特許7932773IP Force 特許公報全文掲載

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関連出願 本出願は、2020年10月29日に出願された米国仮特許出願第63/107,393号、2021年2月25日に出願された米国特許出願第63/153,834号、2021年3月19日に出願された米国特許出願第63/163,453号、及び2021年4月28日に出願された米国特許出願第63/181,100号の優先権の利益を主張し、これらの各々の内容は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

ここで、本開示の例は、以下の図面を参照することによって説明され、異なる図面における同一の参照番号は、同一の要素及び/又はいくつかの非限定的な例において、類似の要素及び/又は対応する要素を示す。
【図1】 一例による、複数の層のそれぞれの間に配置された少なくとも1つの粒子構造の層を有する横方向側面の複数の層を有する例示的なデバイスの、断面態様からの簡略ブロック図である。
【図2A】 それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のSEM画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す図である。
【図2B】 それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のSEM画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す図である。
【図2C】 それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のSEM画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す図である。
【図2D】 それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のSEM画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す図である。
【図2E】 それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のSEM画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す図である。
【図3】 本開示の一例による、粒子構造体の層が粒子構造体パターン化コーティング上に配置されている、図1のデバイスの例示的なバージョンの断面態様からの簡略ブロック図である。
【図4A】 本開示の例による、粒子構造パターン化コーティングと粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図1のデバイスの例示的バージョンの断面態様からの簡略ブロック図である。
【図4B】 本開示の例による、粒子構造パターン化コーティングと粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図1のデバイスの例示的バージョンの断面態様からの簡略ブロック図である。
【図4C】 本開示の例による、粒子構造パターン化コーティングと粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図1のデバイスの例示的バージョンの断面態様からの簡略ブロック図である。
【図4D】 本開示の例による、粒子構造パターン化コーティングと粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図1のデバイスの例示的バージョンの断面態様からの簡略ブロック図である。
【図4E】 本開示の例による、粒子構造パターン化コーティングと粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図1のデバイスの例示的バージョンの断面態様からの簡略ブロック図である。
【図4F】 本開示の例による、粒子構造パターン化コーティングと粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図1のデバイスの例示的バージョンの断面態様からの簡略ブロック図である。
【図4G】 本開示の例による、粒子構造パターン化コーティングと粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図1のデバイスの例示的バージョンの断面態様からの簡略ブロック図である。
【図4H】 本開示の例による、粒子構造パターン化コーティングと粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図1のデバイスの例示的バージョンの断面態様からの簡略ブロック図である。
【図5】 本開示の一例による、少なくとも1つの粒子構造の下にある粒子構造パターン化コーティングと、その上に堆積された上位層とを含む、図3のデバイスを部分的に切り取った平面図の例である。
【図6A】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6B】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6C】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6D】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6E】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6F】 図6A~図6Eの顕微鏡写真の分析に基づく、粒子構造のヒストグラム分布を特徴的な粒子サイズの関数としてプロットしたヒストグラムである。
【図6G】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6H】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6I】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6J】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6K】 図6G~図6Jの顕微鏡写真の分析に基づく、粒子構造のヒストグラム分布を特徴的な粒子サイズの関数としてプロットしたヒストグラムである。
【図6L】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6M】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6N】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6O】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図6P】 図6L~図6Oの顕微鏡写真の分析に基づく、粒子構造のヒストグラム分布を特徴的な粒子サイズの関数としてプロットしたヒストグラムである。
【図7A】 本開示の一例による構造を形成するための複数のシードの堆積に続くパターン化コーティングの堆積によって形成された図1のデバイスの放出領域に近接する図1の少なくとも1つの粒子構造を示す概略図である。
【図7B】 本開示の一例による、複数のシードの堆積の前にパターン化コーティングの堆積によって形成された図7Aの少なくとも1つの粒子構造のバージョンを示す概略図である。
