(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-01-17
(54)【発明の名称】発光ダイオード
(51)【国際特許分類】
H01L 33/22 20100101AFI20220107BHJP
【ＦＩ】
H01L33/22
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021523199
(86)(22)【出願日】2019-11-07
(85)【翻訳文提出日】2021-06-25
(86)【国際出願番号】 KR2019015090
(87)【国際公開番号】W WO2020096384
(87)【国際公開日】2020-05-14
(31)【優先権主張番号】62/756,935
(32)【優先日】2018-11-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】16/672,676
(32)【優先日】2019-11-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】506029004
【氏名又は名称】ソウル バイオシス カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＯＵＬ ＶＩＯＳＹＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】６５－１６，Ｓａｎｄａｎ－ｒｏ １６３ Ｂｅｏｎ－ｇｉｌ，Ｄａｎｗｏｎ－ｇｕ，Ａｎｓａｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000408
【氏名又は名称】特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】イ，チョン フン
【テーマコード（参考）】
5F241
【Ｆターム（参考）】
5F241AA01
5F241AA03
5F241AA11
5F241CA05
5F241CA13
5F241CA40
5F241CA74
5F241CA88
5F241CA93
5F241CB11
5F241CB16
5F241CB27
5F241CB36
5F241FF01
(57)【要約】
発光ダイオードが提供される。発光ダイオードは、第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有する基板と、基板の第１の面上に配置された発光構造体と、基板の第２の面上に配置され、基板の第２の面が凹凸面である発光領域の少なくとも一部を露出させ、発光領域と重なる部分を有する第１の遮光層と、を含む。
【選択図】図１Ｃ
【選択図】図１Ｃ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面を有する基板と、前記基板の第１の面上に配置され、発光領域を画定する発光構造体と、
前記基板の第２の面上に配置され、前記発光領域の少なくとも一部を露出させる第１の遮光層と、を有し、
前記基板の第２の面は、前記発光領域の少なくとも一部と重なる粗面を有する
ことを特徴とする発光デバイス。
【請求項2】
前記基板の前記粗面を含む部分の厚さが、前記基板の前記粗面が形成されていない部分の厚さよりも小さい、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項3】
前記基板の前記第２の面は、前記粗面に接続された側壁を含み、前記第１の遮光層は、前記基板の前記側壁まで延びており、前記粗面を少なくとも部分的に覆い、前記発光構造体の光取り出し面を画定する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項4】
前記光取り出し面の幅は、前記粗面及び前記発光領域の幅よりも小さい、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項5】
前記粗面は、凹凸パターンを含み、前記光取り出し面に形成された前記凹凸パターンの一部の粗さが、前記第１の遮光層で覆われた前記凹凸パターンの一部の粗さと異なる、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項6】
前記第１の遮光層は、前記基板の前記側壁に沿って実質的に同じ幅を有する、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項7】
前記基板の前記側壁は所定の傾斜を有し、前記第１の遮光層は、前記基板の前記第２の面から前記基板の内側に向かって漸次減少する幅を有し、前記基板の前記第２の面から縦方向に延びる側面を有する、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項8】
前記粗面は、前記発光領域内に配置され、前記発光領域よりも幅が狭い、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項9】
前記粗面は、前記発光領域を覆い、前記発光領域と同じ又はそれ以上の幅を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項10】
前記基板の前記第１の面上に配置され、前記発光構造体の外側を囲む第２の遮光層をさらに含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項11】
前記基板の前記第１の面は、前記発光領域に凸部を有し、発光領域を除く領域に凹部を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項12】
前記基板の前記凹部内に配置され、前記発光構造体の外側を囲む第２の遮光層をさらに含む、請求項１１に記載の発光デバイス。
【請求項13】
前記凹部内に配置された前記第２の遮光層の一部と、前記基板の前記粗面の少なくとも一部を覆う前記第１の遮光層の一部とが重なり合っている、請求項１２に記載の発光デバイス。
【請求項14】
前記粗面は複数の第1のホールを含み、前記第１のホールの少なくとも一部は発光領域に配置される、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項15】
前記第１の遮光層は、前記第１のホール内に配置され、前記発光領域の少なくとも一部を覆うように前記基板の前記第２の面に沿って延びており、前記発光構造体の光取り出し面を画定する、請求項１４に記載の発光デバイス。
【請求項16】
前記光取り出し面の幅は前記発光領域の幅よりも小さい、請求項１５に記載の発光デバイス。
【請求項17】
前記光取り出し面に形成された前記第１のホールに空気が充填されている、請求項１５に記載の発光デバイス。
【請求項18】
前記光取り出し面に形成された前記第１のホールは、前記第１の遮光層で充填されている、請求項１５に記載の発光デバイス。
【請求項19】
前記基板の前記第１の面上に配置され、前記発光構造体の外側を囲む第２の遮光層をさらに含む、請求項１４に記載の発光デバイス。
【請求項20】
