特表 2022-510892 誘電体電磁構造およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2022-01-28

(54)【発明の名称】誘電体電磁構造およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01Q 9/04 20060101AFI20220121BHJP

   B29C 59/04 20060101ALI20220121BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20220121BHJP

   B29C 43/04 20060101ALI20220121BHJP

   B29C 43/36 20060101ALI20220121BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20220121BHJP

【ＦＩ】

H01Q9/04

B29C59/04 Z

B29C59/02 Z

B29C43/04

B29C43/36

H01L21/30 502D

【審査請求】未請求

【予備審査請求】有

(21)【出願番号】P 2021529814

(86)(22)【出願日】2019-11-22

(85)【翻訳文提出日】2021-05-26

(86)【国際出願番号】 US2019062761

(87)【国際公開番号】W WO2020117489

(87)【国際公開日】2020-06-11

(31)【優先権主張番号】62/775,069

(32)【優先日】2018-12-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】596024851

【氏名又は名称】ロジャーズ コーポレーション

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(74)【代理人】

【識別番号】100142907

【弁理士】

【氏名又は名称】本田 淳

(72)【発明者】

【氏名】タラスキー、ジャンニ

(72)【発明者】

【氏名】パンセ、クリスティ

(72)【発明者】

【氏名】オコナー、スティーブン

(72)【発明者】

【氏名】ブラウン、クリストファー

(72)【発明者】

【氏名】ポリドール、トレバー

(72)【発明者】

【氏名】ホーン ザ サード、アレン エフ．

(72)【発明者】

【氏名】バールス、ディルク

(72)【発明者】

【氏名】ジョージ、ロシン ローズ

(72)【発明者】

【氏名】デュペレ、ジャレド

(72)【発明者】

【氏名】パンディ、シャイレッシュ

(72)【発明者】

【氏名】スプレントール、カール イー．

(72)【発明者】

【氏名】ウィリアムズ、ショーン ピー．

(72)【発明者】

【氏名】ブラジウス、ウィリアム

【テーマコード（参考）】

4F202

4F204

4F209

5F146

【Ｆターム（参考）】

4F202AA36

4F202AB13

4F202AC05

4F202AD08

4F202AD35

4F202AE03

4F202AF01

4F202AG05

4F202AH42

4F202AR20

4F202CA09

4F202CB12

4F202CB22

4F202CK12

4F204AA36

4F204AB13

4F204AC05

4F204AD08

4F204AD35

4F204AE03

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4F204AH42

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4F204FB01

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4F204FB22

4F209AA36

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4F209AG05

4F209AH42

4F209PA02

4F209PA03

4F209PB01

4F209PB02

4F209PC05

4F209PN09

4F209PQ11

5F146AA31

5F146AA33

(57)【要約】

誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法は、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部含む第１の型部分を提供するステップと、第１の複数の凹部を完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物で充填するステップと、第１のＤｋ組成物で充填された第１の複数の凹部の複数の凹部の上およびそれらを横断して基板を配置するステップと、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を備える基板を第１の型部分から除去して、基板と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を含む複数のＤｋ構造とを有するアセンブリを得るステップとを含み、複数のＤｋ構造の各々は、第１の複数の凹部のうちの対応する凹部によって画定された三次元（３Ｄ）形状を有する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、
アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を含む第１の型部分を提供するステップと、
前記第１の複数の凹部を完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物で充填するステップと、
前記第１のＤｋ組成物で充填された前記第１の複数の凹部の複数の凹部の上にそれらを横断して基板を配置して、硬化性の前記第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、
少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物を備える前記基板を第１の型部分から除去して、前記基板と、少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物を含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを得るステップとを含み、前記複数のＤｋ構造の各々は、前記第１の複数の凹部のうちの対応する凹部によって画定された三次元（３Ｄ）形状を有する、方法。

【請求項2】

前記第１のＤｋ組成物で充填された前記第１の複数の凹部の複数の凹部上にそれらを横断して前記基板を配置した後で、前記少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物を備える前記基板を前記第１の型部分から除去する前に、
前記基板の上に第２の型部分を配置するステップと、
前記第２の型部分を前記第１の型部分に向かってプレスして、硬化性の前記第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、
前記第１の型部分に対して前記第２の型部分を分離するステップとを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記基板は、Ｄｋ層、金属層、Ｄｋ層と金属層の組み合わせ、複数のスロットを有する金属層であって、複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている金属層、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークを含む、請求項１または２に記載の方法。

【請求項4】

前記第１の型部分を提供する前に、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第２の複数の凹部を含む第１の先行型部分を提供するステップと、前記第２の複数の凹部の各１つは、前記第１の複数の凹部の対応する１つよりも大きく、
前記第２の複数の凹部を、第１の平均誘電率よりも小さく、かつ完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第２の平均誘電率を有する硬化性の第２のＤｋ組成物で充填するステップと、
前記第１の先行型部分の上に第２の先行型部分を配置するステップと、前記第２の先行型部分は、アレイ状に配置され、かつ前記第２の複数の凹部の各々と１対１で対応して配置された複数の開口を有しており、
前記第２の先行型部分の上に第３の先行型部分を配置するステップと、前記第３の先行型部分は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一の突起を有し、各々が実質的に同一の突起は、前記第２の先行型部分の開口の対応する開口に挿入され、かつ前記第２の複数の凹部の対応する開口に挿入され、それによって、前記第２の複数の凹部の各々の第２のＤｋ材料を、所与の突起の体積に等しい体積だけ変位させ、
前記第３の先行型部分を前記第２の先行型部分に向かってプレスして、硬化性の前記第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、
前記第２の先行型部分に対して前記第３の先行型部分を分離して、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物を有する型構造であって、前記第１の型部分を提供するのに役立ち、かつアレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を有する第１の型部分を提供するステップを確立する前記型構造を生成するステップとをさらに含み、
前記除去するステップは、少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物および少なくとも部分的に硬化された前記第２のＤｋ組成物を有する前記基板を前記第１の型部分から除去して、前記基板と、少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物のアレイおよび少なくとも部分的に硬化された前記第２のＤｋ組成物の対応するアレイを含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを得るステップとを含み、これにより、前記複数のＤｋ構造の各々は、前記第１の複数の凹部および前記第２の複数の凹部のうちの対応する各々の凹部によって画定された３Ｄ形状を有する、請求項１または２に記載の方法。

【請求項5】

前記複数のＤｋ構造は、前記基板上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）を含む、請求項１または２に記載の方法。

【請求項6】

前記数のＤｋ構造は、前記基板上に配置された前記第１のＤｋ組成物を含む複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）と、複数のＤＲＡと１対１で対応して配置された第２のＤｋ組成物を含む複数の誘電体レンズまたは誘電体導波路を含む、請求項４に記載の方法。

【請求項7】

前記第１の型部分は、前記第１の複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルを含み、前記複数の比較的薄い接続チャネルは、第１の平均誘電率を有する硬化性の前記第１のＤｋ組成物で前記第１の複数の凹部を充填するステップ中に充填され、それにより、前記基板および前記複数のＤｋ構造を含むアセンブリが、前記複数のＤｋ構造の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造とともに得られ、前記比較的薄い接続構造は、少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物から構成され、前記比較的薄い接続構造および充填された前記第１の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する、請求項１に記載の方法。

【請求項8】

前記第２の先行型部分は、前記第２の複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルを含み、前記複数の比較的薄い接続チャネルは、前記第２の複数の凹部の各々の凹部内の第２のＤｋ材料を所与の突起の体積に等しい体積だけ変位させるステップ中に充填され、それにより、前記基板および前記複数のＤｋ構造を含むアセンブリが、前記複数のＤｋ構造の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造とともに得られ、前記比較的薄い接続構造は、少なくとも部分的に硬化された前記第２のＤｋ組成物から構成され、前記比較的薄い接続構造および充填された前記第２の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する、請求項４に記載の方法。

【請求項9】

前記第１の複数の凹部を充填するステップ、第２の複数の凹部を充填するステップ、または前記第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、
流動性形態の個々の硬化性のＤｋ組成物を対応する凹部に注入およびスクイージングすることをさらに含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項10】

前記第１の複数の凹部を充填するステップ、第２の複数の凹部を充填するステップ、または前記第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、
個々の硬化性のＤｋ組成の流動性の誘電体フィルムを対応する凹部にインプリントすることを含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項11】

硬化性の前記第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ、硬化性の前記第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ、または硬化性の前記第１のＤｋ組成物および硬化性の前記第２のＤｋ組成物の両方を少なくとも部分的に硬化するステップは、
個々の硬化性のＤｋ組成物を、約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。

【請求項12】

前記第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。

【請求項13】

硬化性の前記第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項14】

硬化性の第１のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

３Ｄ形状は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項16】

前記第１の型部分を提供する前に、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第２の複数の凹部を含む第１の先行型部分を提供するステップと、前記第２の複数の凹部の各１つは、前記第１の複数の凹部の対応する１つよりも大きく、
前記第２の複数の凹部を、第１の平均誘電率よりも小さく、かつ完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第２の平均誘電率を有する硬化性の第２のＤｋ組成物で充填するステップと、
前記第１の先行型部分の上に第２の先行型部分を配置するステップと、前記第２の先行型部分は、アレイ状に配置され、かつ前記第２の複数の凹部の各々と１対１で対応して配置された複数の開口を有しており、
前記第２の先行型部分の上に基板と、少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物を含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを配置するステップと、前記アセンブリは、前記第２の先行型部分の開口の対応する開口に挿入され、かつ前記第２の複数の凹部の対応する凹部に挿入される複数のＤｋ構造を有し、それにより、前記第２の複数の凹部の各々の凹部内の第２のＤｋ材料を、所与のＤｋ構造の体積に等しい体積だけ変位させ、
前記アセンブリを前記第２の先行型部分に向かってプレスして、硬化性の前記第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、
少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物および少なくとも部分的に硬化された前記第２のＤｋ組成物を有する基板を前記第１の型部分から分離および除去して、基板と、少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物のアレイおよび少なくとも部分的に硬化された前記第２のＤｋ組成物の対応するアレイを含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを得るステップとをさらに含み、前記複数のＤｋ構造の各々は、前記第１の複数の凹部および前記第２の複数の凹部のうちの対応する凹部によって画定された３Ｄ形状を有する、請求項１または２に記載の方法。

【請求項17】

前記基板は、Ｄｋ層、金属層、Ｄｋ層と金属層の組み合わせ、複数のスロットを有する金属層であって、複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている金属層、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークを含む、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

前記数のＤｋ構造は、前記基板上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）を含む、請求項１６または１７に記載の方法。

【請求項19】

前記複数のＤｋ構造は、前記基板上に配置された前記第１のＤｋ組成物を含む複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）と、複数のＤＲＡと１対１で対応して配置された第２のＤｋ組成物を含む複数の誘電体レンズまたは誘電体導波路を含む、請求項１６または１７に記載の方法。

【請求項20】

前記第２の先行型部分は、前記第２の複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルを含み、前記複数の比較的薄い接続チャネルは、前記第２の複数の凹部の各々の凹部内の第２のＤｋ材料を所与のＤｋ構造の体積に等しい体積だけ変位させるステップ中に充填され、それにより、前記基板および前記複数のＤｋ構造を含むアセンブリが、前記複数のＤｋ構造の隣接するＤｋ構造を相互接続する前記複数の比較的薄い接続構造とともに得られ、前記比較的薄い接続構造は、少なくとも部分的に硬化された前記第２のＤｋ組成物から構成され、前記比較的薄い接続構造および充填された前記第２の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する、請求項１６乃至１９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項21】

１つまたは複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）を有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、
アレイ状に配置され、かつ複数の１ＤＰを形成するように構成された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を含む第１の型部分を提供するステップと、前記第１の型部分は、複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルをさらに含み、
前記第１の複数の凹部および前記比較的薄い接続チャネルを、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物で充填するステップと、
前記第１の型部分の上に第２の型部分を硬化性の前記Ｄｋ組成物が間に配置された状態で配置するステップと、
前記第２の型部分を前記第１の型部分に向かってプレスし、硬化性の前記Ｄｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、
前記第１の型部分に対して前記第２の型部分を分離するステップと、
前記第１の型部分から少なくとも部分的に硬化された前記Ｄｋ組成物を除去して、少なくとも部分的に硬化された前記Ｄｋ組成物を含む少なくとも１つのＤｋ構造を得るステップとを含み、前記少なくとも１つのＤｋ構造の各々は、前記第１の複数の凹部および前記相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルによって画定された三次元（３Ｄ）形状を有し、前記第１の複数の凹部によって画定された３Ｄ形状は、ＥＭ構造における複数の１ＤＰを提供する、方法。

【請求項22】

前記第２の型部分は、前記少なくとも１つのＤｋ構造に位置合わせ機構を提供するために配置された少なくとも１つの凹部を含み、前記第２の型部分を前記第１の型部分に向かってプレスするステップは、
硬化性の前記Ｄｋ組成物の一部を前記少なくとも１つの凹部内に変位させることをさらに含む、請求項２１に記載の方法。

【請求項23】

前記第１の型部分は、前記少なくとも１つのＤｋ構造に位置合わせ機構を提供するために配置された少なくとも１つの第１の突起をさらに含み、前記第２の型部分を前記第１の型部分に向かってプレスするステップは、
硬化性の前記Ｄｋ組成物の一部を前記少なくとも１つの第１の突起の周りに変位させることをさらに含む、請求項２１に記載の方法。

【請求項24】

前記第１の型部分および前記第２の型部分のうちの少なくとも１つは、セグメント化されたセットのパネルをアレイの形態で提供するために、複数の凹部のサブセットの周りのセグメント化突起を含み、前記第２の型部分を前記第１の型部分に向かってプレスするステップは
硬化性の前記Ｄｋ組成物の一部を、前記セグメント化突起の近接領域で前記第１の型部分と前記第２の型部分との間の対面接触から離れるように変位させることをさらに含む、請求項２１乃至２３のいずれか一項に記載の方法。

【請求項25】

前記少なくとも１つのＤｋ構造における所与の１ＤＰに対してＤｋアイソレータを提供するために、前記第１の型部分は、第２の複数の凹部をさらに含み、前記第２の複数の凹部の各々の１つは、前記第１の複数の凹部の１つと１対１で対応して配置され、かつ前記第１の複数の凹部の対応する１つを実質的に取り囲む、請求項２１乃至２４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項26】

前記少なくとも１つのＤｋ構造における所与の１ＤＰに対して強化されたＤｋアイソレータを提供するために、前記第１の型部分は、前記第２の複数の凹部の１つと１対１で対応して配置された複数の第２の突起をさらに含み、各第２の突起は、前記第２の複数の凹部の対応する１つ内に中央に配置され、かつ前記第１の複数の凹部の対応する１つを実質的に取り囲む、請求項２５に記載の方法。

【請求項27】

前記少なくとも１つのＤｋ構造における所与の１ＤＰに対して強化されたＤｋアイソレータを提供するために、前記第２の型部分は、前記第１の型部分の前記第２の複数の凹部の１つと１対１で対応して配置された複数の第３の突起をさらに含み、各第３の突起は、前記第１の型部分の前記第２の複数の凹部の対応する１つ内に中央に配置され、かつ前記第１の型部分の前記第１の複数の凹部の対応する１つを実質的に取り囲む、請求項２５に記載の方法。

【請求項28】

硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップは、
硬化性の前記Ｄｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、加熱することを含む、請求項２１乃至２７のいずれか一項に記載の方法。

【請求項29】

前記少なくとも１つのＤｋ構造を完全に硬化させるステップと、前記少なくとも１つのＤｋ構造の背面に接着剤を塗布するステップとをさらに含む、請求項２１乃至２８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項30】

前記平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である、請求項２１乃至２９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項31】

硬化性の第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に硬化剤を含む、請求項２１乃至３０のいずれか一項に記載の方法。

【請求項32】

硬化性の第１のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項３１に記載の方法。

【請求項33】

前記複数の１ＤＰの各１ＤＰは、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項２１乃至３２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項34】

基板を提供し、前記少なくとも１つのＤｋ構造を前記基板上に配置するステップをさらに含む、請求項２２乃至３３のいずれか一項に記載の方法。

【請求項35】

前記基板は、Ｄｋ層、金属層、Ｄｋ層と金属層の組み合わせ、複数のスロットを有する金属層であって、複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている金属層、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークを含む、請求項３４に記載の方法。

【請求項36】

前記少なくとも１つのＤｋ構造を前記基板上に配置するステップは、
前記位置合わせ機構を前記基板上の対応する受承機構と位置合わせし、前記少なくとも１つのＤｋ構造を前記基板に接着することを含む、請求項３４または３５に記載の方法。

【請求項37】

誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、
Ｄｋ材料のシートを提供するステップと、
アレイ状に配置された各々が実質的に同一の複数の凹部を前記シートに形成するステップと、前記シートの非凹部は、複数の凹部の個々の凹部間の接続構造を形成し、
前記複数の凹部を完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物で充填するステップと、前記Ｄｋ材料のシートは、第１の平均誘電率とは異なる第２の平均誘電率を有し、
硬化性の前記Ｄｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップとを含む方法。

【請求項38】

前記第２の平均誘電率は、前記第１の平均誘電率よりも小さい、請求項３７に記載の方法。

【請求項39】

硬化性の前記Ｄｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップに続いて、前記シートを個々のタイルに切断するステップをさらに含み、各タイルは、内部に少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物を有する複数の凹部のサブセットのアレイを含み、前記凹部間には前記接続構造の一部が配置されている、請求項３７または３８に記載の方法。

【請求項40】

前記形成するステップは、前記複数の凹部をトップダウン方式でスタンピングまたはインプリンティングすることを含む、請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項41】

前記形成するステップは、前記複数の凹部をボトムアップ方式でエンボス加工することを含む、請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項42】

前記充填するステップは、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を前記複数の凹部に注入およびスクイージングすることを含む、請求項３７乃至４１のいずれか一項に記載の方法。

【請求項43】

前記形成するステップは、前記シートの第１の側から、前記シート内に、各々が実質的に同一の複数の凹部を形成することをさらに含み、前記複数の凹部の各々は、深さＨ５を有し、
前記シートの第２の反対側から、前記複数の凹部と１対１で対応する複数の窪みを形成するステップをさらに含み、前記複数の窪みの各々は、深さＨ６を有し、前記Ｈ６は、前記Ｈ５以下である、請求項３７乃至４２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項44】

前記複数の窪みの各々は、前記複数の窪みの各対応する１つの凹部内において周囲の側壁を有するブラインドポケットを形成する、請求項４３に記載の方法。

【請求項45】

前記複数の窪みの各々は、前記複数の凹部のうちの対応する１つの凹部に対して中央に配置されている、請求項４３または４４に記載の方法。

【請求項46】

硬化性の前記Ｄｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップは、前記Ｄｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項３７乃至４５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項47】

前記提供するステップは、Ｄｋ材料のシートを平坦な形態で提供することを含み、
前記充填するステップは、平坦な形態のシートの前記複数の凹部を一度に１つまたは複数の凹部を充填することを含む、請求項３７乃至４６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項48】

前記提供するステップは、ロール上にＤｋ材料のシートを提供するステップと、次の形成するステップのためにＤｋ材料の前記シートを展開するステップとを含む、請求項３７乃至４６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項49】

Ｄｋ材料の前記ロールの下流にパターンローラおよび対向する圧縮ローラを提供するステップと、
前記パターンローラの下流にＤｋ組成物のディスペンサユニットを提供するステップと、
前記ディスペンサユニットの下流に硬化ユニットを提供するステップと、
前記硬化ユニットの下流に仕上げローラを提供するステップとを備える、請求項４８に記載の方法。

【請求項50】

前記パターンローラの下流、かつ前記ディスペンサユニットの上流に第１の張力ローラを提供するステップと、
前記第１の張力ローラの下流、かつ前記硬化ユニットの上流に第２の張力ローラを提供するステップとを含む、請求項４９に記載の方法。

【請求項51】

前記第２の張力ローラと協働するように、かつ前記第２の張力ローラと対向して配置されたスキージユニットを提供するステップをさらに含む、請求項５０に記載の方法。

【請求項52】

Ｄｋ材料の前記ロールからＤｋ材料の前記シートを展開するステップと、
展開されたＤｋ材料の前記シートを前記パターンローラと対向する前記圧縮ローラとの間に通過させるステップと、ここで、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の複数の凹部をシートに形成するステップが発生して、パターン化されたシートが得られ、
パターン化された前記シートを前記ディスペンサユニットに近接して通過させるステップと、ここで、前記複数の凹部を硬化性のＤｋ組成物で充填するステップが発生して、充填されたパターン化されたシートが得られ、
充填されたパターン化された前記シートを前記硬化ユニットに近接して通過させるステップと、ここで、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップが発生して、少なくとも部分的に硬化されたシートが得られ、
少なくとも部分的に硬化された前記シートを、後続の処理のために前記仕上げローラに送給するステップとをさらに含む、請求項４９乃至５１のいずれか一項に記載の方法。

【請求項53】

パターン化された前記シートをディスペンサユニットに近接して通過させる前に、パターン化された前記シートを第１の張力ローラに係合させるステップと、
充填されたパターン化された前記シートを前記硬化ユニットに近接して通過させる前に、充填されたパターン化された前記シートを第２の張力ローラに係合させるステップをさらに含む、請求項５２に記載の方法。

【請求項54】

充填されたパターン化された前記シートを前記硬化ユニットに近接して通過させる前に、充填されたパターン化された前記シートをスキージユニットおよび対向する前記第２の張力ローラに係合させて、充填されかつスクイージングされたパターン化されたシートを得るステップをさらに含む、請求項５３に記載の方法。

【請求項55】

前記第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には１８以上、かつ１００以下である、請求項３７乃至５４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項56】

硬化性の第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項３７乃至５５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項57】

硬化性の第１のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項５６に記載の方法。

【請求項58】

前記複数の凹部の各凹部は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する、請求項３７乃至５７のいずれか一項に記載の方法。

【請求項59】

誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造であって、
第１の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を含む少なくとも１つのＤｋ構成要素と、
前記少なくとも１つのＤｋ構成要素の露出面の少なくとも一部の上に共形的に配置された、水不透過性層、水バリア層、または撥水性層とを備えるＤｋ ＥＭ構造。

【請求項60】

前記水不透過性層、前記水バリア層、または前記撥水性層は、前記少なくとも１つのＤｋ構成要素の少なくとも露出した上面および最も外側の側面の上に共形的に配置されている、請求項５９に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項61】

前記水不透過性層、前記水バリア層、または前記撥水性層は、前記少なくとも１つのＤｋ構成要素の全ての露出された面上に共形的に配置されている、請求項５９または６０に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項62】

前記水不透過性層、前記水バリア層、または前記撥水性層は、３０ミクロン以下であり、代替的には、１０ミクロン以下であり、代替的には、３ミクロン以下であり、代替的には１ミクロン以下である、請求項５９乃至６１のいずれか一項に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項63】

前記少なくとも１つのＤｋ構成要素は、Ｄｋ構成要素のアレイを形成するｘ×ｙ配置に配置された複数のＤｋ構成要素を含む、請求項５９乃至６２のいずれか一項に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項64】

前記複数のＤｋ構成要素の各々は、比較的薄い接続構造を介して前記複数のＤｋ構成要素の少なくとも１つの他のＤｋ構成要素に物理的に接続されており、各接続構造は、前記複数のＤｋ構成要素のうちの１つの全体的な外寸と比較して比較的薄く、各接続構造は、個々の接続されたＤｋ構成要素の全体の高さよりも低い断面の全体の高を有し、かつＤｋ構成要素のＤｋ材料から形成されており、各比較的薄い接続構造および前記複数のＤｋ構成要素は、単一のモノリシックを形成する、請求項６３に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項65】

前記比較的薄い接続構造は、モノリシックと一体的に形成された少なくとも１つの位置合わせ機構を含む、請求項６４に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項66】

前記少なくとも１つの位置合わせ機構は、突起、凹部、穴、または前述の位置合わせ機構の任意の組み合わせを含む、請求項６５に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項67】

Ｄｋ構成要素の前記アレイは、前記複数のＤｋ構成要素の各１つと１対１の対応で配置された複数のＤｋアイソレータを含み、
各Ｄｋアイソレータは、前記複数のＤｋ構成要素のうちの対応する１つを実質的に取り囲んで配置されている、請求項６３乃至６６のいずれか一項に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項68】

前記複数のＤｋアイソレータの各々は、前記複数のＤｋ構成要素の高さＨ１以下の高さＨ２を有する、請求項６７に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項69】

前記複数のＤｋアイソレータの各々は、中空の内部部分を備える、請求項６７または６８に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項70】

前記中空の内部部分は上部が開放されているか、下部が開放されている、請求項６９に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項71】

前記複数のＤｋアイソレータは、前記複数のＤｋ構成要素と一体的に形成されて、モノリシックを形成する、請求項６７乃至７０のいずれか一項に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項72】

少なくとも１つのＤｋ構成要素の各々は、第１の誘電体部分（１ＤＰ）を含むとともに、
複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）をさらに含み、複数の２ＤＰの各２ＤＰは、第２の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を含み、
各１ＤＰは、近位端および遠位端を有し、
各２ＤＰは、近位端および遠位端を有し、所与の２ＤＰの前記近位端は、対応する１ＤＰの前記遠位端に近接して配置され、所与の２ＤＰの前記遠位端は、対応する１ＤＰの前記遠位端から規定された距離だけ離間して配置され、
前記第２の平均誘電率は、前記第１の平均誘電率よりも小さい、請求項６３乃至７１のいずれか一項に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項73】

各２ＤＰは、隣接する１つの２ＤＰと一体的に形成されて、２ＤＰのモノリシックを形成する、請求項７２に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項74】

前記第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である、請求項５９乃至７３のいずれか一項に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項75】

前記少なくとも１つのＤｋ構成要素の各々は、高さＨ１を有する第１の誘電体部分（１ＤＰ）を含むとともに、
第２の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を含む、高さＨ３を有する第２の誘電体部分（２ＤＰ）をさらに含み、
２ＤＰは、複数の凹部を含み、前記複数の凹部の各凹部は、１ＤＰの対応する１つで充填され、
２ＤＰは実質的に１ＤＰの各々を取り囲み、
前記第２の平均誘電率は、前記第１の平均誘電率よりも小さい、請求項６３に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項76】

前記Ｈ１は、前記Ｈ３と等しい、請求項７５に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項77】

前記２ＤＰは、前記１ＤＰの各々の下にある比較的薄い接続構造を含み、前記２ＤＰおよび前記比較的薄い接続構造は、モノリシックを形成し、前記Ｈ１は、前記Ｈ３よりも小さい、請求項７５に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項78】

前記水不透過性層、前記水バリア層、または前記撥水性層は、アレイの全ての露出面上に共形的に配置される、請求項６３乃至７７のいずれか一項に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項79】

前記第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には１８以上、かつ１００以下である、請求項５９乃至７８のいずれか一項に記載のＤｋ ＥＭ構造。

【請求項80】

前記第１の平均誘電率を有するＤｋ材料は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤含む硬化性のＤｋ組成物を含む、請求項５９乃至７９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項81】

硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項８０に記載の方法。

【請求項82】

前記少なくとも１つのＤｋ構成要素の各Ｄｋ構成要素は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項５９乃至８１のいずれか一項に記載のＤｋ構造。

【請求項83】

前記少なくとも１つのＤｋ構成要素の各Ｄｋ構成要素は、誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）である、請求項５９乃至８２のいずれか一項に記載のＤｋ構造。

