(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-01-24
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/38 20100101AFI20220117BHJP
H01L 33/08 20100101ALI20220117BHJP
【ＦＩ】
H01L33/38
H01L33/08
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021522029
(86)(22)【出願日】2019-11-01
(85)【翻訳文提出日】2021-06-18
(86)【国際出願番号】 KR2019014710
(87)【国際公開番号】W WO2020091507
(87)【国際公開日】2020-05-07
(31)【優先権主張番号】62/754,733
(32)【優先日】2018-11-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】16/668,325
(32)【優先日】2019-10-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】506029004
【氏名又は名称】ソウル バイオシス カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＯＵＬ ＶＩＯＳＹＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】６５－１６，Ｓａｎｄａｎ－ｒｏ １６３ Ｂｅｏｎ－ｇｉｌ，Ｄａｎｗｏｎ－ｇｕ，Ａｎｓａｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000408
【氏名又は名称】特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】ジャン，ソン ギュ
(72)【発明者】
【氏名】シン，チャン ソブ
(72)【発明者】
【氏名】イ，ソム ジュン
(72)【発明者】
【氏名】イ，ホ ジュン
(72)【発明者】
【氏名】チェ，ジョン ヒョン
【テーマコード（参考）】
5F241
【Ｆターム（参考）】
5F241AA03
5F241AA40
5F241CA05
5F241CA13
5F241CA40
5F241CA74
5F241CA88
5F241CA93
5F241CB11
5F241CB27
5F241CB36
5F241FF01
(57)【要約】
発光装置は、第１の第１型および第１の第２型半導体層を含む第１発光部と、第２の第１型および第２の第２型半導体層を含む第２発光部と、第３の第１型および第３の第２型半導体層を含む第３発光部と、第２発光部に配置され、第１の第１型、第１の第２型、第２の第１型、および第２の第２型半導体層のうちの少なくとも１つと電気的に接続される第１部分、ならびに第１部分から第２および第３発光部の間の第２発光部の一方の面まで延在する第２部分を含む第１導電パターンと、第３発光部上に配置され、第１導電パターンと電気的に接続される第２導電パターンと、を含み、第２導電パターンは、第１導電パターンの第２部分と少なくとも部分的に重畳する領域を含む。
【選択図】図１ｂ
【選択図】図１ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の第１型半導体層、第１活性層、および第１の第２型半導体層を含む第１発光部と、前記第１発光部の上に配置され、第２の第１型半導体層、第２活性層、および第２の第２型半導体層を含む第２発光部と、
前記第２発光部の上に配置され、第３の第１型半導体層、第３活性層、および第３の第２型半導体層を含む第３発光部と、
前記第２発光部に配置され、前記第１の第１型半導体層、前記第１の第２型半導体層、前記第２の第１型半導体層、および前記第２の第２型半導体層のうちの少なくとも１つと電気的に接続される第１部分、ならびに前記第１部分から前記第２発光部と前記第３発光部との間の前記第２発光部の一方の面まで延在する第２部分を含む第１導電パターンと、
前記第３発光部上に配置され、前記第１導電パターンと電気的に接続される第２導電パターンと、を含み、
前記第２導電パターンは、前記第１導電パターンの前記第２部分と少なくとも部分的に重畳する領域を含む、発光装置。
【請求項2】
前記第２発光部は、前記第２発光部の少なくとも一部を貫通するビアホールを有し、前記第１導電パターンの前記第１部分は、前記ビアホールに沿って形成され、ビアホールの内部には、絶縁性材料が充填される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第３発光部は、前記第３発光部を貫通するビアホールを有し、前記第２導電パターンは、前記第３発光部の前記ビアホールに沿って形成される第１部分と、前記第１部分から前記第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含み、
前記第１導電パターンの前記第２部分と前記第２導電パターンの前記第１部分とは、部分的に互いに重畳する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項4】
前記第１導電パターンの前記第１部分と前記第２導電パターンの前記第１部分とは、同じ幅を有する、請求項３に記載の発光装置。
【請求項5】
前記第２導電パターンの前記第２部分と電気的に接続されるパッドをさらに含む、請求項３に記載の発光装置。
【請求項6】
前記第２発光部は、前記第２発光部の少なくとも一部を貫通するビアホールを有し、前記第１導電パターンの前記第１部分は、前記ビアホールを充填する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項7】
前記第３発光部は、前記第３発光部を貫通するビアホールを有し、前記第２導電パターンは、前記第３発光部の前記ビアホールを充填する第１部分と、前記第１部分から前記第３発光部の一方の面に延在する第２部分と、を含み、
前記第１導電パターンの前記第２部分と前記第２導電パターンの前記第１部分とは、少なくとも互いに重畳する部分領域を含む、請求項６に記載の発光装置。
【請求項8】
前記第１導電パターンの前記第１部分と前記第２導電パターンの前記第１部分とは、同じ幅を有する、請求項７に記載の発光装置。
【請求項9】
前記第２導電パターンの前記第２部分と電気的に接続されるパッドをさらに含む、請求項７に記載の発光装置。
【請求項10】
前記第１導電パターンの前記第１部分は、前記第１の第１型半導体層と電気的に接続され、前記第２部分は、前記第２発光部の前記一方の面上の前記第２の第１型半導体層と電気的に接続され、前記第２導電パターンは、前記第１導電パターンの前記第２部分と電気的に接続される第１部分と、前記第２導電パターンの前記第１部分から延在し、第３の第１型半導体層と電気的に接続される第２部分と、を含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項11】
前記第１導電パターンの前記第１部分は、前記第１の第２型半導体層と電気的に接続され、前記第２導電パターンは、前記第１導電パターンの前記第２部分と電気的に接続される第１部分と、前記第２導電パターンの前記第１部分から前記第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項12】
前記第１導電パターンの前記第１部分は、前記第２の第２型半導体層と電気的に接続され、前記第２導電パターンは、前記第１導電パターンの前記第２部分と電気的に接続される第１部分と、前記第２導電パターンの前記第１部分から前記第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項13】
前記第３の第２型半導体層と電気的に接続される第３導電パターンをさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項14】
前記第３発光部は、前記第３発光部の少なくとも一部を貫通するビアホールを有し、前記第３導電パターンは、前記ビアホールに沿って配置される第１部分と、前記第１部分から前記第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含む、請求項１３に記載の発光装置。
【請求項15】
前記第３導電パターンの前記第２部分と電気的に接続されるパッドをさらに含む、請求項１４に記載の発光装置。
【請求項16】
前記第３発光部は、前記第３発光部の少なくとも一部を貫通するビアホールを有し、前記第３導電パターンは、前記ビアホールを充填する第１部分と、前記第１部分から前記第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含む、請求項１３に記載の発光装置。
【請求項17】
前記第１発光部、前記第２発光部、および前記第３発光部の各々は、傾斜した外側の側壁を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項18】
前記第１導電パターンの前記第１部分と前記第２発光部の側面との間に配置される絶縁層をさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項19】
前記絶縁層は、前記第２発光部の外側の側壁まで延在する、請求項１８に記載の発光装置。
【請求項20】
前記第１発光部と前記第２発光部とを接着する第１接着部と、前記第２発光部と前記第３発光部とを接着する第２接着部と、をさらに含み、
前記第１接着部は、前記第１発光部の外側の側壁まで延在し、
前記第２接着部は、前記第２発光部の外側の側壁まで延在する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項21】
前記第１導電パターンの前記第１部分の外側の側壁および前記第２発光部の外側の側壁まで延在する絶縁層をさらに含み、前記絶縁層は、前記第２発光部と前記第２接着部との間に配置される、請求項２０に記載の発光装置。
【請求項22】
前記第１発光部および前記第２発光部の各々は、傾斜した外側の側壁を有し、前記第１接着部は、前記第１発光部から前記第２発光部に向かって増加する幅を有し、
前記第２接着部は、前記第２発光部から前記第３発光部に向かって増加する幅を有する、請求項２０に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置、より具体的には、複数の発光部が積層された発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
