特許7933044IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

集積回路に関し、より詳細には、電気的接続の相互接続層

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面上面図である。
【図2】 例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面側面図である。
【図3】 例示的な実施形態による、有機平坦化層材料(OPL)、ハード・マスク、およびマスキング層が形成された断面側面図である。
【図4】 例示的な実施形態による、OPLの一部が選択的に除去され、ハード・マスクおよびマスキング層が除去されてもよい断面側面図である。
【図5】 例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面上面図である。
【図6】 例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面側面図である。
【図7】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された上面図である。
【図8】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された断面側面図である。
【図9】 例示的な実施形態による、誘電体が形成された上面図である。
【図10】 例示的な実施形態による、誘電体が形成された断面側面図である。
【図11】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナ充填材が形成された上面図である。
【図12】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナ充填材が形成された断面側面図である。
【図13】 例示的な実施形態による、空隙が形成された上面図である。
【図14】 例示的な実施形態による、空隙が形成された断面側面図である。
【図15】 別の例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面上面図である。
【図16】 別の例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面側面図である。
【図17】 例示的な実施形態による、有機平坦化層材料(OPL)、マスキング層、およびハード・マスキング層が形成された断面側面図である。
【図18】 例示的な実施形態による、OPLの部分が選択的に除去され、ハード・マスキング層が除去された断面側面図である。
【図19】 例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面上面図である。
【図20】 例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面側面図である。
【図21】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された上面図である。
【図22】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された断面側面図である。
【図23】 例示的な実施形態による、誘電体が形成された上面図である。
【図24】 例示的な実施形態による、誘電体が形成された断面側面図である。
【図25】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナ充填材が形成された上面図である。
【図26】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナ充填材が形成された断面側面図である。
【図27】 例示的な実施形態による、空隙が形成された上面図である。
【図28】 例示的な実施形態による、空隙が形成された断面側面図である。
【図29】 別の例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の上面図である。
【図30】 別の例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面側面図である。
【図31】 例示的な実施形態による、有機平坦化層材料(OPL)、ハード・マスク層、およびマスキング層が形成された断面側面図である。
【図32】 例示的な実施形態による、OPLおよびハード・マスク層の一部を選択的に除去し、マスキング層を除去し、キャビティを形成した断面側面図である。
【図33】 例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面側面図である。
【図34】 例示的な実施形態による、ハード・マスク層、マスキング層、およびOPLの残りの部分が除去された断面側面図である。
【図35】 例示的な実施形態による、誘電体が形成された断面側面図である。
【図36】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された断面側面図である。
【図37】 例示的な実施形態による、誘電体が形成された断面側面図である。
【図38】 例示的な実施形態による、空隙が形成された断面側面図である。
【図39】 例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナおよび誘電体が形成された断面側面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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