【請求項84】

前記複数の２ＤＰの各２ＤＰは、誘電体レンズまたは導波路である、請求項７２乃至８３のいずれか一項に記載のＤｋ構造。

【請求項85】

複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の１ＤＰの所与の１つと１対１で対応して配置された複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造であって、前記複数の１ＤＰの各１ＤＰは、近位端および遠位端を有し、所与の１ＤＰの前記遠位端は、ｘｙ平面断面で観察されるような所与の１ＤＰの前記近位端の断面よりも小さい断面を有する、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する方法であって、
支持構造を提供するステップと、
少なくとも１つのアレイ状に配置された、複数の一体的に形成された２ＤＰを提供するステップと、前記複数の２ＤＰは少なくとも部分的に硬化され、前記複数の２ＤＰの各２ＤＰは、近位端および遠位端を含み、所与の２ＤＰの各近位端はブラインドエンドを有する中央に配置された窪みを含み、前記複数の２ＤＰを前記支持構造上に配置するステップと、前記複数の２ＤＰの各窪みは、前記複数の１ＤＰのうちの対応する１つの１ＤＰを形成するように構成され、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を複数の２ＤＰの窪みに充填するステップと、前記Ｄｋ組成物は、前記複数の２ＤＰの完全に硬化されたときの第２の平均誘電率よりも大きい、完全に硬化されたときの第１の平均誘電率を有し、
前記支持構造および前記複数の２ＤＰの前記近位端を横断してスクイージングして、余剰分の硬化性のＤｋ組成物を除去して、前記Ｄｋ組成物を、前記複数の２ＤＰの各２ＤＰの前記近位端と少なくとも同じ高さにするステップと、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、前記複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップと、
前記支持構造内に形成された１ＤＰの少なくとも１つのアレイとともに２ＤＰの少なくとも１つのアレイを含む結果的に製造されたアセンブリを支持構造から除去するステップとを含む方法。

【請求項86】

前記支持構造は、前記複数の２ＤＰの少なくとも１つのアレイの所与の１つの周りに隆起した壁を含み、前記充填するステップおよび前記スクイージングするステップは、
前記複数の２ＤＰの前記窪みを、前記支持構造の前記隆起した壁の端部まで流動性形態の硬化性のＤｋ組成物で充填して、前記複数の２ＤＰの前記窪みが充填されて、関連する複数２ＤＰの前記近位端が、特定の厚さＨ６までＤｋ組成物により覆われるようにするステップと、
前記支持構造の前記隆起した壁を横断してスクイージングして、余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記隆起した壁の端部と同じ高さにするステップとを含み、Ｈ６の厚さのＤｋ組成物は、前記複数の１ＤＰと一体的に形成された接続構造を提供する、請求項８５に記載の方法。

【請求項87】

複数の一体的に形成された２ＤＰの少なくとも１つのアレイは、前記支持構造上に配置された一体的に形成された２ＤＰの複数のアレイのうちの１つであり、
前記複数の２ＤＰは、熱可塑性ポリマーを含み、
前記複数の１ＤＰは、熱硬化性のＤｋ材料を含み、
少なくとも部分的に硬化するステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項８５または８６に記載の方法。

【請求項88】

前記熱可塑性ポリマーは高温ポリマーであり、
前記Ｄｋ材料は、無機粒子材料を含み、好ましくは、前記無機粒子材料は二酸化チタンを含む、請求項８７に記載の方法。

【請求項89】

前記Ｈ６は、約０．００２インチ（０．００５０８センチメートル）である、請求項８６乃至８８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項90】

前記複数の１ＤＰの各々および前記複数の２ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項８５乃至８９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項91】

第１の平均誘電率を有する第１の領域と、前記第１の領域の外側の第２の平均誘電率を有する第２の領域と、前記第２の領域の外側の第３の平均誘電率を有する第３の領域と、前記第３の領域の外側の第２の平均誘電率を有する第４の領域とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造するための型であって、
互いに一体的に形成されるか、または互いに結合された複数のユニットセルを備え、各ユニットセルは、
ＥＭ構造の前記第１の領域を形成するように構成された第１の部分と、
ＥＭ構造の前記第２の領域を形成するように構成された第２の部分と、
ＥＭ構造の前記第３の領域を形成するように構成された第３の部分と、
ＥＭ構造の前記第４の領域を形成するように構成された第４の部分と、
前記ユニットセルの外側境界を形成および画定するように構成された第５の部分とを含み、
前記第１の部分、前記第２の部分、前記第３の部分、前記第４の部分、および前記第５の部分は全て単一の材料から互いに一体的に形成されて、モノリシックユニットセルを提供し、
前記第１の部分および前記第５の部分は、前記モノリシックユニットセルの単一の材料を含み、前記第２の部分および前記第４の部分は、前記モノリシックユニットセルの単一の材料が存在せず、前記第３の部分は、前記モノリシックユニットセルの単一の材料の不存在および存在の組み合わせを有し、
前記第２の部分および前記第４の部分、ならびに前記第３の部分の一部のみが、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を受容するように構成される、型。

【請求項92】

型の前記ユニットセルから製造された単一のＤｋ ＥＭ構造は、
近位端および遠位端を有するＤｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された三次元（３Ｄ）本体を含み、
３Ｄ本体は、前記３Ｄ本体の中心に配置された前記第１の領域を含み、前記第１の領域は、前記３Ｄ本体の遠位端まで延在し、かつ空気を含み、
前記３Ｄ本体は、Ｄｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された前記第２の領域を含み、前記第２の平均誘電率が前記第１の平均誘電率よりも大きく、前記第２の領域は、前記３Ｄ本体の近位端から遠位端まで延在し、
前記３Ｄ本体は、Ｄｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から部分的に作製され、かつ部分的に空気から作製された前記第３の領域を含み、前記第３の平均誘電率が前記第２の平均誘電率よりも小さく、前記第３の領域は、前記３Ｄ本体の近位端から遠位端まで延在し、
前記第３の領域は、Ｄｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された突起を含み、前記突起は、前記第２の領域からｚ軸に対して半径方向に外向きに延在し、かつ前記第２の領域と一体的かつモノリシックであり、
前記突起の各々の１つは、ｘｙ平面断面で観察されるように、断面全長Ｌ１および断面全幅Ｗ１を有し、前記Ｌ１および前記Ｗ１は、それぞれ、λ未満であり、λは、Ｄｋ ＥＭ構造が電磁励起されるときのＤｋ ＥＭ構造の動作波長であり、
前記３Ｄ本体の少なくとも前記第２の領域の全ての露出面は、型の抜き勾配がつけられた側壁により、前記３Ｄ本体の近位端から遠位端まで内側に抜き勾配を有する、請求項９１に記載の型。

【請求項93】

型の前記ユニットセルから製造された単一のＤｋ ＥＭ構造は、
ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状と、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である内側断面形状とをそれぞれが有する前記３Ｄ本体の前記第１の領域および前記第２の領域を含む、請求項９２に記載の型。

【請求項94】

複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）を有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、複数の１ＤＰの各１ＤＰは近位端および遠位端を有し、前記遠位端は、ｘｙ平面断面で観察されるような前記近位端の断面積よりも小さい断面積を有し、
キャリアを提供するステップと、
前記キャリア上に基板を配置するステップと、
前記基板上に第１のステンシルマスクを配置するステップと、前記第１のステンシルマスクは、少なくとも１つのアレイ状に配置された複数の開口を含み、各開口は、１ＤＰの対応する１つを形成するための形状を含み、
第１の流動性形態の硬化性の第１のＤｋ組成物を前記第１のステンシルマスクの前記開口に充填するステップと、第１のＤｋ組成物は、硬化後に第１の平均誘電率を有し、
前記第１のステンシルマスクの上面を横断してスクイージングして、前記第１のＤｋ組成物の余剰分を除去して、前記第１のＤｋ組成物を前記第１のステンシルマスクの上面と同じ高さにするステップと、
硬化性の前記第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップと、
前記第１のステンシルマスクを除去するステップと、
前記１ＤＰの少なくとも１つのアレイが取り付けられた基板を含む結果的に製造されたアセンブリを前記キャリアから除去するステップとを含む方法。

【請求項95】

前記第１のステンシルマスクを除去するステップの後、前記１ＤＰの少なくとも１つのアレイが取り付けられた基板を除去するステップの前に、前記基板上に第２のステンシルマスクを配置するステップと、前記第２のステンシルマスクは、１ＤＰの複数のアレイを形成するために複数の１ＤＰのサブセットを取り囲むように構成されかつ配置された切り壁によって取り囲まれた開口を含み、１ＤＰの各アレイは、第２の誘電体部分（２ＤＰ）内に封入されることになっており、
第２の流動性形態の硬化性の第２のＤｋ組成物を前記第２のステンシルマスクの前記開口に充填するステップと、前記第２のＤｋ組成物は、硬化後に前記第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有し、
前記第２のステンシルマスクの上面を横断してスクイージングして、前記第２のＤｋ組成物の余剰分を除去して、前記第２のＤｋ組成物を前記第２のステンシルマスクの上面と同じ高さにするステップと、
硬化性の前記第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、２ＤＰ内に封入された１ＤＰの複数のアレイを形成するステップと、
前記第２のステンシルマスクを除去するステップと、
対応する２ＤＰに封入された前記１ＤＰの複数のアレイが取り付けられた前記基板を含む結果的に製造されたアセンブリを前記キャリアから除去するステップとをさらに含む、請求項９４に記載の方法。

【請求項96】

前記第１のステンシルマスクを除去するステップの後、前記少なくとも１つの１ＤＰのアレイが取り付けられた前記基板を除去するステップの前に、前記基板上に第２のステンシルマスクを配置するステップと、前記第２のステンシルマスクは、複数の１ＤＰの個々の１ＤＰを覆うカバーと、前記複数の１ＤＰの個々の１ＤＰを取り囲む開口と、１ＤＰの複数のアレイを形成するための複数の１ＤＰのサブセットを取り囲む仕切り壁とを含み、前記複数の１ＤＰの各１つの１ＤＰが導電性構造によって取り囲まれるようになっており、
流動性形態の硬化性の組成物を前記第２のステンシルマスクの前記開口に充填するステップと、前記硬化性の組成物は、完全に硬化したときに導電性となり、
前記第２のステンシルマスクの上面を横断してスクイージングして、前記硬化性の組成物の余剰分を除去して、前記硬化性の組成物を前記第２のステンシルマスクの上面と同じ高さにするステップと、
前記硬化性の組成物を少なくとも部分的に硬化させて、１ＤＰの複数のアレイを形成するステップと、各１ＤＰは、導電性構造によって取り囲まれており、
前記第２のステンシルマスクを除去するステップと、
各１ＤＰが前記導電性構造によって取り囲まれている１ＤＰの複数のアレイが取り付けられた前記基板を含む結果的に製造されたアセンブリを前記キャリアから除去するステップとをさらに含む、請求項９４に記載の方法。

【請求項97】

硬化性の第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項９４乃至９６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項98】

硬化性の第１のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項９７に記載の方法。

【請求項99】

前記複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項９４乃至９８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項100】

前記硬化性の組成物は、金属粒子を有するポリマー、銅粒子を含むポリマー、アルミニウム粒子を含むポリマー、銀粒子を含むポリマー、導電性インク、カーボンインク、または、前述の硬化性の組成物の組み合わせのうちのいずれか１つを含む、請求項９６乃至９９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項101】

前記導電性構造は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する、請求項９６乃至１００のいずれか一項に記載の方法。

【請求項102】

前記基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル。または、ＥＭ信号フィードネットワークのうちのいずれか１つを含む、請求項９４乃至１０１のいずれか一項に記載の方法。

【請求項103】

１ＤＰの少なくとも１つのアレイを含むＤｋ ＥＭ構造は、１ＤＰの少なくとも１つのアレイの複数のアレイが単一のパネル上に形成されるパネルレベルの処理のプロセスによって形成される、前述の方法の請求項のいずれか１つに記載の方法。

【請求項104】

前記単一のパネルは、前記基板、または誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含む、請求項１０３に記載の方法。

【請求項105】

複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有し、各１ＤＰは、近位端および遠位端を有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、
支持構造を提供するステップと、
前記支持構造上にポリマーのシートを配置するステップと、
スタンピングフォームを提供して、スタンピングフォームを下降させ、次に上昇させて前記支持構造によって支持された前記ポリマーのシートにスタンピングするステップと、前記スタンピングフォームは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された突起を含み、前記スタンピングによって、前記ポリマーのシートの変位した材料と、前記ポリマーのシート内にアレイ状に配置されたブラインドエンドを有する複数の窪みと、複数の窪みの各々を取り囲む前記ポリマーのシートの複数の隆起した壁とが得られ、前記複数の隆起した壁は、複数の２ＤＰを形成するためのものであり、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を前記複数の窪みに充填するステップと、前記複数の窪みの各窪みは、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰの対応する１つを形成し、前記ポリマーのシートは、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有し、各１ＤＰの遠位端は、前記ポリマーのシートの前記複数の隆起した壁の上面に近接しており、
任意選択的に、前記ポリマーのシートの前記複数の隆起した壁の上面より上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記複数の隆起した壁の上面と同じ高さにするステップと、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、前記複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップと、
前記複数の隆起した壁、前記複数の窪みを備えたポリマー材料のスタンピングされたシートと、前記複数の窪み内に形成された複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイとを含む結果的製造されたアセンブリを前記支持構造から除去するステップとを含む方法。

【請求項106】

基板を提供するとともに、スタンピングされた前記ポリマーのシートが前記基板上に配置されるように前記アセンブリを前記基板上に配置するステップをさらに含む、請求項１０５に記載の方法。

【請求項107】

基板を提供するとともに、少なくとも複数の１ＤＰの遠位端が前記基板上に配置されるように前記アセンブリを前記基板上に配置するステップをさらに含む、請求項１０５に記載の方法。

【請求項108】

前記基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含む、請求項１０６または１０７に記載の方法。

【請求項109】

硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項１０５乃至１０８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項110】

硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１０９に記載の方法。

【請求項111】

前記複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項１０５乃至１１０のいずれか一項に記載の方法。

【請求項112】

対応する２ＤＰの各隆起した壁は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する、請求項１０５乃至１１１のいずれか一項に記載の方法。

【請求項113】

少なくとも部分的に硬化するステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、少なくとも部分的に硬化させることを含む、請求項１０５乃至１１２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項114】

請求項１０５乃至１１３のいずれか一項に記載の方法に使用するための前記スタンピングフォームを製造する方法であって、
金属層を上面上に有する基板を提供するステップと、前記金属層は前記基板を覆っており、
前記金属層の上にフォトレジストを配置して、前記金属層を覆うステップと、
前記フォトレジストの上にフォトマスクを配置するステップと、前記フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口を含み、それによって露出されたフォトレジストが提供され、
少なくとも露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、
前記金属層からＥＭ放射の曝露を受けた露出されたフォトレジストを除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストに複数の実質的に同一に構成されたポケットを形成するステップと、
複数のポケットを有する前記残りのフォトレジストの全ての露出された表面に金属コーティングを塗布するステップと、
前記複数のポケットを充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジストを、前記金属層の上面に対して特定の厚さＨ７までスタンプ適性金属で覆うステップと、
前記金属層の底部から前記基板を除去するステップと、
前記金属層を除去するステップと、
前記残りのフォトレジストを除去して、スタンピングフォームを得るステップとを含む方法。

【請求項115】

前記基板は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記金属コーティングは、金属蒸着によって塗布され、
前記スタンプ適性金属は、ニッケルからなり、
前記基板は、エッチングまたは研削によって除去され、
前記金属層は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、
前記露出されたフォトレジストと前記残りのフォトレジストは、エッチングによって除去される、請求項１１４に記載の方法。

【請求項116】

複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、
支持構造を提供するステップと、
前記支持構造の上にフォトレジストの層を配置するステップと、
前記フォトレジストの上にフォトマスクを配置するステップと、前記フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口を含み、それによって露出されたフォトレジストが提供され、
少なくとも露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、
ＥＭ放射の曝露を受けた露出されたフォトレジストを前記支持構造から除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストに実質的に同一に構成された複数の開口を形成するステップと、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を前記残りのフォトレジストの前記複数の開口に充填するステップと、複数の充填された開口は、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰのうちの対応する１ＤＰを提供し、前記残りのフォトレジストは、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰを提供し、
任意選択的に、前記複数の２ＤＰの上面上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記複数の２ＤＰの上面と同じ高さにするステップと、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップと、
前記複数の２ＤＰおよび内部に形成された前記複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを含む結果的に得られたアセンブリを前記支持構造から除去するステップとを含む方法。

【請求項117】

基板を提供するステップと、得られたアセンブリを前記基板に接着するステップとをさらに含み、
前記基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、前記ＥＭ放射はＸ線放射またはＵＶ放射であり、
前記露出されたフォトレジストおよび前記残りのフォトレジストは、エッチングによって除去され、
少なくとも部分的に硬化させるステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項１１６に記載の方法。

【請求項118】

硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項１１６または１１７に記載の方法。

【請求項119】

硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１１８に記載の方法。

【請求項120】

前記複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項１１６乃至１１９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項121】

前記複数の２ＤＰのうちの対応する１つの２ＤＰの開口は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する、請求項１１６乃至１２０のいずれか一項に記載の方法。

【請求項122】

複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板の上にフォトレジストの層を配置するステップと、
前記フォトレジストの上にフォトマスクを配置するステップと、前記フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバーを含み、それによって前記不透明カバーで覆われた領域における非露出フォトレジストと、前記不透明カバーで覆われていない領域における露出されたフォトレジストとが提供され、
少なくとも前記露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、
前記基板から前記非露出フォトレジストを除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰのうちの対応する１ＤＰを形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジストの実質的に同一に構成された複数の部分を形成するステップと、
任意選択的に、スタンピングフォームにより複数の１ＤＰの各１ＤＰを、凸状の遠位端を有するドーム構造に成形するステップと、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を前記複数の１ＤＰ間の空間に充填するステップと、充填された空間は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰのうちの対応する２ＤＰを提供し、
任意選択的に、前記複数の１ＤＰの上面上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記複数の１ＤＰの上面と同じ高さにするステップと、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、複数の２ＤＰに囲まれた複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを得るステップとを含む方法。

【請求項123】

任意選択的に、前記成形するステップは、前記フォトレジストの硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、前記複数の１ＤＰにスタンピングフォームを適用することにより成形するステップと、その後、ドーム形状を維持するために、成形された複数の１ＤＰを少なくとも部分的に硬化させるステップとを含む、請求項１２２に記載の方法。

【請求項124】

前記基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記非露出フォトレジストは、エッチングによって除去され、
少なくとも部分的に硬化するステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項１２２または１２３に記載の方法。

【請求項125】

硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項１２２乃至１２４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項126】

硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１２５に記載の方法。

【請求項127】

前記複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項１２２乃至１２６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項128】

各不透明カバーは、ｘ－ｙ平面平面図で観察されるように、円形である外形を有する、請求項１２２乃至１２７のいずれか一項に記載の方法。

【請求項129】

請求項１１６乃至１２２のいずれか一項に記載の方法に使用するためのスタンピングフォームを製造する方法であって、
金属層を上面上に有する基板を提供するステップと、前記金属層は前記基板を覆っており、
前記金属層の上にフォトレジストの層を配置して、前記金属層を覆うステップと、
前記フォトレジストの上にフォトマスクを配置するステップと、前記フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバーを含み、それによって前記不透明カバーで覆われた領域における非露出フォトレジストと、前記不透明カバーで覆われていない領域における露出されたフォトレジストとが提供され、
少なくとも前記露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、
前記金属層から、ＥＭ放射の曝露を受けた露出されたフォトレジストを除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストの実質的に同一に構成された複数の部分を形成するステップと、
前記フォトレジストの硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、残りのフォトレジストの実質的に同一に構成された複数の部分の各々に対するシェーピングフォームの適用により成形して、成形されたフォトレジストを形成するステップと、続いて、複数の実質的に同一に形成された形状を維持するために、前記残りのフォトレジストの成形された実質的に同一に構成された複数の部分を少なくとも部分的に硬化させるステップと、
実質的に同一に形成された形状を有する前記残りのフォトレジストの全ての露出面に金属コーティングを塗布するステップと、
実質的に同一に形成された形状の間の空間を充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジストを、前記金属層の上面に対して特定の厚さＨ７までスタンプ適性金属で覆うステップと、
前記金属層の底部から前記基板を除去するステップと、
前記金属層を除去するステップと、
前記残りのフォトレジストを除去して、スタンピングフォームを得るステップとを含む方法。

【請求項130】

前記基板は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記金属コーティングは、金属蒸着によって塗布され、
前記スタンプ適性金属は、ニッケルからなり、
前記基板は、エッチングまたは研削によって除去され、
前記金属層は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、
前記露出されたフォトレジストと前記残りのフォトレジストは、エッチングによって除去される、請求項１２９に記載の方法。

【請求項131】

複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板の上にフォトレジストの層を配置するステップと、
前記フォトレジストの上にグレースケールフォトマスクを配置するステップと、前記グレースケールフォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバーを含み、前記グレースケールフォトマスクの前記カバーは、部分的に半透明な外側領域に向かって遷移する不透明な中央領域を含み、それによって、不透明領域で覆われた領域における非露出フォトレジストと、部分的に半透明な領域で覆われた領域における部分的に露出されたフォトレジストと、および前記カバーによって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジストとが設けられ、
前記グレースケールフォトマスクおよび前記完全に露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、
ＥＭ放射の曝露を受けた前記部分的に露出されたフォトレジストおよび前記完全に露出されたフォトレジストを除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰを形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジストの実質的に同一の形状の複数の構造を形成するステップと、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を前記複数の１ＤＰ間の空間に充填するステップと、充填された空間は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰのうちの対応する２ＤＰを提供し、
任意選択的に、前記複数の１ＤＰの上面上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記複数の１ＤＰの上面と同じ高さにするステップと、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、前記基板と、前記基板上に配置された前記複数の２ＤＰによって取り囲まれた実質的に同一の形状を有する複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイとを含むアセンブリを得るステップとを含む方法。

【請求項132】

前記基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記部分的に露出されたフォトレジストおよび前記完全に露出されたフォトレジストは、エッチングによって除去され、
少なくとも部分的に硬化するステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項１３１に記載の方法。

【請求項133】

硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項１３１または１３２に記載の方法。

【請求項134】

硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１３３に記載の方法。

【請求項135】

前記複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項１３１乃至１３４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項136】

前記複数の１ＤＰの各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のうちのいずれか１つを有する、請求項１３１乃至１３５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項137】

請求項１１６乃至１２２のいずれか一項に記載の方法に使用するためのスタンピングフォームを製造する方法であって、
金属層を上面上に有する基板を提供するステップと、前記金属層は前記基板を覆っており、
前記金属層の上にフォトレジストの層を配置して、前記金属層を覆うステップと、
前記フォトレジストの上にグレースケールフォトマスクを配置するステップと、前記グレースケールフォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバーを含み、前記グレースケールフォトマスクの前記カバーは、部分的に半透明な外側領域に向かって遷移する不透明な中央領域を含み、それによって、不透明領域で覆われた領域における非露出フォトレジストと、部分的に半透明な領域で覆われた領域における部分的に露出されたフォトレジストと、および前記カバーによって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジストとが設けられ、
前記グレースケールフォトマスクおよび前記完全に露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、
ＥＭ放射の曝露を受けた前記部分的に露出されたフォトレジストおよび前記完全に露出されたフォトレジストを除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストの実質的に同一の形状の複数の構造を形成するステップと、
実質的に同一の形状の構造を有する前記残りのフォトレジストの全ての露出面に金属コーティングを塗布するステップと、
金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造の間の空間をスタンプ適性金属で充填して、金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造を、スタンプ適性金属で前記金属層の上面に対して特定の厚さＨ７まで覆うステップと、
前記金属層の底部から前記基板を除去するステップと、
前記金属層を除去するステップと、
前記残りのフォトレジストを除去して、スタンピングフォームを得るステップとを含む方法。

【請求項138】

前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記金属コーティングは、金属蒸着によって塗布され、
前記スタンプ適性金属は、ニッケルからなり、
前記基板は、エッチングまたは研削によって除去され、
前記金属層は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、
前記露出されたフォトレジストと前記残りのフォトレジストは、エッチングによって除去される、請求項１３７に記載の方法。

【請求項139】

実質的に同一の形状の複数の構造の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項１３７または１３８に記載の方法。

【請求項140】

実質的に同一の形状の複数の構造の各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のいずれか１つを有する、請求項１３７乃至１３９のいずれか一項に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、概して、誘電体（Ｄｋ：ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）電磁（ＥＭ：ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ）構造、およびその製造方法に関し、詳しくは、高性能Ｄｋ ＥＭ構造を製造するコスト効率の高い方法に関する。

【背景技術】

【0002】

例示的なＤｋ ＥＭ構造およびその例示的な製造方法は、出願人に譲渡された特許文献１に開示されている。
既存のＤｋ ＥＭ構造およびその製造方法は、それらの意図された目的に適しているかもしれないが、Ｄｋ ＥＭ構造の製造に関連する技術は、Ｄｋ ＥＭ構造を製造するコスト効率の高い方法の適用によって進歩するであろう。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０１７／０７５１７７号

【発明の概要】

【0004】

一実施形態は、誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法を含み、この方法は、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を含む第１の型部分を提供するステップと、第１の複数の凹部を完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物で充填するステップと、第１のＤｋ組成物で充填された第１の複数の凹部の複数の凹部の上およびそれらを横断して基板を配置するステップと、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を備える基板を第１の型部分から除去して、基板と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを得るステップとを含み、複数のＤｋ構造の各々は、第１の複数の凹部のうちの対応する凹部によって画定された三次元（３Ｄ）形状を有する。

【0005】

別の実施形態は、１つまたは複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）を有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法を含み、この方法は、アレイ状に配置され、かつ複数の１ＤＰを形成するように構成された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を有する第１の型部分を提供するステップと、第１の型部分は、複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルをさらに含み、第１の複数の凹部および比較的薄い接続チャネルを、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物で充填するステップと、第１の型部分の上に第２の型部分を、硬化性のＤｋ組成物が間に配置された状態で配置するステップと、第２の型部分を第１の型部分に向かってプレスして、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、第１の型部分に対して第２の型部分を分離するステップと、第１の型部分から少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物を除去して、少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物を含む少なくとも１つのＤｋ構造を得るステップとを含み、少なくとも１つのＤｋ構造の各々は、第１の複数の凹部および相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルによって画定された三次元（３Ｄ）形状を有し、第１の複数の凹部によって画定された３Ｄ形状は、ＥＭ構造における複数の１ＤＰを提供する。

【0006】

別の実施形態は、誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法を含み、この方法は、Ｄｋ材料のシートを提供するステップと、シートに、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の複数の凹部を形成するステップと、シートの非凹部部分は、複数の凹部の個々の凹部間の接続構造を形成し、複数の凹部を、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物で充填するステップと、Ｄｋ材料のシートは、第１の平均誘電率とは異なる第２の平均誘電率を有し、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップとを含む。

【0007】

別の実施形態は、誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を含み、Ｄｋ ＥＭ構造は、第１の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を含む少なくとも１つのＤｋ構成要素と、少なくとも１つのＤｋ構成要素の露出面の少なくとも一部の上に共形的に配置された、水不透過性層、水バリア層、または撥水性層とを備える。

【0008】

本発明の上記の特徴および利点、ならびに他の特徴および利点は、添付の図面に関連して考慮した場合、本発明の以下の詳細な説明から容易に明らかになる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

添付の図において、同様の構成要素に同様の番号が付けされているか、または同様の構成要素に同様の番号が付けされているが、先頭の数字が異なる例示的な非限定的な図面を参照する。

【図1A-1C】は、一実施形態による、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する代替方法のブロック図表現を断面側面図で示す図である。

【図1D】一実施形態による、図１Ａに示されているような代替プロセスステップを示す断面側面図および対応する平面図。

【図2A-2C】一実施形態による、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する他の代替方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図3A】一実施形態による、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する別の代替方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図3B】一実施形態による、図３ＡのＤｋ ＥＭ構造を製造する製造方法の概略図を示す断面側面図。

【図4A-4C】一実施形態による、図１Ａ－図１Ｄ、図２Ａ－図２Ｃ、および図３Ａ－図３Ｂのものと類似しているが代替的なＤｋ ＥＭ構造を示す断面側面図。

【図4D】一実施形態による、図４ＣのＤｋ ＥＭ構造のトップダウン平面図。

【図5A】一実施形態による、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する別の代替方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図5B】一実施形態による、図５Ａに示される方法に従って製造されたＤｋ ＥＭ構造を示す断面側面図。

【図6A】一実施形態による、図１Ａ－図１Ｄ、図２Ａ－図２Ｃ、図３Ａ－図３Ｂ、図４Ａ－図４Ｃ、および図５Ａ－図５Ｂのものとは代替的なＤｋ ＥＭ構造を製造するための例示的な型を示す回転等角図。

