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2026年 特許公開件数ランキング 7位 1,491件(※)
2026年 特許取得件数ランキング 5位 1,283件(※)
公報発行日 2026年10月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7933256 ログイン済みの方はこのURLへ
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本発明による電極の製造装置は、絶縁層形成用ダイを含み、前記絶縁層形成用ダイは、ノズル部の噴射角度を調節する角度調節部(第1角度調節部および第2角度調節部)およびノズル部の位置を前記コーターローラの回転軸と直交するように調節可能な方位角調節部を含むことを特徴とする。これにより、絶縁層形成用ダイを活物質層のスクラッチまたはずれが発生しない水準に、絶縁層形成用ダイのノズル部と絶縁液の塗布位置との距離を最小化することができ、絶縁層を薄く均一に形成することができ、優れた品質を有する電極の実現が可能である。
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