特許7933243IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、トランスファーモールド後に発生する製品の反りに対して考慮されていない。特に、絶縁基板の表面側において複数の配線層に分割するスリットと、裏面側において複数の放熱層に分割するスリットが絶縁基板の厚み方向から視て同じ位置にあるため、複数の配線層と複数の放熱層とを含む基板全体が折れ曲がりやすくなり割れやすいという問題があった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示に係る半導体装置は、絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された表面パターンと、前記絶縁層の裏面に形成された裏面パターンとを有する絶縁基板と、前記表面パターン上に搭載された半導体素子と、前記裏面パターンにおける前記絶縁層に対向する面とは反対側の面を露出させた状態で、前記絶縁基板および前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を備え、前記裏面パターンは、ヒートシンクにはんだで接合され、前記裏面パター・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示によれば、絶縁基板の厚み方向から視て、絶縁基板の表面側の第１スリットと裏面側の第２スリットとの重なり部分が少なくなるため、トランスファーモールド後に製品の反りが発生した場合にも、絶縁基板が割れることを抑制できる。

この開示の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図2】 実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図3】 実施の形態においてダイボンド工程を示す断面図である。
【図4】 実施の形態においてリードボンド工程を示す断面図である。
【図5】 実施の形態においてワイヤボンド工程を示す断面図である。
【図6】 実施の形態においてモールド工程を示す断面図である。
【図7】 実施の形態においてはんだ実装工程を示す断面図である。
【図8】 実施の形態においてはんだボイドの発生を説明するための半導体装置の断面図である。
【図9】 実施の形態に係る半導体装置が備える絶縁基板の一例を示す底面図である。
【図10】 実施の形態に係る半導体装置が備える絶縁基板の他の例を示す底面図である。
【図11】 実施の形態に係る半導体装置が備える裏面パターンに設けられた第２スリット周辺の拡大断面図である。
【図12】 実施の形態の変形例に係る半導体装置が備える裏面パターンに設けられた第２スリット周辺の拡大断面図である。
【図13】 関連技術においてはんだボイドの発生を説明するための半導体装置の断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 絶縁基板、１ａ 絶縁層、１ｂ 表面パターン、１ｃ 裏面パターン、２ 半導体素子、５ モールド樹脂、６ 第１スリット、７ 第２スリット、１０ ヒートシンク、１１ はんだ。

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