【図6B】一実施形態による、図６Ａの型のユニットセルを示す回転等角図。

【図6C】一実施形態による、図６Ａおよび図６Ｂの型から製造されたＤｋ ＥＭ構造を示す透明回転等角図、対応する立体回転等角図、および対応する平面図。

【図7A-7E】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する代替の方法のブロック図表現を示す断面図。

【図8】一実施形態による、複数のＤｋ ＥＭ構造を形成するためのパネルレベルの処理の例を示すトップダウン平面図。

【図9A-9C】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図9D】一実施形態による、図９Ａ－図９Ｃに示される方法に従って製造されたＤｋ ＥＭ構造を示す断面側面図。

【図9E】一実施形態による、図９ＤのＤｋ ＥＭ構造を示すトップダウン平面図。

【図9F-9G】一実施形態による、図９Ａ－図９Ｄに示される方法に従って製造された代替のＤｋ ＥＭ構造を示す断面側面図。

【図10A-10D】一実施形態による、スタンピングフォームを製造する方法のブロック図表現を示す断面図。

【図11A-11B】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する代替の方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図12A-12C】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する代替の方法のブロック図表現を示す断面図。

【図13A-13C】一実施形態による、代替のスタンピングフォームを製造する方法のブロック図表現を示す断面図。

【図14A-14B】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する代替の方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図15A-15B】一実施形態による、代替のスタンピングフォームを製造する方法のブロック図表現を示す断面図。

【図16A-16B】一実施形態に従って使用するための、代替の三次元（３Ｄ）および２次元（２Ｄ）の形状をそれぞれ示す図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下の詳細な説明は、例示の目的で多くの詳細を含んでいるが、当業者であれば、以下の詳細に対する多くの変形および変更が添付の特許請求の範囲内にあることを理解するであろう。従って、以下の例示的な実施形態は、本明細書に開示された特許請求の範囲に記載された発明に対する一般性を失うことなく、また制限を課すことなく記載される。

【0011】

例示的な実施形態は、様々な図面および添付のテキストによって示され、説明されるように、代替的なＤｋ ＥＭ構造およびその製造方法を提供するものであり、これらには、成形、射出成形、圧縮成形、ロールツーロールモールドドラムによる成形、インプリンティング、スタンピング、エンボス加工、ステンシル加工、熱成形、フォトリソグラフィ、グレースケールフォトリソグラフィ、またはテンプレート充填を含むが、これらに限定されない。このような方法は、単層または多層のＤｋ ＥＭ構造を製造するために適用され得、Ｄｋ ＥＭ構造は、単一のＤｋ ＥＭ構造、複数のＤｋ ＥＭ構造、Ｄｋ ＥＭ構造のパネルまたはアレイ、またはＤｋ ＥＭ構造の複数のパネルまたはアレイであり得る。本明細書に開示されるＤｋ ＥＭ構造の実施形態は、例えば、アンテナ、誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）、アンテナまたはＤＲＡのアレイ、誘電体レンズ、および／または誘電体導波路を含む用途に有用であり得る。本明細書に図示および説明されている実施形態は、特定の断面プロファイル（ｘ－ｙ、ｘ－ｚ、またはｙ－ｚ、断面プロファイル）を有するＤｋ ＥＭ構造が示されているが、そのようなプロファイルは、本発明の範囲から逸脱することなく変更され得ることが理解されるであろう。従って、本明細書の開示の範囲内にあり、本明細書に開示された目的に適した任意のプロファイルが、本明細書に開示された実施形態を補完するものと見なされ、かつ企図される。本明細書に図示および説明されている実施形態は、特定のアレイサイズを有するか、または有することが示唆されているＤｋ ＥＭアレイの構造が示されているが、そのようなサイズは、本発明の範囲から逸脱することなく変更され得ることが理解されるであろう。従って、本明細書の開示の範囲内にあり、本明細書に開示された目的に適している任意のアレイサイズは、本明細書に開示される実施形態を補完するものと見なされ、かつ企図される。

【0012】

以下の例示的な実施形態は個別に提示されているが、以下に記載される全ての実施形態の完全な読解から、個々の実施形態の間には、特徴および／またはプロセスのいくつかのクロスオーバーを可能にするような類似性が存在し得ることが理解されるであろう。従って、そのような個々の特徴および／またはプロセスのいずれかの組み合わせは、そのような組み合わせが明示的に示されているかどうかにかかわらず、本明細書の開示内容と矛盾しない範囲で、一実施形態に従って使用することができる。

【0013】

以下の例示的な実施形態の１つまたは複数に関連するいくつかの図は、対応する実施形態の、対応する特徴の相互の構造的関係の基準フレームを提供する直交するｘｙｚ軸のセットを示しており、ｘｙ平面がトップダウン平面図と一致し、ｙｚ平面またはｘｚ平面は、側面正面図と一致する。

【0014】

本明細書で提供されるいくつかの図は、複数の１ＤＰおよび２ＤＰを有するＤｋ ＥＭ構造の側面正面図のみを示しているが、本明細書で提供される開示全体を読解すれば、本明細書に記載されている図面の他のトップダウン平面図または回転等角図が、対応する正面図の関連する１ＤＰおよび２ＤＰがアレイ状に配置されている、対応する正面図に関連するアレイ構成の代表的な図として使用することができることが理解されるであろう（例えば、図１Ｃ、図４Ｄ、図６Ａ、図８、および図９Ｅに示されているアレイを参照）。

【0015】

第１の例示的な実施形態：方法１１００、Ｄｋ ＥＭ構造１５００
Ｄｋ ＥＭ構造１５００を製造するための例示的な方法１１００の以下の説明では、特に図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃおよび図１Ｄがまとめて参照され、図１Ａは、方法ステップ１１０２、１１０４、１１０６、１１０８、１１１０、１１１２、および１１１４、ならびに対応する結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造１５００を示し、図１Ｂは、方法ステップ１１２２、１１２４、１１２６、１１２８、１１３０、１１３２、１１３４、および１１３６、ならびに対応する結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造１５００を示し、図１Ｃは、図１Ｂのものと交換に、方法ステップ１１２２、１１２４、１１２６、１１２８’、１１３０’、１１３４’、および１１３６、ならびに対応する結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造１５００を示し、図１Ｄは、比較的薄い接続チャネル１５１６および対応する構造１５１８を示す中間方法ステップの正面断面図および対応する平面図を示す。

【0016】

一実施形態では、特に図１Ａを参照して、誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造１５００を製造する例示的な方法１１００は、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部１５０４を有する第１の型部分１５０２を提供するステップ１１０２と、第１の複数の凹部１５０４を、完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６で充填するステップ１１０４と、第１のＤｋ組成物１５０６で充填された第１の複数の凹部１５０４の複数の凹部の上およびそれらを横断して基板１５０８を配置するステップ１１０６と、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、基板１５０８の上に第２の型部分１５１０を配置する任意のステップ１１０８と、第２の型部分１５１０を第１の型部分１５０２に向かってプレスして、硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６をさらに少なくとも部分的に硬化させる別の任意選択のステップ１１１０と、第１の型部分１５０２に対して第２の型部分１５１０を分離する別の任意のステップ１１１２と、第１の型部分１５０２から少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６を備える基板１５０８を除去して、基板１５０８と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６を有する複数のＤｋ構造１５１４とを有するアセンブリ１５１２を得るステップ１１１４とを含み、複数のＤｋ構造１５１４の各々は、第１の複数の凹部１５０４のうちの対応する凹部によって画定された三次元（３Ｄ）形状を有する。

【0017】

本明細書で使用される場合、「実質的に」という用語は、製造公差を考慮していることを意図している。従って、対応する構造を製造するための製造公差がゼロである場合、実質的に同一の構造は同一である。

【0018】

一実施形態では、基板１５０８は、Ｄｋ層と、金属層と、Ｄｋ層と金属層の組み合わせと、複数のスロットを有する金属層（複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている）と、プリント回路基板と、フレキシブル回路基板と、基板一体型導波路（ＳＩＷ：ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）と、ＥＭ信号フィードネットワークとのうちの１つまたは複数を含み得る。

【0019】

一実施形態では、特に図１Ｂを参照すると、方法１１００は、第１の型部分１５０２を提供するステップ１１０２の前に、第１の型部分１５０２のアレイ状に配置された各々が実質的に同一の第２の複数の凹部１５２４を有する第１の先行型部分（ｐｒｅ－ｍｏｌｄ ｐｏｒｔｉｏｎ）１５２２を提供するステップ１１２２と（第２の複数の凹部１５２４の各々の１つは、第１の複数の凹部１５０４の対応する１つよりも大きい）、第２の複数の凹部１５２４を、第１の平均誘電率よりも小さく、かつ完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第２の平均誘電率を有する硬化性の第２のＤｋ組成物１５２６で充填するステップ１１２４と、第１の先行型部分１５２２の上に第２の先行型部分１５２８を配置するステップ１１２６と（第２の先行型部分１５２８は、第１の型部分１５０２のアレイ状に、かつ第２の複数の凹部１５２４の各々と１対１で対応して配置された複数の開口１５３０を有する）、第２の先行型部分１５２８の上に第３の先行型部分１５３２を配置するステップ１１２８と（第３の先行型部分１５３２は、第１の型部分１５０２のアレイ状に配置された複数の実質的に同一の突起１５３４を有し、各々が実質的に同一の突起１５３４は、第２の先行型部分１５２８の開口１５３０の対応する開口に挿入され、かつ第２の複数の凹部１５２４の対応する凹部に挿入され、それによって、第２の複数の凹部１５２４の各々内の第２のＤｋ材料１５２６を、所与の突起１５３４の体積に等しい体積だけ変位させる）、第３の先行型部分１５３２を第２の先行型部分１５２８に向かってプレスして、硬化性の第２のＤｋ組成物１５２６を少なくとも部分的に硬化させるステップ１１３０と、第２の先行型部分１５２８に対して第３の先行型部分１５３２を分離して（１１３２）、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６を有する型構造１５３６を第２のＤｋ組成物１５２６内に生成するステップ１１３４と（型構造１５３６は、第１の型部分１５０２を提供するのに役立ち、かつアレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部１５０４を有する第１の型部分１５０２、１５３６を提供するステップ１１０２を確立する）を含み、前述の除去するステップ１１１４は、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６および少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６を有する基板１５０８を第１の型部分１５０２、１５３６から除去して、基板１５０８と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６のアレイおよび少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６の対応するアレイを含む複数のＤｋ構造１５４０とを含むアセンブリ１５３８を得るステップ１１３６を含み、複数のＤｋ構造１５４０の各々は、第１の複数の凹部１５０４および第２の複数の凹部１５２４のうちの対応する各々の凹部によって画定された３Ｄ形状を有する。

【0020】

一実施形態では、特に図１Ｂと組み合わせた図１Ｃを参照すると、図１Ｂの参照番号１１２８、１１３０、１１３２、および１１３４に関連するステップは、図１Ｃの参照番号１１２８’、１１３０’、および１１３４’に関連するステップに置き換えてもよく、他の全てのステップおよび対応する構造は本質的に同じままであることが理解されるであろう。図１Ｃに示されるように、図１Ｂからの配置するステップ１１２８は、基板１５０８と、基板１５０８上に形成された少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６を有する複数のＤｋ構造１５１４とを有する上記のアセンブリ１５１２を第２の先行型部分１５２８（図１Ｂを参照）の上に配置するステップ１１２８’に置き換えてもよく、アセンブリ１５１２は、第２の先行型部分１５２８の開口１５３０の対応する開口に挿入され、かつ第２の複数の凹部１５２４の対応する凹部に挿入される複数のＤｋ構造１５１４を有し、それにより、第２の複数の凹部１５２４の各々の凹部内の第２のＤｋ材料１５２６を、所与のＤｋ構造１５１４の体積に等しい体積だけ変位させることになる。また、図１Ｂからのプレスするステップ１１３０は、アセンブリ１５１２を第２の先行型部分１５２８に向かってプレスして、硬化性の第２のＤｋ組成物１５２６を少なくとも部分的に硬化させるステップ（１１３０’）に置き換えてもよい。さらに、図１Ｂからの分離するステップ１１３２は省略されてもよく、図１Ｂからの生成するステップ１１３４は、アセンブリ１５１２と、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６とを有する型構造１５３６を生成するステップ１１３４’に置き換えてもよい。さらに、前述の１１１４を除去するステップは、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６および少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６を有する基板１５０８を第１の型部分１５０２、１５３６から除去して、基板１５０８と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６のアレイおよび少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６の対応するアレイを含む複数のＤｋ構造１５４０とを含むアセンブリ１５３８を得るステップ１１３６とを含み、複数のＤｋ構造１５４０の各々は、第１の複数の凹部１５０４および第２の複数の凹部１５２４のうちの対応する凹部によって画定された３Ｄ形状を有する。

【0021】

一実施形態では、複数のＤｋ構造１５１４は、基板１５０８上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）を提供し、各ＤＲＡは、第１のＤｋ組成物１５０６によって提供されるＤｋ材料の体積または層を有する単層ＤＲＡである。

【0022】

一実施形態では、複数のＤｋ構造１５４０は、基板１５０８上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）を提供し、各ＤＲＡは、第１のＤｋ組成物１５０６によって提供されるＤｋ材料の第１の内部体積または層と、第２のＤｋ組成物１５２６によって提供されるＤｋ材料の第２の外側体積または層とを有する２層ＤＲＡである。

【0023】

一実施形態では、複数のＤｋ構造１５４０は、基板１５０８上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）１５０６と、複数のＤＲＡと１対１で対応して配置された複数の誘電体レンズまたは誘電体導波路１５２６とを提供し、各ＤＲＡは、第１のＤｋ組成物１５０６によって提供されるＤｋ材料の体積または層を有する単一体積または単一層ＤＲＡであり、対応する各レンズまたは導波路は、第２のＤｋ組成物１５２６によって提供されるＤｋ材料の体積または層を有する単一体積または単一層構造である。

【0024】

一実施形態において、特に図１Ａと組み合わせて図１Ｃを参照すると、第１の型部分１５０２は、第１の複数の凹部１５０４の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル１５１６を含み、このチャネル１５１６は、第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６で第１の複数の凹部を充填するステップ１１０４中に充填され、それにより、基板１５０８と、複数のＤｋ構造１５１４とを含むアセンブリ１５１２が、複数のＤｋ構造１５１４の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造１５１８とともに得られ、比較的薄い接続構造１５１８は、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６から構成され、第１のＤｋ組成物１５０６を有する比較的薄い接続構造１５１８および充填された第１の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する。

【0025】

一実施形態では、特に図１Ｂと組み合わせて図１Ｃを参照すると、第２の先行型部分１５２８は、第２の複数の凹部１５２４の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル１５１６を含み、このチャネルは、第２の複数の凹部１５２４の各々の凹部内の第２のＤｋ材料１５２６を所与の突起１５３４の体積に等しい体積だけ変位させる前述のプロセス中に充填され、それにより、基板１５０８と複数のＤｋ構造１５４０とを有するアセンブリ１５３８が、複数のＤｋ構造１５４０の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造１５１８とともに得られ、比較的薄い接続構造１５１８は、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６から構成され、第２のＤｋ組成物１５２６を有する比較的薄い接続構造１５１８および充填された第２の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する。

【0026】

一実施形態では、第１の複数の凹部を充填するステップ１１０４、第２の複数の凹部を充填するステップ１１２４、または第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、流動性形態（ｆｌｏｗａｂｌｅ ｆｏｒｍ）の個々の硬化性のＤｋ組成物を対応する凹部に注入およびスクイージングする（ｓｑｕｅｅｇｅｅｉｎｇ）ことをさらに含む。

【0027】

一実施形態では、第１の複数の凹部を充填するステップ１１０４、第２の複数の凹部を充填するステップ１１２４、または第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、個々の硬化性のＤｋ組成物の流動性の誘電体フィルムを対応する凹部にインプリンティングすることをさらに含む。

【0028】

一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６をプレスして少なくとも部分的に硬化させるステップ１１１０、硬化性の第２のＤｋ組成物１５２６をプレスして少なくとも部分的に硬化させるステップ１１３０、または硬化性の第１のＤｋ組成物と硬化性の第２のＤｋ組成物の両方をプレスして少なくとも部分的に硬化させるステップは、個々の硬化性のＤｋ組成物を、約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の期間の間、硬化させることを含む。

【0029】

方法１１００の一実施形態では、第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。
方法１１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。

【0030】

方法１１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。
方法１１００の一実施形態では、所与のＤｋ構造１５１４、１５４０の３Ｄ形状は、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0031】

本明細書に開示された任意の実施形態では、基板は、例えば、シリコンウェハなどのウェハ、または本明細書に開示された目的に適した任意の他の電子基板であり得る。
第２の例示的な実施形態：方法２１００、Ｄｋ ＥＭ構造２５００
Ｄｋ ＥＭ構造２５００を製造するための例示的な方法２１００の以下の説明では、特に図２Ａ、図２Ｂ、および図２Ｃがまとめて参照され、図２Ａは、方法ステップ２１０２、２１０６、２１０８、２１１０、２１１２、および２１１４、ならびに結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造２５００のアレイ２５０１を示し、図２Ｂは、方法ステップ２１１７および結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造２５００を示す。

【0032】

一実施形態では、特に図２Ａを参照して、１つまたは複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）２５１２を有するＤｋ ＥＭ構造２５００を製造する例示的な方法２１００は、アレイ状に配置され、かつ複数の１ＤＰ２５１２を形成するように構成された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部２５０４を有する第１の型部分２５０２を提供するステップ２１０２と（第１の型部分２５０２は、複数の凹部２５０４の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル２１０４をさらに有する）、第１の複数の凹部２５０４および比較的薄い接続チャネル２１０４を、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物２５０６で充填するステップ２１０６と、第１の型部分２５０２の上に第２の型部分２５０８を、硬化性のＤｋ組成物２５０６が間に配置された状態で配置するステップ２１０８と、第２の型部分２５０８を第１の型部分２５０２に向かってプレスして、硬化性のＤｋ組成物２５０６を少なくとも部分的に硬化させるステップ２１１０と、第１の型部分２５０２に対して第２の型部分２５０８を分離するステップ２１１２と、第１の型部分２５０２から少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物２５０６を除去して、少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物２５０６を有する少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を得るステップ２１１４と、を含み、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０の各々は、第１の複数の凹部２５０４および相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル２１０４によって画定された三次元（３Ｄ）形状を有し、第１の複数の凹部２５０４によって画定された３Ｄ形状は、相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル２１０４の充填されたチャネルにより形成された比較的薄い接続構造２５１４により相互接続された複数の１ＤＰ２５１２を有するＥＭ構造２５００を提供する。

【0033】

一実施形態では、特に図２Ａを再度参照すると、第２の型部分２５０８は、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０に位置合わせ機構２５１６を提供するために配置された少なくとも１つの凹部２１１６を含み、第２の型部分２５０８を第１の型部分２５０２に向かってプレスするステップ２１１０は、硬化性のＤｋ組成物２５０６の一部を少なくとも１つの凹部２１１６内に変位させることをさらに含む。

【0034】

一実施形態では、特に図２Ａと組み合わせて図２Ｂを参照すると、第１の型部分２５０２は、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０に位置合わせ機構を提供するために配置された少なくとも１つの第１の突起２１１８をさらに含み（具体的には示されていないが、当業者であれば、位置合わせ機構が突起２１１８によって形成された接続構造２５１４の開口であることを理解し得る）、第２の型部分２５０８を第１の型部分２５０２に向かってプレスするステップ２１１０は、硬化性のＤｋ組成物２５０６の一部を少なくとも１つの第１の突起２１１８の周りに変位させることをさらに含む。

【0035】

一実施形態では、特に図２Ａを参照すると、第１の型部分２５０２および第２の型部分２５０８のうちの少なくとも１つは、セグメント化されたセットのパネルをアレイ２５０１の形態で提供するために、複数の凹部２５０４のサブセットの周りのセグメント化突起２１２０を含み、第２の型部分２５０８を第１の型部分２５０２に向かってプレスするステップ２１１０は、硬化性のＤｋ組成物２５０６の一部を、セグメント化突起２１２０の近接領域で第１の型部分２５０２と第２の型部分２５０８との間の対面接触から離れるように変位させることをさらに含む。

【0036】

一実施形態では、特に図２Ａおよび２Ｂと組み合わせて図２Ｃを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０における所与の１ＤＰ２５１２対して少なくとも１つのＤｋアイソレータ２５１８（図２Ｂ参照）を提供するために、第１の型部分２５０２は、第２の複数の凹部２１２２をさらに含み、第２の複数の凹部２１２２の各々の１つは、第１の複数の凹部２５０４の１つと１対１で対応して配置され、かつ第１の型部分２５０２のトップダウン平面図で観察されるように、第１の複数の凹部２５０４の対応する１つを実質的に取り囲む。一実施形態では、Ｄｋアイソレータ２５１８は、１ＤＰ２５１２の対応する１つの周りにＤｋ組成物２５０６の連続リングを形成する。一実施形態では、Ｄｋ構造２５１０は、複数の１ＤＰ２５１２、比較的薄い接続構造２５１４、および少なくとも１つのＤｋアイソレータ２５１８の一体的に形成された構成を含むモノリシックのＤｋ組成物２５０６である。

【0037】

一実施形態では、特に図２Ａおよび２Ｂと組み合わせて図２Ｃを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０における所与の１ＤＰ２５１２に対して対応する強化されたＤｋアイソレータ２５２０を提供するために、第１の型部分２５０２は、第２の複数の凹部２１２２の１つと１対１で対応して配置された複数の第２の突起２１２４をさらに含み、各第２の突起２１２４は、第２の複数の凹部２１２２の対応する１つ内に中央に配置され、かつ第１の複数の凹部２５０４の対応する１つを実質的に取り囲む。一実施形態では、強化されたＤｋアイソレータ２５２０は、１ＤＰ２５１２の対応する１つの周りにＤｋ組成物２５０６の連続リングを形成する。一実施形態では、Ｄｋ構造２５１０は、複数の１ＤＰ２５１２、比較的薄い接続構造２５１４、および対応する強化されたＤｋアイソレータ２５２０の一体的に形成された構成を含むＤｋ組成物２５０６のモノリシックである。

【0038】

一実施形態では、特に図２Ａおよび２Ｂと組み合わせて図２Ｃを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０における所与の１ＤＰ２５１２に対して強化されたＤｋアイソレータ２５２２を提供するために、第２の型部分２５０８は、第１の型部分２５０２の第２の複数の凹部２１２２の１つと１対１で対応して配置された複数の第３の突起２１２６をさらに含み、各第３の突起２１２６は、第１の型部分２５０２の第２の複数の凹部２１２２の対応する１つ内に中央に配置され、かつ第１の型部分２５０２の第１の複数の凹部２５０４の対応する１つを実質的に取り囲む。一実施形態では、強化されたＤｋアイソレータ２５２２は、１ＤＰ２５１２の対応する１つの周りにＤｋ組成物２５０６の連続リングを形成する。一実施形態では、Ｄｋ構造２５１０は、複数の１ＤＰ２５１２、比較的薄い接続構造２５１４、および対応する強化されたＤｋアイソレータ２５２２の一体的に形成された構成を含むＤｋ組成物２５０６のモノリシックである。

【0039】

一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物２５０６を少なくとも部分的に硬化させることを含むステップ２１１０は、硬化性のＤｋ組成物２５０６を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、加熱することを含む。

【0040】

一実施形態では、方法２１００は、第１の型部分２５０２から少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物２５０６を除去するステップ２１１４の後に、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を完全に硬化させるステップと、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０の背面に接着剤２５２４を塗布するステップとを含む。

【0041】

一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物２５０６の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。
方法２１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物２５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。

【0042】

一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物２５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。
方法２１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ２５１２の各１ＤＰは、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0043】

一実施形態では、特に図２Ａと組み合わせて図２Ｂを参照すると、方法２１００は、基板２５２６を提供するステップと、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を基板２５２６上に配置するステップ２１１７とをさらに含む。

【0044】

一実施形態では、基板２５２６は、Ｄｋ層と、金属層と、Ｄｋ層と金属層の組み合わせと、複数のスロットを有する金属層（複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている）と、プリント回路基板と、フレキシブル回路基板と、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークとのうちの１つまたは複数を含み得る。

【0045】

一実施形態では、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を基板２５２６上に配置するプロセスは、位置合わせ機構２５１６を、基板２５２６上の対応する受承機構（図示の基板２５２６の破線の開口によって一般的に示される）と位置合わせするステップと、接着剤２５２４により少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を基板２５２６に接着するステップとをさらに含む。

【0046】

第３の例示的な実施形態：方法３１００、Ｄｋ ＥＭ構造３５００
Ｄｋ ＥＭ構造３５００を製造するための例示的な方法３１００の以下の説明では、特に図３Ａおよび図３Ｂがまとめて参照され、図３Ａは、方法ステップ３１０２、３１０４、３１０６、３１０７、３１０８、および３１１０、および結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造３５００を、複数の凹部３５０４のうちの対応する凹部の中心を通る正面断面図で示し、図３Ｂは、方法ステップ３１２０および３１２２を含む製造プロセスを示す。

【0047】

一実施形態では、特に図３Ａを参照して、Ｄｋ ＥＭ構造３５００を製造する例示的な方法３１００は、Ｄｋ材料のシート３５０２を提供するステップ３１０２と、Ｄｋ材料のシート３５０２に、アレイ状に配置される各々が実質的に同一の複数の凹部３５０４を形成するステップ３１０４（Ｄｋ材料のシート３５０２の非凹部は、複数の凹部３５０４の個々の凹部間に配置された接続構造３５０５を形成し、一実施形態では、複数の凹部３５０４の各凹部は、周囲壁を有するポケット凹部である）と、複数の凹部３５０４を、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物３５０６で充填するステップ３１０６（Ｄｋ材料のシート３５０２は、第１の平均誘電率とは異なる第２の平均誘電率を有する）と、硬化性のＤｋ組成物３５０６を少なくとも部分的に硬化させるステップ３１０７とを含む。

【0048】

方法３１００の一実施形態では、第２の平均誘電率は、第１の平均誘電率よりも小さい。
一実施形態では、特に図３Ａを参照して、方法３１００は、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ３１０７に続いて、Ｄｋ材料のシート３５０２を個々のタイル３５０８に切断するステップ３１０８をさらに含み、各タイル３５０８は、内部に少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物３５０６を有する複数の凹部３５０４のサブセットのアレイを有し、凹部間には接続構造３５０５の一部が配置されている。

【0049】

一実施形態では、形成するステップ３１０４は、複数の凹部３５０４をトップダウン方式でスタンピングまたはインプリンティングすることを含む。
一実施形態では、形成するステップ３１０４は、複数の凹部３５０４をボトムアップ方式でエンボス加工することを含む。

【0050】

一実施形態では、充填するステップ３１０６は、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物３５０６を複数の凹部３５０４に注入およびスクイージングすることを含む。
一実施形態では、形成するステップ３１０４は、Ｄｋ材料のシート３５０２の第１の側から、シート３５０２内に、各々が実質的に同一の複数の凹部３５０４を形成することをさらに含み、複数の凹部３５０４の各々は、深さＨ５を有し、さらにシート３５０２の第２の反対側から、複数の凹部３５０４と１対１で対応する複数の窪み３５１０を形成するステップ３１１０を含み、複数の窪み３５１０の各々は、深さＨ６を有し、Ｈ６は、Ｈ５以下である。

【0051】

一実施形態では、複数の凹部３５０４の各々はポケット凹部であり、複数の窪み３５１０の各々は、複数の凹部３５０４の各対応する１つの凹部内において周囲の側壁３５１１を有するブラインドポケットを形成して、各ポケット凹部３５０４内のＤｋ組成物３５０６が、対応する中央に配置された窪み３５１０を取り囲むようになっている。

【0052】

一実施形態では、複数の窪み３５１０の各々は、複数の凹部３５０４のうちの対応する１つの凹部に対して中央に配置されている。
一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物３５０６を少なくとも部分的に硬化させるステップ３１０７は、Ｄｋ組成物３５０６を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0053】

一実施形態では、提供するステップ３１０２は、Ｄｋ材料のシート３５０２を平坦な形態で提供することを含み、充填するステップ３１０６は、平坦な形態のシートの複数の凹部３５０４を一度に１つまたは複数の凹部３５０４を充填することを含む。

