特許7933008IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

本発明の一態様は、表示装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１では迷光対策として対向基板に設けられた遮光層を用いている。しかしながら、対向基板に設けられた遮光層では迷光を十分に抑制できないことがあり、検出感度の高い撮像機能の提供が困難である。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を鑑み本発明の一態様は、端部が第１のテーパ形状を有する第１の下部電極と、第１のテーパ形状に沿う形状を有する第１の有機化合物層と、を有する第１の発光デバイスと、端部が第２のテーパ形状を有する第２の下部電極と、第２のテーパ形状に沿う形状を有する第２の有機化合物層と、を有する第２の発光デバイスと、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスとが有する共通電極と、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスと・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様により、撮像機能の検出感度が高い表示装置を提供できる。また本発明の一態様により、表示品位の高い表示装置を提供できる。また本発明の一態様により、高精細な表示装置を提供できる。さらに本発明の一態様により表示装置等の作製方法を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。また、これら効果は互いに独立したものと考えられ、本発明の一態様は、これらの効果のいずれか一を奏すればよく、全てを奏する必要はない。さらに明細書、図面、及び請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

図１Ａ乃至図１Ｅは、画素部の上面図である。 図２Ａ乃至図２Ｃは、画素部の断面図である。 図３Ａは画素部及び接続部の上面図であり、図３Ｂは画素部の断面図であり、図３Ｃは接続部の断面図である。 図４Ａ乃至図４Ｃは、画素部の断面図である。 図５Ａ乃至図５Ｃは、画素部の断面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、画素部の断面図である。 図７Ａ乃至図７Ｃは画素部の上面図であり、図７Ｄは回路図である。 図８Ａ乃至図８Ｃは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図１０Ａ乃至図１０Ｃは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図１１Ａ乃至図１１Ｃは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図１２Ａ乃至図１２Ｃは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図１３Ａ乃至図１３Ｃは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図１４は、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図１５Ａ乃至図１５Ｄは、画素部の上面図である。 図１６Ａは画素部及び接続部の上面図であり、図１６Ｂは画素部の断面図であり、図１６Ｃは接続部の断面図である。 図１７Ａ乃至図１７Ｅは、画素部の上面図である。 図１８Ａ乃至図１８Ｅは、画素部の上面図である。 図１９Ａ乃至図１９Ｃは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図２０Ａ乃至図２０Ｃは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図２１Ａ及び図２１Ｂは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図２２Ａ及び図２２Ｂは、表示装置の作製方法を説明するための断面図である。 図２３Ａは表示装置の上面図であり、図２３Ｂ、及び図２３Ｃは表示装置の斜視図である。 図２４Ａ及び図２４Ｂは、表示装置の斜視図である。 図２５Ａは表示装置のブロック図であり、図２５Ｂ乃至図２５Ｄは回路図である。 図２６Ａ乃至図２６Ｄは、トランジスタの断面図である。 図２７Ａ乃至図２７Ｄは、電子機器の図である。 図２８Ａ及び図２８Ｂは、電子機器の図である。 図２９Ａ及び図２９Ｂは、電子機器の図である。 図３０Ａ及び図３０Ｂは、電子機器の図である。
ＡＬ：配線、ＣＬ：配線、ＤＰ：表示モジュール、ＤＰａ：表示モジュール、ＤＰｂ：表示モジュール、ＤＰｃ：表示モジュール、ＤＰｄ：表示モジュール、ＧＬ：配線、Ｍ１１：トランジスタ、Ｍ１２：トランジスタ、Ｍ１３：トランジスタ、Ｍ１４：トランジスタ、ＰＤ：受光デバイス、ＲＥＳ：配線、ＲＬ：配線、ＳＥ：配線、ＳＬ：配線、ＳＬＢ：配線、ＳＬＧ：配線、ＳＬＲ：配線、ＴＸ：配線、１０：表示装置、１１ａ：発光デバイス、１１Ｂ：発光デバイス、１１ｂ：発光デバイス、１１ｃ：発光デバイス、１１Ｇ：発光デバイス、１１Ｒ：発光デバイス、１１Ｓ：受光デバイス、１１Ｗ：発光デバイス、１１：発光デバイス、１２：駆動回路部、１３：駆動回路部、７２ｂ：領域、７２ｃ：領域、７２ｄ：領域、７２：領域、７３：領域、７４ａ：ＦＰＣ、７４：ＦＰＣ、７９：表示領域、１００：表示装置、１０１：基板、１０３ａ：画素部、１０３ｂ：画素部、１０３ｃ：画素部、１０３ｄ：画素部、１０３：画素部、１０４：絶縁層、１１０Ｂ：副画素、１１０Ｇ：副画素、１１０Ｒ：副画素、１１０Ｓ：受光部、１１０：副画素、１１１Ｂ：下部電極、１１１Ｃ：接続電極、１１１Ｇ：下部電極、１１１Ｒ：下部電極、１１１Ｓ：下部電極、１１１：下部電極、１１２Ｂ：有機化合物層、１１２ｆ：有機化合物膜、１１２ｆＢ：有機化合物膜、１１２ｆＧ：有機化合物膜、１１２ｆＲ：有機化合物膜、１１２Ｇ：有機化合物層、１１２Ｒ：有機化合物層、１１２Ｓ：活性層、１１２Ｗ：有機化合物層、１１２：有機化合物層、１１３：共通電極、１１４：共通層、１１８ａ：スリット、１１８ｂ：スリット、１１９：スリット、１２３：レジストマスク、１２４ａ：ペア、１２４ｂ：ペア、１２５ｆ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６：絶縁層、１２８：絶縁層、１３５：マスク、１４０：接続部、１４３Ｒ：レジストマスク、１４３：レジストマスク、１４４Ｂ：マスク膜、１４４Ｇ：マスク膜、１４４Ｒ：マスク膜、１４４：マスク膜、１４５Ｂ：マスク層、１４５Ｇ：マスク層、１４５Ｒ：マスク層、１４５：マスク層、１４６Ｂ：マスク膜、１４６Ｇ：マスク膜、１４６Ｒ：マスク膜、１４６：マスク膜、１４７Ｂ：マスク層、１４７Ｇ：マスク層、１４７Ｒ：マスク層、１４７：マスク層、１５０ａ：画素、１５０ｂ：画素、１５０：画素、１５１ａ：第１の補助配線、１５１ｂ：第２の補助配線、１５１ｆ：補助配線層、１５１：補助配線、１５２：遮光層、１５５ｆ：半導体膜、１６１：導電層、１６２：導電層、１６３：樹脂層、１７０：基板、１７１：接着層、１７２：レジストマスク、１７３Ｂ：着色層、１７３Ｇ：着色層、１７３Ｒ：着色層、１７３：着色層、１７４：マスク膜、１７５：マスク層、１７６：マスク膜、１７７：マスク層、２８０：表示モジュール、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、４０１：基板、４１０ａ：トランジスタ、４１０：トランジスタ、４１１ｉ：チャネル形成領域、４１１ｎ：低抵抗領域、４１１：半導体層、４１２：絶縁層、４１３：導電層、４１４ａ：導電層、４１４ｂ：導電層、４１５：導電層、４１６：絶縁層、４２１：絶縁層、４２２：絶縁層、４２６：絶縁層、４５０ａ：トランジスタ、４５０：トランジスタ、４５１：半導体層、４５２：絶縁層、４５３：導電層、４５４ａ：導電層、４５４ｂ：導電層、４５５：導電層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：画素部、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：画素部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機

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