄ特性の測定結果を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０：表示装置、２０：層、２１：ゲートドライバ回路、２１ａ：ゲートドライバ回路、 ２１ｂ：ゲートドライバ回路、２２：データドライバ回路、２２ａ：データドライバ回路 、２２ｂ：データドライバ回路、２３：領域、２３ａ：領域、２３ｂ：領域、２４：デマ ルチプレクサ回路、３０：層、３１：配線、３１＿１：配線、３１＿２：配線、３１＿３ ：配線、３１ａ：配線、３１ｂ：配線、３２：配線、３２＿１：配線、３２＿２：配線、 ３３：表示部、３４：画素、３５：センサ部、３５Ｂ：センサ部、３５Ｌ：センサ部、３ ５Ｒ：センサ部、３５Ｔ：センサ部、３６：画素、３７：メモリ部、３８：セル、３９： 配線、３９ａ：配線、３９ｂ：配線、４０：機能回路、５１：トランジスタ、５２：トラ ンジスタ、５３：トランジスタ、５４：トランジスタ、５５：トランジスタ、５６：トラ ンジスタ、５７：トランジスタ、５８：トランジスタ、５９：トランジスタ、６０：トラ ンジスタ、６１：トランジスタ、６２：トランジスタ、６３：トランジスタ、６４：容量 素子、６５：容量素子、６６：容量素子、６７：ソースフォロワ回路、７０：領域、７１ ：トランジスタ、７２：トランジスタ、７３：ダミートランジスタ、８１：表示素子、８ ２：光、８３：光電変換素子、８４：光、８５：発光素子、８６：光、１００：電子機器 、１０１：筐体、１１０：チャネル形成領域、１１１：ソース領域、１１２：ドレイン領 域、１１３：ゲート電極、１１４：開口部、１１５：配線、１１６：開口部、１１７：配 線、１１８：開口部、１１９：開口部、１２０：開口部、１２１：配線、１２２：配線、 １２３：配線、１３０：チャネル形成領域、１３１：ソース領域、１３２：ドレイン領域 、１３３：ゲート電極、１３４：開口部、１３５：配線、１３６：開口部、１３７：配線 、１３８：開口部、１３９：開口部、１４０：開口部、１４１：配線、１４２：配線、１ ４３：配線、１５１：半導体、１５２：導電体、１６０：ジェネレータ、１６１：学習デ ータ、１６２：学習用画像データ、１６３：学習用欠陥画素座標データ、１６４：テスト データ、１６５：テスト用画像データ、１６６：テスト用欠陥画素座標データ、１６７： 学習結果、１６８：画像データ、１６９：欠陥画素座標データ、１７０：画像データ、１ ７１：眼球、１７１Ｌ：眼球、１７１Ｒ：眼球、２００Ａ：トランジスタ、２００Ｂ：ト ランジスタ、２００Ｃ：トランジスタ、２０５：導電体、２１４：絶縁体、２１６：絶縁 体、２２２：絶縁体、２２４：絶縁体、２３０：金属酸化物、２３０ａ：金属酸化物、２ ３０ｂ：金属酸化物、２３０ｃ：金属酸化物、２４０：導電体、２４０ａ：導電体、２４ ０ｂ：導電体、２４１：絶縁体、２４１ａ：絶縁体、２４１ｂ：絶縁体、２４２：導電体 、２４２ａ：導電体、２４２ｂ：導電体、２４３ａ：領域、２４３ｂ：領域、２４４：絶 縁体、２５０：絶縁体、２５２：金属酸化物、２５４：絶縁体、２６０：導電体、２６０ ａ：導電体、２６０ｂ：導電体、２７０：絶縁体、２７１：絶縁体、２７２：絶縁体、２ ７４：絶縁体、２８０：絶縁体、２８１：絶縁体、３０１ａ：導電体、３０１ｂ：導電体 、３０５：導電体、３１１：導電体、３１３：導電体、３１７：導電体、３２１：下部電 極、３２３：絶縁体、３２５：上部電極、３３１：導電体、３３３：導電体、３３５：導 電体、３３７：導電体、３４１：導電体、３４３：導電体、３４７：導電体、３５１：導 電体、３５３：導電体、３５５：導電体、３５７：導電体、３６１：絶縁体、３６３：絶 縁体、４０１：回路、４０３：素子分離層、４０５：絶縁体、４０７：絶縁体、４０９： 絶縁体、４１１：絶縁体、４１３：絶縁体、４１５：絶縁体、４１７：絶縁体、４１９： 絶縁体、４２１：絶縁体、４４１：トランジスタ、４４３：導電体、４４５：絶縁体、４ ４７：半導体領域、４４９ａ：低抵抗領域、４４９ｂ：低抵抗領域、４５１：導電体、４ ５３：導電体、４５５：導電体、４５７：導電体、４５９：導電体、４６１：導電体、４ ６３：導電体、４６５：導電体、４６７：導電体、４６９：導電体、４７１：導電体、５ ０１：絶縁体、５０３：絶縁体、５０５：絶縁体、５０７：絶縁体、５０９：絶縁体、５ １１：トランジスタ、５１３：トランジスタ、５１５：容量素子、５１７：容量素子、５ ２０：回路、５２１：トランジスタ、５２５：トランジスタ、５２７：トランジスタ、５ ２９：トランジスタ、５３１：配線、５３３：配線、５３５：配線、５３７：配線、５３ ９：配線、５４１：配線、５４３：配線、５４５：配線、５５０：トランジスタ、５５２ ：トランジスタ、５５４：トランジスタ、５６０：容量素子、５６２：容量素子、５７０ ：液晶素子、５７２：発光素子、５８２：トランジスタ、５８４：トランジスタ、５８６ ：トランジスタ、５８８：トランジスタ、５９０：容量素子、５９２：配線、６０１：ト ランジスタ、６０２：トランジスタ、６０３：トランジスタ、６１３：絶縁体、６１４： 絶縁体、６１６：絶縁体、６２２：絶縁体、６２４：絶縁体、６４４：絶縁体、６５４： 絶縁体、６７４：絶縁体、６８０：絶縁体、６８１：絶縁体、７０１：基板、７０５：基 板、７１２：シール材、７１６：ＦＰＣ、７２１：正孔注入層、７２２：正孔輸送層、７ ２３：発光層、７２４：電子輸送層、７２５：電子注入層、７３０：絶縁体、７３２：封 止層、７３４：絶縁体、７３６：着色層、７３８：遮光層、７５０：トランジスタ、７６ ０：接続電極、７７２：導電体、７７４：導電体、７７６：液晶層、７７８：構造体、７ ８０：異方性導電体、７８６：ＥＬ層、７８６ａ：ＥＬ層、７８６ｂ：ＥＬ層、７８６ｃ ：ＥＬ層、７８８：導電体、７９０：容量素子、７９２：電荷発生層、９０１：副画素、 ９０１Ｂ：副画素、９０１Ｇ：副画素、９０１Ｒ：副画素、９０２：画素、９１１：導電 体、９１２：導電体、９１３：半導体、９１４：半導体、９１５ａ：導電体、９１５ｂ： 導電体、９１６ａ：導電体、９１６ｂ：導電体、９１７：導電体、９１８：導電体、９１ ９：導電体、９２０：導電体、９２１：導電体、９２２：導電体、９２３：導電体、９２ ４：導電体、９２５：導電体、９２６：導電体、９２７：導電体、９２８：導電体、９２ ９：導電体、９３０：導電体、９３１：導電体、９４０：副画素、９４０＿１：副画素、 ９４０＿２：副画素、９４０Ｂ：副画素、９４０Ｇ：副画素、９４０Ｒ：副画素、９４１ ：画素、９５１：導電体、９５２：半導体、９５３：半導体、９５４ａ：導電体、９５４ ｂ：導電体、９５５ａ：導電体、９５５ｂ：導電体、９５６：導電体、９５７：導電体、 ９５８：導電体、９５９：導電体、９６０：導電体、９６１：導電体、９６２：導電体、 ９６３：導電体、９６４：導電体、９６５：導電体、９６６：導電体、９６７：導電体、 ９６８：導電体、９６９：導電体、９７０：導電体、９７１：半導体、９７２：半導体、 ９７３ａ：導電体、９７３ｂ：導電体、９７４ａ：導電体、９７４ｂ：導電体、９７５： 導電体、９７６：導電体、９７７：導電体、９７８：導電体、９７９：導電体、９８０： 導電体、９８１：導電体、９８２：導電体、９８３：導電体、９８４：導電体、９８５： 導電体、９８６：導電体、９８７：導電体、９９０：導電体、９９１：接着層、９９２： 絶縁体、９９３：着色層、９９３ａ：着色層、９９３ｂ：着色層、９９４：接着層、９９ ５：基板、１０２１：絶縁体、１０２２：絶縁体、１０２３：絶縁体、１０２４：絶縁体 、１０２５：絶縁体、１０２６：絶縁体、１０２７：絶縁体、１０３１：絶縁体、１０３ ２：絶縁体、１０３３：絶縁体、１０３４：絶縁体、１０３５：絶縁体、１０３６：絶縁 体、１０４２：絶縁体、１０４３：絶縁体、１０４４：絶縁体、１０４５：絶縁体、１０ ４６：絶縁体、１０４７：絶縁体、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピ ーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイク ロフォン、９０５０：操作ボタン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、 ９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１００：テレビジョン装置、９１０１：携帯情報 端末、９１０２：携帯情報端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

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