【0054】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、提供するステップ３１０２は、ロール３５２０上にＤｋ材料のシート３５０２を提供するステップ３１２０と、次の形成するステップ３１０４のためにＤｋ材料のシート３５０２を展開するステップ３１２２とを含む。

【0055】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂも参照すると、方法３１００は、Ｄｋ材料３５０２のロール３５２０の下流にパターンローラ３５２２および対向する圧縮ローラ３５２４を提供するステップと、パターンローラ３５２２の下流にＤｋ組成物３５０６のディスペンサユニット３５２６を提供するステップと、ディスペンサユニット３５２６の下流に硬化ユニット３５２８を提供するステップと、硬化ユニット３５２８の下流に仕上げローラ３５３０を提供するステップとをさらに含む。

【0056】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、パターンローラ３５２２の下流、かつディスペンサユニット３５２６の上流に第１の張力ローラ３５３２を提供するステップと、第１の張力ローラ３５３２の下流、かつ硬化ユニット３５２８の上流に第２の張力ローラ３５３４を提供するステップとをさらに含む。

【0057】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、第２の張力ローラ３５３４と協働するように、かつ第２の張力ローラ３５３４と対向して配置されたスキージユニット３５３６を提供するステップをさらに含む。

【0058】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、Ｄｋ材料のロール３５２０からＤｋ材料のシート３５０２を展開するステップ３１２２と、パターンローラ３５２２と対向する圧縮ローラ３５２４との間にＤｋ材料３５０２の展開されたシートを通過させるステップと、ここで、シートにアレイ状に配置された実質的に同一の複数の凹部３５０４を形成するステップ３１０４（図３Ａを参照）が発生して、パターン化されたシート３５１２が得られ、パターン化されたシート３５１２をディスペンサユニット３５２６に近接して通過させるステップと、ここで、複数の凹部３５０４を硬化性のＤｋ組成物３５０６で充填するステップ３１０６（図３Ａを参照）が発生して、充填されたパターン化されたシート３５１４が得られ、充填されたパターン化されたシート３５１４を硬化ユニット３５２８に近接して通過させるステップと、ここで、硬化性のＤｋ組成物３５０６を少なくとも部分的に硬化するステップ３１０７が生じて、少なくとも部分的に硬化されたシート３５１８が得られ、少なくとも部分的に硬化されたシート３５１８をその後の処理のために仕上げローラ３５３０に送給するステップとをさらに含む。

【0059】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、パターン化されたシート３５１２をディスペンサユニット３５２６に近接して通過させるステップの前に、パターン化されたシート３５１２を、一実施形態では、パターン化されたシート３５１２のプロセス中の張力を制御するために位置調整可能である第１の張力ローラ３５３２に係合させるステップと、充填されたパターン化されたシート３５１４を硬化ユニット３５２８に近接して通過させるステップの前に、充填されたパターン化されたシート３５１４を、一実施形態では充填されたパターン化されたシート３５１４のプロセス中の張力を制御するために位置調整可能である第２の張力ローラ３５３４に係合させるステップとをさらに含む。

【0060】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、充填されたパターン化されたシート３５１４を硬化ユニット３５２８に近接して通過させるステップの前に、充填されたパターン化されたシート３５１４を、スキージユニット３５３６および対向する第２の張力ローラ３５３４に係合させて、充填されかつスクイージングされたパターン化されたシート３５１６を得るステップをさらに含む。

【0061】

方法３１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物３５０６の第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。

【0062】

方法３１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物３５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法３１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物３５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0063】

方法３１００の一実施形態では、複数の凹部の各凹部３５０４は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0064】

第４の例示的な実施形態：Ｄｋ ＥＭ構造４５００
例示的なＤｋ ＥＭ構造４５００の以下の説明は、特に図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃおよび図４Ｄがまとめて参照され、図４Ａは、Ｄｋ ＥＭ構造４５００の代替形態の正面断面図を示し、図４Ｂおよび図４Ｃは、Ｄｋ ＥＭ構造４５００の代替形態に代わるＤｋ ＥＭ構造４５００．１および４５００．２の正面断面図を示し、図４Ｄは、例示的なＤｋ ＥＭ構造４５００、４５００．１、４５００．２のトップダウン平面図を示す。

【0065】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、例示的なＤｋ ＥＭ構造４５００は、第１の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を有する少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０と、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の露出面の少なくとも一部の上に共形的に（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）配置された水不透過性層４５０４とを含む。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の露出された上面の上に共形的に配置され、かつ少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の露出された最も外側の側面の上に共形的に配置され得る（図４Ａ参照）。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の全ての露出された面の上に共形的に配置されている。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、３０ミクロン以下であり、代替的には、１０ミクロン以下であり、さらに代替的には、３ミクロン以下であり、よりさらに代替的には、１ミクロン以下である。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、２８０℃以上のはんだ付け温度に耐えることが可能である。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、撥水性層（本明細書では参照番号４５０４によっても参照される）に置き換えられる。一実施形態では、水不透過性または撥水性層は、窒化物、窒化ケイ素、アクリレート、一酸化ケイ素（ＳｉＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの任意の添加剤を含むアクリレート層、ポリエチレン、または疎水性ポリマーベースの材料を含む。

【0066】

本明細書で使用される場合、「空気以外のＤｋ材料を有する」という語句は、空気ではないＤｋ材料を必然的に含むが、発泡体を含む空気をも含み得る。本明細書で使用される場合、「空気を含む」という語句は、空気を必然的に含むが、発泡体を含む空気ではないＤｋ材料を排除しない。また、「空気」という用語は、本明細書に開示された目的に適した誘電率を有するガスであるとしてより一般的に参照され、かつ見なされ得る。

【0067】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０は、Ｄｋ構成要素４５２０のアレイを形成するｘ×ｙ配置に配置された複数のＤｋ構成要素４５２０を含む（アレイ状に配置された図４Ａに示された複数のＤｋ構成要素４５２０は、図４Ａには具体的に示されていないが、少なくとも図８を参照することにより当業者に理解される）。

【0068】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、複数のＤｋ構成要素４５２０の各々は、比較的薄い接続構造４５２８を介して複数のＤｋ構成要素４５２０の少なくとも１つの他のＤｋ構成要素に物理的に接続されており、各接続構造４５２８は、複数のＤｋ構成要素４５２０のうちの１つの全体的な外寸と比較して比較的薄く、各接続構造４５２８は、個々の接続されたＤｋ構成要素４５２０の全体の高さＨ１よりも小さい断面の全体の高さＨ０を有し、かつＤｋ構成要素４５２０のＤｋ材料から形成されており、各比較的薄い接続構造４５２８および複数のＤｋ構成要素４５２０は、単一のモノリシック（概して、参照番号４５２０によっても参照される）を形成する。一実施形態では、比較的薄い接続構造４５２８は、モノリシック４５２０と一体的に形成された少なくとも１つの位置合わせ機構４５０８を含む。一実施形態では、少なくとも１つの位置合わせ機構４５０８は、突起、凹部、穴、または前述の位置合わせ機構の任意の組み合わせのうちのいずれかであり得る。

【0069】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、Ｄｋ構成要素４５２０のアレイは、複数のＤｋ構成要素４５２０の各１つと１対１の対応で配置された複数のＤｋアイソレータ４５１０を含み、各Ｄｋアイソレータ４５１０は、複数のＤｋ構成要素４５２０のうちの対応する１つを実質的に取り囲んで配置されている。一実施形態では、各Ｄｋアイソレータ４５１０は、Ｄｋ構成要素４５２０のうちの対応する１つの周りに連続リングを形成する。一実施形態では、複数のＤｋアイソレータ４５１０の各々は、複数のＤｋ構成要素４５２０の高さＨ１以下の高さＨ２を有する。一実施形態では、Ｄｋアイソレータ４５１０の各々は、中空の内部部分を備える（図２Ｃの強化されたＤｋアイソレータ２５２０、２５２２を参照）。一実施形態では、中空の内部部分は、上部が開放されているか（強化されたＤｋアイソレータ２５２０、図２Ｃを参照）、または下部が開放されている（Ｄｋアイソレータ２５２２、図２Ｃを参照）。一実施形態では、複数のＤｋアイソレータ４５１０は、比較的薄い接続構造４５２８を介して、複数のＤｋ構成要素４５２０と一体的に形成され、モノリシックを形成する。

【0070】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の各々は、第１の誘電体部分（１ＤＰ）４５２２を含むとともに、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）４５３２をさらに含み、複数の２ＤＰの各２ＤＰ４５３２は、第２の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を有し、各１ＤＰ４５２２は、近位端４５２４および遠位端４５２６を有し、各２ＤＰ４５３２は、近位端４５３４および遠位端４５３６を有し、所与の２ＤＰ４５３２の近位端４５３４は、対応する１ＤＰ４５２２の遠位端４５２６に近接して配置され、所与の２ＤＰ４５３２の遠位端４５３６は、対応する１ＤＰ４５２２の遠位端４５２６から規定された距離だけ離間して配置され、第２の平均誘電率は、第１の平均誘電率よりも小さい。一実施形態では、側面正面断面図で観察されるように（図４Ａを参照）、各１ＤＰ４５２２は全体的な高さＨ１を有し、各２ＤＰ４５３２は全体的な高さＨ３を有し、Ｈ３は、Ｈ１よりも大きく、所与の２ＤＰ４５３２の遠位端４５３６
一実施形態では、各２ＤＰ４５３２は、比較的薄い接続構造４５３８を介して２ＤＰ４５３２の隣接する２ＤＰと一体的に形成されて、比較的薄い接続構造４５３８とともに２ＤＰ４５３２のモノリシックを形成する。

【0071】

一実施形態では、Ｄｋ ＥＭ構造４５００の第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。
Ｄｋ ＥＭ構造４５００の一実施形態において、特に図４ＢのＤｋ ＥＭ構造４５００．１と組み合わせた図４ＡのＤｋ ＥＭ構造４５００を参照すると、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の各々は、高さＨ１を有する第１の誘電体部分（１ＤＰ）４５２２を含むとともに、第２の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を有する、高さＨ３を有する第２の誘電体部分（２ＤＰ）４５３２さらに含み、２ＤＰ４５３２のＤｋ材料は、複数の凹部４５３３を含み、複数の凹部の各凹部４５３３は、１ＤＰ４５２２のうちの対応する１つのＤｋ材料で充填され、２ＤＰ４５３２の各々は、１ＤＰ４５２２の対応する１ＤＰを実質的に取り囲み、第２の平均誘電率は、第１の平均誘電率よりも小さい。一実施形態では、２ＤＰ４５３２の各々は、Ｄｋ ＥＭ構造４５００の平面図で観察されるように、１ＤＰ４５２２の対応する１ＤＰの周りに１ＤＰ４５２２のそれよりも比較的低いＤｋ材料の連続リングを形成する。図４ＢのＤｋ ＥＭ構造４５００、４５００．１の一実施形態では、Ｈ１は、Ｈ３に等しい。

【0072】

Ｄｋ ＥＭ構造４５００の代替の実施形態では、特に図４ＣのＤｋ ＥＭ構造４５００．２と組み合わせて図４ＡのＤｋ ＥＭ構造４５００を参照すると、２ＤＰ４５３２は、１ＤＰ４５２２の各々の下にある比較的薄い接続構造４５３８を含み、２ＤＰ４５３２および比較的薄い接続構造４５３８はモノリシックを形成し、Ｈ１は、Ｈ３よりも小さい。

【0073】

Ｄｋ ＥＭ構造４５００．１および４５００．２の一実施形態では、不透過性層４５０４は、アレイの全ての露出面上に共形的に配置されている。
Ｄｋ ＥＭ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。

【0074】

Ｄｋ ＥＭ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、第１の平均誘電率を有するＤｋ材料は、Ｄｋ粒子材料を含む少なくとも部分的に硬化された樹脂を含む。Ｄｋ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、Ｄｋ粒子材料は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0075】

Ｄｋ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、少なくとも１つのＤｋ構成要素の各Ｄｋ構成要素４５２０は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。Ｄｋ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、少なくとも１つのＤｋ構成要素の各Ｄｋ構成要素４５２０は、誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）である。Ｄｋ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、複数の２ＤＰの各２ＤＰ４５３２は、誘電体レンズまたは誘電体導波路である。

【0076】

図４Ｃは、Ｄｋ ＥＭ構造４５００、４５００．２の側面正面断面図を示し、図４Ｄは、複数の１ＤＰ４５２２が複数の２ＤＰ４５３２によって取り囲まれてアレイ状に配置されたＤｋ ＥＭ構造４５００、４５００．２のトップダウン平面図を示す（複数の２ＤＰ４５３２は、実線で示されるように長方形であり得るか、または破線で示されるように円形であり得るか、または本明細書に開示された目的に適した他の任意の形状であり得る）。

【0077】

第５の例示的な実施形態：方法５１００、Ｄｋ ＥＭ構造５５００
Ｄｋ ＥＭ構造５５００を製造するための例示的な方法５１００の以下の説明では、特に図５Ａおよび図５Ｂがまとめて参照され、図５Ａは、方法ステップ５１０２、５１０４、５１０６、５１０８、５１１０、５１１２、５１１４、５１１６、および結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造５５００のアレイ５５０１を示し、図５Ｂは、結果的に製造される例示的なＤｋ ＥＭ構造５５００を示す。

【0078】

一実施形態では、特に図５Ａおよび５Ｂをまとめて参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）５５１０と、複数の１ＤＰ５５１０のうちの所与の１つと１対１で対応して配置された複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）５５２０とを有するＤｋ ＥＭ構造５５００であって、複数の１ＤＰの各１ＤＰ５５１０は、近位端５５１２および遠位端５５１４を有し、所与の１ＤＰ５５１０の遠位端５５１４は、ｘｙ平面断面図で観察されるような所与の１ＤＰ５５１０の近位端５５１２の断面よりも小さい、ｘｙ平面断面図で観察されるような断面を有する、Ｄｋ ＥＭ構造５５００を製造する例示的な方法５１００は、支持構造５５０２を提供するステップ５１０２と、少なくとも１つのアレイに配置された、複数の一体的に形成された２ＤＰ５５２０を提供するステップ５１０４と（複数の２ＤＰ５５２０は、少なくとも部分的に硬化されたＤｋ材料であり、複数の２ＤＰの各２ＤＰ５５２０は、近位端５５２２および遠位端５５２４を含み、所与の２ＤＰ５５２０の各近位端５５２２は、ブラインドエンドを有する中央に配置された窪み５５２６を含む）、複数の２ＤＰ５５２０を支持構造５５０２上に配置するステップ５１０６と（複数の２ＤＰ５５２０の各窪み５５２６は、充填されると、複数の１ＤＰ５５１０のうちの対応する１ＤＰを形成するように構成される）、複数の２ＤＰ５５２０の窪み５５２６を流動性形態の硬化性のＤｋ組成物５５０６で充填するステップ５１０８と（Ｄｋ組成物５５０６は、完全に硬化されたときの複数の２ＤＰ５５２０の第２の平均誘電率よりも大きい完全に硬化されたときの第１の平均誘電率を有する）、支持構造５５０２の上側および複数の２ＤＰ５５２０の近位端５５２２を横断してスクイージングして、硬化性のＤｋ組成物５５０６の余剰分を除去して、Ｄｋ組成物５５０６を、複数の２ＤＰ５５２０の各２ＤＰ５５２０の近位端５５２２と少なくとも同じ高さにするステップ５１１０と、硬化性のＤｋ組成物５５０６を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰ５５１０の少なくとも１つのアレイ５５０１を形成するステップ５１１２と、支持構造５５０２内に形成された１ＤＰ５５１０の少なくとも１つのアレイ５５０１とともに２ＤＰ５５２０の少なくとも１つのアレイ５５０１を含む結果的に製造されるアセンブリ５５３０を支持構造５５０２から除去するステップ５１２０とを含む。

【0079】

方法５１００の一実施形態では、支持構造５５０２は、複数の２ＤＰ５５２０の少なくとも１つのアレイ５５０１の所与の１つの周りに隆起した壁５５０４を含み、充填するステップ５１０８およびスクイージングするステップ５１１０は、複数の２ＤＰ５５２０の窪み５５２６を支持構造５５０２の隆起した壁５５０４の上端５５０８まで流動性形態の硬化性のＤｋ組成物５５０６で充填して、複数の２ＤＰ５５２０の窪み５５２６が充填されて、関連する複数の２ＤＰ５５２０の近位端５５２２が特定の厚さＨ６までＤｋ組成物５５０６により覆われるようにするステップ５１１４と、支持構造５５０２の隆起した壁５５０４を横断して５１１６をスクイージングして、任意の余剰分のＤｋ組成物５５０６を除去して、Ｄｋ組成物５５０６を隆起した壁５５０４の上端５５０８と同じ高さにするステップとを含み、Ｈ６の厚さのＤｋ組成物５５０６は、モノリシックを形成するために複数の１ＤＰ５５１０と一体的に形成された接続構造５５１６（図５Ｂを参照）を提供する。５１００の方法の一実施形態では、Ｈ６は約０．００２インチ（０．００５０８センチメートル）である。

【0080】

方法５１００の一実施形態では、複数の一体的に形成された２ＤＰ５５２０の少なくとも１つのアレイは、支持構造５５０２上に配置された一体的に形成された２ＤＰ５５２８の複数のアレイのうちの１つであり、複数の２ＤＰ５５２０は、熱可塑性ポリマーを含み、複数の１ＤＰ５５１０は、熱硬化性Ｄｋ材料５５０６を含み、少なくとも部分的に硬化させるステップ５１１２は、硬化性のＤｋ組成物５５０６を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。方法５１００の一実施形態では、熱可塑性ポリマーは高温ポリマーであり、Ｄｋ材料５５０６は、無機粒子材料を含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0081】

５１００の方法の一実施形態では、複数の１ＤＰ５５１０の各々および複数の２ＤＰ５５２０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0082】

第６の例示的な実施形態：型６１００、Ｄｋ ＥＭ構造６５００
Ｄｋ ＥＭ構造６５００を製造するための例示的な型６１００の以下の説明では、特に図６Ａ、図６Ｂ、および図６Ｃがまとめて参照され、図６Ａは、例示的な型６１００を示し、図６Ｂは、型６１００のユニットセル６０５０を示し、図６Ｃは、型６１００から製造可能な例示的なＤｋ ＥＭ構造６５００を示す。

【0083】

一実施形態では、特に図６Ａ、図６Ｂ、および図６Ｃをまとめて参照すると、第１の平均誘電率を有する第１の領域６５１０と、第１の領域の外側でｚ軸に対して半径方向に配置され、第２の平均誘電率を有する第２の領域６５２０と、第２の領域の外側でｚ軸に対して半径方向に配置され、第３の平均誘電率を有する第３の領域６５３０と、第３の領域の外側でｚ軸に対して半径方向に配置され、第２の平均誘電率を有する第４の領域６５４０とを含むＤｋ ＥＭ構造６５００を製造するための例示的な型６１００は、互いに一体的に形成されるか、または互いに結合されて連続した型６１００を提供する複数のユニットセル６０５０を含み、各ユニットセル６０５０は、ＥＭ構造６５００の第１の領域６５１０を形成するように配置および構成された第１の部分６１１０と、ＥＭ構造６５００の第２の領域６５２０を形成するように配置および構成された第２の部分６１２０と、ＥＭ構造６５００の第３の領域６５３０を形成するように配置および構成された第３の部分６１３０と、ＥＭ構造６５００の第４の領域６５４０を形成するように配置および構成された第４の部分６１４０と、各ユニットセル６０５０の外側境界を形成および画定するように配置および構成された第５の部分６１５０とを有し、第１の部分６１１０、第２の部分６１２０、第３の部分６１３０、第４の部分６１４０、および第５の部分６１５０は、全て単一の材料から互いに一体的に形成されて、モノリシックユニットセル６０５０を提供し、第１の部分６１１０および第５の部分６１５０は、モノリシックユニットセル６０５０の単一の材料を含み、第２の部分６１２０および第４の部分６１４０は、モノリシックユニットセル６０５０の単一の材料が存在せず、第３の部分６１３０は、モノリシックユニットセル６０５０の単一材料の不存在および存在の組み合わせを有し、第２の部分６１２０および第４の部分６１４０、ならびに第３の部分６１３０の一部のみが、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物６５０６を受容するように構成される。

【0084】

型６１００の一実施形態において、特に図６Ａおよび図６Ｂと組み合わせて図６Ｃを参照すると、型６１００のユニットセル６０５０から製造された単一のＤｋ ＥＭ構造６５００は、近位端６５０２および遠位端６５０４を有するＤｋ組成物６５０６の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された三次元（３Ｄ）本体６５０１を含み、３Ｄ本体６５０１は、３Ｄ本体６５０１の（対応するｚ軸に対して）中心に実質的に配置された第１の領域６５１０を有し、第１の領域６５１０は、空気を含む組成物で３Ｄ本体６５０１の遠位端６５０４まで軸方向に延在し、３Ｄ本体６５０１は、Ｄｋ組成物６５０６の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された第２の領域６５２０をさらに有し、第２の平均誘電率が第１の平均誘電率よりも大きく、第２の領域６５２０は、３Ｄ本体６５０１の近位端６５０２から遠位端６５０４まで軸方向に延在し、３Ｄ本体６５０１は、Ｄｋ組成物６５０６の少なくとも部分的に硬化された形態から部分的に作製され、かつ例えば、空気などの別の誘電媒体から部分的に作製された第３の領域６５３０をさらに有し、第３の平均誘電率が第２の平均誘電率よりも小さく、第３の領域６５３０は、３Ｄ本体６５０１の近位端６５０２から遠位端６５０４まで軸方向に延在し、第３の領域６５３０は、Ｄｋ組成物６５０６の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された突起６５３２であって、第２の領域６５２０からｚ軸に対して半径方向に外向きに延在し、かつ第２の領域６５２０と一体的かつモノリシックである突起６５３２を含み、突起６５３２の各々の１つは、ｘｙ平面断面で観察されるように、断面全長Ｌ１および断面全幅Ｗ１を有し、Ｌ１およびＷ１は、それぞれ、λ未満であり、λは、Ｄｋ ＥＭ構造６５００が電磁的に励起されるときのＤｋ ＥＭ構造６５００の動作波長であり、３Ｄ本体６５０１の少なくとも第２の領域６５２０の全ての露出面は、型６１００の抜き勾配がつけられた側壁により、３Ｄ本体６５０１の近位端６５０２から遠位端６５０４まで内側に抜き勾配を有する。型６１００の一実施形態では、型６１００のユニットセル６０５０から製造された単一のＤｋ ＥＭ構造６５００は、さらに、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状と、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状と（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）をそれぞれが有する３Ｄ本体６５０１の第１の領域６５１０および第２の領域６５２０を含む。一実施形態では、Ｄｋ ＥＭ構造６５００は、本明細書に開示された目的のために本明細書に開示された任意の基板の形態であり得る基板６５０８上に配置される。図６Ｃは、Ｄｋ ＥＭ構造６５００のサイズに関連して０～４ｍｍのスケールを示しているが、このスケールは、説明のみを目的としており、Ｄｋ ＥＭ構造６５００の物理的サイズを制限するものではなく、本明細書に開示された目的に適した任意のサイズであり得ることが理解されるであろう。

【0085】

前述のことから、Ｄｋ ＥＭ構造６５００の一実施形態は、信号供給基板上に単一のステップで型／フォーム６１００により成形または他の方法で形成され得、これは、本明細書に開示された目的に有用な既存のＤｋ ＥＭ構造の既存の製造方法に関して、処理時間およびコストを大幅に削減することが企図されていることが理解されるであろう。

【0086】

第７の例示的な実施形態：方法７１００、Ｄｋ ＥＭ構造７５００
Ｄｋ ＥＭ構造７５００を製造する例示的な方法７１００の以下の説明では、特に図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄ、および図７Ｅがまとめて参照され、図７Ａは、方法ステップ７１０２、７１０４、７１０６、７１０８、７１１０、７１１２、７１１４、および７１１６、ならびに結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造７５００およびそのアレイ７５０１を示し、図７Ｂは、追加の方法ステップ７１１８を示し、図７Ｃは、追加の方法ステップ７１２０、７１２２、７１２４、７１２６、および７１２８、および結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造７５００およびそのアレイ７５０１を示し、図７Ｄは、追加のステップ７１３０を示し、図７Ｅは、追加の方法ステップ７１３２、７１３４、７１３６、７１３８、および７１４０、ならびに結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造７５００およびそのアレイ７５０１を示す。

【0087】

一実施形態では、特に図７Ａを参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）７５１０を有するＤｋ ＥＭ構造７５００を製造する例示的な方法７１００であって、複数の１ＤＰの各１ＤＰ７５１０は、近位端７５１２および遠位端７５１４を有し、遠位端７５１４は、ｘｙ平面断面で観察されるような近位端７５１２の断面積よりも小さい断面積を有し、方法７１００は、キャリア７１５０を提供するステップ７１０２と、キャリア７１５０上に基板７５３０を配置するステップ７１０４と、基板７５３０上に第１のステンシルマスク７１５２を配置するステップ７１０６と（第１のステンシルマスク７１５２は、少なくとも１つのアレイに配置された複数の開口７１５４を有し、各開口７１５４は、１ＤＰ７５１０の対応する１つの１ＤＰを形成するように構成された形状を有する）、第１の流動性形態の硬化性の第１のＤｋ組成物７５０６を第１のステンシルマスク７１５２の開口７１５４に充填するステップ７１０８と（第１のＤｋ組成物７５０６は、硬化後に第１の平均誘電率を有する）、第１のステンシルマスク７１５２の上面を横断してスクイージングして、第１のＤｋ組成物７５０６の任意の余剰分を除去して、残りの第１のＤｋ組成物７５０６を第１のステンシルマスク７１５２の上面と同じ高さにするステップ７１１０と、硬化性の第１のＤｋ組成物７５０６を少なくとも部分的に硬化させて、１ＤＰ７５１０の少なくとも１つのアレイ７５０１を形成するステップ７１１２と、第１のステンシルマスク７１５２を除去するステップ７１１４と、１ＤＰ７５１０の少なくとも１つのアレイ７５０１が取り付けられた基板７５３０を有する結果的に製造されたアセンブリ７５００をキャリア７１５０から除去するステップ７１１６とを含む。

【0088】

一実施形態では、図７Ａと組み合わせた図７Ｂおよび図７Ｃを特に参照して、方法７１００は、第１のステンシルマスク７１５２を除去するステップ７１１４の後で、１ＤＰ７５１０の少なくとも１つのアレイが取り付けられた基板７５３０を除去するステップ７１１６の前に、基板７５３０上に第２のステンシルマスク７１５６を配置するステップ７１１８と（第２のステンシルマスク７１５６は、１ＤＰの複数のアレイ７５０１を形成するために複数の１ＤＰ７５１０のサブセットを取り囲むように構成され、かつ配置された仕切り壁７１６０によって取り囲まれた開口７１５８を有し、１ＤＰ７５１０の各アレイ７５０１は、第２の誘電体部分（２ＤＰ）７５２０内に封入されることになっている（図７Ｃを参照））、第２の流動性形態の硬化性の第２のＤｋ組成物７５０７を第２のステンシルマスク７１５６の開口７１５８に充填するステップ７１２０と（第２のＤｋ組成物７５０７は、硬化後に第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する）、第２のステンシルマスク７１５６の上面を横断してスクイージングして、第２のＤｋ組成物７５０７の余剰分を除去して、残りの第２のＤｋ組成物７５０７を第２のステンシルマスク７１５６の上面と同じ高さにするステップ７１２２と、硬化性の第２のＤｋ組成物７５０７を少なくとも部分的に硬化させて、２ＤＰ７５２０内に封入された１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１を形成するステップ７１２４と、２ＤＰ７５２０内に封入された１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１から第２のステンシルマスク７１５６を除去するステップ７１２６と、対応する２ＤＰ７５２０内に封入された１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１が取り付けられた基板７５３０を有する結果的に製造されたアセンブリ７５００をキャリア７１５０から除去するステップ７１２８とをさらに含む。