【図8A】 本開示の一例による、本体を覆うためのディスプレイパネルと、それを介してディスプレイパネルの層に対して非ゼロ角度でEM信号を交換するために内部に収容された少なくとも1つのアンダーディスプレイ構成要素とを有する例示的なユーザデバイスの様々な例の断面態様からの簡略ブロック図である。
【図8B】 本開示の一例による、本体を覆うためのディスプレイパネルと、それを介してディスプレイパネルの層に対して非ゼロ角度でEM信号を交換するために内部に収容された少なくとも1つのアンダーディスプレイ構成要素とを有する例示的なユーザデバイスの様々な例の断面態様からの簡略ブロック図である。
【図8C】 本開示の一例による、本体を覆うためのディスプレイパネルと、それを介してディスプレイパネルの層に対して非ゼロ角度でEM信号を交換するために内部に収容された少なくとも1つのアンダーディスプレイ構成要素とを有する例示的なユーザデバイスの様々な例の断面態様からの簡略ブロック図である。
【図9A】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図9B】 本開示の例において製作された試料のSEM顕微鏡写真である。
【図9C】 図9A及び図9Bの顕微鏡写真の分析に基づく平均直径のチャートである。
【図10】 本開示の一例による、内部に少なくとも1つの開口部を備える複数の層を有するディスプレイパネルを有する例示的なユーザデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
【図11A】 本開示の一例による、ユーザの生体認証のためにIR及び/又はNIRスペクトルにおいてEM放射を交換するために、少なくとも1つの開口部が少なくとも1つの信号透過領域によって具現化される、図10のユーザデバイスの使用を示す概略図である。
【図11B】 本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図10のユーザデバイスの平面図である。
【図11C】 図11Bに示されるデバイスの線11C-11Cに沿った断面図である。
【図11D】 本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図10のユーザデバイスの平面図である。
【図11E】 図11Dに示されるデバイスの線11E-11Eに沿った断面図である。
【図11F】 本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図10のユーザデバイスの平面図である。
【図11G】 図11Fに示されるデバイスの線11G-11Gに沿った断面図である。
【図11H】 本開示の一例によるパネルの一部の拡大平面図である。
【図12A】 本開示の一例による光電子デバイスの様々な例の断面態様からの簡略ブロック図である。
【図12B】 本開示の一例による光電子デバイスの様々な例の断面態様からの簡略ブロック図である。
【図12C】 本開示の一例による光電子デバイスの様々な例の断面態様からの簡略ブロック図である。
【図12D】 本開示の一例による光電子デバイスの様々な例の断面態様からの簡略ブロック図である。
【図12E】 本開示の一例による光電子デバイスの様々な例の断面態様からの簡略ブロック図である。
【図13】 本開示の一例による光電子デバイスの一例の断面態様からの簡略ブロック図である。
【図14】 本開示の一例による、横方向側面の第1の部分におけるパターン化コーティングの選択的堆積、続いて、その第2の部分における堆積材料の閉じたコーティングの堆積によって形成される、横方向側面における複数の層を有する例示的なデバイスの断面からの簡略化されたブロック図である。
【図15】 様々な実験試料についての波長の関数としてのフォトルミネセンス強度のプロットである。
【図16】 様々な実験試料についての波長の関数としての透過率減少のプロットである。
【図17】 本開示の一例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける下地層の露出層表面上に、あるパターンでパターン化コーティングを堆積させるための例示的なプロセスを示す概略図である。
【図18】 パターン化コーティングが核形成阻害コーティング(NIC)である、図14のパターン化コーティングの堆積パターンを含む露出層表面上の第2の部分に堆積材料を堆積させるための例示的なプロセスを示す概略図である。
【図19A】 図14のデバイスの例示的なバージョンを断面図で示す概略図である。
【図19B】 図19Aのデバイスを相補的な平面図で示す概略図である。
【図19C】 図14のデバイスの例示的なバージョンを断面図で示す概略図である。
【図19D】 図19Cのデバイスを相補的な平面図で示す概略図である。
【図19E】 図14のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。
【図19F】 図14のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。
【図19G】 図14のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。
【図20A】 本開示における様々な例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
【図20B】 本開示における様々な例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
【図20C】 本開示における様々な例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
【図20D】 本開示における様々な例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
【図20E】 本開示における様々な例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
【図20F】 本開示における様々な例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
【図20G】 本開示における様々な例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
【図20H】 本開示における様々な例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
【図20I】 本開示における様々な例による、図14のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
【図21】 本開示の一例による例示的なエレクトロルミネセントデバイスの断面からのブロック図である。
【図22】 図21のデバイスの断面図である。
【図23】 本開示の一例による、図21のデバイスのバージョンで使用するのに適した例示的なパターン化電極を平面で示す概略図である。
【図24】 線24-24に沿った、図23のデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
【図25A】 本開示の一例による、図21のデバイスの例示的なバージョンで使用するのに適した電極の複数の例示的なパターンを平面図で示す概略図である。
【図25B】 線25B-25Bに沿った、図25Aのデバイスの中間段階における例示的な断面図を示す概略図である。
【図25C】 線25C-25Cに沿った、図25Aのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