前記基板の前記第１の面は、複数の第２のホールを含み、前記第２の遮光層は、前記第２のホールの少なくとも一部に配置されている、請求項１９に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の例示的な実施形態は、広くは、発光デバイスに関し、より具体的には、複数の発光部を含む発光デバイスに関する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオードは、無機光源として、表示装置、車両灯、一般照明など様々な分野で多用されている。発光ダイオードは、寿命が長く、消費電力が少なく、応答速度が速いために、急速に既存の光源を置き換えつつある。
【0003】
近年、携帯電話等の各種表示装置のバックライト光源として、発光ダイオードの軽量化、薄型化、小型化が進められており、隣接する発光セル間で混色が発生することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の例示的な実施形態に従って構成されたデバイスは、光効率と光取り出しを向上させることができる。
【0005】
本発明の概念のさらなる特徴は、以下の説明に記載され、その一部は、説明から明らかにされ、又は本発明の概念の実施によって得ることができる。
【課題を解決するための手段】
【0006】
例示的な実施形態に係る発光デバイスは、第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有する基板と、基板の第１の面上に配置され、発光領域を画定する発光構造体と、基板の第２の面に配置され、発光領域の少なくとも一部を露出する第１の遮光層と、を備え、基板の第２の面が、発光領域の少なくとも一部と重なる粗面を有する。
【0007】
基板の粗面を含む部分の厚さは、基板の粗面が形成されていない部分の厚さよりも小さくてもよい。
【0008】
基板の第２の面は、粗面に接続された側壁を含んでもよく、第１の遮光層は、基板の側壁まで延びており、粗面を少なくとも部分的に覆い、発光構造体の光取り出し面を画定することができる。
【0009】
光取り出し面は、粗面及び発光領域よりも幅が狭くてもよい。
【0010】
粗面は凹凸パターンを含んでいてもよく、光取り出し面に形成された凹凸パターンの一部の粗さは、第１の遮光層に覆われた凹凸パターンの一部の粗さと異なっていてもよい。
【0011】
第１の遮光層は、基板の側壁に沿って実質的に同じ幅を有していてもよい。
【0012】
基板の側壁は、所定の傾斜を有していてもよく、第１の遮光層は、基板の第２の面から基板の内側に向かって徐々に減少する幅を有し、基板の第２の面から縦方向に延びる側面を有していてもよい。
【0013】
粗面は、発光領域内に配置され、発光領域よりも小さい幅を有していてもよい。
【0014】
粗面は、発光領域を覆い、発光領域と同等以上の幅を有していてもよい。
【0015】
発光デバイスは、基板の第１の面上に配置され、発光構造体の外側を囲む第２の遮光層をさらに含むことができる。
【0016】
基板の第１の面は、発光領域に凸部を有し、発光領域を除く領域に凹部を有していてもよい。
【0017】
発光デバイスは、基板の凹部内に配置され発光構造体の外側を囲む第２の遮光層がさらに含まれてもよい。
【0018】
凹部に配置された第２の遮光層の一部と、基板の粗面の少なくとも一部を覆う第１の遮光層の一部とが重なり合っていてもよい。
【0019】
粗面には、複数の第１のホールが含まれてもよく、第１のホールの少なくとも一部は、発光領域に配置されていてもよい。
【0020】
第１の遮光層は、第１のホールに配置され、発光領域の少なくとも一部を覆うように基板の第２の面に沿って延びており、発光構造体の光取り出し面を画定することができる。
【0021】
光取り出し面は、発光領域よりも幅が狭くてもよい。
【0022】
光取り出し面に形成された第１のホールには、空気が充填されていてもよい。
【0023】
光取り出し面に形成された第１のホールには、第１の遮光層が充填されていてもよい。
【0024】
発光デバイスは、基板の第１の面上に配置され、発光構造体の外側を囲む第２の遮光層がさらに含まれてもよい。
【0025】
基板の第１の面には、複数の第２のホールが含まれてもよく、第２の遮光層は、第２のホールの少なくとも一部に配置されてもよい。
【0026】
他の実施形態の詳細は、詳細な説明及び図面に含まれる。
【発明の効果】
【0027】
本発明の実施の形態に係る発光デバイスは、第１及び第２の遮光層によって、隣接する発光構造体から発生した光が混合されることが防止されるため、色再現性を向上させることができる。
【0028】
また、基板は、粗面が形成された領域のみ薄い厚さに形成され、残りの領域では通常の厚さを保持しているため、複数の発光構造体を支持することができ、外部からの衝撃を受けても基板が破損することがない。
【0029】
発光構造体で発生した光を粗面で拡散反射させることにより、光効率を向上させることができる。また、遮光層が粗面の端部を覆うことで、光取り出し面が形成され、発光デバイスのコントラストを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1A】例示的な実施形態に係る発光デバイスの平面図である。
【図1B】例示的な実施形態に係る発光デバイスの平面図である。
【図2A】他の例示的な実施形態に係る発光デバイスの平面図である。
【図3A】例示的な実施形態に係る発光構造体の平面図である。
【図4A】例示的な実施形態に係る粗面と第２の遮光層の構造を示す断面図である。
【図4B】例示的な実施形態に係る粗面と第２の遮光層の構造を示す断面図である。
【図5A】例示的な実施形態に係る粗面と第２の遮光層の構造を示す断面図である。
【図5B】例示的な実施形態に係る粗面と第２の遮光層の構造を示す断面図である。
【図6A】他の例示的な実施形態に係る発光デバイスの平面図である。
【図7A】さらなる他の例示的な実施形態に係る発光デバイスの平面図である。
【図9】例示的な実施形態に係る発光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図10】例示的な実施形態に係る発光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図11】例示的な実施形態に係る発光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図12】例示的な実施形態に係る発光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図13】例示的な実施形態に係る発光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
本開示の構成及び効果を十分に理解するために、本開示の実施形態を、添付図面を参照して説明する。しかしながら、本開示は、本明細書に記載される実施形態に限定されず、様々な形態で実施されてもよく、様々な変更が加えられてもよい。
【0032】