無機光源としての発光ダイオードは、表示装置、車両用ランプ、および一般照明などの様々な分野で多様に使用されている。発光ダイオードは、既存の光源よりも寿命が長く、消費電力が少なく、応答速度が速いため、急速に既存の光源に取って代わりつつある。
【0003】
一般的に、表示装置は、青色、緑色、および赤色の混合色を利用することによって、様々な色を表示する。表示装置の各画素には、青色、緑色、赤色のサブ画素が含まれ、特定の画素の色はこれらのサブ画素の色によって決定され、画像は画素の組み合わせによって表示される。
【0004】
発光ダイオードは、主に表示装置のバックライト源として使用されている。しかしながら、近年、発光ダイオードを利用して画像を直接表示する次世代ディスプレイとしてマイクロＬＥＤディスプレイが開発されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、光効率が改善された発光装置に向けられている。
【0006】
本開示によって達成される目的は、前述の目的に限定されず、本開示が属する技術分野の当業者は、以下の説明から他の目的を明確に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0007】
技術的課題を解決するための本発明の実施形態に係る発光装置は、第１の第１型半導体層、第１活性層、および第１の第２型半導体層を含む第１発光部と、第１発光部の上に配置され、第２の第１型半導体層、第２活性層、および第２の第２型半導体層を含む第２発光部と、第２発光部の上に配置され、第３の第１型半導体層、第３活性層、および第３の第２型半導体層を含む第３発光部と、第２発光部に配置され、第１の第１型、第１の第２型、第２の第１型、および第２の第２型半導体層のうちの少なくとも１つと電気的に接続される第１部分、ならびに第１部分から第２および第３発光部の間の第２発光部の一方の面まで延在する第２部分を含む第１導電パターンと、第３発光部上に配置され、第１導電パターンと電気的に接続される第２導電パターンと、を含み、第２導電パターンは、第１導電パターンの第２部分と少なくとも部分的に重畳する領域を含んでいてもよい。
【0008】
実施形態によれば、第２発光部は、第２発光部の少なくとも一部を貫通するビアホールを有していてもよく、第１導電パターンの第１部分は、ビアホールに沿って形成され、ビアホールの内部には、絶縁性材料が充填されていてもよい。
【0009】
実施形態によれば、第３発光部は、第３発光部を貫通するビアホールを有していてもよく、第２導電パターンは、第３発光部のビアホールに沿って形成される第１部分と、第１部分から第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含み、第１導電パターンの第２部分と第２導電パターンの第１部分とは、部分的に互いに重畳していてもよい。
【0010】
実施形態によれば、第１導電パターンの第１部分と第２導電パターンの第１部分とは、同じ幅を有していてもよい。
【0011】
実施形態によれば、発光装置は、第２導電パターンの第２部分と電気的に接続されたパッドをさらに含んでもよい。
【0012】
実施形態によれば、第２発光部は、第２発光部の少なくとも一部を貫通するビアホールを有し、第１導電パターンの第１部分は、ビアホールを充填していてもよい。
【0013】
実施形態によれば、第３発光部は、第３発光部を貫通するビアホールを有していてもよく、第２導電パターンは、第３発光部のビアホールを充填する第１部分と、第１部分から第３発光部の一方の面に延在する第２部分と、を含み、第１導電パターンの第２部分と第２導電パターンの第１部分とは、少なくとも互いに重畳する部分領域を含んでいてもよい。
【0014】
実施形態によれば、第１導電パターンの第１部分と第２導電パターンの第１部分とは、同じ幅を有していてもよい。
【0015】
実施形態によれば、発光装置は、第２導電パターンの第２部分と電気的に接続されるパッドをさらに含んでもよい。
【0016】
実施形態によれば、第１導電パターンの第１部分は、第１の第１型半導体層と電気的に接続されていてもよく、第２部分は、第２発光部の一方の面上の第２の第１型半導体層と電気的に接続されていてもよく、第２導電パターンは、第１導電パターンの第２部分と電気的に接続される第１部分と、第２導電パターンの第１部分から延在し、第３の第１型半導体層と電気的に接続される第２部分と、を含んでいてもよい。
【0017】
実施形態によれば、第１導電パターンの第１部分は、第１の第２型半導体層と電気的に接続されていてもよく、第２導電パターンは、第１導電パターンの第２部分と電気的に接続される第１部分と、第２導電パターンの第１部分から第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含んでいてもよい。
【0018】
実施形態によれば、第１導電パターンの第１部分は、第２の第２型半導体層と電気的に接続されていてもよく、第２導電パターンは、第１導電パターンの第２部分と電気的に接続される第１部分と、第２導電パターンの第１部分から第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含んでいてもよい。
【0019】
実施形態によれば、発光装置は、第３の第２型半導体層と電気的に接続される第３導電パターンをさらに含んでもよい。
【0020】
実施形態によれば、第３発光部は、第３発光部の少なくとも一部を貫通するビアホールを有していてもよく、第３導電パターンは、ビアホールに沿って配置される第１部分と、第１部分から第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含んでいてもよい。
【0021】
実施形態によれば、発光装置は、第３導電パターンの第２部分と電気的に接続されるパッドをさらに含んでいてもよい。
【0022】
実施形態によれば、第３発光部は、第３発光部の少なくとも一部を貫通するビアホールを有していてもよく、第３導電パターンは、ビアホールを充填する第１部分と、第１部分から第３発光部の一方の面まで延在する第２部分と、を含んでいてもよい。
【0023】
実施形態によれば、第１乃至第３発光部の各々は、傾斜した外側の側壁を有していてもよい。
【0024】
実施形態によれば、第１導電パターンの第１部分と第２発光部の側面との間に配置される絶縁層をさらに含んでいてもよい。
【0025】
実施形態によれば、絶縁層は、第２発光部の外側の側壁まで延在していてもよい。
【0026】
実施形態によれば、発光装置は、第１発光部と第２発光部とを接着する第１接着部と、第２発光部と第３発光部とを接着する第２接着部と、をさらに含んでいてもよく、第１接着部は、第１発光部の外側の側壁まで延在していてもよく、第２接着部は、第２発光部の外側の側壁まで延在していてもよい。
【0027】
実施形態によれば、発光装置は、第１導電パターンの第１部分の外側の側壁および第２発光部の外側の側壁まで延在する絶縁層をさらに含んでいてもよく、絶縁層は、第２発光部と第２接着部との間に配置されていてもよい。
【0028】
実施形態によれば、第１発光部および第２発光部の各々は、傾斜した外側の側壁を有していてもよく、第１接着部は、第１発光部から第２発光部に向かって増加する幅を有していてもよく、第２接着部は、第２発光部から第３発光部に向かって増加する幅を有していてもよい。
【0029】
他の実施形態の詳細は、詳細な説明および図面に含まれる。
【発明の効果】
【0030】
本開示の実施形態に係る発光装置では、複数の発光部の各々にビアホールを形成し、少なくとも部分的にビアホールを充填し、各発光部の一部まで延在する導電パターンを形成することにより、全ての発光部が積層された後のタイミングでビアホールを形成する場合に比べて、導電パターンと第１パッド、第２パッド、第３パッド、および共通パッドとを安定して電気的に接続することができる。
【0031】
また、ビアホールを形成する際に、複数の発光部の各々が離間されるため、基板にかかる引張応力を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1a】本開示の一実施形態に係る発光装置の説明を補助するための上面図の一例を表す図である。
【図2】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図3】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図4】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図5】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図6】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図7】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図8】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図9】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図10】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図11】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図12】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図13】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図14】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図15】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図16】本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図17】本開示の実施形態に係る発光装置の実装基板への実装方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【図18】本開示の実施形態に係る発光装置の実装基板への実装方法の説明を補助するための断面図の例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【0033】
