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特許 7933048出願番号 特願 2023-576255
表示装置
出願人 株式会社半導体エネルギー研究所（識別番号 153878）
2026年 特許公開件数ランキング 10位 1,009件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 18位 774件（※）
公報発行日 2026年10月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7933048 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、精細度の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、解像度の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、表示品質の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規の表示装置を提供することを課題の一つとする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、トランジスタと、発光デバイスと、第１の絶縁層と、を有する表示装置である。トランジスタは、半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、を有する。第２の絶縁層は、第１の導電層上に設けられ、第１の導電層に達する第１の開口を有する。第２の導電層は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の開口と重なる領域に第２の開口を有する。半導体層は、第１の導・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様により、精細度の高い表示装置を提供できる。また、解像度の高い表示装置を提供できる。また、表示品質の高い表示装置を提供できる。また、信頼性の高い表示装置を提供できる。また、新規の表示装置を提供できる。
本発明の一態様により、精細度の高い表示装置の作製方法を提供できる。また、解像度の高い表示装置の作製方法を提供できる。また、表示品質の高い表示装置の作製方法を提供できる。また、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供できる。また、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供できる。また、新規の表示装置の作製方法を提供できる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
図１は、表示装置の一例を示す上面図である。
図２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図３Ｂ及び図３Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図４は、トランジスタの一例を示す斜視図である。
図５Ａ乃至図５Ｃは、トランジスタの構成を示す斜視図である。
図６Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図６Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図７Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図７Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１０Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図１０Ｂ及び図１０Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１１Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図１１Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１２は、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１３Ａは、トランジスタの一例を示す上面図である。図１３Ｂ及び図１３Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１４Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図１４Ｂは発光デバイスの一例を示す上面図である。
図１５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１６Ａ及び図１６Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７Ａ及び図１７Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１８Ａ及び図１８Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１は、表示装置の一例を示す上面図である。
図２２Ａ及び図２２Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｅは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２６Ａ及び図２６Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２７Ａ及び図２７Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２８Ａ及び図２８Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２９Ａ及び図２９Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３０Ａ及び図３０Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３１Ａ及び図３１Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３２Ａ及び図３２Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３３Ａ及び図３３Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３４Ａ及び図３４Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３５Ａ及び図３５Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３６Ａ及び図３６Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３７Ａ及び図３７Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３８Ａ乃至図３８Ｇは、画素の一例を示す図である。
図３９Ａ乃至図３９Ｋは、画素の一例を示す図である。
図４０は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図４１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４４Ａ乃至図４４Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図４５Ａ乃至図４５Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図４６Ａ及び図４６Ｂは、受光デバイスの構成例を示す図である。図４６Ｃ乃至図４６Ｅは、表示装置の構成例を示す図である。
図４７Ａ乃至図４７Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図４８Ａ乃至図４８Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図４９Ａ乃至図４９Ｇは、電子機器の一例を示す図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００：表示装置、１０１：層、１１０ａ：副画素、１１０Ａ：画素、１１０ｂ：副画素、１１０Ｂ：画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０ｅ：副画素、１１０：画素、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１Ｓ：画素電極、１１１：画素電極、１１３＿１：第１の領域、１１３＿２：第２の領域、１１３Ｂ：層、１１３Ｂｆ：膜、１１３Ｇ：層、１１３Ｇｆ：膜、１１３Ｒ：層、１１３Ｒｆ：膜、１１３Ｓ：層、１１３Ｗ：層、１１３：層、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１７：遮光層、１１８Ｂ：マスク層、１１８Ｂｆ：マスク膜、１１８Ｇ：マスク層、１１８Ｇｆ：マスク膜、１１８Ｒ：マスク層、１１８Ｒｆ：マスク膜、１１８Ｓ：マスク層、１１８：マスク層、１１９Ｂ：マスク層、１１９Ｂｆ：マスク膜、１１９Ｇ：マスク層、１１９Ｇｆ：マスク膜、１１９Ｒ：マスク層、１１９Ｒｆ：マスク膜、１１９Ｓ：マスク層、１１９：マスク層、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４Ｂ：導電層、１２４Ｇ：導電層、１２４ｐ：導電層、１２４Ｒ：導電層、１２４Ｓ：導電層、１２５ｆ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６Ｂ：導電層、１２６ｆ：導電膜、１２６Ｇ：導電層、１２６ｐ：導電層、１２６Ｒ：導電層、１２６Ｓ：導電層、１２７ｆ：絶縁膜、１２７：絶縁層、１２８ｆ：膜、１２８：層、１２９ａＢ：導電層、１２９ａｆ：導電膜、１２９ａＧ：導電層、１２９ａＲ：導電層、１２９Ｂ：導電層、１２９ｂＢ：導電層、１２９ｂｆ：導電膜、１２９ｂＧ：導電層、１２９ｂＲ：導電層、１２９Ｇ：導電層、１２９ｐ：導電層、１２９Ｒ：導電層、１２９Ｓ：導電層、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３０：発光デバイス、１３１：保護層、１３２Ｂ：着色層、１３２ｃ：マスク、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１４０：接続部、１４１：開口、１４２：接着層、１４３：開口、１５０：受光デバイス、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１９０ａ：レジストマスク、１９０ｂ：レジストマスク、１９０ｃ：レジストマスク、１９１Ｓ：開口、１９１：開口、１９３Ｓ：開口、１９３：開口、１９５：開口、２００Ａ：トランジスタ、２００Ｂ：トランジスタ、２００Ｃ：トランジスタ、２００Ｄ：トランジスタ、２００：トランジスタ、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５Ｂ：トランジスタ、２０５Ｇ：トランジスタ、２０５Ｒ：トランジスタ、２０５Ｓ：トランジスタ、２０５：トランジスタ、２１０ａ：絶縁層、２１０ａ＿１：絶縁層、２１０ａ＿２：絶縁層、２１０ａｆ：絶縁膜、２１０ｂ：絶縁層、２１０ｂｆ：絶縁膜、２１０ｃ：絶縁層、２１０ｃｆ：絶縁膜、２１０ｆ：絶縁膜、２１０：絶縁層、２１８ｆ：絶縁膜、２１８：絶縁層、２２２ａ：導電層、２２２Ｂ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２２ｆ：導電膜、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｆ：金属酸化物膜、２３１：半導体層、２３５：絶縁層、２３９ｆ：絶縁膜、２３９：絶縁層、２４２：接続層、２４９：金属酸化物層、３５１：基板、３５２：指、３５３：層、３５５：機能層、３５７：層、３５９：基板、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：発光ユニット、７６３ｂ：発光ユニット、７６３ｃ：発光ユニット、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７６５：層、７６６：層、７６７：活性層、７６８：層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７１：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末
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