【0089】

一実施形態では、特に図７Ｄおよび図７Ｅを図７Ａ～図７Ｃと組み合わせて参照すると、方法７１００は、第１のステンシルマスク７１５２を除去するステップ７１１４の後、１ＤＰ７５１０の少なくとも１つのアレイが取り付けられた基板７５３０を除去するステップ７１１６の前に、基板７５３０上に第２のステンシルマスク７１６２を配置するステップ７１３０と（第２のステンシルマスク７１６２は、複数の１ＤＰ７５１０の対応する個々の１ＤＰを覆うカバー７１６４と、平面図で観察されるように、複数の１ＤＰ７５１０の個々の１ＤＰを取り囲む開口７１６６と、平面図で観察されるように、１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１を形成するための複数の１ＤＰ７５１０のサブセットを取り囲む仕切り壁７１６８とを有し、複数の１ＤＰ７５１０の各１つの１ＤＰは、導電性構造７５１６（図７Ｅを参照）によって取り囲まれるようになっている）、流動性形態の硬化性の組成物７５０８を第２のステンシルマスク７１６２の開口７１６６に充填するステップ７１３２と（硬化性の組成物７５０８は、完全に硬化したときに導電性となる）、第２のステンシルマスク７１６２の上面を横断してスクイージングして、硬化性の組成物７５０８の余剰分を除去して、残りの硬化性の組成物を第２のステンシルマスク７１６２の上面と同じ高さにするステップ７１３４と、硬化性の組成物７５０８を少なくとも部分的に硬化して、１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１を形成するステップ７１３６と（平面図で観察されるように、各１ＤＰ７５１０は、導電性構造７５１６によって取り囲まれている）、複数のアレイ７５０１から第２のステンシルマスク７１６２を除去するステップ７１３８と、各１ＤＰ７５１０が導電性構造７５１６によって取り囲まれている１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１が取り付けられた基板７５３０を有する結果的に製造されたアセンブリ７５００をキャリア７１５０から除去するステップ７１４０とを含む。

【0090】

一実施形態では、第１のステンシルマスク７１５２は、第１のＤｋ組成物７５０６から生成された１ＤＰ７５１０に任意の所望の形状を提供するために、垂直側壁、傾斜側壁、または湾曲側壁を有し得る。

【0091】

方法７１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物７５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。方法７１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物７５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0092】

方法７１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ７５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0093】

方法７１００の一実施形態では、硬化性の組成物７５０８は、金属粒子を有するポリマー、銅粒子を有するポリマー、アルミニウム粒子を有するポリマー、銀粒子を有するポリマー、導電性インク、カーボンインク、または、前述の硬化性の組成物の組み合わせのうちのいずれか１つを含む。

【0094】

方法７１００の一実施形態では、導電性構造７５１６は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0095】

方法７１００の一実施形態では、基板７５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含む。

【0096】

第８の例示的な実施形態：方法８１００、Ｄｋ ＥＭ構造８５００
Ｄｋ ＥＭ構造８５００を製造する例示的な方法８１００の以下の説明では、特に図８が参照される。方法８１００およびＤｋ ＥＭ構造８５００は、図８に関して本明細書で以下に説明されるが、同じ方法が、前述の方法１１００、２１００、３１００、５１００、６１００、および７１００のいずれにも適用可能であり得、図示のＤｋ ＥＭ構造８５００が前述のＤＫ ＥＭ構造１５００、２５００、３５００、４５００、５５００、６５００、および７５００のいずれにも適用可能であり、かついずれかを代表し得ることが理解されるであろう。従って、図８における方法８１００およびＤｋ ＥＭ構造８５００へのいかなる参照も、図１Ａ～図７Ｅに示された前述の方法および構造のいずれかを考慮して読まれるべきである。

【0097】

一実施形態では、例示的な方法８１００は、前述の方法のいずれかに関するものであり、Ｄｋ ＥＭ構造８５００は、１ＤＰ（前述の１ＤＰのいずれか）の少なくとも１つのアレイ８５０１（アレイ８５０１に置換され得る１５０１、２５０１、５５０１、７５０１も参照）を含み、１ＤＰの少なくとも１つのアレイの複数のアレイ８５０１が単一のＤｋ ＥＭ構造８５００上にパネルの形態で形成されるパネルレベル処理のプロセスによって形成され、本明細書で参照番号８５００によっても参照される。

【0098】

方法８１００の一実施形態では、パネル８５００は、基板８５０８（例えば、本明細書に開示された基板のいずれかを参照）、または誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つをさらに含む。

【0099】

第９の例示的な実施形態：方法９１００、Ｄｋ ＥＭ構造９５００
Ｄｋ ＥＭ構造９５００を製造する例示的な方法９１００の以下の説明では、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ、図９Ｄ、図９Ｅ、図９Ｆ、および図９Ｇがまとめて参照され、図９Ａは、プロセスステップ９１０２、９１０４、９１０６を示し、図９Ｂは、プロセスステップ９１０６．１を示し、図９Ｃは、プロセスステップ９１０６．２を示し、図９Ｄは、プロセスステップ９１０８、９１１０、９１１２、９１１４、およびＤｋ ＥＭ構造９５００の側面正面断面図を示し、図９Ｅは、（実線で示されるように長方形、破線で示されるように円形、または本明細書に開示された目的のために任意の他の適切な形状であり得る）複数の２ＤＰ９５２０によって囲まれたアレイ状に配置された複数の１ＤＰ９５１０を有するＤｋ ＥＭ構造９５００のトップダウン平面図を示し、図９Ｆは、プロセスステップ９１１６を示し、図９Ｇは、プロセスステップ９１１６の代替であるプロセスステップ９１１８を示す。

【0100】

一実施形態では、特に図９Ａ～図９Ｅを参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）９５１０と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）９５２０とを有し、各１ＤＰ９５１０は、近位端９５１２および遠位端９５１４を有するＤｋ ＥＭ構造９５００（図９Ｄおよび図９Ｅを参照）を製造する例示的な方法９１００は、支持構造９１５０を提供するステップ９１０２と、支持構造９１５０上にポリマーのシート９５２２を配置するステップ９１０４と、スタンピングフォーム９１５２を提供して、スタンピングフォームを下降させ９１０６．１、次にスタンピングフォームを上昇させて９１０６．２、支持構造９１５０によって支持されたポリマーのシート９５２２にスタンピングするステップ９１０６と（スタンピングフォーム９１５２は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された突起９１５４を有し、スタンピング９１０６によって、ポリマーのシート９５２２の変位した材料と、ポリマーのシート９５２２内にアレイ状に配置されたブラインドエンドを有する複数の窪み９５２４と、複数の窪み９５２４は、複数の１ＤＰ９５１０を形成するためのものであり、かつ複数の窪み９５２４の各々を取り囲むポリマー９５２２のシートの隆起した壁９５２６とが得られ、複数の隆起した壁９５２６は、複数の２ＤＰ９５２０を形成するためのものである）、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物９５０６を複数の窪み９５２４に充填するステップ９１０８と（複数の窪みの各窪みは、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰ９５１０の対応する１つを形成し、ポリマーのシート９５２２は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有し、各１ＤＰ９５１０の遠位端９５１４は、ポリマーのシート９５２２の複数の隆起した壁９５２６の上面９５２８に近接している）、任意選択的に、ポリマーのシート９５２２の複数の隆起した壁９５２６の上面９５２８より上の任意の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物９５０６を複数の隆起した壁９５２６の上面９５２８と同じ高さにするステップ９１１０と、硬化性のＤｋ組成物９５０６を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰ９５１０の少なくとも１つのアレイ９５０１を形成するステップ９１１２と、複数の隆起した壁９５２６、複数の窪み９５２４を備えたポリマー材料９５２２のスタンピングされたシートと、複数の窪み９５２４内に形成された複数の１ＤＰ９５１０の少なくとも１つのアレイ９５０１とを含む結果的に製造されたアセンブリ９５００を支持構造９１５０から除去するステップ９１１４とを含み、複数の２ＤＰ９５２０が複数の１ＤＰ９５１０を取り囲むように配置されている。

【0101】

一実施形態では、図９Ａ～図９Ｅと組み合わせた図９Ｆを特に参照すると、方法９１００は、基板９５３０を提供するとともに、スタンピングされたポリマーのシート９５２２を備えたアセンブリ９５００を基板９５３０上に配置して、各１ＤＰ９５１０の近位端９５１２が基板９５３０に近接して配置され、各１ＤＰ９５１０の遠位端９５１４が基板９５３０から離間して配置されるようにするステップ９１１６をさらに含む。

【0102】

一実施形態では、図９Ａ～図９Ｅと組み合わせた図９Ｇを特に参照すると、方法９１００は、基板９５３０を提供するとともに、複数の１ＤＰ９５１０の少なくとも遠位端９５１４が基板９５３０上に配置され、複数の１ＤＰ９５１０の近位端９５１２が基板９５３０から離間して配置された状態でアセンブリ９５００を基板９５３０上に配置するステップ９１１８をさらに含む。

【0103】

方法９１００の一実施形態では、基板９５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含む。

【0104】

方法９１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物９５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法９１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物９５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0105】

方法９１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ９５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0106】

方法９１００の一実施形態では、対応する２ＤＰ９５２０の各隆起した壁９５２６は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0107】

方法９１００の一実施形態では、少なくとも部分的に硬化させるステップ９１１２は、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、少なくとも部分的に硬化させることを含む。

【0108】

第１０の例示的な実施形態：方法１０１００、スタンピングフォーム１０５００
スタンピングフォーム１０５００を製造する例示的な方法１０１００の以下の説明では、特に図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、および図１０Ｄがまとめて参照され、図１０Ａは、方法ステップ１０１０２および１０１０４を示し、図１０Ｂは、方法ステップ１０１０５、１０１０８、および１０１１０を示し、図１０Ｃは、方法ステップ１０１１２および１０１１４を示し、図１０Ｄは、方法ステップ１０１１６、１０１１８、および１０１２０、ならびに結果的に製造されたスタンピングフォーム１０５００を示す。

【0109】

一実施形態では、特に図１０Ａ～図１０Ｄを参照すると、例示的な方法１０１００は、スタンピングフォームにより形成された例えばＤｋ ＥＭ構造９５００等の任意の前述のＤｋ ＥＭ構造を製造する際に使用するためのスタンピングフォーム１０５００（図１０Ｄ参照）を製造するためのものであり、方法１０１００は、金属層１０１５２を上面上に有する基板１０１５０を提供するステップ１０１０２と（金属層１０１５２は基板１０１５０を覆っている）、金属層１０１５２の上にフォトレジスト１０１５４を配置して、金属層１０１５２を覆うステップ１０１０４と、フォトレジスト１０１５４の上にフォトマスク１０１５６を配置するステップ１０１０６と（フォトマスク１０１５６は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口１０１５８を有し、それによって露出されたフォトレジスト１０１６０が得られる）、少なくとも露出されたフォトレジスト１０１６０をＥＭ放射１０１０９に曝すステップ１０１０８と、金属層１０１５２からＥＭ放射１０１０９の曝露１０１０８を受けた露出されたフォトレジスト１０１６０を除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジスト１０１６４に複数の実質的に同一に構成されたポケット１０１６２を形成するステップ１０１１０と、複数のポケット１０１６２を有する残りのフォトレジスト１０１６４の全ての露出された表面に金属コーティング１０５１０を塗布するステップ１０１１２と、複数のポケット１０１６２を充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジスト１０５１０を、金属層１０１５２の上面に対して特定の厚さＨ７までスタンプ適性金属１０５１２で覆うステップ１０１１４と、金属層１０１５２の底部から基板１０１５０を除去するステップ１０１１６と、金属層１０１５２を除去するステップ１０１１８と、残りのフォトレジスト１０１６４を除去して、スタンピングフォーム１０５００を得るステップ１０１２０とを含む。一実施形態では、スタンプ適性金属１０５１２による充填１０１１４は、金属電鋳を含み、これは、一実施形態では、シード層として既存の金属表面を使用して金属を電気めっきすることを含む。

【0110】

方法１０１００の一実施形態では、基板１０１５０は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化シリコン基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、フォトレジスト１０１５４は、ポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１０１０９は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、金属コーティング１０５１０は、全ての側面の被覆を達成するために複数の傾斜角での金属蒸着または金属スパッタリングなどの金属蒸着により塗布され、スタンプ適性金属１０５１２は、ニッケルまたはニッケル合金を含み、基板１０１５０は、１０１１６においてエッチングまたは研磨によって除去され、金属層１０１５２は、１０１１８において研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、露出されたフォトレジスト１０１６０および残りのフォトレジスト１０１６４は、１０１２０においてエッチングによって除去される。

【0111】

一実施形態では、フォトレジスト層はまた、低吸水性レジスト層（例えば、体積比で１％未満の吸水性）であり得る。
第１１の例示的な実施形態：方法１１１００、Ｄｋ ＥＭ構造１１５００
Ｄｋ ＥＭ構造１１５００を製造する例示的な方法１１１００の以下の説明では、特に図１１Ａおよび図１１Ｂがまとめて参照され、図１１Ａは方法ステップ１１１０２、１１１０４、および１１１０６を示し、図１１Ｂは方法ステップ１１１０８、１１１１０、１１１１２、１１１１４、１１１１６、１１１１８、１１１２０、および１１１２２、ならびに結果的に製造されたＤｋ ＥＭ構造１１５００を示す。

【0112】

一実施形態では、特に図１１Ａ～図１１Ｂを参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）１１５１０と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）１１５２０とを有するＤｋ ＥＭ構造１１５００を製造する例示的な方法１１１００は、支持構造１１１５０を提供するステップ１１１０２と、支持構造１１１５０の上にフォトレジスト１１５２２の層を配置するステップ１１１０４と、フォトレジスト１１５２２の上にフォトマスク１１１５２を配置するステップ１１１０６と（フォトマスク１１１５２は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口１１１５４を有し、それによって露出されたフォトレジスト１１５２４が得られる）、少なくとも露出されたフォトレジスト１１５２４をＥＭ放射１１１０９に曝すステップ１１１０８と、支持構造１１１５０から、ＥＭ放射１１１０９の曝露１１１０８を受けた露出されたフォトレジスト１１５２４を除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジスト１１５２８に実質的に同一に構成された複数の開口１１５２６を形成するステップ１１１１０と、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物１１５０６を残りのフォトレジスト１１５２８の複数の開口１１５２６に充填するステップ１１１１２と（複数の充填された開口１１５２６は、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰ１１５１０の対応する１ＤＰを提供し、残りのフォトレジストは、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰ１１５２０を提供する）、任意選択的に、複数の２ＤＰ１１５２０の上面１１５２１上の任意の余剰分のＤｋ組成物１１５０６を除去して、Ｄｋ組成物１１５０６を複数の２ＤＰ１１５２０の上面１１５２１と同じ高さにするステップ１１１１４と、硬化性のＤｋ組成物１１５０６を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰ１１５１０の少なくとも１つのアレイを形成するステップ１１１１６と、支持構造１１１５０から複数の２ＤＰ１１５２０および内部に形成された複数の１ＤＰ１１５１０の少なくとも１つのアレイを有する結果的に得られたアセンブリ１１５００を除去するステップ１１１１８とを含む。

【0113】

一実施形態では、方法１１１００は、基板１１５３０を提供するステップ１１１２０と、得られたアセンブリ１１５００を基板１１５３０に接着するステップ１１１２２とをさらに含み、基板１１５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、フォトレジスト１１５２２はポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１１１０９はＸ線放射またはＵＶ放射であり、露出されたフォトレジスト１１５２４および残りのフォトレジスト１１５２８は、１１１１０においてエッチングによって除去され、少なくとも部分的に硬化させるステップ１１１１６は、硬化性のＤｋ組成物１１５０６を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0114】

方法１１１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１１５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法１１１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１１５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0115】

方法１１１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ１１５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0116】

方法１１１００の一実施形態では、複数の２ＤＰ１１５２０のうちの対応する１つの開口１１５２６は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0117】

第１２の例示的な実施形態：方法１２１００、Ｄｋ ＥＭ構造１２５００
Ｄｋ ＥＭ構造１２５００を製造する例示的な方法１２１００の以下の説明は、特に図１２Ａ、図１２Ｂ、および図１２Ｃがまとめて参照され、図１２Ａは、方法ステップ１２１０２、１２１０４、および１２１０６を示し、図１２Ｂは、方法ステップ１２１０８および１２１１０を示し、図１２Ｃは、方法ステップ１２１１２、１２１１４、１２１１６、１２１１８、および１２１２０、ならびに結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造１２５００を示す。

【0118】

一実施形態では、特に図１２Ａ～図１２Ｃを参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）１２５１０および複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）１２５２０を有するＤｋ ＥＭ構造１２５００を製造する例示的な方法１２１００は、基板１２５３０を提供するステップ１２１０２と、基板１２５３０の上にフォトレジスト１２５１２の層を配置するステップ１２１０４と、フォトレジスト１２５１２の上にフォトマスク１２１５０を配置するステップ１２１０６と（フォトマスク１２１５０は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバー１２１５２を有し、それによって不透明カバー１２１５２によって覆われた領域における非露出フォトレジスト１２５１４と、不透明カバー１２１５２によって覆われていない領域における露出されたフォトレジスト１２５１６とが得られる）、少なくとも露出されたフォトレジスト１２５１６をＥＭ放射１２１０９に曝すステップ１２１０８と、基板１２５３０から非露出フォトレジスト１２５１４を除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰ１２５１０の対応する１ＤＰを形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジスト１２５１８の実質的に同一に構成された複数の部分を形成するステップ１２１１０と、任意選択的に、スタンピングフォーム（例えば、図１３Ｃを参照）により複数の１ＤＰの各１ＤＰ１２５１０（または残りのフォトレジスト１２５１８）を、凸状の遠位端１２５１９を有するドーム構造に成形するステップ１２１１２と、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物１２５０７を複数の１ＤＰ１２５１０の間の空間１２５２４に充填するステップ１２１１４と（充填された空間１２５２４は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰ１２５２０の対応する２ＤＰを提供する）、任意選択的に、複数の１ＤＰ１２５１０の上面の上の任意の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物１２５０７を複数の１ＤＰ１２５１０の上面と同じ高さにするステップ１２１１６と、硬化性のＤｋ組成物１２５０７を少なくとも部分的に硬化させて、複数の２ＤＰ１２５２０に囲まれた複数の１ＤＰ１２５１０の少なくとも１つのアレイの形態のＤｋ ＥＭ構造１２５００を得るステップ１２１１８とを含む。

【0119】

方法１２１００の一実施形態では、任意選択的に、成形するステップ１２１１２は、フォトレジスト１２５１８の硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、複数の１ＤＰ１２５１９にスタンピングフォーム（例えば、図１３Ｃを参照）を適用することにより成形するステップと、その後、ドーム形状を維持するために、成形された複数の１ＤＰ１２５１９を少なくとも部分的に硬化させるステップ１２１２０とを含む。

【0120】

方法１２１００の一実施形態では、基板１２５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、フォトレジスト１２５１２は、ポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１２１０９は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、非露出フォトレジスト１２５１４は、１２１１０においてエッチングによって除去され、少なくとも部分的に硬化させるステップ１２１１８は、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0121】

方法１２１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１２５０７は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法１２１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0122】

方法１２１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ１２５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0123】

方法１２１００の一実施形態では、各不透明カバー１２１５２は、ｘ－ｙ平面図で観察されるように、円形である外形を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0124】

第１３の例示的な実施形態：方法１３１００、スタンピングフォーム１３５００
スタンピングフォーム１３５００を製造する例示的な方法１３１００の以下の説明では、特に図１３Ａ、図１３Ｂ、および図１３Ｃがまとめて参照され、図１３Ａは、方法ステップ１３１０２、１３１０４を示し、図１３Ｂは、方法ステップ１３１０６、１３１０８、１３１１０を示し、図１３Ｃは、方法ステップ１３１１２、１３１１４、１３１１６、１３１１８、１３１２０、１３１２２、および１３１２４、ならびに結果的に製造されたスタンピングフォーム１３５００を示す。

【0125】

一実施形態では、例示的な方法１３１００は、Ｄｋ ＥＭ構造１２５００を製造する際に使用するためのスタンピングフォーム１３５００を製造するのに有用であり、より具体的には、複数の１ＤＰ１２５１０を凸状の遠位端１２５１９を有するドーム構造にするのに有用であり、方法１３１００は、金属層１３１５２を上面に有する基板１３１５０を提供するステップ１３１０２と（金属層１３１５２は基板１３１５０を覆っている）、金属層１３１５２の上にフォトレジスト１３１５４の層を配置して、金属層１３１５２を覆うステップ１３１０４と、フォトレジスト１３１５４の上にフォトマスク１３１５６を配置するステップ１３１０６と（フォトマスク１３１５６は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバー１３１５８を有し、それによって、不透明カバー１３１５８によって覆われた領域における非露出フォトレジスト１３１６０と、不透明カバー１３１５８によって覆われていない領域における露出されたフォトレジスト１３１６２とが設けられる）、少なくとも露出されたフォトレジスト１３１６２をＥＭ放射１３１０９に曝すステップ１３１０８と、金属層１３１５２から、ＥＭ放射１３１０９の曝露１３１０８を受けた露出されたフォトレジスト１３１６２を除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジスト１３１６４の複数の実質的に同一に構成された部分を形成するステップ１３１１０と、フォトレジスト１３１６４の硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、残りのフォトレジスト１３１６４の複数の実質的に同一に構成された部分の各々に対するシェーピングフォーム（例えば、図１５Ｂのスタンピングフォーム１５５００を参照）の適用により成形して、成形されたフォトレジスト１３１６６を形成するステップ１３１１２と、続いて、複数の実質的に同一に形成された形状１３１６６を維持するために、残りのフォトレジストの成形された複数の実質的に同一に構成された部分を少なくとも部分的に硬化させるステップ１３１１４と（一実施形態では、形成された形状１３１６６は、凸状の遠位端を有するドーム構造である）、実質的に同一に形成された形状１３１６６を有する残りのフォトレジストの全ての露出面に金属コーティング１３１６８を塗布するステップ１３１１６と、実質的に同一に形成された形状１３１６６の間の空間１３１７０を充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジストを、金属層１３１５２の上面に対して特定の厚さＨ７までスタンプ適性金属１３１７２で覆うステップ１３１１８と、金属層１３１５２の底部から基板１３１５０を除去するステップ１３１２０と、金属層１３１５２を除去するステップ１３１２２と、残りのフォトレジスト１３１６６を除去して、スタンピングフォーム１３５００を得るステップ１３１２４とを含む。

【0126】

方法１３１００の一実施形態では、基板１３１５０は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、フォトレジスト１３１５４は、ポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１３１０８は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、金属コーティング１３１６８は、金属蒸着により塗布され、スタンプ適性金属１３１７２は、ニッケルを含み、基板１３１５０は、エッチングまたは研削によって１３１２０が除去される。ここで、金属層１３１５２は、１３１２２において研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、露出されたフォトレジスト１３１６２および残りのフォトレジスト１３１６６は、エッチングによって除去される。

【0127】

第１４の例示的な実施形態：方法１４１００、Ｄｋ ＥＭ構造１４５００
Ｄｋ ＥＭ構造１４５００を製造する例示的な方法１４１００の以下の説明では、特に図１４Ａおよび図１４Ｂがまとめて参照され、図１４Ａは、方法ステップ１４１０２、１４１０４、１４１０６、および１４１０８を示し、図１４Ｂは、方法ステップ１４１１０、１４１１２、１４１１４、および１４１１６、ならびに結果的に製造されたＤｋ ＥＭ構造１４５００を示す。

【0128】

一実施形態では、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）１４５１０および複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）１４５２０を有するＤｋ ＥＭ構造１４５００を製造する例示的な方法１４１００は、基板１４５３０を提供するステップ１４１０２と、基板１４５３０の上にフォトレジスト１４５１２の層を配置するステップ１４１０４と、フォトレジスト１４５１２の上にグレースケールフォトマスク１４１５０を配置するステップ１４１０６と（グレースケールフォトマスク１４１５０は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバー１４１５２を有し、グレースケールフォトマスク１４１５０のカバー１４１５２は、部分的に半透明な外側領域１４１５６に向かって半径方向外向きに遷移する不透明な軸方向中央領域１４１５４を有し、それによって、不透明な中央領域１４１５４によって覆われた領域における実質的に非露出のフォトレジスト１４５１３と、部分的に半透明な領域１４１５６によって覆われた領域における部分的に露出されたフォトレジスト１４５１４と、カバー１４１５２によって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジスト１４５１５とが設けられる）、グレースケールフォトマスク１４１５０および完全に露出されたフォトレジスト１４５１５をＥＭ放射１４１０９に曝すステップ１４１０８と、ＥＭ放射１４１０９の曝露１４１０８を受けた部分的に露出されたフォトレジスト１４５１４および完全に露出されたフォトレジスト１４５１５を除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰ１４５１０を形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジスト１４５１６の複数の実質的に同一の形状の構造を形成するステップ１４１１０と（一実施形態では、形成された構造１４５１６は、凸状の遠位端を有するドーム構造である）、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物１４５０７を複数の１ＤＰ１４５１０の間の空間１４５２２に充填するステップ１４１１２と（充填された空間は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰ１４５２０の対応する２ＤＰを提供する）、任意選択的に、複数の１ＤＰ１４５１０の上面の上の任意の余剰分のＤｋ組成物１４５０７を除去して、Ｄｋ組成物１４５０７を複数の１ＤＰ１４５１０の上面と同じ高さにするステップ１４１１４と、硬化性のＤｋ組成物１４５０７を少なくとも部分的に硬化させて、基板１４５３０と、基板１４５３０上に配置された複数の２ＤＰ１４５２０によって取り囲まれた実質的に同一の形状の構造１４５１６を有する複数の１ＤＰ１４５１０の少なくとも１つのアレイとを有するアセンブリ１４５００を得るステップ１４１１６とを含む。一実施形態では、フォトレジスト１４５１２は、例えば、セラミックフィラーで充填されていないか、または充填されている比較的高いＤｋ材料（第１の平均誘電率）である。

【0129】

方法１４１００の一実施形態では、基板１４５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、フォトレジスト１４５１２は、ポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１４１０９は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、部分的に露出されたフォトレジスト１４５１４および完全に露出されたフォトレジスト１４５１５は、１４１１０においてエッチングによって除去され、少なくとも部分的に硬化させるステップ１４１１６は、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0130】

方法１４１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１４５０７は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法１４１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１４５０７は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0131】

方法１４１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ１４５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0132】

方法１４１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ１４５１０の各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のうちのいずれか１つを有する（例えば、図１６Ａ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0133】

第１５の例示的な実施形態：方法１５１００、スタンピングフォーム１５５００
スタンピングフォーム１５５００を製造する例示的な方法１５１００の以下の説明では、特に図１５Ａおよび図１５Ｂがまとめて参照され、図１５Ａは、方法ステップ１５１０２、１５１０４、１５１０６、および１５１０８を示し、図１５Ｂは、方法ステップ１５１１０、１５１１２、１５１１４、１５１１６、１５１１８、および１５１２０、ならびに結果的に製造されたスタンピングフォーム１５５００を示す。

【0134】

一実施形態では、例示的な方法１５１００は、Ｄｋ ＥＭ構造１２５００を製造する際に使用するためのスタンピングフォーム１５５００を製造するのに有用であり、方法１５１００は、金属層１５１５２を上面に有する基板１５１５０を提供するステップ１５１０２と（金属層１５１５２は基板１５１５０を覆っている）、金属層１５１５２の上にフォトレジスト１５１５４の層を配置して、金属層１５１５２を覆うステップ１５１０４と、フォトレジスト１５１５４の上にグレースケールフォトマスク１５１５６を配置するステップ１５１０６と（グレースケールフォトマスク１５１５６は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバー１５１５８を有し、グレースケールフォトマスク１５１５６のカバー１５１５８は、部分的に半透明の外側領域１５１６２に向かって半径方向外向きに遷移する不透明な軸方向中央領域１５１６０を有し、それによって、不透明な領域１５１６０によって覆われる領域における非露出フォトレジスト１５１６４と、部分的に半透明な領域１５１６２によって覆われる領域における部分的に露出されたフォトレジスト１５１６６と、およびカバー１５１５８によって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジスト１５１６８とが設けられる）、グレースケールフォトマスク１５１５６および完全に露出されたフォトレジスト１５１６８をＥＭ放射１５１０９に曝すステップ１５１０８と、ＥＭ放射１５１０９の曝露１５１０８を受けた部分的に露出されたフォトレジスト１５１６６および完全に露出されたフォトレジスト１５１６８を除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジスト１５１７２の複数の実質的に同一の形状の構造１５１７０を形成するステップ１５１１０と（一実施形態では、形成された構造１５１７０は、凸状の遠位端を有するドーム構造である）、実質的に同一の形状の構造１５１７０を有する残りのフォトレジスト１５１７２の全ての露出面に１５１１２に金属コーティング１５５０２を塗布するステップ１５１１２と、金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造１５５０４の間の空間１５１７４をスタンプ適性金属１５５０６で充填して、金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造１５５０４をスタンプ適性金属１５５０６で金属層１５１５２の上面に対して特定の厚さＨ７まで覆うステップ１５１１４と、金属層１５１５２の底部から基板１５１５０を除去するステップ１５１１６と、金属層１５１５２を除去するステップ１５１１８と、残りのフォトレジスト１５１７０を除去して、スタンピングフォーム１５５００を得るステップ１５１２０とを含む。