本開示の構成および効果を十分に理解するために、本開示の実施形態を、添付の図面を参照しながら説明する。但し、本開示は、本明細書に記載された実施形態に限定されるものではなく、様々な形態で実施されてもよく、様々な変更が加えられてもよい。
【0034】
本開示の実施形態で使用される技術用語は、特に定義されていない限り、当業者に従来から知られている意味として解釈される。
【0035】
以下、本発明に係る発光装置について、様々な実施形態の例を通じて添付の図面を参照しながら説明する。
【0036】
【0037】
【0038】
第１発光部ＬＥ１の一方の面が第２発光部ＬＥ２に対向し、一方の面から離れて対向する第１発光部ＬＥ１の他方の対向面が発光装置の光取り出し面であってもよい。このように第１発光部ＬＥ１の他方の面が光取り出し面である場合、第１発光部ＬＥ１から出射される光の波長が最も短く、第２発光部ＬＥ２から出射される光の波長が第１発光部ＬＥ１から出射される光の波長よりも長く、かつ、第３発光部ＬＥ３から出射される光の波長よりも短く、第３発光部ＬＥ３から出射される光の波長が最も長くなるようにしてもよい。例えば、第１発光部ＬＥ１が青色の光を発し、第２発光部ＬＥ２が緑色の光を発し、第３発光部ＬＥ３が赤色の光を発するようにしてもよい。
【0039】
本発明の実施形態において、第１発光部ＬＥ１および第２発光部ＬＥ２は、上述とは異なる順序で積層されていてもよい。例えば、上述した実施形態では、第２発光部ＬＥ２が第１発光部ＬＥ１上に積層されているが、本実施形態では、第１発光部ＬＥ１が第２発光部ＬＥ２上に積層されていてもよい。この場合、第２発光部ＬＥ２の一方の面が第１発光部ＬＥ１に対向し、第２発光部ＬＥ２の面と反対の第２発光部ＬＥ２の他方の対向面が発光装置の光取り出し面となっていてもよい。
【0040】
第１発光部ＬＥ１は、垂直方向に積層された第１のｎ型半導体層１０２、第１活性層１０４、第１のｐ型半導体層１０６、および第１オーミック層１０８を含んでいてもよい。第２発光部ＬＥ２は、垂直方向に積層された第２オーミック層２０８、第２のｐ型半導体層２０６、第２活性層２０４、および第２のｎ型半導体層２０２を含んでいてもよい。また、第３発光部ＬＥ３は、垂直方向に積層された第３オーミック層３０８、第３のｐ型半導体層３０６、第３活性層３０４、および第３のｎ型半導体層３０２を含んでいてもよい。
【0041】
第１のｎ型半導体層１０２、第２のｎ型半導体層２０２、および第３のｎ型半導体層３０２の各々は、Ｓｉドープ窒化ガリウム系半導体層であってもよい。また、第１のｐ型半導体層１０６、第２のｐ型半導体層２０６、および第３のｐ型半導体層３０６の各々は、Ｍｇドープの窒化ガリウム系半導体層であってもよい。また、第１活性層１０４、第２活性層２０４、および第３活性層３０４の各々は、多重量子井戸（ＭＱＷ）を含んでいてもよく、その組成比は、所望のピーク波長の光を放出するように決定されてもよい。また、第１オーミック層１０８、第２オーミック層２０８、および第３オーミック層３０８の各々として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化インジウムスズ亜鉛（ＩＴＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を用いてもよい。あるいは、これに限定されることなく、第１オーミック層１０８、第２オーミック層２０８、および第３オーミック層３０８の各々として、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｗ、Ｃｕなどの金属、またはその合金で形成された金属オーミック層を用いてもよい。また、金属の合金は、Ａｕ－Ｂｅ、Ａｕ－Ｔｅ、またはＡｕ－Ｇｅの合金であってもよい。実施形態によれば、第１発光部ＬＥ１は、第１のｎ型半導体層１０２を露出する第１開孔ＨＬ１を有していてもよい。例えば、第１開孔ＨＬ１は、垂直な側面を有していてもよい。別の例として、第１開孔ＨＬ１は、傾斜した側面を有していてもよい。
【0042】
発光装置は、第１発光部ＬＥ１の第１開孔ＨＬ１によって露出される第１のｎ型半導体層１０２と電気的に接触する第１導電パターンＣＰ１と、第１オーミック層１０８と電気的に接触する第２導電パターンＣＰ２と、をさらに含んでいてもよい。第１導電パターンＣＰ１および第２導電パターンＣＰ２の各々は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔｉ、およびＣｕからなる群から選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。さらに、第１導電パターンＣＰ１および第２導電パターンＣＰ２の各々は、その合金を含んでいてもよい。また、選択的に、第１導電パターンＣＰ１および第２導電パターンＣＰ２を省略してもよい。
【0043】
第１発光部ＬＥ１は、第２発光部ＬＥ２から離間されて配置されていてもよい。例えば、第１発光部ＬＥ１の第１オーミック層１０８と第２発光部ＬＥ２の第２オーミック層２０８とが、互いに向き合うように配置されていてもよい。他の例としては、第１発光部ＬＥ１の第１オーミック層１０８と第２発光部ＬＥ２の第２のｎ型半導体層２０２とが、互いに向き合うように配置されていてもよい。
【0044】
発光装置は、互いに離間した第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２との間に、第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２とを接着する第１接着部ＡＤ１をさらに含んでいてもよい。第１接着部ＡＤ１は、透明であり、かつ、絶縁性および接着性を有していてもよい。第１接着部ＡＤ１は、ガラス、ポリマー、レジスト、またはポリイミドを含んでいてもよい。例えば、第１接着部ＡＤ１は、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブタジエン）、ＨＳＱ（水素シルセスキオキサン）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、パリレン、ＳＵ－８フォトレジストなどを含んでいてもよい。実施形態によれば、第１接着部ＡＤ１は、第１発光部ＬＥ１の第１開孔ＨＬ１を充填しながら配置されてもよい。
【0045】
実施形態によれば、第１発光部ＬＥ１は、下方向の幅が広くなるように傾斜した側面を有していてもよい。すなわち、第１発光部ＬＥ１の第１のｎ型半導体層１０２は、第１オーミック層１０８よりも大きな幅を有していてもよく、第１オーミック層１０８は、第１のｐ型半導体層１０６よりも大きな幅を有していてもよく、第１のｐ型半導体層１０６は、第１オーミック層１０８よりも大きな幅を有していてもよい。また、第１接着部ＡＤ１は、第１発光部ＬＥ１の外側の側壁を囲むように延在していてもよい。
【0046】
選択的に、発光装置は、第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２との間に配置される第１カラーフィルタをさらに含んでいてもよい。例えば、第１カラーフィルタは、第１発光部ＬＥ１の第１オーミック層１０８上に配置されていてもよい。別の例として、第１カラーフィルタは、第２発光部ＬＥ２の第２オーミック層２０８上に配置されていてもよい。第１カラーフィルタは、第１発光部ＬＥ１から生成された光を反射し、第２発光部ＬＥ２および第３発光部ＬＥ３から生成された光を透過させて、第１発光部ＬＥ１から生成された光が第２発光部ＬＥ２および第３発光部ＬＥ３の各々に影響を及ぼさないようにすることができる。なお、第１カラーフィルタは、ＴｉＯ２とＳｉＯ２とが交互に積層された構造を有するＤＢＲ（分布ブラック反射器）を含んでいてもよい。
【0047】
第２発光部ＬＥ２は、第２発光部ＬＥ２および第１接着部ＡＤ１を貫通して第２導電パターンＣＰ２を露出する第２開孔ＨＬ２と、第２発光部ＬＥ２の第２オーミック層２０８を露出する第３開孔ＨＬ３と、第２発光部ＬＥ２および第１接着部ＡＤ１を貫通して第１導電パターンＣＰ１を露出する第４開孔ＨＬ４と、を含んでいてもよい。例えば、第２発光部ＬＥ２は、第２のｎ型半導体層２０２の一部がエッチングされることにより、第２のｎ型半導体層２０２を露出する第５開孔ＨＬ５をさらに含んでいてもよい。第５開孔ＨＬ５は、選択的に形成されてもよく、場合によっては省略されてもよい。
【0048】
選択的に、第１導電パターンＣＰ１および第２導電パターンＣＰ２が省略される場合、第２開孔ＨＬ２は、第１オーミック層１０８の一部を露出し、第４開孔ＨＬ４は、第１開孔ＨＬ１における第１のｎ型半導体層１０２の一部を露出してもよい。
【0049】
実施形態によれば、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の各々は、下方向に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した側面を有してもよい。第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の各々の幅ＷＴは、実質的に同じ大きさであってもよい。各開孔の幅ＷＴは、その開孔の最大の幅である。例えば、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の各々の幅ＷＴは、発光装置の大きさの約１／１０であってもよい。
【0050】
発光装置は、第２開孔ＨＬ２を少なくとも部分的に充填し、第２導電パターンＣＰ２と電気的に接触し、第２発光部ＬＥ２上に延在する第３導電パターンＣＰ３と、第３開孔ＨＬ３を少なくとも部分的に充填し、第２オーミック層２０８と電気的に接触し、第２発光部ＬＥ２上に延在する第４導電パターンＣＰ４と、第４開孔ＨＬ４および第５開孔ＨＬ５を少なくとも部分的に充填し、第１導電パターンＣＰ１と電気的に接触し、第２発光部ＬＥ２上に延在する第５導電パターンＣＰ５と、をさらに含んでもよい。第３導電パターンＣＰ３、第４導電パターンＣＰ４、および第５導電パターンＣＰ５の各々は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔｉ、およびＣｕからなる群から選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。また、第３導電パターンＣＰ３、第４導電パターンＣＰ４、および第５導電パターンＣＰ５の各々は、それらの合金を含んでいてもよい。
【0051】
選択的に、第１導電パターンＣＰ１および第２導電パターンＣＰ２が省略されている場合、第３導電パターンＣＰ３は、第２開孔ＨＬ２の底部に露出される第１オーミック層１０８と電気的に接触し、第５導電パターンＣＰ５は、第４開孔ＨＬ４の底部に露出される第１のｎ型半導体層１０２と電気的に接触していてもよい。
