特許 7932988出願番号 特願 2023-151794
半導体装置の製造方法
出願人 株式会社東芝（識別番号 3078）
2026年 特許公開件数ランキング 8位 1,367件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8位 1,069件（※）
出願人 東芝デバイス＆ストレージ株式会社（識別番号 317011920）
2026年 特許公開件数ランキング 27040位 299件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8039位 157件（※）
公報発行日 2026年10月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7932988 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置の製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特性を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、第１処理、第２処理及び第３処理を含む。前記第１処理は、第１面を含み結晶を含む半導体部材に実施される。前記第１処理は、前記半導体部材の第１部分への前記第１面からの第１元素の注入、及び、前記第１部分への粒子線の照射の少なくともいずれかを含む。前記第２処理において、前記半導体部材の第１領域に第２元素を注入し、前記半導体部材の第２領域に前記第２元素を注入しな・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１（ａ）～図１（ｄ）は、第１半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図2】
図２は、第１半導体装置の製造方法を例示するフローチャートである。
【図3】
図３は、第２半導体装置を例示する模式的断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０：半導体部材、 １０Ｄ：欠陥、 １０Ｐ：第１部分、 １０ａ、１０ｂ：第１、第２領域、 １０ｆ：第１面、 １０ｐ：重畳部分、 １０ｑ：非重畳部分、 １１～１９：第１～第９半導体領域、 １１ａ、１１ｂ：第１、第２半導体部分、 ４１：第１絶縁部材、 ５１～５３：第１～第３電極、 ８１、８２：第１、第２電磁波、 １１０：半導体装置、 Ｄ１、Ｄ２：第１、第２方向、 Ｓ１～Ｓ４：第１～第４処理、 ｐ１～ｐ３：第１～第３部分領域
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