本開示の実施形態において使用されるように、技術用語は、他に定義されない限り、当業者に通常知られている意味として解釈することができる。
【0033】
以下、本発明の発光デバイスについて、種々の実施例を用いて図面を参照しながら説明する。
【0034】
図１Ａ及び図１Ｂは、例示的な実施形態に係る発光デバイスの平面図であり、図１Ｃ、図１Ｄ、及び図１Ｅは、例示的な実施形態に係る図１ＡのＡ－Ａ’線に沿った断面図である。図２Ａは、他の例示的な実施形態に係る発光デバイスの平面図であり、図２Ｂは、図２Ａの線Ａ－Ａ’に沿った断面図である。図３Ａは、例示的な実施形態に係る発光構造体の断面図であり、図３Ｂは、図３Ａの線Ａ－Ａ’及び線Ｂ－Ｂ’に沿った断面図である。図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ、及び図５Ｂは、例示的な実施形態に係る粗面及び第２の遮光層の構造を示す断面図である。
【0035】
図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、図１Ｅ、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、図３Ｂを参照すると、発光デバイスは、基板１００と、基板１００上に積層された第１の発光部ＬＥ１、第２の発光部ＬＥ２、及び第３の発光部ＬＥ３をそれぞれ含む発光構造体ＬＥＤとを含むことができる。
【0036】
図１Ａは、第３の発光部ＬＥ３から見たときの発光デバイスの平面図であり、図１Ｂは、基板１００から見たときの発光デバイスの平面図である。また、図２Ａは、基板１００から見たときの発光デバイスの平面図である。図３Ａ及び図３Ｂは、発光構造体の拡大図である。
【0037】
基板１００は、その上に窒化ガリウム系の半導体層を成長させることができるものであればよく、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、又はシリコンを含んでいてもよい。また、基板１００は、パターン化されたサファイア基板であってもよい。例示的な実施形態によれば、基板１００は、可視光を透過する材料を含んでいてもよい。
【0038】
基板１００は、第１の面ＳＦ１と、第１の面ＳＦ１に対向する第２の面ＳＦ２とを有していてもよい。複数の発光構造体ＬＥＤは、基板１００の第１の面ＳＦ１上に配置され、互いに間隔を空けて配置されていてもよい。以下、それぞれの発光構造体ＬＥＤが配置されている領域を発光領域ＬＥＡとし、発光構造体ＬＥＤが配置されていない残りの領域を遮光領域ＬＳＡとする。
【0039】
図１Ａ、図１Ｃ、図１Ｅ、及び図２Ａを参照すると、例示的な実施形態に係る基板１００の第１の面ＳＦ１は、実質的に平坦であってもよい。図１Ｄを参照すると、他の例示的な実施形態に係る基板１００の第１の面ＳＦ１は、それぞれの発光領域ＬＥＡに凸部ＣＮＶを有し、遮光領域ＬＳＡに凹部ＣＮＣを有してもよい。また、第１の面ＳＦ１のそれぞれの凸部ＣＮＶの上面は、凹部ＣＮＣの上面よりも高い位置に配置されていてもよい。このように、第１の面ＳＦ１は、凸部ＣＮＶと凹部ＣＮＣとの間に段差が形成されていてもよい。
【0040】
図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、図１Ｅ、図２Ａ、及び図２Ｂを参照すると、基板１００の第２の面ＳＦ２は、それぞれが凹凸パターンＣＣを有する粗面ＲＧＨと、平坦面ＰＬＴとを含むことができる。それぞれの粗面ＲＧＨは、基板１００の第１の面ＳＦ１に配置されたそれぞれの発光領域ＬＥＡの少なくとも一部と重なっていてもよい。
【0041】
図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、図２Ａ、及び図２Ｂを参照すると、それぞれの発光領域ＬＥＡは、第１の幅Ｗ１を有していてもよく、それぞれの粗面ＲＧＨは、第１の幅Ｗ１よりも小さい第２の幅Ｗ２を有していてもよい。それぞれの発光領域ＬＥＡの中心は、それぞれの粗面ＲＧＨの中心と同心であってもよい。図１Ｅを参照すると、別の例示的な実施形態に係るそれぞれの発光領域ＬＥＡは、第１の幅Ｗ１を有していてもよく、それぞれの粗面ＲＧＨは、第１の幅Ｗ１に等しいか、それよりも大きい第２の幅Ｗ２を有していてもよい。それぞれの発光領域ＬＥＡの中心は、それぞれの粗面ＲＧＨの中心と同心であってもよい。
【0042】
このように、基板１００の第２の面ＳＦ２が粗面ＲＧＨを有することにより、発光領域ＬＥＡから発生した光が粗面ＲＧＨを介して拡散反射され、発光デバイスの光取り出し効率を向上させることができる。
【0043】
図１Ｃ、図１Ｄ、図１Ｅ、及び図２Ｂに示すように、基板１００の第１の面ＳＦ１が実質的に平坦であり、第２の面ＳＦ２が粗面ＲＧＨ及び平坦面ＰＬＴを有する場合、基板１００は、基板１００の第２の面ＳＦ２の平坦面ＰＬＴの部分に第１の厚さＴＨ１を有し、基板１００の第２の面ＳＦ２の粗面ＲＧＨが形成された部分に第１の厚さＴＨ１よりも小さい第２の厚さＴＨ２を有していてもよい。基板１００の厚さの差により、基板１００の側壁ＳＤＷは、粗面ＲＧＨの端部によって画定されてもよい。図１Ｄに示す他の例示的な実施形態によれば、基板１００の第１の面ＳＦ１が凸部ＣＮＶ及び凹部ＣＮＣを有し、第２の面ＳＦ２が粗面ＲＧＨ及び平坦面ＰＬＴを有する場合、粗面ＲＧＨは、凸部ＣＮＶに対応し、凸部ＣＮＶの少なくとも一部と重なっていてもよい。基板１００は、第１の面ＳＦ１の凹部ＣＮＣと基板１００の第２の面ＳＦ２の平坦面ＰＬＴとの間に第１の厚さＴＨ１を有し、第１の面ＳＦ１の凸部ＣＮＶと基板１００の第２の面ＳＦ２の粗面ＲＧＨとの間に第１の厚さＴＨ１よりも小さい第２の厚さＴＨ２を有していてもよい。
【0044】
このように、粗面ＲＧＨが形成された領域では、基板１００の厚さが相対的に薄く形成されているので、基板１００を光が透過する距離を短くすることができる。したがって、例示的な実施形態に係る発光構造体ＬＥＤは、基板１００内で失われる光の量を低減することができる。また、平坦面ＰＬＴが形成されている領域では基板１００の厚さが比較的厚いため、基板１００が発光構造体ＬＥＤを支持し、外部衝撃に係る基板１００の損傷を防止することができる。
【0045】
例示的な実施形態によれば、粗面ＲＧＨの凹凸パターンＣＣは、同じ形状を有していてもよく、規則的に配置されていてもよい。しかし、本発明の概念はこれに限定されず、いくつかの例示的な実施形態では、粗面ＲＧＨの凹凸パターンＣＣは、異なる形状を有していてもよく、及び／又は不規則に配置されていてもよい。
【0046】
例えば、基板１００の第２の面ＳＦ２に形成された粗面ＲＧＨによって画定される基板１００のそれぞれの側壁ＳＤＷは傾斜面を有していてもよい。このように、基板１００の側壁ＳＤＷ間に形成される空間は、第２の面ＳＦ２からその内部に向かって徐々に狭くなる幅を有していてもよい。他の例として、基板１００のそれぞれの側壁ＳＤＷは垂直であってもよい。
【0047】