【0052】
図１ｂに示す実施形態によれば、第３導電パターンＣＰ３は、第２開孔ＨＬ２を完全に充填しなくてもよく、第２開孔ＨＬ２の内側の側壁に沿って薄く、かつ、コンフォーマルに形成されてもよい。第３導電パターンＣＰ３は、第２開孔ＨＬ２内に配置される第１部分ＣＰ３＿１と、第１部分ＣＰ３＿１から第２発光部ＬＥ２の上面まで延在する第２部分ＣＰ３＿２と、を含んでいてもよい。第４導電パターンＣＰ４は、第３開孔ＨＬ３を完全に充填していなくてもよく、第３開孔ＨＬ３の内側の側壁に沿って薄く、かつ、コンフォーマルに形成されていてもよい。第４導電パターンＣＰ４は、第３開孔ＨＬ３内に配置される第１部分ＣＰ４＿１と、第１部分ＣＰ４＿１から第２発光部ＬＥ２の上面まで延在する第２部分ＣＰ４＿２と、を含んでいてもよい。第５導電パターンＣＰ５は、第４開孔ＨＬ４および第５開孔ＨＬ５を完全に充填していなくてもよく、第４開孔ＨＬ４および第５開孔ＨＬ５の内側の側壁に沿って薄く、かつ、コンフォーマルに形成されていてもよい。第５導電パターンＣＰ５は、第４開孔ＨＬ４および第５開孔ＨＬ５のそれぞれに配置される第１部分ＣＰ５＿１と、第１部分ＣＰ５＿１を接続し、第１部分から第２発光部ＬＥ２の上面まで延在する第２部分ＣＰ５＿２と、を含んでいてもよい。例えば、第５導電パターンＣＰ５の第２部分ＣＰ５＿２は、第４開孔ＨＬ４と第５開孔ＨＬ５との間に配置されていてもよい。但し、本開示はこれに限定されないことに留意されたい。
【0053】
図１ｃに示す別の実施形態によれば、第３導電パターンＣＰ３は、第２開孔ＨＬ２を充填する第１部分ＣＰ３＿１と、第１部分ＣＰ３＿１から延在し、第２発光部ＬＥ２の上面に延在する第２部分ＣＰ３＿２と、を含んでもよい。第４導電パターンＣＰ４は、第３開孔ＨＬ３を充填する第１部分ＣＰ４＿１と、第１部分ＣＰ４＿１から延在し、第２発光部ＬＥ２の上面に延在する第２部分ＣＰ４＿２と、を含んでいてもよい。第５導電パターンＣＰ５は、第４開孔ＨＬ４および第５開孔ＨＬ５を充填する第１部分ＣＰ５＿１と、第１部分ＣＰ５＿１を接続し、第１部分ＣＰ５＿１から第２発光部ＬＥ２の上面に延在する第２部分ＣＰ５＿２とを含んでもよい。
【0054】
発光装置は、第３導電パターンＣＰ３と第２開孔ＨＬ２との間で第３導電パターンＣＰ３の外側の側壁を囲み、第４導電パターンＣＰ４と第３開孔ＨＬ３との間で第４導電パターンＣＰ４の外側の側壁を囲み、第５導電パターンＣＰ５と第４開孔ＨＬ４および第５開孔ＨＬ５との間で第５導電パターンＣＰ５の外側の側壁を囲み、第２発光部の上面まで延在し、第２発光部ＬＥ２から第３導電パターンＣＰ３、第４導電パターンＣＰ４および第５導電パターンＣＰ５を絶縁する第１パッシベーション層ＰＶＴ１をさらに含んでいてもよい。第１パッシベーション層ＰＶ１は、ＳｉＮｘ、ＴｉＮｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ、ＨｆＯｘ、ＡｌｘＯｙ、およびＳｉＯｘからなる群から選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0055】
一実施形態によれば、第２発光部ＬＥ２は、下方向の幅が広くなるように傾斜した側面を有していてもよい。すなわち、第２発光部ＬＥ２の第２オーミック層２０８は、第２のｐ型半導体層２０６よりも大きく、第２のｐ型半導体層２０６は、第２活性層２０４よりも大きく、第２活性層２０４は、第２のｎ型半導体層２０２よりも大きくてもよい。第２接着部ＡＤ２は、第２発光部ＬＥ２の外側の側壁を囲むように延在していてもよい。第１パッシベーション層ＰＶ１は、第２発光部ＬＥ２の外側の側壁と第２接着部ＡＤ２との間に配置されてもよい。別の例では、第１パッシベーション層ＰＶ１は、第２発光部ＬＥ２の外側の側壁と第２接着部ＡＤ２との間で省略されてもよい。
【0056】
第２発光部ＬＥ２は、第３発光部ＬＥ３から離間して配置されていてもよい。例えば、第２発光部ＬＥ２の第２のｎ型半導体層２０２と、第３発光部ＬＥ３の第２オーミック層２０８と、は互いに向き合って配置されていてもよい。他の例としては、第２発光部ＬＥ２の第２のｎ型半導体層２０２と、第３発光部ＬＥ３の第３のｎ型半導体層３０２と、が互いに向き合って配置されていてもよい。
発光装置は、互いに離間した第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３との間に、第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３とを接着する第２接着部ＡＤ２をさらに含んでいてもよい。第２接着部ＡＤ２は、透明であり、かつ絶縁性および接着性を有していてもよい。第２接着部ＡＤ２は、第１接着部ＡＤ１と同じ材料、例えば、ガラス、ポリマー、レジスト、またはポリイミドなどを含んでいてもよい。例えば、第２接着部ＡＤ２は、ＳＯＧ、ＢＣＢ、ＨＳＱ、またはＳＵ－８フォトレジストなどを含んでいてもよい。図１ｂに示す実施形態によれば、第２接着部ＡＤ２は、第３導電パターンＣＰ３で形成された第２開孔ＨＬ２と、第４導電パターンＣＰ４で形成された第３開孔と、第５導電パターンＣＰ５で形成された第４開孔ＨＬ４および第５開孔ＨＬ５と、を充填しながら配置されてもよい。
発光装置は、互いに離間した第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３との間に、第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３とを接着する第２接着部ＡＤ２をさらに含んでいてもよい。第２接着部ＡＤ２は、透明であり、かつ絶縁性および接着性を有していてもよい。第２接着部ＡＤ２は、第１接着部ＡＤ１と同じ材料、例えば、ガラス、ポリマー、レジスト、またはポリイミドなどを含んでいてもよい。例えば、第２接着部ＡＤ２は、ＳＯＧ、ＢＣＢ、ＨＳＱ、またはＳＵ－８フォトレジストなどを含んでいてもよい。図１ｂに示す実施形態によれば、第２接着部ＡＤ２は、第３導電パターンＣＰ３で形成された第２開孔ＨＬ２と、第４導電パターンＣＰ４で形成された第３開孔と、第５導電パターンＣＰ５で形成された第４開孔ＨＬ４および第５開孔ＨＬ５と、を充填しながら配置されてもよい。
【0057】
一方、選択的に、発光装置は、第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３との間に配置される第２カラーフィルタをさらに含んでもよい。例えば、第２カラーフィルタは、第３オーミック層３０８上に配置されていてもよい。第２カラーフィルタは、第１発光部ＬＥ１および第２発光部ＬＥ２の各々から生成された光を反射し、第３発光部ＬＥ３から発生した光を透過し、第１発光部ＬＥ１および第２発光部ＬＥ２から生成された光が第３発光部ＬＥ３に影響を及ぼさないようにしてもよい。第２カラーフィルタは、ＴｉＯ２とＳｉＯ２とが交互に積層された構造を有するＤＢＲを含んでいてもよい。例えば、第２カラーフィルタにおけるＴｉＯ２とＳｉＯ２の交互の配列または数は、第１カラーフィルタにおけるＴｉＯ２とＳｉＯ２の交互の配列または数と異なっていてもよい。
【0058】
第３発光部ＬＥ３は、第３発光部ＬＥ３および第２接着部ＡＤ２を貫通し、第３導電パターンＣＰ３を露出する第６開孔ＨＬ６と、第３発光部ＬＥ３の第３オーミック層３０８を露出する第７開孔ＨＬ７と、第３発光部ＬＥ３および第２接着部ＡＤ２を貫通し、第４導電パターンＣＰ４を露出する第８開孔と、第３発光部ＬＥ３および第２接着部ＡＤ２を貫通し、第５導電パターンＣＰ５を露出する第９開孔と、を含んでいてもよい。例えば、第３発光部ＬＥ３は、第３のｎ型半導体層３０２の一部がエッチングされることにより、第３のｎ型半導体層３０２を露出する第１０開孔ＨＬ１０をさらに含んでいてもよい。第１０開孔ＨＬ１０は、選択的に形成されてもよく、場合によっては省略されてもよい。
【0059】
第６開孔ＨＬ６は、第３導電パターンＣＰ３の第２部分ＣＰ３＿２を露出し、第８開孔ＨＬ８は、第４導電パターンＣＰ４の第２部分ＣＰ４＿２を露出し、第９開孔ＨＬ９は、第５導電パターンＣＰ５の第２部分ＣＰ５＿２を露出してもよい。このように、第３導電パターンＣＰ３の第２部分ＣＰ３＿２と、第４導電パターンＣＰ４の第２部分ＣＰ４＿２と、第５導電パターンＣＰ５の第２部分ＣＰ５＿２と、は第２発光部ＬＥ２の上面に延在するように同一平面上に配置されていてもよい。したがって、第６開孔ＨＬ６、第８開孔ＨＬ８、および第９開孔ＨＬ９は、実質的に同じ高さを有していてもよい。
【0060】
一実施形態によれば、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の各々は、下方向に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した側面を有していてもよい。第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の各々の幅ＷＴは、実質的に同じ大きさであってもよい。第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の各々の幅ＷＴは、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の各々の幅と実質的に同じであってもよい。例えば、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の各々の幅ＷＴは、発光装置の大きさの約１／１０であってもよい。
【0061】
発光装置は、第６開孔ＨＬ６を少なくとも部分的に充填し、第３導電パターンＣＰ３の第２部分と電気的に接触し、第３発光部ＬＥ３上に延在する第６導電パターンＣＰ６と、第７開孔ＨＬ７を少なくとも部分的に充填し、第３オーミック層３０８と電気的に接触し、第３発光部ＬＥ３上に延在する第７導電パターンＣＰ７と、第８開孔ＨＬ８を少なくとも部分的に充填し、第４導電パターンＣＰ４の第２部分と電気的に接触し、第３発光部ＬＥ３上に延在する第８導電パターンＣＰ８と、第９開孔ＨＬ９および第１０開孔ＨＬ１０を少なくとも部分的に充填し、第５導電パターンＣＰ５の第２部分と電気的に接触し、第３発光部ＬＥ３上に延在する第９導電パターンと、をさらに含んでもよい。第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９の各々は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔｉ、およびＣｕからなる群から選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。また、第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９の各々は、その合金を含んでいてもよい。
