技術分野
本発明の一態様は、トランジスタ、半導体装置、記憶装置、及び電子機器に関する。又は、本発明の一態様は、半導体ウエハ、及びモジュール
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、微細化又は高集積化が可能な半導体装置を提供することを課題の一つとする。又は、動作速度が速い半導体装置を提供することを課題の一つとする。又は、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。又は、トランジスタの電気特性のばらつきが少ない半導体装置を提供することを課題の一つとする。又は、信頼性が良好な半導体装置を提供することを課題の一つとする。又は、オン電流が大きい半導体装置を提供することを課題の一つとする。又は、低消費電力の半導体装置を提供することを課題の一つとする。又は、新規の半導体装置を提供することを課題の一つとする。又は、新規の半導体装置を有する記憶装置を提供することを課題の一つとする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、トランジスタと、容量素子と、を有するメモリセルと、導電体と、を有し、トランジスタは、ソース電極又はドレイン電極の一方と、ソース電極又はドレイン電極の他方と、第１のゲート絶縁体と、第１のゲート電極と、を有し、容量素子は、電極の一方と、電極の一方の上に配置された誘電体と、誘電体の上に配置された電極の他方と、を有し、トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方の上面及び側面は、導・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様により、微細化又は高集積化が可能な半導体装置を提供することができる。又は、動作速度が速い半導体装置を提供することができる。又は、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。又は、トランジスタの電気特性のばらつきが少ない半導体装置を提供することができる。又は、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。又は、オン電流が大きい半導体装置を提供することができる。又は、低消費電力の半導体装置を提供することができる。又は、新規の半導体装置を提供することができる。又は、新規の半導体装置を有する記憶装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
図１Ａは、半導体装置の上面図である。図１Ｂ乃至図１Ｄは、半導体装置の断面図である。
図２は、記憶装置の構成を説明するための回路図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、半導体装置の断面図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、半導体装置の断面図である。
図５Ａ乃至図５Ｃは、半導体装置の断面図である。
図６Ａは、半導体装置の上面図である。図６Ｂ乃至図６Ｄは、半導体装置の断面図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、半導体装置の断面図である。
図８は、半導体装置の断面図である。
図９Ａは、メモリセルの回路構成例を説明する図である。図９Ｂは、ヒステリシス特性の一例を示すグラフである。図９Ｃは、メモリセルの駆動方法例を示すタイミングチャートである。
図１０Ａ乃至図１０Ｃは、記憶装置の構成例を示す図である。
図１１Ａは、記憶装置の構成例を示す図である。図１１Ｂは、記憶装置が有するメモリストリングの模式図である。
図１２Ａは、記憶装置の構成例を示す図である。図１２Ｂは、記憶装置が有するメモリストリングの模式図である。
図１３は、記憶装置の構成を説明するためのレイアウト図である。
１０：メモリセル、２０：メモリアレイ、２１：駆動回路、３１：周辺回路、３２：コントロール回路、３３：電圧生成回路、４１：周辺回路、４２：行デコーダ、４３：行ドライバ、４４：列デコーダ、４５：列ドライバ、４６：センスアンプ、４７：入力回路、４８：出力回路、６１：曲線、６２：曲線、１００ａ：容量素子、１００ｂ：容量素子、１００：容量素子、１１０ａ：容量素子、１１０ｂ：容量素子、１１０：容量素子、１５３：絶縁体、１５６：導電体、１５８：開口、１６０ａ：導電体、１６０ｂ：導電体、１６０：導電体、２００ａ：トランジスタ、２００ｂ：トランジスタ、２００：トランジスタ、２０４ａ：導電体、２０４ｂ：導電体、２０４：導電体、２０５ａ：導電体、２０５ｂ：導電体、２０５：導電体、２０６：開口、２０９：導電体、２１０：絶縁体、２１２：絶縁体、２１４：絶縁体、２１６：絶縁体、２２２：絶縁体、２２４：絶縁体、２３０ａ：酸化物、２３０ｂ：酸化物、２３０ｂａ：領域、２３０ｂｂ：領域、２３０ｂｃ：領域、２３０：酸化物、２４０ａ：導電体、２４０ｂ：導電体、２４０：導電体、２４２ａ：導電体、２４２ａ１：導電体、２４２ａ２：導電体、２４２ｂ：導電体、２４２ｂ１：導電体、２４２ｂ２：導電体、２４２：導電体、２５３：絶縁体、２５４：絶縁体、２５８：開口、２６０ａ：導電体、２６０ｂ：導電体、２６０：導電体、２７５：絶縁体、２８０：絶縁体、２８２：絶縁体、２８５：絶縁体、３００：記憶装置
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