図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、図１Ｅ、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、及び図３Ｂを参照すると、基板１００の第２の面ＳＦ２が光取り出し面である場合、第１の発光部ＬＥ１から出射される光の波長が最も短く、第２の発光部ＬＥ２から出射される光の波長が第１の発光部ＬＥ１から出射される光の波長よりも長く、第３の発光部ＬＥ３から出射される光の波長よりも短く、第３の発光部ＬＥ３から出射される光の波長が最も長くてもよい。例えば、第１の発光部ＬＥ１が青色に発光し、第２の発光部ＬＥ２が緑色に発光し、第３の発光部ＬＥ３が赤色に発光してもよい。しかし、本発明の概念はこれに限定されるものではない。例えば、いくつかの例示的な実施形態において、第２の発光部ＬＥ２は、第１の発光部ＬＥ１から発せられる光よりも波長の短い光を発光してもよい。
【0048】
図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、第１の発光部ＬＥ１は、第１のｎ型半導体層１０２、第１の活性層１０４、第１のｐ型半導体層１０６、及び第１のオーミック層１０８を含んでもよく、第２の発光部ＬＥ２は、第２のｎ型半導体層２０２、第２の活性層２０４、第２のｐ型半導体層２０６、及び第２のオーミック層２０８を含んでもよく、第３の発光部ＬＥ３は、第３のｎ型半導体層３０２、第３の活性層３０４、第３のｐ型半導体層３０６、及び第３のオーミック層３０８を含んでいてもよい。
【0049】
第１のｎ型半導体層１０２、第２のｎ型半導体層２０２及び第３のｎ型半導体層３０２は、Ｓｉがドープされた窒化ガリウム系半導体層であってもよい。第１のｐ型半導体層１０６、第２のｐ型半導体層２０６及び第３のｐ型半導体層３０６は、Ｍｇがドープされた窒化ガリウム系半導体層であってもよい。第１の活性層１０４、第２の活性層２０４及び第３の活性層３０４のそれぞれは、多重量子井戸（ＭＱＷ）を含んでいてもよく、その組成比は、所望のピーク波長の光を放出するように決定されていてもよい。第１のオーミック層１０８、第２のオーミック層２０８及び第３のオーミック層３０８としては、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ２）、酸化亜鉛 （ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウムスズ亜鉛（ＩＴＺＯ）等の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を用いることができる。
【0050】
第１の発光部ＬＥ１は、第２の発光部ＬＥ２から離間していてもよい。例えば、第１の発光部ＬＥ１の第１のオーミック層１０８は、第２の発光部ＬＥ２の第２のオーミック層２０８と対向していてもよい。他の例として、第１の発光部ＬＥ１の第１のオーミック層１０８は、第２の発光部ＬＥ２の第２のｎ型半導体層２０２と対向していてもよい。
【0051】
第２の発光部ＬＥ２は、第３の発光部ＬＥ３から離間していてもよい。例えば、第２の発光部ＬＥ２の第２のオーミック層２０８は、第３の発光部ＬＥ３の第３のオーミック層３０８と対向していてもよい。他の例として、第２の発光部ＬＥ２の第２のオーミック層２０８は、第３の発光部ＬＥ３の第３のｎ型半導体層３０２と対向していてもよい。
【0052】
また、発光デバイスは、第１の発光部ＬＥ１と第２の発光部ＬＥ２との間に配置され、第１の発光部ＬＥ１と第２の発光部ＬＥ２とを結合する第１の接着部ＡＤ１と、第２の発光部ＬＥ２と第３の発光部ＬＥ３との間に配置され、第２の発光部ＬＥ２と第３の発光部ＬＥ３とを結合する第２の接着部ＡＤ２とをさらに備えてもよい。第１の接着部ＡＤ１及び第２の接着部ＡＤ２は、可視光を透過する絶縁性を有する材料を含んでいてもよい。第１の接着部ＡＤ１及び第２の接着部ＡＤ２は、それぞれ、ポリマー、レジスト、又はポリイミドを含むことができる。例えば、第１の接着部ＡＤ１及び第２の接着部ＡＤ２は、それぞれ、ＳＯＧ（スピンオンガラス）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブタジエン）、ＨＳＱ（ハイドロシルセスキオキサン）、ＳＵ－８フォトレジスト、エポキシ、ＰＡＥ（ポリアリーレンエーテル）、例えばＦｌａｒｅＴＭ、ＭＳＳＱ（メチルシルセスキオキサン）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）、フルオロポリマー、ポリイミド、ＭＳＳＱ（メチルシルセスキオキサン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルヘルケトン）、ＡＴＳＰ（芳香族熱硬化性ポリエステル）、ＰＶＤＣポリ塩化ビニリデン）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、又はワックスのうちの少なくとも１つを含むことができる。
【0053】
発光デバイスは、第１の発光部ＬＥ１と第２の発光部ＬＥ２との間に配置された第１のカラーフィルタＣＦ１と、第２の発光部ＬＥ２と第３の発光部ＬＥ３との間に配置された第２のカラーフィルタＣＦ２とをさらに含んでいてもよい。第１のカラーフィルタＣＦ１は、第１の発光部ＬＥ１の第１のオーミック層１０８又は第２の発光部ＬＥ２の第２のオーミック層２０８上に配置されていてもよい。第２のカラーフィルタＣＦ２は、第２の発光部ＬＥ２の第２のｎ型半導体層２０２、第３の発光部ＬＥ３の第３のオーミック層３０８上に配置されていてもよい。第１のカラーフィルタＣＦ１は、第１の発光部ＬＥ１から出射された光を反射し、第２の発光部ＬＥ２及び第３の発光部ＬＥ３から出射された光を通過させて、第１の発光部ＬＥ１から出射された光が第２の発光部ＬＥ２及び第３の発光部ＬＥ３のそれぞれに影響を与えないようにしてもよい。第２のカラーフィルタＣＦ２は、第１の発光部ＬＥ１及び第２の発光部ＬＥ２から出射された光を反射して第３の発光部ＬＥ３から出射された光を通過させ、第１の発光部ＬＥ１及び第２の発光部ＬＥ２から出射された光が第３の発光部ＬＥ３に影響を与えないようにしてもよい。第１のカラーフィルタＣＦ１及び第２のカラーフィルタＣＦ２は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２とが交互に積層されたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を有している。第１のカラーフィルタＣＦ１は、第２のカラーフィルタＣＦ２とは、ＴｉＯ２及びＳｉＯ２が交互する数及び厚さが異なっていてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第１のカラーフィルタＣＦ１及び第２のカラーフィルタＣＦ２のうちの少なくとも１つを選択的に省略することができる。
【0054】
発光デバイスは、第１のオーミック層１０８と電気的に結合された第１のパッドＰＤ１と、第２のオーミック層２０８と電気的に接続された第２のパッドＰＤ２と、第３のオーミック層３０８と電気的に結合された第３のパッドＰＤ３と、第１のｎ型半導体層１０２、第２のｎ型半導体層２０２、及び第３のｎ型半導体層３０２と電気的に共通に接続された共通パッドＣＦＤとをさらに含むことができる。図３Ａを参照すると、基板１００は、上面から見て略四角形の構造を有していてもよく、第１のパッドＰＤ１、第２のパッドＰＤ２、第３のパッドＰＤ３及び共通パッドＣＰＤは、基板１００のそれぞれの角部に配置されていてもよい。