【0135】

方法１５１００の一実施形態では、基板１５１５０は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、フォトレジスト１５１５４はポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１５１０９は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、金属コーティング１５５０２は、金属蒸着により塗布され、スタンプ適性金属１５５０４は、ニッケルを含み、基板１５１５０は、エッチングまたは研削によって除去され、金属層１５１５２は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、露出されたフォトレジスト１５１６８および残りのフォトレジスト１５１７０は、エッチングによって除去される。

【0136】

方法１５１００の一実施形態では、複数の実質的に同一の形状の構造１５１７０、１５５０４の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0137】

方法１５１００の一実施形態では、複数の実質的に同一の形状の構造１５１７０、１５５０４の各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のうちのいずれか１つを有する（例えば、図１６Ａ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0138】

一般的なＤｋ ＥＭ構造
本明細書に開示される例示的なＤｋ ＥＭ構造を製造するための方法ステップの前述の説明から、第１および第２の型部分が本明細書に開示される場合、本明細書に開示されるか、または本明細書に開示された目的に適していると考えられる他の方法に加えて、射出成形法または圧縮成形法が使用され得ることが理解されるであろう。

【0139】

ここで、図１６Ａおよび図１６Ｂが参照される。本明細書で開示されている特定の実施形態は、円筒形またはドーム形の３Ｄ形状を有するＤｋ ＥＭ構造が描かれているが、これは図示および説明のみを目的としたものであり、本明細書に開示される任意のＤｋ ＥＭ構造は、本明細書に開示されている目的に適した任意の３Ｄ形状を有してもよく、また本明細書に開示されている目的に適したｘｙ平面断面で観察される任意の２Ｄ断面形状を有していてもよいことが理解されるであろう。限定ではなく例として、図１６Ａは、非限定的な３Ｄ形状として、ドーム形状１６０２、円錐形状１６０４、円錐台形形状１６０６、円筒形状１６０８、リング形状１６１０、同心リング形状１６１２、中央の穴または空洞１６１４を備えたシリンダーなどの任意の形状、互いに積み重ねられた任意の形状であって、例えば、単一または複数のスタンピング、エンボス加工、またはフォトリソグラフィープロセスを用いて、積み重ねられた円筒形状１６１６、積み重ねられた長方形形状１５１８、または本明細書に開示された目的に適した任意の他の形状または積み重ねられた形状に形成され得る、互いに積み重ねられた任意の形状を示している。限定ではなく例として、図１６Ｂは、非限定的な２Ｄｘ－ｙ平面断面形状として、円形形状１６５２，円筒形状１６５４、楕円形形状１６５６、長方形形状１６５８、正方形形状１６６０、三角形状１６６２、五角形形状１６６４、六角形形状１６６６、八角形形状１６６８、または本明細書に開示された目的に適した任意の形状を示している。

【0140】

本明細書に開示されたＤｋ ＥＭ構造の前述の全ての説明に加えて、また開示の完全性の観点から、本明細書に開示された目的のための信号供給として有用であり得る前述の基板１５０８、２５２６、６５０８、７５３０、８５０８、９５３０、１１５３０、１２５３０、および１４５３０は、Ｄｋ層または誘電体パネル、金属層または金属パネル、Ｄｋ層と金属層の組み合わせ、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、複数の１ＤＰまたはＤＲＡのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、複数のスロットを有する金属層であって、複数のスロットの各々が、対応する複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている金属層、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つの形態であり得る（本明細書では、前述の参照番号の対応する１つによっても表される）。特に図６Ｃに示される基板６５０８を参照すると、図示された基板６５０８は、関連する１ＤＰまたはＤＲＡを電磁的に励起するためのスロット付き開口の信号供給構造を有する２つの導電層の間に配置された誘電体媒体の積層構成を示していることが当業者によって認識されるであろう。

【0141】

Ｄｋ ＥＭ構造材料一般
本明細書に開示される任意の硬化性の組成物は、一般に、硬化性のポリマー成分および任意選択的に誘電性フィラーを含み、それぞれが、本明細書に開示された目的に一致する誘電定数と、１０ギガヘルツ（ＧＨｚ）、２３°Ｃで測定して０．０１未満、または０．００８以下の誘電損失（誘電正接（ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）とも呼ばれる）とを有する完全に硬化された材料を提供するように選択される。いくつかの態様では、誘電率は１０より大きく、または１５より大きく、例えば、１０～２５または１５～２５であり、誘電正接は、２３°Ｃで１０ＧＨｚの周波数において０．００７以下、または０．００６以下、または０．０００１～０．００７である。誘電正接は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０のＸバンドストリップライン法により、またはスプリット共振器法により測定することができる。

【0142】

硬化性の組成物は、放射線硬化型であっても、または熱硬化型であってもよい。いくつかの態様において、硬化性の組成物の成分は、少なくとも２つの異なる硬化メカニズム（例えば、照射および熱硬化）、または少なくとも２つの異なる硬化条件（例えば、低温硬化および高温硬化）を有するように選択される。硬化性の組成物の成分は、モノマー、プレポリマー、架橋剤などの共反応性（ｃｏ－ｒｅａｃｔｉｖｅ）成分、ならびに硬化剤（触媒、硬化促進剤、硬化プロモータなどを含む）を含むことができる。共反応性成分は、エポキシ基、イソシアネート基、活性水素含有基（ヒドロキシまたは一級アミノ基など）、エチレン性不飽和基（例えば、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリル基）などの共反応性基を含むことができる。特定の共反応性成分の例には、１，２－ポリブタジエン（ＰＢＤ）、オリブタジエン－ポリイソプレン共重合体、アリル化ポリフェニレンエーテル（例えば、ＯＰＥ－２ＳＴ１２００またはＯＰＥ－２ＳＴ２２００（三菱ガス化学株式会社から市販されている）またはＮＯＲＹＬ ＳＡ９０００（ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチックス社（Ｓａｂｉｃ Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）から市販されている））、シアネートエステル、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、１，２，４－トリビニルシクロヘキサン、トリメチロールプロパントリアクリレート、またはトリメチロールプロパントリメタクリレートなどが含まれる。

【0143】

一態様では、共反応性成分は、ブタジエン、イソプレン、またはそれらの組み合わせを、任意選択的に、他の共反応性モノマー、例えば、置換または非置換ビニル芳香族モノマー（例えば、スチレン、３－メチルスチレン、３，５－ジエチルスチレン、４－ｎ－プロピルスチレン、α－メチルスチレン、α－メチルビニルトルエン、パラヒドロキシスチレン、パラメトキシスチレン、α－クロロスチレン、α－ブロモスチレン、ジクロロスチレン、ジブロモスチレン、テトラクロロスチレンなど）、または置換または非置換のジビニル芳香族モノマー（ジビニルベンゼン、ジビニルトルエンなど）を含む。共反応性モノマーの組み合わせも使用することができる。これらのモノマーの重合から誘導される完全に硬化された組成物は、「熱硬化性ポリブタジエンまたはポリイソプレン」であり、本明細書で使用される場合、ブタジエンホモポリマー、イソプレンホモポリマー、およびブタジエン、イソプレン、またはそれらの組み合わせから誘導される単位からなるコポリマー、任意選択的に、ブタジエン－スチレンなどの共反応性モノマー、イソプレン－スチレンコポリマーなどのコポリマーを含む。組み合わせ、例えば、ポリブタジエンホモポリマーとポリ（ブタジエン－イソプレン）コポリマーの組み合わせも使用することができる。シンジオタクチックポリブタジエンを含む組み合わせも使用することができる。共反応性成分は、ブタジエンまたはイソプレンのエポキシ－、無水マレイン酸－、またはウレタン－修飾ポリマーまたはコポリマーなどのポスト反応（ｐｏｓｔ－ｒｅａｃｔｅｄ）ポリマーまたはポリマーを使用することができる。

【0144】

他の共反応性成分が、特定の特性または処理の変更のために存在する可能性がある。例えば、完全に硬化された誘電体の絶縁耐力および機械的特性の安定性を改善するために、低分子量エチレン－プロピレンエラストマー、すなわち、主にエチレンおよびプロピレンを含むコポリマー、ターポリマー、または他のポリマーが存在し得る。エチレン－プロピレンエラストマーは、ＥＰＭコポリマー（エチレンモノマーおよびプロピレンモノマーのコポリマー）およびＥＰＤＭターポリマー（エチレンモノマー、プロピレンモノマー、およびジエンモノマーのターポリマー）を含む。エチレン－プロピレンエラストマーの分子量は、１０，０００グラム／モル（ｇ／ｍｏｌ）未満の粘度平均分子量（Ｍｖ）、例えば、５，０００～８，０００ｇ／ｍｏｌＭｖとすることができる。エチレン－プロピレンエラストマーは、硬化性の組成物の総重量に対して最大２０重量％、例えば、４～２０重量％、または６～１２重量％（それぞれ硬化性の組成物の総重量に基づく）の量で硬化性の組成物中に存在してもよい。

【0145】

別の種類の共硬化性成分は、不飽和ポリブタジエンまたはポリイソプレン含有するエラストマーである。この成分は、主に１，３－付加ブタジエンまたはイソプレンと、エチレン性不飽和モノマー、例えば、スチレンまたはα－メチルスチレンなどのビニル芳香族化合物、メチルメタクリレートまたはアクリロニトリルなどの（メタ）アクリレートとのランダムまたはブロックコポリマーであり得る。エラストマーは、ポリブタジエンまたはポリイソプレンブロックと、スチレンまたはα－メチルスチレンなどのモノビニル芳香族モノマーから誘導され得る熱可塑性ブロックとを有する直鎖状またはグラフト型ブロックコポリマーを含む固体熱可塑性エラストマーであり得る。この種類のブロックコポリマーは、スチレン－ブタジエン－スチレントリブロックコポリマー（例えば、テキサス州ヒューストンのデクスコ・ポリマーズ社（Ｄｅｘｃｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）からＶＥＣＴＯＲ ８５０８Ｍ（商標）の商品名で入手可能なもの、テキサス州ヒューストンのエニケム・エラストマーズ・アメリカ社（Ｅｎｉｃｈｅｍ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｓ Ａｍｅｒｉｃａ）からＳＯＬ－Ｔ－６３０２（商標）の商品名で入手可能なもの、およびダイナソル・エラストマーズ社（Ｄｙｎａｓｏｌ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｓ）からＣＡＬＰＲＥＮＥ（商標）４０１の商品名で入手可能なもの）、ならびにスチレン－ブタジエンジブロックコポリマーおよびスチレンとブタジエンを含む混合トリブロックおよびジブロックコポリマー（例えば、クレイトン・ポリマーズ社（Ｋｒａｔｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）（テキサス州ヒューストン）からＫＲＡＴＯＮ（商標）Ｄ１１１８の商品名で入手可能なもの）を含む。ＫＲＡＴＯＮ（商標）Ｄ１１１８は、３３重量％のスチレンを含有する混合ジブロック／トリブロックスチレンおよびブタジエン含有コポリマーである。

【0146】

任意選択のポリブタジエンまたはポリイソプレン含有エラストマーは、ポリブタジエンまたはポリイソプレンブロックが水素化されることを除いて上記と同様の第２のブロックコポリマーをさらに含むことができ、それによりポリエチレンブロック（ポリブタジエンの場合）またはエチレン－プロピレンコポリマーブロック（ポリイソプレンの場合）を形成する。上記のコポリマーと組み合わせて使用すると、より強靭な材料を製造できる。この種類の例示的な第２のブロックコポリマーは、ＫＲＡＴＯＮ（商標）ＧＸ１８５５（クレイトン・ポリマーズ社から市販されており、スチレン－高１，２－ブタジエン－スチレンブロックコポリマーとスチレン－（エチレン－プロピレン）－スチレンブロックコポリマーの組み合わせであると考えられている）である。不飽和ポリブタジエンまたはポリイソプレン含有エラストマー成分は、誘電体材料の総重量に対して２～６０重量％、詳細には、５～５０重量％または１０～４０もしくは１０～５０重量％の量で硬化性の組成物中に存在していてもよい。特定の特性または処理の変更のために追加できるさらに他の共硬化性ポリマーには、限定されるものではないが、ポリエチレンおよびエチレンオキシドコポリマーなどのエチレンのホモポリマーまたはコポリマー、天然ゴム、ポリジシクロペンタジエンなどのノルボルネンポリマー、水素化スチレン－イソプレン－スチレンコポリマーおよびブタジエン－アクリロニトリルコポリマー、不飽和ポリエステルなど、が含まれる。これらのコポリマーのレベルは、一般に、硬化性の組成物中の全有機成分の５０重量％未満である。

【0147】

フリーラジカル硬化性モノマーも、例えば、硬化後の系の架橋密度を高めるために、特定の特性または処理の変更のために追加することができる。適切な架橋剤となり得る例示的なモノマーには、ジビニルベンゼン、トリアリルシアヌレート、ジアリルフタレート、または多官能性アクリレートモノマー（例えば、サルトマーＵＳＡ社（Ｓａｒｔｏｍｅｒ ＵＳＡ）、ペンシルベニア州 ニュータウンスクエア（Ｎｅｗｔｏｗｎ Ｓｑｕａｒｅ）から入手可能なＳＡＲＴＯＭＥＲ（商標）ポリマー）などの、ジ、トリ、またはより高次のエチレン性不飽和モノマーが含まれ、それらのすべては市販されている。架橋剤は、使用される場合、誘電体組成物の総重量に基づいて、最大２０重量％、または１～１５重量％の量で硬化性成分中に存在していてもよい。

【0148】

硬化剤を誘電体組成物に添加して、オレフィン反応性部位を有するポリエンの硬化反応を促進することができる。硬化剤は、有機過酸化物、例えば、過酸化ジクミル、ｔ－ブチルパーベンゾエート、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、α，α－ジ－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキシン－３、またはこれらのうちの少なくとも１つを含む組み合わせ、を含み得る。炭素－炭素開始剤、例えば、２，３－ジメチル－２，３ジフェニルブタンを使用することができる。硬化剤または開始剤は、単独で、または組み合わせて使用できる。硬化剤の量は、誘電体組成物中のポリマーの総重量に基づいて、１．５～１０重量％であり得る。

【0149】

いくつかの態様において、ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーは、カルボキシ官能化されている。官能化は、（ｉ）炭素－炭素二重結合または炭素－炭素三重結合、および（ｉｉ）カルボン酸、無水物、アミド、エステルまたは酸ハロゲン化物を含む少なくとも１つのカルボキシ基、の両方を分子内に有する多官能性化合物を使用して達成することができる。特定のカルボキシ基は、カルボン酸またはエステルである。カルボン酸官能基を提供することができる多官能性化合物の例としては、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、またはクエン酸のうちの少なくとも１つが含まれる。特に、無水マレイン酸が付加されたポリブタジエンを熱硬化性組成物に使用することができる。適切なマレイン化ポリブタジエンポリマーは、例えば、クレイバレー社（Ｃｒａｙ Ｖａｌｌｅｙ）から、またはＲＩＣＯＮの商品名でサルトマー社（Ｓａｒｔｏｍｅｒ）から市販されている。

【0150】

硬化性の組成物は、誘電定数、誘電正接、または熱膨張係数のうちの少なくとも１つを調整するために選択することができる粒子状誘電体材料（フィラー組成物）を含むことができる。フィラー組成物は、少なくとも１つの誘電体フィラー、例えば、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成ガラスまたはセラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、または水酸化マグネシウムの少なくとも１つを含み得る。誘電体フィラーは、粒子状物質、繊維、またはウィスカーのうちの少なくとも１つであり得る。

【0151】

フィラー組成物は、マルチモーダル粒子サイズ分布を有することができ、マルチモーダル粒子サイズ分布の第１のモードのピークは、マルチモーダル粒子サイズ分布の第２のモードのピークの少なくとも７倍である。マルチモーダル粒子サイズ分布は、例えば、バイモーダル、トリモーダル、またはクアドラモーダルとすることができる。存在する場合、完全に硬化された誘電体材料は、硬化性の組成物の総体積を基準にして、１～８０体積パーセント（ｖｏｌ％）、または１０～７０ｖｏｌ％、または２０～６０ｖｏｌ％、または４０～６０ｖｏｌ％の誘電体フィラーを含むことができる。

【0152】

任意選択的に、誘電体フィラーは、カップリング剤、例えば、有機官能性アルコキシシランカップリング剤、ジルコネートカップリング剤、またはチタネートカップリング剤で表面処理することができる。そのようなカップリング剤は、硬化性の組成物中の誘電体フィラーの分散を改善することができるか、または完全に硬化された組成物の吸水を低減することができる。

【0153】

硬化性の組成物は、難燃性化合物または粒子状フィラー（例えば、難燃性リン含有化合物、難燃性臭素含有化合物）、アルミナ、マグネシア、水酸化マグネシウム、アンチモン含有化合物などをさらに含むことができる。

【0154】

本明細書に開示される高温ポリマーは、一般的に、２００℃以上、好ましくは、２２０℃以上、より好ましくは、２５０℃以上の熱分解温度を有する材料である。特に上限はないが、４００°Ｃが実用的な上限であり得る。そのようなポリマーは、一般的に、芳香族基、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ：ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、芳香族ポリイミド、芳香族ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ：ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリアリルエーテルケトン（ＰＡＥＫ：ｐｏｌｙａｒｙｌｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒ ｋｅｔｏｎｅ）、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅｋｅｔｏｎｅ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニレンスルホン（ＰＰＳＵ：ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニレンスルホンウレア、自己強化型ポリフェニレン（ＳＲＰ：ｓｅｌｆ－ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）などを有する。異なるポリマーの組み合わせを使用することができる。一態様では、高温ポリマーはＬＣＰである。ＬＣＰは熱可塑性樹脂とすることができるが、官能化によって、またはエポキシなどの熱硬化性樹脂との配合によって熱硬化性樹脂として使用することもできる。市販のＬＣＰの例には、ティコナ社（Ｔｉｃｏｎａ）、ケンタッキー州フローレンスから市販されているＶＥＣＴＲＡ（登録商標）、アモコポリマーズ社（Ａｍｏｃｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）から市販されているＸＹＤＡＲ（登録商標）、ダウ・デュポン社（Ｄｏｗ ＤｕＰｏｎｔ）、デラウェア州ウィルミントンから市販されているＺＥＮＩＴＥ（登録商標）、及びＲＴＰカンパニー（ＲＴＰ Ｃｏ．）から市販されている例えばＲＴＰ－３４００シリーズのＬＣＰなどＺが含まれる。

【0155】

本明細書に開示または記載されている任意の接着剤、接着（ａｄｈｅｒｉｎｇ）、または接着剤層について、接着剤層は、所望の特性に基づいて選択することができ、例えば、低融点を有する熱硬化性ポリマーまたは２つの誘電体層を結合するか、または導電層から誘電体層に結合するための他の組成物とすることができる。接着剤層は、ポリ（アリーレンエーテル）、カルボキシ官能化ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマー（ブタジエン、イソプレン、またはブタジエンおよびイソプレン単位、および０～５０重量％以下の共硬化性モノマー単位を含む）を含んでいてもよい。接着剤層の接着剤組成物は、誘電体組成物とは異なってもよい。接着剤層は、１平方メートルあたり２～１５グラムの量で存在することができる。ポリ（アリーレンエーテル）は、カルボキシ官能化ポリ（アリーレンエーテル）を含むことができる。ポリ（アリーレンエーテル）は、ポリ（アリーレンエーテル）と環状無水物との反応生成物、またはポリ（アリーレンエーテル）と無水マレイン酸との反応生成物であり得る。カルボキシ官能化ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーは、カルボキシ官能化ブタジエン－スチレンコポリマーであり得る。カルボキシ官能化ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーは、ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーと環状無水物との反応生成物であり得る。カルボキシ官能化ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーは、マレイン化ポリブタジエン－スチレンまたはマレイン化ポリイソプレン－スチレンコポリマーであり得る。

【0156】

接着剤層は、接着剤層の誘電率を調整するための誘電体フィラー（例えば、セラミック粒子）を含むことができる。例えば、接着剤層の誘電率を調整して、電磁デバイス（例えば、ＤＲＡデバイス）の性能を向上させるか、またはそれ以外に修正することができる。

【0157】

個々の特徴および／またはプロセスの特定の組み合わせが本明細書で説明および図示されているが、特徴および／またはプロセスのこれらの特定の組み合わせは例示のみを目的としており、そのような個々の特徴および／またはプロセスのいずれかの任意の組み合わせが、そのような組み合わせが明示的に示されているか、および本明細書の開示と一致しているかどうかにかかわらず、一実施形態に従って採用することができる。本明細書に開示されるような特徴および／またはプロセスの任意の全てのそのような組み合わせは、本明細書において企図されており、本出願を全体として考慮したときに当業者の理解の範囲内であると見なされ、当業者によって理解されるような方法で、添付の特許請求の範囲内であると見なされる。

【0158】

本明細書では、例示的な実施形態を参照して発明を記載したが、特許請求の範囲から逸脱することなく、様々な変更を加えることができ、その構成要素を均等物に置き換えることができることを当業者には理解されるであろう。本発明の本質的な範囲から逸脱することなく、特定の状況または材料を本発明の教示に適合させるために、多くの変更を加えることができる。従って、本発明は、本発明を実施するために企図された最良のまたは唯一の態様として本明細書に開示された特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明は、添付の特許請求の範囲に含まれる全ての実施形態を含むことが意図されている。図面および説明では、例示的な実施形態が開示されており、特定の用語および／または寸法が使用されている場合があるが、これらは、特に明記しない限り、一般的、例示的、および／または説明的な意味でのみ使用されており、限定を目的としたものではないので、特許請求の範囲は、そのように限定されない。ある要素が別の要素の「上」にあるという場合、その要素は他の要素の上に直接存在するか、または介在する要素が存在することもある。対照的に、ある要素が別の要素の「上に直接ある」という場合、そこには介在する要素は存在しない。第１、第２などの用語の使用は、順序または重要性を示すものではなく、第１、第２などの用語は、ある要素を別の要素と区別するために使用されている。ａ、ａｎなどの用語の使用は、数量の制限を示すものではなく、参照される項目の少なくとも１つの存在を示す。本明細書で使用されている「備える」という用語は、１つまたは複数の追加の特徴を含む可能性を排除するものではない。そして、本明細書で提供される背景情報は、本明細書で開示される発明に関連する可能性があると出願人が考える情報を明らかにするために提供されるものである。そのような背景情報のいずれかが、本明細書に開示された本発明の実施形態に対する先行技術を構成することは、必ずしも意図されておらず、またそのように解釈されるべきでもない。

【0159】

前述の全てを考慮すると、少なくとも以下の態様および態様の組み合わせに従うが、それらに限定されない構造の様々な態様が本明細書に開示されていることが理解されるであろう。

【0160】

態様１：一実施形態は、誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法を含み、この方法は、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を含む第１の型部分を提供するステップと、第１の複数の凹部を完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物で充填するステップと、第１のＤｋ組成物で充填された第１の複数の凹部の複数の凹部の上およびそれらを横断して基板を配置するステップと、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を備える基板を第１の型部分から除去して、基板と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを得るステップとを含み、複数のＤｋ構造の各々は、第１の複数の凹部のうちの対応する凹部によって画定された三次元（３Ｄ）形状を有する。

【0161】

態様２：態様１の方法は、第１のＤｋ組成物で充填された第１の複数の凹部の複数の凹部の上にそれらを横断して基板を配置した後で、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を有する基板を第１の型から除去する前に、基板の上に第２の型部分を配置するステップと、第２の型部分を第１の型部分に向かってプレスして、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、第１の型部分に対して第２の型部分を分離するステップとをさらに含む。

【0162】

態様３：態様１または２の方法は、Ｄｋ層、金属層、Ｄｋ層と金属層の組み合わせ、複数のスロットを有する金属層であって、複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている金属層、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークを含む。

【0163】

態様４：態様１または２の方法は、第１の型部分を提供するステップの前に、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第２の複数の凹部を含む第１の先行型部分を提供するステップと、第２の複数の凹部の各々の１つは、第１の複数の凹部の対応する１つよりも大きく、第２の複数の凹部を、第１の平均誘電率よりも小さく、かつ完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第２の平均誘電率を有する硬化性の第２のＤｋ組成物で充填するステップと、第１の先行型部分の上に第２の先行型部分を配置ステップと、第２の先行型部分は、アレイ状に配置され、かつ第２の複数の凹部の各々と１対１で対応する複数の開口を有し、第２の先行型部分の上に第３の先行型部分を配置するステップと、第３の先行型部分は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一の突起を有し、各々が実質的に同一の突起は、第２の先行型部分の開口の対応する開口に挿入され、かつ第２の複数の凹部の対応する開口に挿入され、それによって、第２の複数の凹部の各々内の第２のＤｋ材料を、所与の突起の体積に等しい体積だけ変位させ、第３の先行型部分を第２の先行型部分に向かってプレスして、硬化性の第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、第２の先行型部分に対して第３の先行型部分を分離して、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物を有する型構造を第２のＤｋ組成物内に生成するステップとを含み、型構造は、第１の型部分を提供するのに役立ち、かつアレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を有する第１の型部分を提供するステップを確立し、除去するステップは、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物および少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物を有する基板を第１の型部分から除去して、基板と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物および少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物の対応するアレイを含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを得るステップを含み、複数のＤｋ構造の各々は、第１の複数の凹部および第２の複数の凹部のうちの対応する凹部によって画定された３Ｄ形状を有する。

【0164】

態様５：態様１または２の方法において、複数のＤｋ構造は、基板上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）を含む。
態様６：態様４の方法において、複数のＤｋ構造は、基板上に配置された第１のＤｋ組成物を含む複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）と、複数のＤＲＡとの１対１で対応して配置された第２のＤｋ組成物を含む複数の誘電体レンズまたは誘電体導波路とを含む。

【0165】

態様７：態様１の方法において、第１の型部分は、第１の複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルを含み、複数の比較的薄い接続チャネルは、第１の複数の凹部を第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物で充填するステップ中に充填され、それにより、基板と複数のＤｋ構造とを含むアセンブリが複数のＤｋ構造の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造とともに得られ、比較的薄い接続構造は少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を含み、比較的薄い接続構造および充填された第１の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する。

【0166】

態様８：態様４の方法において、第２の先行型部分は、第２の複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルを含み、複数の比較的薄い接続チャネルは、第２の複数の凹部の各々の凹部内の第２のＤｋ材料を所与の突起の体積に等しい体積だけ変位させるステップ中に充填され、それにより、基板および複数のＤｋ構造を含むアセンブリが、複数のＤｋ構造の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造とともに得られ、比較的薄い接続構造は、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物を含み、比較的薄い接続構造および充填された第２の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する。

【0167】

態様９：態様１乃至８のいずれか１つの方法において、第１の複数の凹部を充填するステップ、第２の複数の凹部を充填するステップ、または第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、流動性形態の個々の硬化性Ｄｋ組成物を対応する凹部にスクイージングすることをさらに含む。

【0168】

態様１０：態様１乃至８のいずれか１つの方法において、第１の複数の凹部を充填するステップ、第２の複数の凹部を充填するステップ、または第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、個々の硬化性のＤｋ組成物の流動性形態の誘電体フィルムを対応する凹部にインプリンティングすることをさらに含む。

【0169】

態様１１：態様１乃至１０のいずれか１つの方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップ、硬化性の第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップ、または硬化性の第１のＤｋ組成物と硬化性の第２のＤｋ組成物の両方を少なくとも部分的に硬化させるステップは、個々の硬化性のＤｋ組成物を、約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0170】