【0062】
実施形態によれば、第６導電パターンＣＰ６は、第３導電パターンＣＰ３と電気的に接続されてもよく、第３導電パターンＣＰ３は、第２導電パターンＣＰ２と電気的に接続されてもよく、第２導電パターンＣＰ２は、第１オーミック層１０８と電気的に接続されてもよい。このことにより、第６導電パターンＣＰ６は、第１発光部ＬＥ１の第１オーミック層１０８と電気的に接続されることができる。第７導電パターンＣＰ７は、第３発光部ＬＥ３の第３オーミック層３０８と電気的に接続されることができる。第８導電パターンＣＰ８は、第４導電パターンＣＰ４と電気的に接続されてもよく、第４導電パターンＣＰ４は、第２オーミック層２０８と電気的に接続されてもよい。このことにより、第８導電パターンＣＰ８は、第２発光部ＬＥ２の第２オーミック層２０８と電気的に接続されることができる。また、第９導電パターンＣＰ９は、第３のｎ型半導体層３０２および第５導電パターンＣＰ５と電気的に接続され、第５導電パターンＣＰ５は、第２のｎ型半導体層２０２および第１導電パターンＣＰ１と電気的に接続され、第１導電パターンＣＰ１は、第１のｎ型半導体層１０２と電気的に接続されていてもよい。このことにより、第９導電パターンＣＰ９は、第１のｎ型半導体層１０２、第２のｎ型半導体層２０２、および第３のｎ型半導体層３０２と共通して電気的に接続されることができる。
【0063】
図１ｂに示す実施形態によれば、第６導電パターンＣＰ６は、第６開孔ＨＬ６を完全に充填しなくてもよく、第６開孔ＨＬ６の内側の側壁に沿って薄く。かつ、コンフォーマルに形成されてもよい。第６導電パターンＣＰ６は、第６開孔ＨＬ６内に配置される第１部分ＣＰ６＿１と、第１部分ＣＰ６＿１から第３発光部ＬＥ３の上面に延在する第２部分ＣＰ６＿２と、を含んでいてもよい。第７導電パターンＣＰ７は、第７開孔ＨＬ７を完全に充填していなくてもよく、第７開孔ＨＬ７の内側の側壁に沿って薄く、かつ、コンフォーマルに形成されていてもよい。第７導電パターンＣＰ７は、第７開孔ＨＬ７内に配置される第１部分ＣＰ７＿１と、第１部分ＣＰ７＿１から第３発光部ＬＥ３の上面に延在する第２部分ＣＰ７＿２と、を含んでいてもよい。第８導電パターンＣＰ８は、第８開孔ＨＬ８を完全に充填していなくてもよく、第８開孔ＨＬ８の内側の側壁に沿って薄く、かつ、コンフォーマルに形成されていてもよい。第８導電パターンＣＰ８は、第８開孔ＨＬ８内に配置される第１部分ＣＰ８＿１と、第１部分ＣＰ８＿１から第３発光部ＬＥ３の上面に延びる第２部分ＣＰ８＿２と、を含んでいてもよい。第９導電パターンＣＰ９は、第９開孔ＨＬ９および第１０開孔ＨＬ１０を完全に重点していなくてもよく、第９開孔ＨＬ９および第１０開孔ＨＬ１０の内側の側壁に沿って薄く、かつ、コンフォーマルに形成されていてもよい。第９導電パターンＣＰ９は、第９開孔ＨＬ９および第１０開孔ＨＬ１０のそれぞれに配置される第１部分ＣＰ９＿１と、第１部分ＣＰ９＿１の間で第１部分ＣＰ９＿１を接続し、第３発光部ＬＥ３の上面に延在する第２部分ＣＰ９＿２と、を含んでいてもよい。第９導電パターンＣＰ９の第２部分ＣＰ９＿２は、第９開孔ＨＬ９と第１０開孔ＨＬ１０との間に配置されていてもよい。但し、本開示はこれに限定されないことに留意されたい。
【0064】
図１ｃに示す別の実施形態によれば、第６導電パターンＣＰ６は、第６開孔ＨＬ６を充填する第１部分ＣＰ６＿１と、第１部分ＣＰ６＿１から延在し、第３発光部ＬＥ３の上面に延在する第２部分ＣＰ６＿２と、を含んでいてもよい。第７導電パターンＣＰ７は、第７開孔ＨＬ７を充填する第１部分ＣＰ７＿１と、第１部分ＣＰ７＿１から延在し、第３発光部ＬＥ３の上面に延在する第２部分ＣＰ７＿２と、を含んでもよい。第８導電パターンＣＰ８は、第８開孔ＨＬ８を充填する第１部分ＣＰ８＿１と、第１部分ＣＰ８＿１から延在し、第３発光部ＬＥ３の上面に延在する第２部分ＣＰ８＿２と、を含んでもよい。第９導電パターンＣＰ９は、第９開孔ＨＬ９および第１０開孔ＨＬ１０をそれぞれ充填する第１部分ＣＰ９＿１と、第１部分ＣＰ９＿１を接続し、第１部分ＣＰ９＿１から延在し、第３発光部ＬＥ３の上面に延在する第２部分ＣＰ９＿２と、を含んでもよい。
【0065】
第６導電パターンＣＰ６と第６開孔ＨＬ６との間で第６導電パターンＣＰ６の外側の側壁を囲み、第７導電パターンＣＰ７と第７開孔ＨＬ７との間で第７導電パターンＣＰ７の外側の側壁を囲み、第８導電パターンＣＰ８と第８開孔ＨＬ８との間で第８導電パターンＣＰ８の外側の側壁を囲み、第９導電パターンＣＰ９と第９開孔ＨＬ９および第１０開孔ＨＬ１０との間で第９導電パターンＣＰ９の外側の側壁を囲み、第３発光部ＬＥ３の上面まで延在して第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９を第３発光部ＬＥ３から絶縁する第２パッシベーション層ＰＶＴ２をさらに含んでいてもよい。第２パッシベーション層ＰＶＴ２は、第１パッシベーション層ＰＶＴ１と同じ材料を含んでいてもよい。例えば、第２パッシベーション層ＰＶＴ２は、ＳｉＮｘ、ＴｉＮｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ、ＨｆＯｘ、ＡｌｘＯｙ、およびＳｉＯｘからなる群から選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0066】
一実施形態によれば、第３発光部ＬＥ３は、下方向の幅が広くなるように傾斜した側面を有していてもよい。すなわち、第３発光部ＬＥ３の第３オーミック層３０８は、第３のｐ型半導体層３０６よりも大きく、第３のｐ型半導体層３０６は、第３活性層３０４よりも大きく、第３活性層３０４は、第３のｎ型半導体層３０２よりも大きくてもよい。第２パッシベーション層ＰＶＴ２は、第３発光部ＬＥ３の外側の側壁を囲むように延在していてもよい。
【0067】
発光装置は、第１オーミック層１０８と電気的に接続される第６導電パターンＣＰ６上の第６導電パターンＣＰ６と電気的に接触する第１パッドＰＤ１と、第２オーミック層２０８と電気的に接続される第８導電パターンＣＰ８上の第８導電パターンＣＰ８と電気的に接触する第２パッドＰＤ２と、第３オーミック層３０８と電気的に接続される第７導電パターンＣＰ７上の第７導電パターンＣＰ７と電気的に接触する第３パッドＰＤ３と、第１のｎ型半導体層１０２、第２のｎ型半導体層２０２、および第３のｎ型半導体層３０２と電気的に接続される第９導電パターンＣＰ９上の第９導電パターンＣＰ９と電気的に接触する共通パッドＣＰＤと、をさらに含んでいてもよい。第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、および共通パッドＣＰＤの各々は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔｉ、およびＣｕからなる群から選択された少なくとも１つを含んでもよい。また、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、および共通パッドＣＰＤの各々は、それらの合金を含んでいてもよい。
【0068】
一実施形態によれば、発光装置が上面から見たときに四角形の構造を有する場合、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、および共通パッドＣＰＤは、発光装置の角部にそれぞれ配置されてもよい。例えば、第１パッドＰＤ１が第１角部ＣＮ１に配置され、第２パッドＰＤ２が第３角部ＣＮ３に配置され、第３パッドＰＤ３が第２角部ＣＮ２に配置され、共通パッドＣＰＤが第４角部ＣＮ４に配置されていてもよい。
【0069】
発光装置は、第３発光部ＬＥ３上の第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、および共通パッドＣＰＤを除く他の部分を覆う第３パッシベーション層ＰＶＴ３をさらに含んでもよい。第３パッシベーション層ＰＶＴ３は、第１パッシベーション層ＰＶＴ１または第２パッシベーション層ＰＶＴ２と同じ材料を含んでいてもよい。例えば、第３パッシベーション層ＰＶＴ３は、ＳｉＮｘ、ＴｉＮｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ、ＨｆＯｘ、ＡｌｘＯｙ、およびＳｉＯｘからなる群から選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。一実施形態によれば、第２パッシベーション層ＰＶ２は、第３発光部ＬＥ３の外側の側壁と第３パッシベーション層ＰＶＴ３との間に配置されていてもよい。別の例では、第２パッシベーション層ＰＶ２は、第３発光部ＬＥ３の外側の側壁と第３パッシベーション層ＰＶＴ３との間で省略されてもよい。
【0070】
図１ｂに示す例では、第３パッシベーション層ＰＶＴ３は、第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９で形成された第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０を完全に充填しないように、第２パッシベーション層ＰＶＴ２上にコンフォーマルに形成されていてもよい。これとは異なり、第３パッシベーション層ＰＶＴ３は、第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９で形成された第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９および第１０開孔ＨＬ１０を充填するように形成されていてもよい。
【0071】
図１ｃに示す他の例では、第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９の上面、ならびに第２パッシベーション層ＰＶＴ２上に、第３パッシベーション層ＰＶＴ３が形成されていてもよい。
【0072】