【0055】
第１のｎ型半導体層１０２、第２のｎ型半導体層２０２、及び第３のｎ型半導体層３０２は、共通パッドＣＰＤに接続されているように図示されているが、しかし、本発明の概念はこれに限定されない。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、第１のオーミック層１０８、第２のオーミック層２０８、及び第３のオーミック層３０８が共通パッドＣＰＤに結合されていてもよい。
【0056】
図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、第３の発光部ＬＥ３、第２のカラーフィルタＣＦ２、第２の接着部ＡＤ２、第２の発光部ＬＥ２、第１の接着部ＡＤ１、第１のカラーフィルタＣＦ１を貫通し、第１のオーミック層１０８と第１のパッドＰＤ１とを電気的に接続する第１のビアパターンＶＡ１と、第３の発光部ＬＥ３、第２のカラーフィルタＣＦ２、第２の接着部ＡＤ２、第２のｎ型半導体層２０２、第２の活性層２０４及び第２のｐ型半導体層２０６を貫通し、第２のオーミック層２０８と第２のパッドＰＤ２とを電気的に接続する第２のビアパターンＶＡ２と、第３のｎ型半導体層３０２、第３の活性層３０４及び第３のｐ型半導体層３０６を貫通し、第３のオーミック層３０８と第３のパッドＰＤ３とを電気的に接続する第３のビアパターンＶＡ３と、をさらに含んでもよい。また、第３の発光部ＬＥ３、第２のカラーフィルタＣＦ２、第２の接着部ＡＤ２、第２の発光部ＬＥ２、第１の接着部ＡＤ１、第１のカラーフィルタＣＦ１、第１のオーミック層１０８、第１のｐ型半導体層１０６、及び第１の活性層１０４を貫通し、第１のｎ型半導体層１０２と共通パッドＣＰＤとを電気的に接続する第４のビアパターンＶＡ４と、第３の発光部ＬＥ３、第２のカラーフィルタＣＦ２、第２の接着部ＡＤ２を貫通し、第２のｎ型半導体層２０２と共通パッドＣＰＤとを電気的に接続する第５のビアパターンＶＡ５と、第３のｎ型半導体層３０２の一部を貫通し、第３のｎ型半導体層３０２と共通パッドＣＰＤとを電気的に接続する第６のビアパターンＶＡ６と、をさらに含んでもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第６のビアパターンＶＡ６は省略されてもよい。
【0057】
図示された例示的な実施形態に係る発光構造体ＬＥＤは、縦方向に積層された第１の発光部ＬＥ１、第２の発光部ＬＥ２、及び第３の発光部ＬＥ３を含み、発光デバイスは、第１の発光部ＬＥ１、第２の発光部ＬＥ２、及び第３の発光部ＬＥ３を貫通するビアパターンＶＡ１、ＶＡ２、ＶＡ３、ＶＡ４、ＶＡ５、及びＶＡ６を含むものとして図示されているが、本発明の概念はこれに限定されるものではない。例えば、別の例示的な実施形態によれば、縦方向に積層された第１の発光部ＬＥ１、第２の発光部ＬＥ２、及び第３の発光部ＬＥ３をエッチングすることにより、発光デバイスは、第１のｎ型半導体層１０２、第２のｎ型半導体層２０２、第３のｎ型半導体層３０２、第１のオーミック層１０８、第２のオーミック層２０８、及び第３のオーミック層３０８を露出させた構造を有していてもよい。さらに別の例示的な実施形態によれば、発光デバイスは、第１の発光部ＬＥ１、第２の発光部ＬＥ２、及び第３の発光部ＬＥ３が同一平面上に水平に配置された構造を有していてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、発光デバイスは、１つの発光部を有していてもよい。
【0058】
図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、図１Ｅ、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、及び図３Ｂを参照すると、発光デバイスは、基板１００の第１の面ＳＦ１上のそれぞれの発光構造体ＬＥＤの外側側壁を囲み、隣接する発光構造体ＬＥＤの間を実質的に埋める第１の遮光層ＬＳ１をさらに含んでもよい。第１の遮光層ＬＳ１は、それぞれの発光構造体ＬＥＤから発生した光を遮蔽、吸収、又は反射し得る材料であって、それぞれの発光構造体ＬＥＤから発生した光が隣接する発光構造体ＬＥＤからの光と混合しないような絶縁性を有する材料を含んでいてもよい。 例えば、第１の遮光層ＬＳ１は、フォトレジスト、エポキシ、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）、ブラックマトリクスなどの材料を含んでいてもよい。
【0059】
発光デバイスは、基板１００の第２の面ＳＦ２に設けられた粗面ＲＧＨの少なくとも一部を露出させる開口部を有する第２の遮光層ＬＳ２をさらに含んでいてもよい。第２の遮光層ＬＳ２の開口部から露出するそれぞれの粗面ＲＧＨは、光取り出し面ＬＥＸであってもよい。第２の遮光層ＬＳ２は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒなどの金属を含んでいてもよいし、フォトレジスト、エポキシ、ＰＤＭＳ、ブラックマトリクスなどの材料を含んでいてもよい。
【0060】
例示的な実施形態に係る光取り出し面ＬＥＸは、図１Ｂ及び図２Ａのように上面から見た場合、四角形の構造を有するものとして示されている。しかし、本発明の概念はこれに限定されるものではなく、いくつかの例示的な実施形態では、光取り出し面ＬＥＸは、実質的に三角形や円形などの実質的に多角形の形状を有していてもよい。
【0061】
図２Ａ及び図２Ｂを再び参照すると、図示された例示的な実施形態に係る第２の遮光層ＬＳ２は、基板１００の側壁ＳＤＷ上に形成されず、粗面ＲＧＨを露出させながら基板１００の第２の面ＳＦ２上に配置されていてもよい。より詳細には、第２の遮光層ＬＳ２は、粗面ＲＧＨを覆っていなくてもよい。
【0062】
図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、及び図１Ｅを再び参照すると、図示された例示的な実施形態に係る第２の遮光層ＬＳ２は、基板１００の第２の面ＳＦ２から基板１００の側壁ＳＤＷまで延びて、粗面ＲＧＨの端部を覆っていてもよい。第２の遮光層ＬＳ２の開口部は、粗面ＲＧＨの一部を露出していてもよい。開口部の中心は、粗面ＲＧＨの中心と同心であってもよい。第２の遮光層ＬＳ２のそれぞれの開口部によって露出されたそれぞれの粗面ＲＧＨは、光取り出し面ＬＥＸであってもよい。図４Ａを参照すると、例示的な実施形態に係る第２の遮光層ＬＳ２は、基板１００のそれぞれの側壁ＳＤＷにおいて実質的に同じ厚さを有し、基板１００のそれぞれの側面に傾斜した側面を有していてもよい。図４Ｂを参照すると、他の例示的な実施形態に係る第２の遮光層ＬＳ２は、基板１００のそれぞれの側壁ＳＤＷ上で、基板１００の第２の面ＳＦ２から基板１００の内側に向かって徐々に減少する厚さを有し、基板１００のそれぞれの側壁ＳＤＷ上に垂直な側面が形成されるようにしてもよい。