態様１２：態様１乃至１１のいずれか１つの方法において、第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上であり、かつ１００以下である。

【0171】

態様１３：態様１乃至１２のいずれか１つの方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に硬化剤を含む。

【0172】

態様１４：態様１３の方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、中実ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む。

【0173】

態様１５：態様１乃至１４のいずれか１つの方法において、３Ｄ形状は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。
態様１６：態様１または２の方法は、第１の型部分を提供するステップの前に、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第２の複数の凹部を含む第１の先行型部分を提供するステップと、第２の複数の凹部の各々の１つは、第１の複数の凹部の対応する１つよりも大きく、第２の複数の凹部を、第１の平均誘電率よりも小さく、かつ完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第２の平均誘電率を有する硬化性の第２のＤｋ組成物で充填するステップと、第１の先行型部分の上に第２の先行型部分を配置するステップと、第２の先行型部分は、アレイ状に配置され、かつ第２の複数の凹部の各々と１対１で対応する複数の開口を有し、基板と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを第２の先行型部分の上に配置するステップと、アセンブリは、第２の先行型部分の開口の対応する開口に挿入されかつ、第２の複数の凹部の対応する凹部に挿入される複数のＤｋ構造を有し、それによって、第２の複数の凹部の各々内の第２のＤｋ材料を、所与のＤｋ構造の体積に等しい体積だけ変位させ、アセンブリを第２の先行型部分に向かってプレスして、硬化性の第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物および少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物を有する基板を第１の型部分から分離および除去して、基板と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物のアレイおよび少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物の対応するアレイ含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを得るステップとを含み、複数のＤｋ構造の各々は、第１の複数の凹部および第２の複数の凹部のうちの対応する凹部によって画定された３Ｄ形状を有する。

【0174】

態様１７：態様１６の方法において、基板は、Ｄｋ層、金属層、Ｄｋ層と金属層の組み合わせ、複数のスロットを有する金属層であって、複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている金属層、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークを含む。

【0175】

態様１８：態様１６または１７の方法において、複数のＤｋ構造は、基板上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）を含む。
態様１９：態様１６または１７の方法において、複数のＤｋ構造は、基板上に配置された第１のＤｋ組成物を含む複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）と、複数のＤＲＡと１対１で対応して配置された第２のＤｋ組成物を含む複数の誘電体レンズまたは誘電体導波路とを含む。

【0176】

態様２０：態様１６乃至１９のいずれか１つの方法において、第２の先行型部分は、第２の複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルを含み、複数の比較的薄い接続チャネルは、第２の複数の凹部の各々の凹部内の第２のＤｋ材料を所与のＤｋ構造の体積に等しい体積だけ変位させるステップ中に充填され、それにより、基板および複数のＤｋ構造を含むアセンブリが、複数のＤｋ構造の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造とともに得られ、比較的薄い接続構造は、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物を含み、比較的薄い接続構造および充填された第２の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する。

【0177】

態様１０１：１つまたは複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）を有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法は、アレイ状に配置され、複数の１ＤＰを形成するように構成された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を含む第１の型部分を提供するステップと、第１の型部分は、複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルをさらに含み、第１の複数の凹部および比較的薄い接続チャネルを、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物で充填するステップと、第１の型部分の上に第２の型部分を、硬化性のＤｋ組成物が間に配置された状態で配置するステップと、第２の型部分を第１の型部分に向かってプレスして、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、第１の型部分に対して第２の型部分を分離するステップと、第１の型部分から少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物を除去して、少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物を含む少なくとも１つのＤｋ構造を得るステップとを含み、少なくとも１つのＤｋ構造の各々は、第１の複数の凹部および相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルによって画定された三次元（３Ｄ）形状を有し、第１の複数の凹部によって画定された３Ｄ形状は、ＥＭ構造における複数の１ＤＰを提供する。

【0178】

態様１０２：態様１０１の方法において、第２の型部分は、少なくとも１つのＤｋ構造に位置合わせ機構を提供するために配置された少なくとも１つの凹部を含み、第２の型部分を第１の型部分に向かってプレスするステップは、硬化性のＤｋ組成物の一部を少なくとも１つの凹部内に変位させることをさらに含む。

【0179】

態様１０３：態様１０１の方法において、第１の型部分は、少なくとも１つのＤｋ構造に位置合わせ機構を提供するために配置された少なくとも１つの第１の突起をさらに含み、第２の型部分を第１の型部分に向かってプレスするステップは、、硬化性のＤｋ組成物の一部を少なくとも１つの第１の突起の周りに変位させることをさらに含む。

【0180】

態様１０４：態様１０１乃至１０３のいずれか１つの方法において、第１の型部分および第２の型部分のうちの少なくとも１つは、セグメント化されたセットのパネルをアレイの形態で提供するために、複数の凹部のサブセットの周りのセグメント化突起を含み、第２の型部分を第１の型部分に向かってプレスするステップは、硬化性のＤｋ組成物の一部を、セグメント化突起の近接領域で第１の型部分と第２の型部分との間の対面接触から離れるように変位させることをさらに含む。

【0181】

態様１０５：態様１０１乃至１０４のいずれか１つの方法において、少なくとも１つのＤｋ構造における所与の１ＤＰに対してＤｋアイソレータを提供するために、第１の型部分は、第２の複数の凹部をさらに含み、第２の複数の凹部の各々の１つは、第１の複数の凹部の１つと１対１で対応して配置され、かつ第１の複数の凹部の対応する凹部を実質的に取り囲む。

【0182】

態様１０６：態様１０５の方法において、少なくとも１つのＤｋ構造における所与の１ＤＰに対して強化されたＤｋアイソレータを提供するために、第１の型部分は、第２の複数の凹部の１つと１対１で対応して配置された複数の第２の突起をさらに含み、各第２の突起は、第２の複数の凹部の対応する凹部内に中央に配置され、かつ第１の複数の凹部の対応する凹部を実質的に取り囲む。

【0183】

態様１０７：態様１０５の方法において、少なくとも１つのＤｋ構造における所与の１ＤＰに対して強化されたＤｋアイソレータを提供するために、第２の型部分は、第１の型部分の第２の複数の凹部の１つと１対１で対応して配置された複数の第３の突起をさらに含み、各第３の突起は、第１の型部分の第２の複数の凹部の対応する凹部内に中央に配置され、かつ第１の型部分の第１の複数の凹部の対応する凹部を実質的に取り囲む。

【0184】

態様１０８：態様１０１乃至１０７のいずれか１つの方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、加熱することを含む。

【0185】

態様１０９：態様１０１乃至１０８のいずれか１つの方法は、少なくとも１つのＤｋ構造を完全に硬化させるステップと、少なくとも１つのＤｋ構造の背面に接着剤を塗布するステップとをさらに含む。

【0186】

態様１１０：態様１０１乃至１０９のいずれか１つの方法においえｔ、平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。
態様１１１：態様１０１乃至１１０のいずれか１つの方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む。

【0187】

態様１１２：態様１１１の方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、中実ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む。

【0188】

態様１１３：態様１０１乃至１１２のいずれか１つの方法において、複数の１ＤＰの各１ＤＰは、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。
態様１１４：態様１０２乃至１１３のいずれか１つの方法は、基板を提供し、少なくとも１つのＤｋ構造を基板上に配置するステップをさらに含む。
態様１１５：態様１１４の方法において、基板は、Ｄｋ層、金属層、Ｄｋ層と金属層の組み合わせ、複数のスロットを有する金属層であって、複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている金属層、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークを含む。

【0189】

態様１１６：態様１１４乃至１１５のいずれか１つの方法において、少なくとも１つのＤｋ構造を基板上に配置するステップは、位置合わせ機構を基板上の対応する受承機構と位置合わせし、少なくとも１つのＤｋ構造を基板に接着することをさらに含む。
態様２０１：誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法は、Ｄｋ材料のシートを提供するステップと、シートにアレイ状に配置された各々が実質的に同一の複数の凹部を形成するステップと、シートの非凹部部分は、複数の凹部の個々の凹部間の接続構造を形成し、複数の凹部を、完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物で充填するステップと、Ｄｋ材料のシートは、第１の平均誘電率とは異なる第２の平均誘電率を有し、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップとを含む。

【0190】

態様２０２：態様２０１の方法であって、第２の平均誘電率は第１の平均誘電率よりも小さい。
態様２０３：態様２０１または２０２の方法は、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップに続いて、シートを個々のタイルに切断するステップをさらに含み、各タイルは、内部に少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物を有する複数の凹部のサブセットのアレイを含み、凹部間には接続構造の一部が配置されている。

【0191】

態様２０４：態様２０１乃至２０３のいずれか１つの方法において、形成するステップは、複数の凹部をストップダウン方式でタンピングまたはインプリンティングすることを含む。

【0192】

態様２０５：態様２０１乃至２０３のいずれか１つの方法において、形成するステップは、複数の凹部をボトムアップ方式でエンボス加工することを含む。
態様２０６：態様２０１乃至２０５のいずれか１つの方法において、充填するステップは、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を複数の凹部に注入およびスクイージングすることを含む。
態様２０７：態様２０１乃至２０６の方法において、形成するステップは、シートの第１の側から、シート内に、各々が実質的に同一の複数の凹部を形成することをさらに含み、複数の凹部の各々は、深さＨ５を有し、さらに、シートの第２の反対側から、複数の凹部と１対１で対応する複数の窪みを形成するステップを含み、複数の窪みの各々は、深さＨ６を有し、Ｈ６は、Ｈ５以下である。

【0193】

態様２０８：態様２０７の方法において、複数の窪みの各々が、複数の凹部の各対応する１つの凹部に周囲の側壁を備えたブラインドポケットを形成する。
態様２０９：態様２０７乃至２０８のいずれか１つの方法において、複数の窪みの各々は、複数の凹部のうちの対応する凹部に対して中央に配置されている。

【0194】

態様２１０：態様２０１乃至２０９のいずれか１つの方法において、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップは、Ｄｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0195】

態様２１１：態様２０１乃至２１０のいずれか１つの方法において、提供するステップは、Ｄｋ材料のシートを平坦な形態で提供することを含み、充填するステップは、平坦な形態のシートの複数の凹部を一度に１つまたは複数の凹部を充填することを含む。

【0196】

態様２１２：態様２０１乃至２１０のいずれか１つの方法において、提供するステップは、ロール上にＤｋ材料のシートを提供するステップと、次の形成するステップのためにＤｋ材料のシートを展開するステップとを含む。

【0197】

態様２１３：態様２１２の方法は、Ｄｋ材料のロールの下流にパターンローラおよび対向する圧縮ローラを提供するステップと、パターンローラの下流にＤｋ組成物のディスペンサユニットを提供するステップと、ディスペンサユニットの下流に硬化ユニットを提供するステップと、硬化ユニットの下流に仕上げローラを提供するステップとをさらに含む。

【0198】

態様２１４：態様２１３の方法は、パターンローラの下流、かつディスペンサユニットの上流に第１の張力ローラを提供するステップと、第１の張力ローラの下流、かつ硬化ユニットの上流に第２の張力ローラを提供するステップとをさらに含む。

【0199】

態様２１５：態様２１０の方法は、第２の張力ローラと協働するように、かつ第２の張力ローラと対向して配置されたスキージユニットを提供するステップをさらに含む。
態様２１６：態様２１３乃至２１５のいずれか１つの方法は、Ｄｋ材料のロールからＤｋ材料のシートを展開するステップと、パターンローラと対向する圧縮ローラとの間にＤｋ材料の展開されたシートを通過させるステップと、ここで、シートにアレイ状に配置された実質的に同一の複数の凹部を形成するステップが発生して、パターン化されたシートが得られ、パターン化されたシートをディスペンサユニットに近接して通過させるステップと、ここで、複数の凹部を硬化性のＤｋ組成物で充填するステップが発生して、充填されたパターン化されたシートが得られ、充填されたパターン化されたシートを硬化ユニットに近接して通過させるステップと、ここで、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップが発生して、少なくとも部分的に硬化されたシートが得られ、少なくとも部分的に硬化されたシートをその後の処理のために仕上げローラに送給するステップとをさらに含む。

【0200】

態様２１７：態様２１６の方法は、パターン化されたシートをディスペンサユニットに近接して通過させる前に、パターン化されたシートを第１の張力ローラと係合させるステップと、充填されたパターン化されたシートを硬化ユニットに近接して通過させる前に、充填されたパターン化されたシートを第２の張力ローラと係合させるステップとをさらに含む。

【0201】

態様２１８：態様２１７の方法は、充填されたパターン化されたシートを硬化ユニットに近接して通過させる前に、充填されたパターン化されたシートをスキージユニットおよび対向する第２の張力ローラに係合させて、充填され、かつスクイージングされたパターン化されたシートを得るステップをさらに含む。

【0202】

態様２１９：態様２０１乃至２１８のいずれか１つの方法において、第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。

【0203】

態様２２０：態様２０１乃至２１９のいずれか１つの方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む。

【0204】

態様２２１：態様２２０の方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、中実ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む。

【0205】

態様２２２：態様２０１乃至２２１のいずれか１つの方法において、複数の凹部の各凹部は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する。
態様３０１：誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造は、第１の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を含む少なくとも１つのＤｋ構成要素と、少なくとも１つのＤｋ構成要素の露出面の少なくとも一部の上に共形的に配置された、水不透過性層、水バリア層、または撥水性層とを備える。

【0206】

態様３０２：態様３０１のＤｋ ＥＭ構造において、水不透過性層、水バリア層、または撥水性層は、少なくとも１つのＤｋ構成要素の少なくとも露出した上面および側面の上に共形的に配置されている。

【0207】

態様３０３：態様３０１または３０２のＤｋ ＥＭ構造において、水不透過性層、水バリア層、または撥水性層は、少なくとも１つのＤｋ構成要素の全ての露出された面上に共形的に配置されている。

【0208】

態様３０４：態様３０１乃至３０３のいずれか１つのＤｋ ＥＭ構造において、水不透過性層、水バリア層、または撥水性層は、３０ミクロン以下であり、代替的には、１０ミクロン以下であり、代替的には３ミクロン以下であり、代替的には、１ミクロン以下である。

【0209】

態様３０５：態様３０１乃至３０４のいずれか１つのＤｋ ＥＭ構造において、少なくとも１つのＤｋ構成要素は、Ｄｋ構成要素のアレイを形成するｘ×ｙ配置に配置された複数のＤｋ構成要素を含む。

【0210】

態様３０６：態様３０５のＤｋ ＥＭ構造において、複数のＤｋ構成要素の各々は、比較的薄い接続構造を介して複数のＤｋ構成要素の少なくとも１つの他のＤｋ構成要素に物理的に接続されており、各接続構造は、複数のＤｋ構成要素のうちの１つの全体的な外寸と比較して比較的薄く、各接続構造は、個々の接続されたＤｋ構成要素の全体の高さよりも低い断面の全体の高さを有し、かつＤｋ構成要素のＤｋ材料から形成されており、各比較的薄い接続構造および複数のＤｋ構成要素は、単一のモノリシックを形成する。

【0211】

態様３０７：態様３０６のＤｋ ＥＭ構造において、比較的薄い接続構造は、モノリシックと一体的に形成された少なくとも１つの位置合わせ機構を含む。
態様３０８：態様３０７のＤｋ ＥＭ構造において、少なくとも１つの位置合わせ機構は、突起、凹部、穴、または前述の位置合わせ機構の任意の組み合わせを含む、Ｄｋ ＥＭ構造。

【0212】

態様３０９：態様３０５乃至３０８のいずれか１つのＤｋ ＥＭ構造において、Ｄｋ構成要素のアレイは、複数のＤｋ構成要素の各１つと１対１の対応で配置された複数のＤｋアイソレータを含み、各Ｄｋアイソレータは、複数のＤｋ構成要素のうちの対応する１つを実質的に取り囲んで配置されている。

【0213】

態様３１０：態様３０９のＤｋ ＥＭ構造において、複数のＤｋアイソレータの各々は、複数のＤｋ構成要素の高さＨ１以下の高さＨ２を有する。
態様３１１：態様３０９または３１０のＤｋ ＥＭ構造において、Ｄｋアイソレータの各々は、中空の内部部分を含む。

【0214】

態様３１２：態様３１１のＤｋ ＥＭ構造において、中空の内部部分は上部が開放されているか、または下部が開放されている。
態様３１３。態様３０９乃至３１２のいずれか１つのＤｋ ＥＭ構造において、複数のＤｋアイソレータは、複数のＤｋ構成要素と一体的に形成されて、モノリシックを形成する。

【0215】

態様３１４：態様３０５乃至３１３のいずれか１つのＤｋ ＥＭ構造において、少なくとも１つのＤｋ構成要素の各々は、第１の誘電体部分（１ＤＰ）を含むとともに、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）をさらに含み、複数の２ＤＰの各２ＤＰは、第２の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を含み、各１ＤＰは、近位端および遠位端を有し、各２ＤＰは、近位端および遠位端を有し、所与の２ＤＰの近位端は、対応する１ＤＰの遠位端に近接して配置され、所与の２ＤＰの遠位端は、対応する１ＤＰの遠位端から規定された距離だけ離間して配置され、第２の平均誘電率は、第１の平均誘電率よりも小さい。

【0216】

態様３１５：態様３１４のＤｋ ＥＭ構造において、各２ＤＰは、隣接する１つの２ＤＰと一体的に形成されて、２ＤＰのモノリシックを形成する。
態様３１６：態様３０１乃至３１５のいずれか１つのＤｋ ＥＭ構造において、第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。

【0217】

態様３１７：少なくとも１つのＤｋ構成要素の各々は、高さＨ１を有する第１の誘電体部分１ＤＰを含むとともに、第２の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を有する、高さＨ３を有する第２の誘電体部分２ＤＰをさらに含み、２ＤＰは、複数の凹部を含み、複数の凹部の各凹部は、１ＤＰの対応する１つで充填され、２ＤＰは各１ＤＰを実質的に取り囲み、第２の平均誘電率は、第１の平均誘電率よりも小さい。

【0218】

態様３１８：態様３１７のＤｋ ＥＭ構造において、Ｈ１はＨ３と等しい。
態様３１９：態様３１７のＤｋ ＥＭ構造において、２ＤＰは、１ＤＰの各々の下にある比較的薄い接続構造を含み、２ＤＰおよび比較的薄い接続構造はモノリシックを形成し、Ｈ１は、Ｈ３よりも小さい。

【0219】

態様３２０：態様３０５乃至３１９のいずれか１つのＤｋ ＥＭ構造において、水不透過性層、水バリア層、または撥水性層は、アレイの全ての露出された面上に共形的に配置されている。

【0220】

態様３２１：態様３０１乃至３２０のいずれか１つのＤｋ ＥＭ構造において、第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。

【0221】

態様３２２：態様３０１乃至３２１のいずれか１つの方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む。

【0222】

態様３２３：態様３２２の方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、中実ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む。

【0223】

態様３２４：態様３０１乃至３２３のいずれか１つのＤｋ構造において、少なくとも１つのＤｋ構成要素の各Ｄｋ構成要素は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。

【0224】

態様３２５：態様３０１乃至３２４のいずれか１つのＤｋ構造において、少なくとも１つのＤｋ構成要素の各Ｄｋ構成要素は、誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）である。
態様３２６：態様３１４乃至３２５のいずれか１つのＤｋ構造において、複数の２ＤＰの各２ＤＰは、誘電体レンズまたは導波路である。

【0225】

態様４０１：複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１で対応して配置された複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造であって、複数の１ＤＰの各１ＤＰは、近位端および遠位端を有し、所与の１ＤＰの遠位端は、ｘｙ平面断面で観察されるような、所与の１ＤＰの近位端の断面よりも小さい断面を有する、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する方法は、支持構造を提供するステップと、少なくとも１つのアレイに配置された複数の一体的に形成された２ＤＰを提供するステップと、複数の２ＤＰは少なくとも部分的に硬化され、複数の２ＤＰの各２ＤＰは、近位端および遠位端を含み、所与の２ＤＰの各近位端は、ブラインドエンドを有する中央に配置された窪みを含み、複数の２ＤＰを支持構造上に配置するステップと、複数の２ＤＰの各窪みは、複数の１ＤＰのうちの対応する１つを形成するように構成され、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を複数の２ＤＰの窪みに充填するステップと、Ｄｋ組成物は、完全に硬化されたときの複数の２ＤＰの第２の平均誘電率よりも大きい完全に硬化されたときの第１の平均誘電率を有し、支持構造および複数の２ＤＰの近位端を横断してスクイージングして、余剰分の硬化性のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を、複数の２ＤＰの各２ＤＰの近位端と少なくとも同じ高さにするステップと、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップと、支持構造内に形成された１ＤＰの少なくとも１つのアレイとともに２ＤＰの少なくとも１つのアレイを含む結果的に製造されるアセンブリを支持構造から除去するステップとを含む。

【0226】

態様４０２：態様４０１に記載の方法において、支持構造は、複数の２ＤＰの少なくとも１つのアレイの所与の１つの周りに隆起した壁を含み、充填するステップおよびスクイージングするステップは、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を複数の２ＤＰの窪みに支持構造の隆起した壁の端部まで充填して、複数の２ＤＰの凹部が充填され、かつ関連する複数の２ＤＰの近位端が特定の厚さＨ６までＤｋ組成物により覆われるようにするステップと、支持構造の隆起した壁を横断してスクイージングして、余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を隆起した壁の端部と同じ高さにするステップとを含み、Ｈ６の厚さのＤｋ組成物は、複数の１ＤＰと一体的に形成された接続構造を提供する。

【0227】

態様４０３：態様４０１または４０２の方法において、複数の一体的に形成された２ＤＰの少なくとも１つのアレイは、支持構造上に配置された一体的に形成された２ＤＰの複数のアレイのうちの１つであり、複数の２ＤＰは、熱可塑性ポリマーを含み、複数の１ＤＰは、熱硬化性のＤｋ材料を含み、少なくとも部分的に硬化させるステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0228】

態様４０４：態様４０３の方法において、熱可塑性ポリマーは高温ポリマーであり、Ｄｋ材料は、無機粒子材料を含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。
態様４０５：態様４０２乃至４０４のいずれか１つの方法において、Ｈ６は、約０．００２インチ（０．００５０８センチメートル）である。

【0229】

態様４０６：態様４０１乃至４０５のいずれか１つの方法において、複数の１ＤＰの各々および複数の２ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。
態様５０１：第１の平均誘電率を有する第１の領域と、第１の領域の外側の第２の平均誘電率を有する第２の領域と、第２の領域の外側の第３の平均誘電率を有する第３の領域と、第３の領域の外側の第２の平均誘電率を有する第４の領域とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造するための型は、互いに一体的に形成されるか、または互いに結合された複数のユニットセルを含み、各ユニットセルは、ＥＭ構造の第１の領域を形成するように構成された第１の部分と、ＥＭ構造の第２の領域を形成するように構成された第２の部分と、ＥＭ構造の第３の領域を形成するように構成された第３の部分と、ＥＭ構造の第４の領域を形成するように構成された第４の部分と、ユニットセルの外側境界を形成および画定するように構成された第５の部分とを含み、第１の部分、第２の部分、第３の部分、第４の部分、および第５の部分は、全て単一の材料から互いに一体的に形成されて、モノリシックユニットセルを提供し、第１および第５の部分は、モノリシックユニットセルの単一の材料を含み、第２および第４の部分は、モノリシックユニットセルの単一の材料が存在せず、第３の部分は、モノリシックユニットセルの単一の材料の不存在および存在の組み合わせを有し、第２および第４の部分、ならびに第３の部分の一部のみが、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を受容するように構成される。

【0230】

態様５０２：態様５０１の型において、型のユニットセルから製造された単一のＤｋ ＥＭ構造は、近位端および遠位端を有するＤｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された三次元（３Ｄ）本体を含み、３Ｄ本体は、３Ｄ本体の中心に配置された第１の領域を含み、第１の領域は、３Ｄ本体の遠位端まで延在し、かつ空気を含み、３Ｄ本体は、Ｄｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された第２の領域を含み、第２の平均誘電率は第１の平均誘電率よりも大きく、第２の領域は、３Ｄ本体の近位端から遠位端まで延在し、３Ｄ本体は、Ｄｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から部分的に作製され、かつ空気から部分的に作製された第３の領域を含み、第３の平均誘電率は第２の平均誘電率よりも小さく、第３の領域は３Ｄ本体の近位端から遠位端まで延在し、第３の領域は、Ｄｋ組成物から少なくとも部分的に硬化された形態から作製された突起を含み、突起は、第２の領域からｚ軸に対して半径方向に外向きに延在し、かつ第２の領域と一体的かつモノリシックであり、突起の各々は、ｘｙ平面断面で観察されるように、断面全長Ｌ１および断面全幅Ｗ１を有し、Ｌ１およびＷ１は、それぞれ、λ未満であり、λは、Ｄｋ ＥＭ構造が電磁的に励起されるときのＤｋ ＥＭ構造の動作波長であり、３Ｄ本体の少なくとも第２の領域の全ての露出面は、型の抜き勾配がつけられた側壁により、３Ｄ本体の近位端から遠位端まで内側に抜き勾配を有する。

【0231】

態様５０３：態様５０２の型において、型のユニットセルから製造された単一のＤｋ ＥＭ構造は、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状と、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状とをそれぞれが有する３Ｄ本体の第１の領域および第２の領域をさらに含む。

【0232】

態様６０１：複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）を有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、複数の１ＤＰの各１ＤＰは近位端および遠位端を有し、遠位端は、ｘｙ平面断面で観察されるような近位端の断面積よりも小さい断面積を有し、方法は、キャリアを提供するステップと、キャリア上に基板を配置するステップと、基板上に第１のステンシルマスクを配置するステップと、第１のステンシルマスクは、少なくとも１つのアレイに配置された複数の開口を含み、各開口は、１ＤＰの対応する１つを形成するための形状を含み、第１の流動性形態の硬化性の第１のＤｋ組成物を第１のステンシルマスクの開口に充填するステップと、第１のＤｋ組成物は、硬化後に第１の平均誘電率を有し、第１のステンシルマスクの上面を横断してスクイージングして、余剰分の第１のＤｋ組成物を除去して、第１のＤｋ組成物を第１のステンシルマスクの上面と同じ高さにするステップと、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップと、第１のステンシルマスクを除去するステップと、１ＤＰの少なくとも１つのアレイが取り付けられた基板を含む結果的に製造されたアセンブリをキャリアから除去するステップとを含む。

【0233】

態様６０２：態様６０１の方法は、第１のステンシルマスクを除去するステップの後、１ＤＰの少なくとも１つのアレイが取り付けられた基板を除去するステップの前に、第２のステンシルマスクを基板上に配置するステップと、第２のステンシルマスクは、１ＤＰの複数のアレイを形成するために複数の１ＤＰのサブセットを取り囲むように構成されかつ配置された仕切り壁によって取り囲まれた開口を含み、１ＤＰの各アレイは、第２の誘電体部分（２ＤＰ）内に封入されることになっており、第２の流動性形態の硬化性の第２のＤｋ組成物を第２のステンシルマスクの開口に充填するステップと、第２のＤｋ組成物は、硬化後に第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有し、第２のステンシルマスクの上面を横断してスクイージングして、余剰分の第２のＤｋ組成物を除去して、第２のＤｋ組成物を第２のステンシルマスクの上面と同じ高さにするステップと、硬化性の第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、２ＤＰ内に封入された１ＤＰの複数のアレイを形成するステップと、第２のステンシルマスクを除去するステップと、対応する２ＤＰ内に封入された１ＤＰの複数のアレイが取り付けられた基板を含む結果的に製造されたアセンブリをキャリアから除去するステップとをさらに含む。

