特許7932635IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

薄膜トランジスタ(以下、TFTという)で構成された回路を有する半導体装置および その作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置や有機発光素 子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供す ることを課題の一つとする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、金属薄膜よりも膜厚の厚い酸化物半導体層を積層し 、その後、加熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる 。金属薄膜としては、酸化処理により半導体を示す材料、例えばインジウム、亜鉛、錫、 モリブデン、またはタングステンなどを用いることが好ましい。酸化させた金属薄膜は、 第1の酸化物半導体層となり、その上に設けられている第2の酸化物半導体層・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

積層の酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を
実現できる。

また、同一基板上に積層の酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタと、単層の酸化物半
導体層を有する薄膜トランジスタを作製して複数種類の回路を構成することができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図2】 半導体装置の一例を示す断面図及び等価回路図および上面図。
【図3】 半導体装置の一例を示す等価回路図。
【図4】 半導体装置のブロック図の一例を説明する図。
【図5】 信号線駆動回路の構成の一例を説明する図。
【図6】 信号線駆動回路の動作の一例を説明するタイミングチャート。
【図7】 信号線駆動回路の動作の一例を説明するタイミングチャート。
【図8】 シフトレジスタの構成の一例を説明する図。
【図9】 図8に示すフリップフロップの接続構成の一例を説明する図。
【図10】 半導体装置の画素等価回路の一例を説明する図。
【図11】 半導体装置の一例を説明する断面図。
【図12】 半導体装置の一例を説明する上面図及び断面図。
【図13】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図14】 画素の一例を示す上面図。
【図15】 画素部、容量部、端子部の一例を示す断面図。
【図16】 端子部の一例を示す上面図および断面図。
【図17】 画素の一例を示す上面図。
【図18】 半導体装置の一例を説明する上面図及び断面図。
【図19】 半導体装置の一例を説明する断面図。
【図20】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図21】 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。
【図22】 半導体装置の一例を説明する断面図及び電子機器の外観図。
【図23】 電子機器の一例を示す図。
【図24】 電子機器の一例を示す図。

代表図 図1本件の代表的な図

101 ゲート電極 103 酸化物半導体層 108 容量配線 110 画素電極層 120 接続電極 121 端子 122 端子 128 透明導電膜 129 透明導電膜 150 端子 154 保護絶縁膜 155 透明導電膜 156 電極 350 基板 351 ゲート電極層 352 ゲート絶縁層 353 半導体層 357 絶縁膜 360 薄膜トランジスタ 380 金属薄膜 381 酸化物半導体膜 383 導電膜 384 マスク 385 酸化物半導体層 387 導電層 388 マスク 390 金属薄膜 391 酸化物半導体層 400 基板 401 ゲート電極 402 ゲート電極 403 ゲート絶縁層 404 コンタクトホール 405 酸化物半導体層 407 酸化物半導体層 409 第1配線 410 第2配線 411 第3配線 412 保護絶縁層 420 薄膜トランジスタ 430 薄膜トランジスタ 431 薄膜トランジスタ 451 酸化物半導体層 460 薄膜トランジスタ 461 薄膜トランジスタ 470 金属薄膜 471 酸化物半導体層 472 電極 473 絶縁層 474 電極 475 有機化合物層 481 酸化物半導体膜 485 酸化物半導体層 490 金属薄膜 491 酸化物半導体層

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