【0063】
図１Ｄを再び参照すると、基板１００の第１の面SＳＦ１の凹部ＣＮＣ上に配置される第１の遮光層ＬＳ１と、粗面ＲＧＨによって画定される基板１００の側壁ＳＤＷを覆う第２の遮光層ＬＳ２とは、互いに重なる領域を有していてもよい。第１の遮光層ＬＳ１と第２の遮光層ＬＳ２とが重なる領域は、隣り合う発光構造体ＬＥＤの間で光が混合することを防止することができる。
【0064】
図１Ｅを参照すると、それぞれの粗面ＲＧＨの第２の幅Ｗ２は、発光領域ＬＥＡの第１の幅Ｗ１と同じ又はそれ以上であってもよく、第２の遮光層ＬＳ２は、それぞれの粗面ＲＧＨを比較的厚く覆い、発光領域ＬＥＡの第２の幅Ｗ２よりも小さい第３の幅Ｗ３で光取り出し面ＬＥＸを露出させてもよい。隣接する発光構造体ＬＥＤから発生した光は、第２の遮光層ＬＳ２で覆われた粗面ＲＧＨの凹凸パターンＣＣで拡散反射されて消滅し、消滅しなかった残りの光は、第２の遮光層ＬＳ２で吸収、遮蔽、反射されて、混色を防止することができるようになっている。
【0065】
加えて、それぞれの粗面ＲＧＨにおいて、第２の遮光層ＬＳ２に覆われている粗面ＲＧＨの凹凸パターンＣＣは、第１の粗さを有し、第２の遮光層ＬＳ２のそれぞれの開口部から露出している粗面ＲＧＨの凹凸パターンＣＣは、第１の粗さとは異なる第２の粗さを有していてもよい。例えば、図５Ａを参照すると、第１の粗さは、第２の粗さよりも大きくてもよい。別の例として、図５Ｂを参照すると、第１の粗さは、第２の粗さよりも小さくてもよい。
【0066】
このように、発光構造体ＬＥＤからの光は、第２の遮光層ＬＳ２によって縮小された領域から出射される。これにより、発光デバイスのコントラストを向上させることができ、色再現性を向上させることができる。また、第２の遮光層ＬＳ２は、第１の遮光層ＬＳ１と共に、隣接する発光構造体ＬＥＤから発生する光が混ざり合うことを防止することができ、混色を防止することができる。
【0067】
図６Ａは、さらに他の例示的な実施形態に係る発光デバイスの平面図であり、図６Ｂは、図６ＡのＡ－Ａ’線に沿った断面図である。図７Ａは、さらに他の例示的な実施形態に係る発光デバイスの平面図であり、図７Ｂ及び図７Ｃは、図７ＡのＡ－Ａ’線に沿った断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、図６Ｂに示された発光デバイスのＢ部の拡大図である。図６Ａ及び図７Ａは、基板から見たときの平面図である。
【0068】
図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃを参照すると、発光デバイスは、基板１００と、基板１００の第１の面ＳＦ１上に縦方向に積層された第１の発光部ＬＥ１、第２の発光部ＬＥ２及び第３の発光部ＬＥ３をそれぞれ含む発光構造体ＬＥＤと、基板１００の第１の面ＳＦ１上の発光構造体ＬＥＤの間に配置された第１の遮光層ＬＳ１と、基板１００の第１の面ＳＦ１に対向する第２の面ＳＦ２上に配置された第２の遮光層ＬＳ２と、を含むことができる。
【0069】
基板１００の第１の面ＳＦ１は、発光構造体ＬＥＤが配置された発光領域ＬＥＡと、発光領域ＬＥＡを囲み第１の遮光層ＬＳ１が配置された遮光領域ＬＳＡとを含んでいてもよい。例えば、それぞれの発光領域ＬＥＡは、第１の幅Ｗ１を有していてもよい。
【0070】
【0071】
図７Ｃに図示された他の例示的な実施形態によれば、基板１００の第１の面ＳＦ１は、複数の第１のホールＨＬ１を含んでいてもよい。この場合、遮光領域ＬＳＡに配置された第１のホールＨＬ１は、第１の遮光層ＬＳ１で満たされてもよい。しかし、本発明の概念はこれに限定されず、いくつかの例示的な実施形態では、発光領域ＬＥＡに配置された第１のホールＨＬ１は、空気で満たされていてもよい。
【0072】
図７Ｃの第１のホールＨＬ１は、基板１００の第１の面ＳＦ１全体に形成されているように図示されているが、いくつかの例示的な実施形態では、第１のホールＨＬ１は、基板１００の第１の面ＳＦ１の発光領域ＬＥＡのみに選択的に形成されていてもよく、又は、基板１００の第１の面ＳＦ１の遮光領域ＬＳＡのみに選択的に形成されていてもよい。また、第１のホールＨＬ１は、互いに同じ距離だけ離れて規則的に配置されていてもよく、同じ構造を有していてもよい。 いくつかの例示的な実施形態では、第１のホールＨＬ１は、不規則に配置されていてもよく、及び／又は、異なる構造を有していてもよい。
【0073】
さらに、図７Ｃの第１の遮光層ＬＳ１が充填された第１のホールＨＬ１のそれぞれは、円錐形の構造を有するように図示されているが、いくつかの例示的な実施形態では、第１のホールＨＬ１のそれぞれは、円筒形の構造を有していてもよい。
【0074】
図６Ａから図７Ｃを参照すると、基板１００の第２の面ＳＦ２は、複数の第２のホールＨＬ２２を含んでいてもよい。例示的な実施形態によれば、第２のホールＨＬ２のそれぞれは、図８Ａに示すように、実質的に円錐形の構造を有していてもよい。別の例示的な実施形態によれば、第２のホールＨＬ２のそれぞれは、図８Ｂに示すように、実質的に円筒形の構造を有していてもよい。
【0075】
例えば、第２のホールＨＬ２は、互いに同じ距離だけ離れて規則的に配置されていてもよく、同じ構造を有していてもよい。しかし、いくつかの例示的な実施形態では、第２のホールＨＬ２は、不規則に配置されていてもよく、及び／又は、異なる構造を有していてもよい。
【0076】
なお、図６Ｂ、図７Ｂ、図７Ｃの第２のホールＨＬ２は、基板１００の第２の面ＳＦ２全体に形成されているように図示されているが、本発明の概念はこれに限定されるものではない。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、第２のホールＨＬ２は、光取り出し面ＬＥＸに対応する領域のみに選択的に形成されてもよく、基板１００の第１の面ＳＦ１の発光領域ＬＥＡに対応する領域のみに選択的に形成されてもよく、又は、基板１００の第１の面ＳＦ１の遮光領域ＬＳＡに対応する領域のみに選択的に形成されてもよい。
【0077】
例示的な実施形態によれば、第２の遮光層ＬＳ２は、第２のホールＨＬ２内に配置されてもよく、発光領域ＬＥＡと少なくとも部分的に重なる開口部を含んでいてもよい。開口部は、基板１００の第１の面ＳＦ１の発光領域ＬＥＡ内に配置されてもよく、発光領域ＬＥＡの第１の幅Ｗ１よりも小さい第３の幅Ｗ３を有してもよい。開口部によって露出する基板１００の第２の面ＳＦ２は、光取り出し面ＬＥＸであってもよい。光取り出し面ＬＥＸは、発光領域ＬＥＡの第１の幅Ｗ１よりも小さい第３の幅Ｗ３を有していてもよい。
【0078】
図６Ｂの例示的な実施形態によれば、第２の遮光層ＬＳ２の開口部内に配置された第２のホールＨＬ２は外部に露出していてもよい。より詳細には、第２の遮光層ＬＳ２の開口部内に配置された第２のホールＨＬ２に空気が充填されていてもよい。図７Ｂ及び図７Ｃに示された別の例示的な実施形態によれば、第２の遮光層ＬＳ２は、開口部内に配置された第２のホールＨＬ２の少なくとも一部に充填されていてもよい。
【0079】