【図26】 本開示の一例による例示的なパターン化された補助電極を有する、図21のデバイスの例示的なバージョンの断面図を示す概略図である。
【図27】 本開示の一例による、少なくとも1つの放出領域及び少なくとも1つの非放出領域を覆う補助電極の例示的なパターンを平面図で示す概略図である。
【図28A】 本開示の一例による、ダイヤモンド構成の放出領域の複数のグループを有する、図21のデバイスの例示的なバージョンの例示的なパターンを平面図で示す概略図である。
【図28B】 線28B-28Bに沿った、図28Aのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
【図28C】 線28C-28Cに沿った、図28Aのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
【図29】 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図22のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
【図30】 本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図22のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
【図31】 本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図22のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
【図32】 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図22のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
【図33A】 本開示の一例による、少なくとも1つの補助電極を有する、少なくとも1つの例示的なピクセル領域及び少なくとも1つの例示的な光透過領域を含む、図21のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で示す概略図である。
【図33B】 線33B-33Bに沿った、図33Aのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
【図34A】 本開示の一例による、少なくとも1つの例示的なピクセル領域及び少なくとも1つの例示的な光透過領域を含む、図21のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で示す概略図である。
【図34B】 線34-34に沿った、図34Aのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
【図34C】 線34-34に沿った、図34Aのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
【図35】 本開示の一例による、異なる厚さの第2の電極を有するサブピクセル領域を有する、図22のデバイスの例示的なバージョンを製造するための例示的なプロセスの例示的な段階を示し得る概略図である。
【図36】 本開示の一例による、第2の電極が補助電極と結合される、図21のデバイスの例示的バージョンの例示的断面図を示す概略図である。
【図37】 本開示の一例による、非放出領域に隔壁と凹部などの遮蔽領域とを有する図21のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
【図38A】 本開示の種々の例による、非放出領域に隔壁と開口部などの遮蔽領域とを有する図21のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
【図38B】 本開示の種々の例による、非放出領域に隔壁と開口部などの遮蔽領域とを有する図21のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
【図39A】 本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図21のデバイスの例示的なバージョンの露出層表面上に、あるパターンで堆積層を堆積するための例示的なプロセスの例示的な段階を示す概略図である。
【図39B】 本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図21のデバイスの例示的なバージョンの露出層表面上に、あるパターンで堆積層を堆積するための例示的なプロセスの例示的な段階を示す概略図である。
【図39C】 本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図21のデバイスの例示的なバージョンの露出層表面上に、あるパターンで堆積層を堆積するための例示的なプロセスの例示的な段階を示す概略図である。
【図40】 一例による方法の動作を示すフローチャートである。
【図41】 本開示の一例による、表面上に吸収された吸着原子の相対エネルギー状態を示す例示的なエネルギープロファイルである。
【図42】 本開示の一例による膜核の形成を示す概略図である。
【図43】 図43A~図43Dはそれぞれ、本開示の実施例による少なくとも1つの粒子構造の様々な例示の観察窓を示す。
本開示では、少なくとも1つの数値(下付き文字を含むが、これに限定されない)及び/又は小文字のアルファベット文字(小文字を含むが、これに限定されない)が添付された参照番号は、参照番号によって説明される要素又は特徴の特定の事例及び/又はそのサブセットを指すと考えられ得る。添付の値及び/又は文字を参照せずに参照番号を参照することは、文脈が示すように、概して、参照番号によって説明される要素若しくは特徴、及び/又はそれによって説明される全ての事例のセットを参照し得る。同様に、参照番号は数字の代わりに文字「x」を有してもよい。そのような参照番号を参照することは、文脈が示すように、概して、文字「x」が数字に置き換えられた参照番号によって説明される要素又は特徴、及び/又はそれによって説明される全ての事例のセットを参照し得る。 本開示では、限定ではなく説明の目的で、特定のアーキテクチャ、インターフェース、及び/又は技法を含むがこれらに限定されない特定の詳細が、本開示の完全な理解を提供するために記載される。いくつかの事例では、周知のシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、及び用途の詳細な説明は、不必要な詳細によって本開示の説明を不明瞭にしないように省略される。 更に、本明細書で再現されるブロック図は、本技術の原理を具現化する例示的な構成要素の概念図を表すことができることが理解されよう。 したがって、システム及び方法の構成要素は、本明細書の説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細で本開示を不明瞭にしないように、本開示の例を理解することに関係するそれらの特定の詳細のみを示す図面において、適切な場合に従来の記号によって表されている。 本明細書で提供される任意の図面は、縮尺どおりに描かれていないことがあり、いかなる方法でも本開示を限定するものとみなされないことがある。 破線の輪郭で示される任意の特徴又は行為は、いくつかの例では、任意選択とみなされる場合がある。

代表図 図1本件の代表的な図

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