上述の発光装置では、第２発光部ＬＥ２および第１接着部ＡＤ１において、第１オーミック層１０８と電気的に接続される第２導電パターンＣＰ２を露出する第２開孔ＨＬ２と、第２オーミック層２０８を露出する第３開孔ＨＬ３と、第１のｎ型半導体層１０２と電気的に接続される第１導電パターンＣＰ１を露出する第４開孔ＨＬ４、および第２のｎ型半導体層２０２を露出する第５開孔ＨＬ５が形成され、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５を少なくとも部分的に充填する第３導電パターンＣＰ３、第４導電パターンＣＰ４、および第５導電パターンＣＰ５が配置されていてもよい。また、第３発光部ＬＥ３および第２接着部ＡＤ２において、第３導電パターンＣＰ３を露出する第６開孔ＨＬ６、第３オーミック層３０８を露出する第７開孔ＨＬ７、第４導電パターンＣＰ４を露出する第８開孔ＨＬ８、第５導電パターンＣＰ５を露出する第９開孔ＨＬ９、および第３のｎ型半導体層３０２を露出する第１０開孔ＨＬ１０が形成されていてもよく、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０を少なくとも部分的に充填する第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９が配置されていてもよい。このように、第１発光部ＬＥ１と電気的に接続される導電パターンが第２発光部ＬＥ２および第１接着部ＡＤ１に配置されていてもよく、第１発光部ＬＥ１と接続される導電パターンと電気的に接続される導電パターンが第３発光部ＬＥ３および第２接着部ＡＤ２に別々に配置されてもよい。したがって、第１パッドＰＤ１は、第６導電パターンＣＰ６に沿って第３導電パターンＣＰ３および第２導電パターンＣＰ２を介して第１オーミック層１０８と電気的に安定的に接続されることができる。第２パッドＰＤ２は、第８導電パターンＣＰ８に沿って第４導電パターンＣＰ４を介して第２オーミック層２０８と電気的に安定して接続されることができる。第３パッドＰＤ３は、第７導電パターンＣＰ７を介して第３オーミック層３０８と電気的に安定して接続されることができる。また、共通パッドＣＰＤは、第９導電パターンＣＰ９を介して第３のｎ型半導体層３０２と、第９導電パターンＣＰ９に沿って第５導電パターンＣＰ５を介して第２のｎ型半導体層２０２と、第５導電パターンＣＰ５に沿って第１導電パターンＣＰ１を介して第１のｎ型半導体層１０２と、電気的に安定して接続されることができる。
【0073】
一方、発光装置では、サファイアなどの材料からなる基板に加工を施し、加工を施している間に、引張応力が発生し、基板の中央部が下方に反り返る反り現象が発生する場合がある。この点、本開示の実施形態では、第１接着部ＡＤ１および第２接着部ＡＤ２が、基板に加わる引張応力を緩和することができる。
【0074】
さらに、後述の製造方法で詳細に説明するように、第１開孔ＨＬ１が形成される一方で第１発光部ＬＥ１が分離され、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５が形成される一方で第２発光部ＬＥ２が分離され、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０が形成される一方で第３発光部ＬＥ３が分離される。これにより、基板にかかる引張応力をさらに緩和することができる。
【0075】
【0076】
【0077】
図２を参照すれば、第１基板１００上に、第１のｎ型半導体層１０２、第１活性層１０４、第１のｐ型半導体層１０６、および第１オーミック層１０８が順次形成され、それによって、第１発光部ＬＥ１が形成されてもよい。
【0078】
窒化ガリウム系半導体層を成長させることができる基板としての第１基板１００は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、またはシリコン（Ｓｉ）を含んでいてもよい。また、第１基板１００は、可撓性基板であってもよく、回路が形成された基板であってもよい。
【0079】
第１のｎ型半導体層１０２、第１活性層１０４、および第１のｐ型半導体層１０６は、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）、およびＭＯＣ（有機金属塩化物）などの成長方法を用いて、第１基板１００上に順次形成されてもよい。
【0080】
第１オーミック層１０８は、ＣＶＤ（化学的気相成長）プロセスまたはＰＶＤ（物理的気相成長）により、第１のｐ型半導体層１０６上に形成されてもよい。
【0081】
図３を参照すれば、第１オーミック層１０８、第１のｐ型半導体層１０６、および第１活性層１０４をエッチングすることにより、第１発光部ＬＥ１に第１開孔ＨＬ１が形成されてもよい。エッチング工程では、第１のｎ型半導体層１０２の上層部をエッチングしてもよい。
【0082】
第１開孔ＨＬ１を形成した後、第１オーミック層１０８、第１のｐ型半導体層１０６、第１活性層１０４、および第１のｎ型半導体層１０２をエッチングすることにより、第１発光部ＬＥ１を分離させてもよい。
【0083】
このように、第１発光部ＬＥ１を分離させることにより、第１基板１００に加わる引張応力を低減することができる。
【0084】
図４を参照すれば、第１発光部ＬＥ１には、第１導電パターンＣＰ１および第２導電パターンＣＰ２がそれぞれ形成されてもよい。第１導電パターンＣＰ１は、第１開孔ＨＬ１の内側の側壁から離間して第１開孔ＨＬ１内に形成されてもよい。第２導電パターンＣＰ２は、第１オーミック層１０８上に形成されてもよい。
【0085】
例えば、第１開孔ＨＬ１が形成された第１発光部ＬＥ１の上面に導電層を形成した後、当該当技術分野で一般的に知られているパターニング工程を経て、第１導電パターンＣＰ１および第２導電パターンＣＰ２がそれぞれ形成されてもよい。
【0086】
図５を参照すれば、第２基板２００上に、第２のｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、第２のｐ型半導体層２０６、および第２オーミック層２０８が順次形成され、これにより、第２発光部ＬＥ２が形成されてもよい。
【0087】
窒化ガリウム系半導体層を成長させることができる基板としての第２基板２００は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、またはシリコン（Ｓｉ）を含んでいてもよい。また、第２基板２００は、可撓性基板であってもよく、回路が形成された基板であってもよい。
【0088】
第２のｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、および第２のｐ型半導体層２０６は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥおよびＭＯＣなどの成長方法を用いて、第２基板２００上に順次形成されてもよい。
【0089】
第２オーミック層２０８は、ＣＶＤまたはＰＶＤプロセスにより、第２のｐ型半導体層２０６上に形成されてもよい。
【0090】
図６を参照すれば、第２基板２００を裏返すことにより、第１発光部ＬＥ１の第１オーミック層１０８と第２発光部ＬＥ２の第２オーミック層２０８とが互いに向き合うように配置され、第１接着部ＡＤ１を介して第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２とが接着されてもよい。
【0091】
例えば、第１接着部ＡＤ１が第１発光部ＬＥ１に形成されて、第１導電パターンＣＰ１で形成された第１開孔ＨＬ１を充填し、第１オーミック層１０８に対向するように第２オーミック層２０８が配置された後、熱工程を経て第１接着部ＡＤ１を硬化させることにより、第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２とが互いに接着されてもよい。
【0092】
この場合、第１発光部ＬＥ１は、第１接着部ＡＤ１に囲まれていてもよく、第１接着部ＡＤ１は、第１発光部ＬＥ１の側面を保護する保護層であってもよい。
【0093】
第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２とが第１接着部ＡＤ１によって互いに接着された後、第２基板２００は、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）工程を経て除去されてもよい。
【0094】
図７を参照すれば、第２発光部ＬＥ２および第１接着部ＡＤ１をエッチングすることにより、第２導電パターンＣＰ２を露出する第２開孔ＨＬ２、第２オーミック層２０８を露出させる第３開孔ＨＬ３、第１導電パターンＣＰ１を露出する第４開孔ＨＬ４、および第２のｎ型半導体層２０２の一部を露出する第５開孔ＨＬ５を形成してもよい。選択的に、第５開孔ＨＬ５は形成されなくてもよい。
【0095】
第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の各々は、同じ幅ＷＴを有していてもよい。第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の各々は、下方向に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した側面を有していてもよい。
【0096】
第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５を形成しながら、第２のｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、第２のｐ型半導体層２０６、および第１オーミック層１０８をエッチングすることで、第２発光部ＬＥ２を分離させてもよい。
【0097】
このように、第２発光部ＬＥ２を分離させることで、基板１００に加わる引張応力を低減することができる。さらに、第２発光部ＬＥ２は、テーパ状の側面を有している。すなわち、第２発光部ＬＥ２は、基板１００から上方向に向かって、第２発光部ＬＥ２の面積が徐々に小さくなる形状を有する。
【0098】
図８を参照すれば、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の内側の側壁、ならびに第２のｎ型半導体層２０２の上面に、第１パッシベーション層ＰＶ１が形成されていてもよい。
【0099】
例えば、第１パッシベーション層ＰＶ１は、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５を完全に充填しないようにして、第２発光部ＬＥ２、ならびに第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５が形成された第１接着部ＡＤ１の上にコンフォーマルに形成されていてもよい。第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の各々は、傾斜した側面を有しているので、第１パッシベーション層ＰＶ１をコンフォーマルに形成することが容易である。その後、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の底面に形成された第１パッシベーション層ＰＶ１を除去してもよい。