このように、第２の遮光層ＬＳ２が発光領域ＬＥＡの一部を覆うことで、より小さな面積の光取り出し面ＬＥＸを画定しているため、発光デバイスのコントラストを向上させることができる。また、光取り出し面ＬＥＸ内に配置された複数の第２のホールＨＬ２によって光が拡散反射されるので、発光デバイスの光取り出し性を向上させることができる。第１の遮光層ＬＳ１及び第２の遮光層ＬＳ２によって、隣り合う発光構造体ＬＥＤから発生する光が互いに混ざり合うことを防止することができる。第１の遮光層ＬＳ１が充填された第１のホールＨＬ１と、光取り出し面ＬＥＸを除く領域に配置された第２の遮光層ＬＳ２とが、隣接する発光構造体ＬＥＤから発生する光を反射、吸収及び／又は遮蔽することができるので、色再現性を向上させつつ、混色を防止することができる。
【0080】
図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図８Ａ、図８Ｂに示す発光デバイスの要素は、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、図１Ｅ、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、図３Ｂを参照して上述したものと実質的に同じであるため、冗長を避けるために、その繰り返しの説明は省略する。
【0081】
【0082】
【0083】
図９を参照すると、第１の発光部ＬＥ１を形成するために、第１の基板１００上に、第１のｎ型半導体層１０２、第１の活性層１０４、第１のｐ型半導体層１０６、及び第１のオーミック層１０８を順次形成してもよい。第１のｎ型半導体層１０２、第１の活性層１０４、及び第１のｐ型半導体層１０６は、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）、及びＭＯＣ（有機金属塩化物）などの成長方法を用いて、第１の基板１００上に順次形成されてもよい。なお、第１のオーミック層１０８は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）プロセス、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）プロセスなどを用いて、第１のｐ型半導体層１０６上に形成してもよい。
【0084】
第２の基板上に、第２のｎ型半導体層２０２、第２の活性層２０４、第２のｐ型半導体層２０６、及び第２のオーミック層２０８を順次形成することで、第２の発光部ＬＥ２を形成してもよい。第２のｎ型半導体層２０２、第２の活性層２０４、第２のｐ型半導体層２０６は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥ、ＭＯＣなどの成長法を用いて、第２の基板上に順次形成してもよい。また、第２のオーミック層２０８は、ＣＶＤプロセス、ＰＶＤプロセスなどにより、第２のｐ型半導体層２０６上に形成してもよい。
【0085】
第２の基板を裏返すことで、第２のオーミック層２０８が第１のオーミック層１０８と向き合うように配置され、第２の発光部ＬＥ２が第１の接着部ＡＤ１を介して第１の発光部ＬＥ１に接着されてもよい。第１の発光部ＬＥ１と第２の発光部ＬＥ２とを接着した後、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）工程又はケミカルリフトオフ（ＣＬＯ）工程により、第２の基板を除去してもよい。
【0086】
第３の基板（図示せず）上に、第３のｎ型半導体層３０２、第３の活性層３０４、第３のｐ型半導体層３０６、及び第３のオーミック層３０８を順次形成することで、第３の発光部ＬＥ３を形成することができる。第３のｎ型半導体層３０２、第３の活性層３０４、及び第３のｐ型半導体層３０６は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥ、ＭＯＣなどの成長法を用いて、第３の基板上に順次形成されてもよい。また、第３のオーミック層３０８は、ＣＶＤプロセス、ＰＶＤプロセスなどにより、第３のｐ型半導体層３０６上に形成してもよい。
【0087】
また、第２の発光部ＬＥ２の第２のｎ型半導体層２０２と第３の発光部ＬＥ３の第３のオーミック層３０８とが対向するように第３の基板を裏返し、第２の接着部ＡＤ２を介して第２の発光部ＬＥ２と第３の発光部ＬＥ３とを接着してもよい。第２の接着部ＡＤ２によって第２の発光部ＬＥ２と第３の発光部ＬＥ３とを接着した後、ＬＬＯ工程やＣＬＯ工程によって第３の基板を除去してもよい。
【0088】
そして、第３の発光部ＬＥ３、第２の発光部ＬＥ２、及び第１の発光部ＬＥ１をエッチングすることにより、第１のオーミック層１０８を露出する第１のビアホール（図示せず）、第２のオーミック層２０８を露出する第２のビアホール（図示せず）、第３のオーミック層３０８を露出する第３のビアホール（図示せず）、第１のｎ型半導体層１０２を露出する第４のビアホール（図示せず）、第２のｎ型半導体層２０２を露出する第５のビアホール（図示せず）、及び第３のｎ型半導体層３０２を露出する第６のビアホール（図示せず）を形成することができる。
【0089】
本実施形態によれば、第１のビアホール、第２のビアホール、第３のビアホール、第４のビアホール、第５のビアホール及び第６のビアホールを形成する際に、第１の発光部ＬＥ１、第２の発光部ＬＥ２及び第３の発光部ＬＥ３をエッチングして基板１００を露出させることにより、発光デバイスを個別に分離することができる。
【0090】
パッシベーション層ＰＶＴは、第１のビアホール、第２のビアホール、第３のビアホール、第４のビアホール、第５のビアホール、及び第６のビアホールを少なくとも部分的に充填し、第３のｎ型半導体層３０２の上面まで延びるように形成されていてもよい。
【0091】
パッシベーション層ＰＶＴをエッチングすることにより、第１のｎ型半導体層１０２を第４のビアホールの底面に露出させることができ、第２のｎ型半導体層２０２を第５のビアホールの底面に露出させることができ、第３のｎ型半導体層３０２を第６のビアホールの底面に露出させることができ、第１のオーミック層１０８を第１のビアホールの底面に露出させることができ、第２のオーミック層２０８を第２のビアホールの底面に露出させることができ、第３のオーミック層３０８を第３のビアホールの底面に露出させることができる。
【0092】
第１のビアホール、第２のビアホール、第３のビアホール、第４のビアホール、第５のビアホール、第６のビアホール内にパッシベーション層ＰＶＴと共に、それぞれ第１のビアパターンＶＡ１、第２のビアパターンＶＡ２、第３のビアパターンＶＡ３、第４のビアパターンＶＡ４、第５のビアパターンＶＡ５、第６のビアパターンＶＡ６が形成されてもよい。
【0093】
第１のビアパターンＶＡ１を第１のビアホール内に配置して第１のオーミック層１０８と電気的に接続することができ、第２のビアパターンＶＡ２を第２のビアホール内に配置して第２のオーミック層２０８と電気的に接続することができ、第３のビアパターンＶＡ３を第３のビアホール内に配置して第３のオーミック層３０８と電気的に接続することができ、第４のビアパターンＶＡ４を第４のビアホール内に配置して第１のｎ型半導体層１０２と電気的に接続することができ、第５のビアパターンＶＡ５を第５のビアホール内に配置して第２のｎ型半導体層２０２と電気的接続することができ、第６のビアパターンＶＡ６を第６のビアホール内に配置して第３のｎ型半導体層３０２と電気的に接続することができる。
