特許 7933247出願番号 特願 2025-542660
半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人 三菱電機株式会社（識別番号 6013）
2026年 特許公開件数ランキング 18位 758件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 4位 1,550件（※）
公報発行日 2026年10月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7933247 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
パワー半導体素子が搭載されるパワーモジュール基板は、絶縁基板および回路パターンで構成された多層構造を有する。そのため、パワーモジュール基板が冷却フィンに接合される際、反りが発生する場合がある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示に係る半導体装置は、冷却フィン、第１回路パターン、絶縁基板、第２回路パターン、第３回路パターンおよび複数の中間材を含む。第１回路パターンは、冷却フィンに取り付けられている。絶縁基板は、第１回路パターンの上方に設けられている。第２回路パターンは、絶縁基板の上方に設けられている。第３回路パターンは、第２回路パターンの上方に設けられている。複数の中間材は、冷却フィンと第１回路パターンとの間、・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示によれば、パワーモジュール基板と冷却フィンとの接合後の反りを低減する半導体装置が提供される。
本開示の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白になる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施の形態１における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図2】
半導体装置に含まれる部材の構成を示す断面図である。
【図3】
実施の形態１における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図4】
実施の形態１の変形例１における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図5】
半導体装置に含まれる部材の構成を示す断面図である。
【図6】
実施の形態１の変形例２における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図7】
半導体装置に含まれる部材の構成を示す断面図である。
【図8】
実施の形態２における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図9】
半導体装置に含まれる部材の構成を示す断面図である。
【図10】
実施の形態３における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図11】
半導体装置に含まれる部材の構成を示す断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０ 冷却フィン、１０Ａ プレート部、１０Ｂ フィン部、２０ 第１回路パターン、３０ 絶縁基板、４０ 第２回路パターン、５０ 第３回路パターン、６０ 中間材、６１ 第１中間材、６２ 第２中間材、６３ 第３中間材、６４ 第４中間材、７１ 第１クラッド材、７２ 第２クラッド材、１０１ 半導体装置、１０１Ａ 半導体装置、１０１Ｂ 半導体装置、１０２ 半導体装置、１０３ 半導体装置、Ａ 領域。
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