【0100】
第１パッシベーション層ＰＶ１は、第２発光部ＬＥ２の外側の側壁に残っていてもよい。これとは異なり、第１パッシベーション層ＰＶ１は、第２発光部ＬＥ２の外側の側壁から除去されてもよい。
【0101】
図９を参照すれば、第１パッシベーション層ＰＶ１が形成された第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５を少なくとも部分的に充填する第３導電パターンＣＰ３、第４導電パターンＣＰ４、および第５導電パターンＣＰ５がそれぞれ形成されてもよい。
【0102】
例えば、蒸着工程を用いて、第１パッシベーション層ＰＶ１で形成された第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５を完全に充填しないように、第１パッシベーション層ＰＶ１上に第１導電層（図示せず）をコンフォーマルに形成してもよい。上述したように、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の各々は、傾斜した側面を有しているので、第１の導電層をコンフォーマルに形成することが容易である。連続して、第１導電パターンＣＰ１と電気的に接続され、第２開孔ＨＬ２を少なくとも部分的に充填する第３導電パターンＣＰ３と、第２オーミック層２０８と電気的に接続され、第３開孔ＨＬ３を少なくとも部分的に充填する第４導電パターンＣＰ４と、第１導電パターンＣＰ１と電気的に接続され、第４開孔ＨＬ４を少なくとも部分的に充填し、第２のｎ型半導体層２０２と電気的に接続され、第５開孔ＨＬ５を少なくとも部分的に充填する第５導電パターンＣＰ５と、がそれぞれ形成されてもよい。
【0103】
第３導電パターンＣＰ３は、第２開孔ＨＬ２内に形成される第１部分ＣＰ３＿１と、第１部分ＣＰ３＿１から第２のｎ型半導体層２０２上に形成された第１パッシベーション層ＰＶ１上に延在する第２部分ＣＰ３＿２と、を含んでいてもよい。第４導電パターンＣＰ４は、第３開孔ＨＬ３に形成される第１部分ＣＰ４＿１と、第１部分ＣＰ４＿１から第２のｎ型半導体層２０２上に形成された第１パッシベーション層ＰＶ１上に延在する第２部分ＣＰ４＿２と、を含んでいてもよい。第５導電パターンＣＰ５は、第４開孔ＨＬ４および第５開孔ＨＬ５にそれぞれ形成される第１部分ＣＰ５＿１と、第１部分ＣＰ５＿１を接続し、第２のｎ型半導体層２０２上に形成された第１パッシベーション層ＰＶ１上に延在する第２部分ＣＰ５＿２と、を含んでいてもよい。
【0104】
本実施形態では、第３導電パターンＣＰ３、第４導電パターンＣＰ４、および第５導電パターンＣＰ５が、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５を完全に充填しないように、薄く、かつ、コンフォーマルに形成されることを図示および説明したが、第３導電パターンＣＰ３、第４導電パターンＣＰ４、および第５導電パターンＣＰ５は、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５を充填するように形成されていてもよいことに留意されたい。
【0105】
図１０を参照すれば、第３基板３００上に、第３のｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、第３のｐ型半導体層３０６、および第３オーミック層３０８を順次形成することにより、第３発光部ＬＥ３が形成されてもよい。
【0106】
窒化ガリウム系半導体層を成長させることができる基板としての第３基板３００は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、またはシリコン（Ｓｉ）を含んでいてもよい。また、第３基板３００は、可撓性基板であってもよく、回路が形成された基板であってもよい。
【0107】
第３のｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、および第３のｐ型半導体層３０６は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥ、およびＭＯＣなどの成長方法を用いて、第３基板３００上に順次形成されてもよい。
【0108】
第３オーミック層３０８は、ＣＶＤまたはＰＶＤによって第３のｐ型半導体層３０６上に形成されてもよい。
【0109】
図１１を参照すれば、第３基板３００を裏返すことにより、第２発光部ＬＥ２の第２のｎ型半導体層２０２と、第３発光部ＬＥ３の第３オーミック層３０８とが互いに向き合うように配置され、第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３と、が第２接着部ＡＤ２を介して接着されてもよい。
【0110】
例えば、第２接着部ＡＤ２が第２発光部ＬＥ２に形成されて、第３導電パターンＣＰ３で形成された第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５を充填した後、第４導電パターンＣＰ４および第５導電パターンＣＰ５を形成する。第４導電パターンＣＰ４および第５導電パターンＣＰ５と第３オーミック層３０８とが第２のｎ型半導体層２０２に対向するように配置されており、第２接着部ＡＤ２を熱プロセスにより硬化させることで、第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３とが接着されてもよい。
【0111】
この場合、第２発光部ＬＥ２の側面は、第２接着部ＡＤ２によって囲まれていてもよく、第２接着部ＡＤ２は、第２発光部ＬＥ２の側面を保護する保護層となっていてもよい。
【0112】
第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３とが第２接着部ＡＤ２によって互いに接着された後、第３基板３００は、ＬＬＯ工程によって除去されてもよい。
【0113】
図１２を参照すれば、第３発光部ＬＥ３および第２接着部ＡＤ２をエッチングすることにより、第３導電パターンＣＰ３の第２部分を露出する第６開孔ＨＬ６、第３オーミック層３０８を露出する第７開孔ＨＬ７、第４導電パターンＣＰ４の第２部分を露出する第８開孔ＨＬ８、第５導電パターンＣＰ５の第２部分を露出する第９開孔ＨＬ９、および第３のｎ型半導体層３０２の一部を露出する第１０開孔ＨＬ１０が形成されていてもよい。選択的に、第１０開孔ＨＬ１０は形成されなくてもよい。
【0114】
第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の各々は、同じ幅ＷＴを有していてもよい。第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の各々は、第２開孔ＨＬ２、第３開孔ＨＬ３、第４開孔ＨＬ４、および第５開孔ＨＬ５の各々と同じ幅ＷＴを有していてもよい。第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の各々は、下方向に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した側面を有していてもよい。
【0115】
第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０を形成する一方で、第３のｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、第３のｐ型半導体層３０６、および第３オーミック層３０８をエッチングすることにより、第３発光部ＬＥ３を分離してもよい。
【0116】
このように、第３発光部ＬＥ３を分離することで、基板１００に加わる引張応力を低減することができる。
【0117】
図１３を参照すれば、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の内側の側壁と、第３のｎ型半導体層３０２の上面とに、第２パッシベーション層ＰＶ２が形成されていてもよい。
【0118】
例えば、第２パッシベーション層ＰＶ２は、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０を完全に充填しないように、第３発光部ＬＥ３と、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０が形成された第２接着部ＡＤ２と、にコンフォーマルに形成されていてもよい。第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の各々は、傾斜した側面を有しているので、第２パッシベーション層ＰＶ２をコンフォーマルに形成することは容易である。その後、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の底面に形成された第２パッシベーション層ＰＶ２を除去してもよい。
【0119】
第２パッシベーション層ＰＶ２は、第３発光部ＬＥ３の外側の側壁に残っていてもよい。これとは異なり、第２パッシベーション層ＰＶ２は、第３発光部ＬＥ３の外側の側壁から除去されてもよい。
【0120】
図１４を参照すれば、第２パッシベーション層ＰＶ２が形成された第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０を少なくとも部分的に充填する第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９がそれぞれ形成されてもよい。
【0121】
例えば、第２パッシベーション層ＰＶ２で形成された第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０を完全に充填しないように、第２パッシベーション層ＰＶ２上に第２導電層（図示せず）をコンフォーマルに形成してもよい。上述したように、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０の各々が傾斜した側面を有しているので、第２の導電層をコンフォーマルに形成することが容易である。連続して、第２導電層のエッチング処理を一般的に行うことにより、第３導電パターンＣＰ３の第２部分ＣＰ２＿２と電気的に接続し、第６開孔ＨＬ６を少なくとも部分的に充填する第６導電パターンＣＰ６と、第３オーミック層３０８と電気的に接続し、第７開孔ＨＬ７を少なくとも部分的に充填する第７導電パターンＣＰ７と。第４導電パターンＣＰ４の第２部分ＣＰ４＿２と電気的に接続され、第８開孔ＨＬ８を少なくとも部分的に充填する第８導電パターンＣＰ８と、第５部分の第２部分ＣＰ５＿２と電気的に接続され、第９開孔ＨＬ９と第１０開孔ＨＬ１０を少なくとも部分的に充填する第９導電パターンＣＰ９と、がそれぞれ形成されてもよい。