【0094】
例示的な実施形態によれば、第１のビアパターンＶＡ１、第２のビアパターンＶＡ２、第３のビアパターンＶＡ３、第４のビアパターンＶＡ４、第５のビアパターンＶＡ５、及び第６のビアパターンＶＡ６のそれぞれの上面は、パッシベーション層ＰＶＴの上面と同一平面を有してもよい。
【0095】
第１のビアパターンＶＡ１上に第１のビアパターンＶＡ１と電気的に接続される第１のパッドＰＤ１を形成することができ、第２のビアパターンＶＡ２上に第２のビアパターンＶＡ２と電気的に接続される第２のパッドＰＤ２を形成することができ、第３のビアパターンＶＡ３上に第３のビアパターンＶＡ３と電気的に接続される第３のパッドＰＤ３を形成することができ、第４のビアパターンＶＡ４、第５のビアパターンＶＡ５及び第６のビアパターンＶＡ６と共通に電気的に接続される共通パッドＣＰＤを第４のビアパターンＶＡ４、第５のビアパターンＶＡ５及び第６のビアパターンＶＡ６上に形成することができる。
【0096】
図１０を参照すると、第３の発光部ＬＥ３、第２の発光部ＬＥ２、第１の発光部ＬＥ１を順次エッチングすることにより、基板１００上に形成された発光構造体ＬＥＤを個別化することができる。
【0097】
例示的な実施形態によれば、エッチングプロセス中に、基板１００の第１の発光部ＬＥ１の下の部分がエッチングされてもよい。このように、基板１００の第１の面ＳＦ１は、発光構造体ＬＥＤに覆われる凸部ＣＮＶと、エッチングされない凹部ＣＮＣとを含んでいてもよい。しかしながら、いくつかの例示的な実施形態では、基板１００の第１の面ＳＦ１は、図１Ｃ、図１Ｅ、及び図２Ｂに示すように、エッチングプロセス中にエッチングされなくてもよい。
【0098】
例示的な実施形態によれば、発光構造体ＬＥＤは、所定の傾斜を有する傾斜した側壁を有することができる。しかしながら、本発明の概念はこれに限定されず、いくつかの例示的な実施形態では、発光構造体ＬＥＤは、垂直に形成された側壁を有してもよい。
【0099】
図１１を参照すると、第１の遮光層ＬＳ１は、発光構造体ＬＥＤの間に配置されてもよい。例示的な実施形態によれば、第１の遮光層ＬＳ１は、基板１００の第１の面ＳＦ１の凹部ＣＮＣに形成されてもよい。また、第１の遮光層ＬＳ１は、エッチング工程で形成された基板１００の側壁を覆っていてもよい。このようにして、発光領域ＬＥＡが画定されてもよい。それぞれの発光構造体ＬＥＤが、第３の発光部ＬＥ３から第１の発光部ＬＥ１に向かって徐々に増加する幅を有する場合、それぞれの発光領域ＬＥＡは、それぞれの発光構造体ＬＥＤの最大幅と実質的に同じ第１の幅Ｗ１を有していてもよい。
【0100】
例えば、第１の遮光層ＬＳ１の上面は、発光構造体ＬＥＤの第１のパッドＰＤ１、第２のパッドＰＤ２、第３のパッドＰＤ３及び共通パッドＣＰＤの上面と略同一平面上に配置されていてもよい。
【0101】
また、別の例として、図９に示す工程において、第１のパッドＰＤ１、第２のパッドＰＤ２、第３のパッドＰＤ３、共通パッドＣＰＤを形成しなくてもよい。具体的には、第１の遮光層ＬＳ１を形成した後、第１の遮光層ＬＳ１上に延びるように、第１のパッドＰＤ１、第２のパッドＰＤ２、第３のパッドＰＤ３及び共通パッドＣＰＤを形成してもよい。
【0102】
図１２を参照すると、基板１００の第２の面ＳＦ２をエッチングすることにより、凹凸パターンＣＣを含む粗面ＲＧＨを形成することができる。
【0103】
特に、基板１００の第２の面ＳＦ２にマスクパターンを形成し、このマスクパターンをエッチングマスクとして用いてウェットエッチング及び／又はドライエッチングにより第２の面ＳＦ２をエッチングすることにより、凹凸パターンＣＣを形成してもよい。粗面ＲＧＨを形成した後、マスクパターンは除去されてもよい。
【0104】
凹凸パターンＣＣを含む粗面ＲＧＨは、発光領域ＬＥＡの少なくとも一部に重なるように形成されていてもよい。例示的な実施形態によれば、粗面ＲＧＨは、発光領域ＬＥＡ内に形成されてもよく、第１の幅Ｗ１よりも小さい第２の幅Ｗ２を有してもよい。粗面ＲＧＨの中心は、発光領域ＬＥＡの中心と同心であってもよい。別の例示的な実施形態によれば、それぞれの粗面ＲＧＨは、図１Ｅに示すように、第１の幅Ｗ１以上の第２の幅Ｗ２を有することができる。粗面ＲＧＨの中心は、発光領域ＬＥＡの中心と同心であってもよい。
【0105】
図１３を参照すると、基板１００の第２の面ＳＦ２には、第２の遮光層ＬＳ２が形成されていてもよい。薄い厚さを有する第２の遮光層ＬＳ２は、基板１００の第２の面ＳＦ２の粗面ＲＧＨ及び平坦面ＰＬＴに沿って連続的に形成されてもよい。
【0106】
例示的な実施形態によれば、基板１００の第１の面ＳＦ１の凹部ＣＮＣに形成された第１の遮光層ＬＳ１と、基板１００の第２の面ＳＦ２の粗面ＲＧＨに形成された第２の遮光層ＬＳ２とは、互いに重なっていてもよい。
【0107】
図１Ｄを再び参照すると、第２の遮光層ＬＳ２をエッチングすることによって、基板１００の第２の面ＳＦ２の一部を露出させる開口部が形成され、第２の幅Ｗ２よりも小さい第３の幅Ｗ３を有する光取り出し面ＬＥＸを画定してもよい。
【0108】
例示的な実施形態によれば、図１２に示すエッチング工程に加えて、第２の遮光層ＬＳ２をエッチングしながら、粗面ＲＧＨのうち第２の遮光層ＬＳ２が除去された部分をさらにエッチングしてもよい。このようにして、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、粗面ＲＧＨの一部を、第２の遮光層ＬＳ２に覆われた粗面ＲＧＨの部分とは異なる粗さに二次的にエッチングしてもよい。図５Ａを参照すれば、第２の遮光層ＬＳ２に覆われた粗面ＲＧＨの部分は第１の粗さを有し、第２の遮光層ＬＳ２に露出する粗面ＲＧＨの部分は第１の粗さよりも大きい第２の粗さを有する。図５Ｂを参照すると、第２の遮光層ＬＳ２に覆われた粗面ＲＧＨの部分は第１の粗さを有し、第２の遮光層ＬＳ２に露出する粗面ＲＧＨの部分は第１の粗さよりも小さい第２の粗さを有する。
【0109】
いくつかの例示的な実施形態では、粗面ＲＧＨは、第２の遮光層ＬＳ２を形成した後に形成されてもよい。第２の遮光層ＬＳ２を形成した後に粗面ＲＧＨを形成する場合、発光デバイスは、図２Ａ及び図２Ｂに示された構造を有してもよい。
【0110】
本明細書では、特定の例示的な実施形態及び実施態様を説明したが、他の実施形態及び修正は、この説明から明らであろう。したがって、本発明の概念は、そのような実施形態に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲のより広い範囲、及び当業者には明らかな様々な明らかな変更及び同等の配置に限定されるものである。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【国際調査報告】