【図1】
例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面上面図である。
【図2】
例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面側面図である。
【図3】
例示的な実施形態による、有機平坦化層材料(OPL)、ハード・マスク、およびマスキング層が形成された断面側面図である。
【図4】
例示的な実施形態による、OPLの一部が選択的に除去され、ハード・マスクおよびマスキング層が除去されてもよい断面側面図である。
【図5】
例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面上面図である。
【図6】
例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面側面図である。
【図7】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された上面図である。
【図8】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された断面側面図である。
【図9】
例示的な実施形態による、誘電体が形成された上面図である。
【図10】
例示的な実施形態による、誘電体が形成された断面側面図である。
【図11】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナ充填材が形成された上面図である。
【図12】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナ充填材が形成された断面側面図である。
【図13】
例示的な実施形態による、空隙が形成された上面図である。
【図14】
例示的な実施形態による、空隙が形成された断面側面図である。
【図15】
別の例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面上面図である。
【図16】
別の例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面側面図である。
【図17】
例示的な実施形態による、有機平坦化層材料(OPL)、マスキング層、およびハード・マスキング層が形成された断面側面図である。
【図18】
例示的な実施形態による、OPLの部分が選択的に除去され、ハード・マスキング層が除去された断面側面図である。
【図19】
例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面上面図である。
【図20】
例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面側面図である。
【図21】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された上面図である。
【図22】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された断面側面図である。
【図23】
例示的な実施形態による、誘電体が形成された上面図である。
【図24】
例示的な実施形態による、誘電体が形成された断面側面図である。
【図25】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナ充填材が形成された上面図である。
【図26】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナ充填材が形成された断面側面図である。
【図27】
例示的な実施形態による、空隙が形成された上面図である。
【図28】
例示的な実施形態による、空隙が形成された断面側面図である。
【図29】
別の例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の上面図である。
【図30】
別の例示的な実施形態による、製造の中間段階における半導体構造体の断面側面図である。
【図31】
例示的な実施形態による、有機平坦化層材料(OPL)、ハード・マスク層、およびマスキング層が形成された断面側面図である。
【図32】
例示的な実施形態による、OPLおよびハード・マスク層の一部を選択的に除去し、マスキング層を除去し、キャビティを形成した断面側面図である。
【図33】
例示的な実施形態による、キャビティが形成された断面側面図である。
【図34】
例示的な実施形態による、ハード・マスク層、マスキング層、およびOPLの残りの部分が除去された断面側面図である。
【図35】
例示的な実施形態による、誘電体が形成された断面側面図である。
【図36】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナが形成された断面側面図である。
【図37】
例示的な実施形態による、誘電体が形成された断面側面図である。
【図38】
例示的な実施形態による、空隙が形成された断面側面図である。
【図39】
例示的な実施形態による、ポスト・キャップ・ライナおよび誘電体が形成された断面側面図である。