【0122】
第６導電パターンＣＰ６は、第６開孔ＨＬ６に形成される第１部分ＣＰ６＿１と、第１部分ＣＰ６＿１から第３のｎ型半導体層３０２上に形成された第２パッシベーション層ＰＶ２上に延在する第２部分ＣＰ６＿２と、を含んでいてもよい。第７導電パターンＣＰ７は、第７開孔ＨＬ７に形成される第１部分ＣＰ７＿１と、第１部分ＣＰ７＿１から第３のｎ型半導体層３０２上に形成された第２パッシベーション層ＰＶ２上に延在する第２部分ＣＰ７＿２と、を含んでもよい。第８導電パターンＣＰ８は、第８開孔ＨＬ８に形成される第１部分ＣＰ８＿１と、第１部分ＣＰ８＿１から第３のｎ型半導体層３０２上に形成された第２パッシベーション層ＰＶ２上に延在する第２部分ＣＰ８＿２と、を含んでもよい。第９導電パターンＣＰ９は、第９開孔ＨＬ９および第１０開孔ＨＬ１０にそれぞれ形成される第１部分ＣＰ９＿１と、第１部分ＣＰ９＿１を接続し、第３のｎ型半導体層３０２上に形成された第２パッシベーション層ＰＶ２上に延在する第２部分ＣＰ９＿２と、を含んでいてもよい。
【0123】
本実施形態では、第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９が、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、および第１０開孔ＨＬ１０を完全に充填しないように、薄く、かつ、コンフォーマルに形成されていることを図示および説明したが、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、および第１０開孔ＨＬ１０を完全に充填しないように、薄く、かつ、コンフォーマルに形成されていてもよい。なお、第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９は、第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０を埋めるように形成されていてもよいことに留意されたい。
【0124】
図１５を参照すれば、第３パッシベーション層ＰＶ３は、第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９上、ならびに第２パッシベーション層ＰＶ２上にコンフォーマルに形成されてもよい。第３パッシベーション層ＰＶ３は、第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９で形成された第６開孔ＨＬ６、第７開孔ＨＬ７、第８開孔ＨＬ８、第９開孔ＨＬ９、および第１０開孔ＨＬ１０を完全に充填しないように、薄く、かつ、コンフォーマルに形成されてもよい。
【0125】
第３パッシベーション層ＰＶ３は、第３発光部ＬＥ３の外側の側壁に形成された第２パッシベーション層ＰＶ２上に形成されてもよい。
【0126】
図１６を参照すれば、第６導電パターンＣＰ６と電気的に接続される第１パッドＰＤ１、第８導電パターンＣＰ８と電気的に接続される第２パッドＰＤ２、第７導電パターンＣＰ７と電気的に接続される第３パッドＰＤ３、および第９導電パターンＣＰ９と電気的に接続される共通パッドＣＰＤがそれぞれ形成されてもよい。
【0127】
例えば、第３パッシベーション層ＰＶ３をエッチングすることで、第６導電パターンＣＰ６の第２部分ＣＰ６＿２を露出する第１開口部ＯＰ１、第８導電パターンＣＰ８の第２部分ＣＰ８＿２を露出する第２開口部ＯＰ２、第７導電パターンＣＰ７の第２部分ＣＰ７＿２を露出する第３開口部ＯＰ３、および第９導電パターンＣＰ９の第２部分ＣＰ９＿２を露出する第３開口部ＯＰ３を形成してもよい。
【0128】
第３パッシベーション層ＰＶ３上に、第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２、第３開口部ＯＰ３、および第４開口部ＯＰ４を充填するように、第３導電層（図示せず）が形成されてもよい。第３導電層のエッチング工程を一般的に行うことにより、第１開口部ＯＰ１を充填し、第６導電パターンＣＰ６と電気的に接触することにより第１オーミック層１０８と電気的に接続される第１パッドＰＤ１と、第２開口部ＯＰ２を充填し、第８導電パターンＣＰ８と電気的に接触することにより第２オーミック層２０８と電気的に接続される第２パッドＰＤ２と、第３開口部ＯＰ３を充填し、第７導電パターンＣＰ７と電気的に接触することにより第３オーミック層３０８と電気的に接続される第３パッドＰＤ３と、第４開口部ＯＰ４を充填し、第９導電パターンＣＰ９と電気的に接触することにより第３のｎ型半導体層３０２、第２のｎ型半導体層２０２、および第１のｎ型半導体層１０２と共通に電気的に接続される共通パッドＣＰＤと、が形成されてもよい。
【0129】
本実施形態によれば、第２発光部ＬＥ２および第１接着部ＡＤ１において、第１オーミック層１０８と電気的に接続された第２導電パターンＣＰ２を露出する第２開孔ＨＬ２と、第２オーミック層２０８を露出する第３開孔ＨＬ３と、第１のｎ型半導体層１０２と電気的に接続された第１導電パターンＣＰ１を露出する第４開孔ＨＬ４と、第２のｎ型半導体層２０２を露出する第５開孔ＨＬ５とを形成してもよい。別の工程では、第３発光部ＬＥ３および第２接着部ＡＤ２において、第３導電パターンＣＰ３を露出する第６開孔ＨＬ６、第３オーミック層３０８を露出する第７開孔ＨＬ７、第４導電パターンＣＰ４を露出する第８開孔ＨＬ８、第５導電パターンＣＰ５を露出する第９開孔ＨＬ９、および第３のｎ型半導体層３０２を露出する第１０開孔ＨＬ１０を形成してもよい。この点、第１発光部ＬＥ１、第２発光部ＬＥ２、および第３発光部ＬＥ３を貫通する開孔を一度に形成する場合、アスペクト比の観点から問題が生じるため、エッチング処理を行う際に困難性が生じる。本実施形態では、第２発光部ＬＥ２および第１接着部ＡＤ１で１回のエッチング処理を行い、第３発光部ＬＥ３および第２接着部ＡＤ２で１回のエッチング処理を行っているので、その困難性を克服することができる。
【0130】
さらに、第１発光部ＬＥ１と電気的に接続される第３導電パターンＣＰ３、第４導電パターンＣＰ４、および第５導電パターンＣＰ５が、第２発光部ＬＥ２および第１接着部ＡＤ１に配置されていてもよく、第１発光部ＬＥ１と接続される第３導電パターンＣＰ３、第４導電パターンＣＰ４、および第５導電パターンＣＰ５と電気的に接続される第６導電パターンＣＰ６、第７導電パターンＣＰ７、第８導電パターンＣＰ８、および第９導電パターンＣＰ９が、第３発光部ＬＥ３および第２接着部ＡＤ２に別々に配置されてもよい。したがって、第１パッドＰＤ１は、第６導電パターンＣＰ６に沿って、第３導電パターンＣＰ３および第２導電パターンＣＰ２を介して第１オーミック層１０８と電気的に安定的に接続されることができる。また、第２パッドＰＤ２は、第８導電パターンＣＰ８に沿った第４導電パターンＣＰ４を介して第２オーミック層２０８と電気的に安定して接続されることができる。第３パッドＰＤ３は、第７導電パターンＣＰ７を介して第３オーミック層３０８と電気的に安定して接続されることができる。また、共通パッドＣＰＤは、第９導電パターンＣＰ９を介して第３のｎ型半導体層３０２と、第９導電パターンＣＰ９に沿って第５導電パターンＣＰ５を介して第２のｎ型半導体層２０２と、第５導電パターンＣＰ５に沿って第１導電パターンＣＰ１を介して第１のｎ型半導体層１０２と、電気的に安定して接続されることができる。
【0131】
【0132】
【0133】
【0134】
実装基板ＭＢには、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、および共通パッドＣＰＤとそれぞれ電気的に接合される接合パッドＢＰＤが形成されていてもよい。接合パッドＢＰＤ上には、それぞれ接着ボールＢＬが形成されていてもよい。接着ボールＢＬのそれぞれは、Ｉｎ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含んでいてもよい。これとは異なり、接着ボールＢＬは、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、および共通パッドＣＰＤ上に形成されてもよい。
【0135】
接合パッドＢＰＤおよび接着ボールＢＬは、発光装置ＬＥＤが実装される位置に対応して形成されていてもよい。
【0136】
複数の発光装置ＬＥＤが形成された第１基板１００を裏返して、接合パッドＢＰＤが形成された実装基板ＭＢと向き合うように発光装置ＬＥＤが配置されていてもよい。
【0137】
裏返した第１基板１００上に、第１基板１００から分離される発光装置ＬＥＤに対応する位置に配置され、レーザ透過可能な孔を有するマスクパターンＭＳＫを設けてもよい。マスクパターンＭＳＫは省略してもよい。
【0138】
図１８を参照すれば、マスクパターンＭＳＫを用いて第１基板１００に対して選択的なＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ）処理を行うことで、実装基板ＭＢのターゲット実装位置に対向するように配置された発光装置ＬＥＤが第１基板１００から分離されてもよい。分離された発光装置ＬＥＤの分離距離は、実装基板ＭＢに応じて変更されてもよい。第１基板１００にレーザを照射して発光装置ＬＥＤを第１基板１００から分離する場合、第１基板１００にマスクパターンＭＳＫを設けることで、分離される発光装置ＬＥＤに対してより正確なレーザの照射を行うことができる。但し、分離対象の発光装置ＬＥＤに対して適切にレーザを照射できる場合には、マスクパターンＭＳＫを省略してもよい。
【0139】
分離された発光装置ＬＥＤの各々の第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、および共通パッドＣＰＤは、接合パッドＢＰＤ上に形成されている接着ボールＢＬでそれぞれ接合されていてもよい。このことにより、発光装置ＬＥＤが実装基板ＭＢに実装されることができる。
【0140】
全ての発光装置ＬＥＤがターゲット位置に実装されていれば、第１基板１００を除去するための工程を別途行うことなく、発光装置ＬＥＤから第１基板１００を分離してもよい。
【0141】
以上、様々な実施形態を説明してきたが、説明した実施形態は例示に過ぎないことが当業者には理解される。したがって、本明細書に記載された開示は、記載された実施形態に基づいて限定されるべきではない。
【図1a】
【図1b】
【図1c】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【国際調査報告】