【0234】

態様６０３：態様６０１の方法は、第１のステンシルマスクを除去するステップの後、１ＤＰの少なくとも１つのアレイが取り付けられた基板を除去するステップの前に、第２のステンシルマスクを基板上に配置するステップと、第２のステンシルマスクは、複数の１ＤＰの個々の１ＤＰを覆うカバーと、複数の１ＤＰの個々の１ＤＰを取り囲む開口と、１ＤＰの複数のアレイを形成するための複数の１ＤＰのサブセットを取り囲む仕切り壁とを含み、複数の１ＤＰの個々の１ＤＰは、導電性構造によって取り囲まれるようになっており、流動性形態の硬化性の組成物を第２のステンシルマスクの開口に充填するステップと、硬化性の組成物は、完全に硬化したときに導電性となり、第２のステンシルマスクの上面を横断してスクイージングして、硬化性の組成物の余剰分を除去して、硬化性の組成物を第２のステンシルマスクの上面と同じ高さにするステップと、硬化性の組成物を少なくとも部分的に硬化させて、１ＤＰの複数のアレイを形成するステップと、各１ＤＰは、導電性構造によって取り囲まれており、第２のステンシルマスクを除去するステップと、各１ＤＰが導電性構造によって取り囲まれている１ＤＰの複数のアレイが取り付けられた基板を含む結果的に製造されたアセンブリをキャリアから除去するステップとを含む。

【0235】

態様６０４：態様６０１乃至６０３のいずれか１つの方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む。

【0236】

態様６０５：態様６０４の方法において、硬化性の第１のＤｋ組成物は無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、中実ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む。

【0237】

態様６０６：態様６０１乃至６０５のいずれか１つの方法において、複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。
態様６０７：態様６０３乃至６０６のいずれか１つの方法において、硬化性の組成物は、金属粒子を含むポリマー、銅粒子を含むポリマー、アルミニウム粒子を含むポリマー、銀粒子を含むポリマー、導電性インク、カーボンインク、または、前述の硬化性の組成物の組み合わせのうちのいずれか１つを含む。

【0238】

態様６０８：態様６０３乃至６０７のいずれか１つの方法において、導電性構造は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する。
態様６０９：態様６０１乃至６０８のいずれか１つの方法において、基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含む。

【0239】

態様７０１：前述の方法の態様のいずれか１つの方法において、１ＤＰの少なくとも１つのアレイを含むＤｋ ＥＭ構造は、１ＤＰの少なくとも１つのアレイの複数のアレイが単一のパネル上に形成されるパネルレベルの処理のプロセスによって形成される。

【0240】

態様７０２：態様７０１の方法において、単一のパネルは、基板と、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つとを含む。

【0241】

態様８０１：複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有し、各１ＤＰが近位端および遠位端を有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法は、支持構造を提供するステップと、支持構造の上にポリマーのシートを配置するステップと、スタンピングフォームを提供して、スタンピングフォームを下降させ、次にスタンピングフォームを上昇させて、支持構造によって支持されたポリマーのシートにスタンピングするステップと、スタンピングフォームは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された突起を含み、スタンピングによって、ポリマーのシートの変位した材料と、ポリマーのシート内にアレイ状に配置されたブラインドエンドを有する複数の窪みと、複数の窪みの各々を取り囲むポリマーのシートの複数の隆起した壁とが得られ、複数の隆起した壁は、複数の２ＤＰを形成するためのものであり、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を複数の窪みに充填するステップと、複数の窪みの各窪みは、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰの対応する１つを形成し、ポリマーのシートは、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有し、各１ＤＰの遠位端は、ポリマーのシートの複数の隆起した壁の上面に近接しており、任意選択的に、ポリマーのシートの複数の隆起した壁の上面より上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を複数の隆起した壁の上面と同じ高さにするステップと、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップと、複数の隆起した壁、複数の窪みを備えたポリマー材料のスタンピングされたシートと、複数の窪み内に形成された複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイとを含む結果的に製造されたアセンブリを支持構造から除去するステップとを含む。

【0242】

態様８０２：態様８０１の方法は、基板を提供するとともに、スタンピングされたポリマーのシートが基板上に配置されるようにアセンブリを基板上に配置するステップをさらに含む。

【0243】

態様８０３：態様８０１の方法は、基板を提供するとともに、少なくとも複数の１ＤＰの遠位端は基板上に配置されるようにアセンブリを基板上に配置するステップをさらに含む。

【0244】

態様８０４：態様８０２または８０３の方法において、基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含む。

【0245】

態様８０５：態様８０１乃至８０４のいずれか１つの方法において、硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む。

【0246】

態様８０６：態様８０５の方法において、硬化性のＤｋ組成物は無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、中実ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む。

【0247】

態様８０７：態様８０１乃至８０６のいずれか１つの方法において、複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。
態様８０８：態様８０１乃至８０７のいずれか１つの方法において、対応する２ＤＰの各隆起した壁は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する。

【0248】

態様８０９：態様８０１乃至８０８のいずれか１つの方法において、少なくとも部分的に硬化するステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、少なくとも部分的に硬化させることを含む。

【0249】

態様９０１：態様８０１乃至８０９のいずれか１つの方法に使用するためのスタンピングフォームを製造する方法は、金属層を上面上に有する基板を提供するステップと、金属層は基板を覆っており、金属層の上にフォトレジストを配置して、金属層を覆うステップと、フォトレジストの上にフォトマスクを配置するステップと、フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口を含み、それによって露出されたフォトレジストが得られ、少なくとも露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、金属層からＥＭ放射の曝露を受けた露出されたフォトレジストを除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストに複数の実質的に同一に構成されたポケットを形成するステップと、複数のポケットを有する残りのフォトレジストの全ての露出された表面に金属コーティングを塗布するステップと、複数のポケットを充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジストを、金属層の上面に対して特定の厚さＨ７までスタンプ適性金属で覆うステップと、金属層の底部から基板を除去するステップと、金属層を除去するステップと、残りのフォトレジストを除去して、スタンピングフォームを得るステップとを含む。

【0250】

態様９０２：態様９０１の方法において、基板は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射はＸ線放射またはＵＶ放射であり、金属コーティングは、金属蒸着によって塗布され、スタンプ適性金属は、ニッケルからなり、基板はエッチングまたは研削によって除去され、金属層は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、露出されたフォトレジストおよび残りのフォトレジストは、エッチングによって除去される。

【0251】

態様１００１：複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法であって、支持構造を提供するステップと、支持構造の上にフォトレジストの層を配置するステップと、フォトレジストの上にフォトマスクを配置するステップと、フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口を含み、それによって露出されたフォトレジストが得られ、少なくとも露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、ＥＭ放射の曝露を受けた露出されたフォトレジストを支持構造から除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストに実質的に同一に構成された複数の開口を形成するステップと、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を残りのフォトレジストの複数の開口に充填するステップと、複数の充填された開口は、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰの対応する１ＤＰを提供し、残りのフォトレジストは、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰを提供し、任意選択的に、複数の２ＤＰの上面上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を複数の２ＤＰの上面と同じ高さにするステップと、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップと、複数の２ＤＰおよび内部に形成された複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを含む結果的に製造されたアセンブリを支持構造から除去するステップとを含む。

【0252】

態様１００２：態様１００１の方法は、基板を提供するステップと、得られたアセンブリを基板に接着するステップとをさらに含み、基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射はＸ線放射またはＵＶ放射であり、露出されたフォトレジストおよび残りのフォトレジストは、エッチングによって除去され、少なくとも部分的に硬化させるステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0253】

態様１００３：態様１００１または１００２の方法において、硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む。

【0254】

態様１００４：態様１００３の方法において、硬化性のＤｋ組成物は無機粒子材料をさらに含み、好ましくは無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、中実ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む。

【0255】

態様１００５：態様１００１乃至１００４のいずれか１つの方法において、複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。
態様１００６：態様１００１乃至１００５のいずれか１つの方法において、複数の２ＤＰのうちの対応する１つの２ＤＰの開口が、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する。

【0256】

態様１１０１：複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法は、基板を提供するステップと、基板上にフォトレジストの層を配置するステップと、フォトレジストの上にフォトマスクを配置するステップと、フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバーを含み、それによって、不透明カバーによって覆われた領域における非露出フォトレジストと、不透明カバーによって覆われていない領域における露出されたフォトレジストとが得られ、少なくとも露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、非露出フォトレジストを基板から除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰの対応する１ＤＰを形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジストの複数の実質的に同一に構成された複数の部分を形成するステップと、任意選択的に、スタンピングフォームにより複数の１ＤＰの各１ＤＰを、凸状の遠位端を有するドーム構造に成形するステップと、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を複数の１ＤＰの間の空間に充填するステップと、充填された空間は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰの対応する２ＤＰを提供し、任意選択的に、複数の１ＤＰの上面の上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を複数の１ＤＰの上面と同じ高さにするステップと、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、複数の２ＤＰに取り囲まれた複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを得るステップとを含む。

【0257】

態様１１０２：態様１１０１の方法において、任意選択的に、成形するステップは、フォトレジストの硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、複数の１ＤＰにスタンピングフォームを適用することにより成形するステップと、その後、ドームの形状を維持するために、成形された複数の１ＤＰを少なくとも部分的に硬化させるステップとを含む。

【0258】

態様１１０３：態様１１０１または１１０２の方法において、基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射はＸ線放射またはＵＶ放射であり、非露出フォトレジストは、エッチングによって除去され、少なくとも部分的に硬化させるステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0259】

態様１１０４：態様１１０１乃至１１０３のいずれか１つの方法において、硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む。

【0260】

態様１１０５：態様１１０４の方法において、硬化性のＤｋ組成物は無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、中実ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む。

【0261】

態様１１０６：態様１１０１乃至１１０５のいずれか１つの方法において、複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。
態様１１０７：態様１１０１乃至１１０６のいずれか１つの方法において、各不透明カバーは、ｘ－ｙ平面平面図で観察されるように、円形である外形を有する。

【0262】

態様１２０１：態様１１０１乃至１１０７のいずれか１つの方法に使用するためのスタンピングフォームを製造する方法は、金属層を上面に有する基板を提供するステップと、金属層は基板を覆っており、金属層の上にフォトレジストの層を配置して、金属層を覆うステップと、フォトレジストの上にフォトマスクを配置するステップと、フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバーを含み、それによって、不透明カバーによって覆われた領域における非露出フォトレジストと、不透明カバーによって覆われていない領域における露出されたフォトレジストとが設けられ、少なくとも露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、金属層から、ＥＭ放射の曝露を受けた露出されたフォトレジストを除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストの複数の実質的に同一に構成された部分を形成するステップと、フォトレジストの硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、残りのフォトレジストの複数の実質的に同一に構成された部分の各々に対するシェーピングフォームの適用により成形して、成形されたフォトレジストを形成するステップと、続いて、複数の実質的に同一に形成された形状を維持するために、残りのフォトレジストの成形された複数の実質的に同一に構成された部分を少なくとも部分的に硬化させるステップと、実質的に同一に形成された形状を有する残りのフォトレジストの全ての露出面に金属コーティングを塗布するステップと、実質的に同一に形成された形状の間の空間を充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジストを、金属層の上面に対して特定の厚さＨ７までスタンプ適性金属で覆うステップと、金属層の底部から基板を除去するステップと、金属層を除去するステップと、残りのフォトレジストを除去して、スタンピングフォームを得るステップとを含む。

【0263】

態様１２０２：態様１２０１の方法において、基板は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのうちのいずれか１つを含み、フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射はＸ線放射またはＵＶ放射であり、金属コーティングは、金属蒸着によって塗布され、スタンプ適性金属はニッケルからなり、基板はエッチングまたは研削によって除去され、金属層は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、露出されたフォトレジストおよび残りのフォトレジストは、エッチングによって除去される。

【0264】

態様１３０１：複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法は、基板を提供するステップと、基板の上にフォトレジストの層を配置するステップと、フォトレジストの上にグレースケールフォトマスクを配置するステップと、グレースケールフォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバーを含み、グレースケールフォトマスクのカバーは、部分的に半透明な外側領域に向かって遷移する不透明な中央領域を含み、それによって不透明領域で覆われた領域における非露出のフォトレジストと、部分的に半透明な領域によって覆われた領域における部分的に露出されたフォトレジストと、カバーによって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジストとが設けられ、グレースケールフォトマスクおよび完全に露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、ＥＭ放射の曝露を受けた部分的に露出されたフォトレジストおよび完全に露出されたフォトレジストを除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰを形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジストの複数の実質的に同一の形状の構造を形成するステップと、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を複数の１ＤＰの間の空間に充填するステップと、充填された空間は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰの対応する２ＤＰを提供し、任意選択的に、複数の１ＤＰの上面の上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を複数の１ＤＰの上面と同じ高さにするステップと、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、基板と、基板上に配置された複数の２ＤＰによって取り囲まれた実質的に同一の形状の構造を有する複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイとを含むアセンブリを得るステップとを含む。

【0265】

態様１３０２：態様１３０１の方法において、基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射はＸ線放射またはＵＶ放射であり、部分的に露出されたフォトレジストおよび完全に露出されたフォトレジストは、エッチングによって除去され、少なくとも部分的に硬化させるステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0266】

態様１３０３：態様１３０１または１３０２の方法において、硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む。

【0267】

態様１３０４：態様１３０３の方法において、硬化性のＤｋ組成物は無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、中実ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む。

【0268】

態様１３０５：態様１３０１乃至１３０４のいずれか１つの方法において、複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。
態様１３０６：態様１３０１乃至１３０５のいずれか１つの方法において、複数の１ＤＰの各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のうちのいずれか１つを有する。

【0269】

態様１４０１：態様１１０１乃至１１０７のいずれか１つの方法に使用するためのスタンピングフォームを製造する方法は、金属層を上面に有する基板を提供するステップと、金属層は基板を覆っており、金属層の上にフォトレジストの層を配置し、金属層を覆うステップと、フォトレジストの上にグレースケールフォトマスクを配置するステップと、グレースケールフォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバーを含み、グレースケールフォトマスクのカバーは、部分的に半透明な外側領域に向かって遷移する不透明な中央領域を含み、それによって、不透明な領域によって覆われる領域における非露出をフォトレジストと、部分的に半透明な領域によって覆われる領域における部分的に露出されたフォトレジストと、カバーによって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジストとが設けられ、グレースケールフォトマスクおよび完全に露出されたフォトレジストをＥＭ放射に曝すステップと、ＥＭ放射の曝露を受けた部分的に露出されたフォトレジストおよび完全に露出されたフォトレジストを除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストの複数の実質的に同一の形状の構造を形成するステップと、実質的に同一の形状の構造を有する残りのフォトレジストの全ての露出面に金属コーティングを塗布するステップと、金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造の間の空間を充填して、金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造を、金属層の上面に対して特定の厚さＨ７までスタンプ適性金属で覆うステップと、金属層の底部から基板を除去するステップと、金属層を除去するステップと、残りのフォトレジストを除去して、スタンピングフォームを得るステップとを含む。

【0270】

態様１４０２：態様１４０１の方法において、フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射はＸ線放射またはＵＶ放射であり、金属コーティングは、金属蒸着によって塗布され、スタンプ適性金属はニッケルからなり、基板はエッチングまたは研削によって除去され、金属層は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、露出されたフォトレジストおよび残りのフォトレジストは、エッチングによって除去される。

【0271】

態様１４０３：態様１４０１または１４０２の方法において、複数の実質的に同一の形状の構造の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する。

【0272】

態様１４０４：態様１４０１乃至１４０３の方法において、複数の実質的に同一の形状の構造の各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のいずれか１つを有する。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図6C-1】

【図6C-2】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図9D】

【図9E】

【図9F】

【図9G】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図10D】

【図11A】

【図11B】

【図12A】

【図12B】

【図12C】

【図13A】

【図13B】

【図13C】

【図14A】

【図14B】

【図15A】

【図15B】

【図16A】

【図16B】

【手続補正書】

【提出日】2021-01-15

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造（１５００）を製造する方法（１１００）であって、
アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部（１５０４）を含む第１の型部分（１５０２）を提供するステップ（１１０２）と、
前記第１の複数の凹部（１５０４）を完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物（１５０６）で充填するステップ（１１０４）と、
前記第１のＤｋ組成物（１５０６）で充填された前記第１の複数の凹部（１５０４）の複数の凹部の上にそれらを横断して基板（１５０８）を配置して、硬化性の前記第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップ（１１０６）と、を含み、さらに
前記第１の型部分（１５０２）を提供する前に、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第２の複数の凹部を含む第１の先行型部分（１５２２）を提供するステップ（１１２２）と、前記第２の複数の凹部（１５２４）の各１つは、前記第１の複数の凹部（１５０４）の対応する１つよりも大きく、
前記第２の複数の凹部（１５２４）を、第１の平均誘電率よりも小さく、かつ完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第２の平均誘電率を有する硬化性の第２のＤｋ組成物（１５２６）で充填するステップ（１１２４）と、
前記第１の先行型部分（１５０２）の上に第２の先行型部分（１５２８）を配置するステップ（１１２６）と、前記第２の先行型部分は、アレイ状に配置され、かつ前記第２の複数の凹部の各々と１対１で対応して配置された複数の開口（１５３０）を有しており、
前記第２の先行型部分（１５２８）の上に第３の先行型部分（１５３２）を配置するステップ（１１２８）と、前記第３の先行型部分は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一の突起（１５３４）を有し、各々が実質的に同一の突起は、前記第２の先行型部分の開口の対応する開口に挿入され、かつ前記第２の複数の凹部の対応する開口に挿入され、それによって、前記第２の複数の凹部の各々の第２のＤｋ材料を、所与の突起の体積の少なくとも一部に等しい体積だけ変位させ、
前記第３の先行型部分を前記第２の先行型部分に向かってプレスして、硬化性の前記第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップ（１１３０）と、
前記第２の先行型部分に対して前記第３の先行型部分を分離して、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物を有する型構造であって、前記第１の型部分を提供するのに役立ち、かつアレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を有する第１の型部分（１５０２）、（１５３６）を提供するステップを確立する前記型構造を生成するステップ（１１３２）と、
少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物および少なくとも部分的に硬化された前記第２のＤｋ組成物を有する前記基板を前記第１の型部分から除去して、前記基板と、少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物のアレイおよび少なくとも部分的に硬化された前記第２のＤｋ組成物の対応するアレイを含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを得るステップ（１１３６）とを含み、これにより、前記複数のＤｋ構造の各々は、前記第１の複数の凹部および前記第２の複数の凹部のうちの対応する各々の凹部によって画定された３Ｄ形状を有する、方法。

【請求項2】

前記第１のＤｋ組成物で充填された前記第１の複数の凹部の複数の凹部上にそれらを横断して前記基板を配置した後で、前記少なくとも部分的に硬化された前記第１のＤｋ組成物を備える前記基板を前記第１の型部分から除去する前に、
前記基板の上に第２の型部分を配置するステップと、
前記第２の型部分を前記第１の型部分に向かってプレスして、硬化性の前記第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、
前記第１の型部分に対して前記第２の型部分を分離するステップとを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記基板は、Ｄｋ層、金属層、Ｄｋ層と金属層の組み合わせ、複数のスロットを有する金属層であって、複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている金属層、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークを含む、請求項１または２に記載の方法。

【請求項4】

前記複数のＤｋ構造は、前記基板上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）を含む、請求項１または２に記載の方法。

【請求項5】

前記数のＤｋ構造は、前記基板上に配置された前記第１のＤｋ組成物を含む複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）と、複数のＤＲＡと１対１で対応して配置された第２のＤｋ組成物を含む複数の誘電体レンズまたは誘電体導波路を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

前記第２の先行型部分は、前記第２の複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルを含み、前記複数の比較的薄い接続チャネルは、前記第２の複数の凹部の各々の凹部内の第２のＤｋ材料を所与の突起の体積の少なくとも一部に等しい体積だけ変位させるステップ中に充填され、それにより、前記基板および前記複数のＤｋ構造を含むアセンブリが、前記複数のＤｋ構造の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造とともに得られ、前記比較的薄い接続構造は、少なくとも部分的に硬化された前記第２のＤｋ組成物から構成され、前記比較的薄い接続構造および充填された前記第２の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

前記第１の複数の凹部を充填するステップ、第２の複数の凹部を充填するステップ、または前記第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、
流動性形態の個々の硬化性のＤｋ組成物を対応する凹部に注入およびスクイージングすることをさらに含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項8】

前記第１の複数の凹部を充填するステップ、第２の複数の凹部を充填するステップ、または前記第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、
個々の硬化性のＤｋ組成の流動性の誘電体フィルムを対応する凹部にインプリントすることを含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項9】

硬化性の前記第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ、硬化性の前記第２のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ、または硬化性の前記第１のＤｋ組成物および硬化性の前記第２のＤｋ組成物の両方を少なくとも部分的に硬化するステップは、
個々の硬化性のＤｋ組成物を、約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項10】

前記第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項11】

硬化性の前記第１のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。

【請求項12】

硬化性の第１のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

３Ｄ形状は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項14】

複数の第１の誘電体部分（５５１０）（１ＤＰ）と、複数の１ＤＰの所与の１つと１対１で対応して配置された複数の第２の誘電体部分（５５２０）（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造（５５００）であって、前記複数の１ＤＰの各１ＤＰは、近位端（５５１２）および遠位端（５５１４）を有し、所与の１ＤＰの前記遠位端は、ｘｙ平面断面で観察されるような所与の１ＤＰの前記近位端の断面よりも小さい断面を有する、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する方法であって、
支持構造（５５０２）を提供するステップ（５１０２）と、
少なくとも１つのアレイ状に配置された、複数の一体的に形成された２ＤＰを提供するステップ（５１０４）と、前記複数の２ＤＰは少なくとも部分的に硬化され、前記複数の２ＤＰの各２ＤＰは、近位端（５５２２）および遠位端（５５２４）を含み、所与の２ＤＰの各近位端はブラインドエンドを有する中央に配置された窪み（５５２６）を含み、前記複数の２ＤＰを前記支持構造上に配置するステップと、前記複数の２ＤＰの各窪みは、前記複数の１ＤＰのうちの対応する１つの１ＤＰを形成するように構成され、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物（５５０６）を複数の２ＤＰの窪みに充填するステップ（５１０８）と、前記Ｄｋ組成物は、前記複数の２ＤＰの完全に硬化されたときの第２の平均誘電率よりも大きい、完全に硬化されたときの第１の平均誘電率を有し、
前記支持構造および前記複数の２ＤＰの前記近位端を横断してスクイージングして、余剰分の硬化性のＤｋ組成物を除去して、前記Ｄｋ組成物を、前記複数の２ＤＰの各２ＤＰの前記近位端と少なくとも同じ高さにするステップ（５１１０）と、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、前記複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップ（５１１２）と、
前記支持構造内に形成された１ＤＰの少なくとも１つのアレイとともに２ＤＰの少なくとも１つのアレイを含む結果的に製造されたアセンブリ（５５３０）を支持構造から除去するステップ（５１２０）とを含む方法。

【請求項15】

前記支持構造は、前記複数の２ＤＰの少なくとも１つのアレイの所与の１つの周りに隆起した壁を含み、前記充填するステップおよび前記スクイージングするステップは、
前記複数の２ＤＰの前記窪みを、前記支持構造の前記隆起した壁の端部まで流動性形態の硬化性のＤｋ組成物で充填して、前記複数の２ＤＰの前記窪みが充填されて、関連する複数２ＤＰの前記近位端が、特定の厚さＨ６までＤｋ組成物により覆われるようにするステップと、
前記支持構造の前記隆起した壁を横断してスクイージングして、余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記隆起した壁の端部と同じ高さにするステップとを含み、Ｈ６の厚さのＤｋ組成物は、前記複数の１ＤＰと一体的に形成された接続構造を提供する、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

複数の一体的に形成された２ＤＰの少なくとも１つのアレイは、前記支持構造上に配置された一体的に形成された２ＤＰの複数のアレイのうちの１つであり、
前記複数の２ＤＰは、熱可塑性ポリマーを含み、
前記複数の１ＤＰは、熱硬化性のＤｋ材料を含み、
少なくとも部分的に硬化するステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項１４または１５に記載の方法。

【請求項17】

前記Ｄｋ材料は、無機粒子材料を含み、好ましくは、前記無機粒子材料は二酸化チタンを含む、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

前記Ｈ６は、約０．００２インチ（０．００５０８センチメートル）である、請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の方法。

【請求項19】

前記複数の１ＤＰの各々および前記複数の２ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項１４乃至１８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項20】

第１の平均誘電率を有する第１の領域（６５１０）と、前記第１の領域の外側の第２の平均誘電率を有する第２の領域（６５２０）と、前記第２の領域の外側の第３の平均誘電率を有する第３の領域（６５３０）と、前記第３の領域の外側の第２の平均誘電率を有する第４の領域（６５４０）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造（６５００）を製造するための型（６１００）であって、
互いに一体的に形成されるか、または互いに結合された複数のユニットセル（６０５０）を備え、各ユニットセルは、
ＥＭ構造の前記第１の領域を形成するように構成された第１の部分（６０５０）と、
ＥＭ構造の前記第２の領域を形成するように構成された第２の部分（６１２０）と、
ＥＭ構造の前記第３の領域を形成するように構成された第３の部分（６１３０）と、
ＥＭ構造の前記第４の領域を形成するように構成された第４の部分（６１４０）と、
前記ユニットセルの外側境界を形成および画定するように構成された第５の部分（６１５０）とを含み、
前記第１の部分（６１１０）は、前記複数のユニットセル（６０５０）の対応する１つの中央に軸方向中央に配置され、
前記第１の部分、前記第３の部分、および前記第５の部分は全て単一の材料から互いに一体的に形成されて、モノリシックユニットセルを提供し、
前記第１の部分（６１１０）および前記第５の部分（６１５０）は、前記モノリシックユニットセルの単一の材料を含み、前記第２の部分（６１２０）および前記第４の部分（６１４０）は、前記モノリシックユニットセルの単一の材料が存在せず、前記第３の部分（６１３０）は、前記モノリシックユニットセルの単一の材料の不存在および存在の組み合わせを有し、
前記第２の部分（６１２０）および前記第４の部分（６１４０）、ならびに前記第３の部分（６１３０）の一部のみが、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を受容するように構成され、
前記第１の部分（６１１０）および前記第５の部分（６１５０）は、前記流動形態の硬化性のＤｋ組成物が存在しないように構成されている、型。

【請求項21】

型の前記ユニットセルから製造された単一のＤｋ ＥＭ構造は、
近位端および遠位端を有するＤｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された三次元（３Ｄ）本体を含み、
３Ｄ本体は、前記３Ｄ本体の中心に配置された前記第１の領域を含み、前記第１の領域は、前記３Ｄ本体の遠位端まで延在し、かつ空気を含み、
前記３Ｄ本体は、Ｄｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された前記第２の領域を含み、前記第２の平均誘電率が前記第１の平均誘電率よりも大きく、前記第２の領域は、前記３Ｄ本体の近位端から遠位端まで延在し、
前記３Ｄ本体は、Ｄｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から部分的に作製され、かつ部分的に空気から作製された前記第３の領域を含み、前記第３の平均誘電率が前記第２の平均誘電率よりも小さく、前記第３の領域は、前記３Ｄ本体の近位端から遠位端まで延在し、
前記第３の領域は、Ｄｋ組成物の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された突起を含み、前記突起は、前記第２の領域からｚ軸に対して半径方向に外向きに延在し、かつ前記第２の領域と一体的かつモノリシックであり、
前記突起の各々の１つは、ｘｙ平面断面で観察されるように、断面全長Ｌ１および断面全幅Ｗ１を有し、前記Ｌ１および前記Ｗ１は、それぞれ、λ未満であり、λは、Ｄｋ ＥＭ構造が電磁励起されるときのＤｋ ＥＭ構造の動作波長であり、
前記３Ｄ本体の少なくとも前記第２の領域の全ての露出面は、型の抜き勾配がつけられた側壁により、前記３Ｄ本体の近位端から遠位端まで内側に抜き勾配を有する、請求項２０に記載の型。

【請求項22】

型の前記ユニットセルから製造された単一のＤｋ ＥＭ構造は、
ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状と、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である内側断面形状とをそれぞれが有する前記３Ｄ本体の前記第１の領域および前記第２の領域を含む、請求項２１に記載の型。

【請求項23】

複数の第１の誘電体部分（９５１０）（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（９５２０）（２ＤＰ）とを有し、各１ＤＰは、近位端（９５１２）および遠位端（９５１４）を有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造（９５００）を製造する方法（９１００）であって、
支持構造（９１５０）を提供するステップ（９１０２）と、
前記支持構造上にポリマーのシート（９５２２）を配置するステップ（９１０４）と、
スタンピングフォーム（９１５２）を提供して、スタンピングフォームを下降させ（９１０６．１）、次に上昇させて（９１０６．２）前記支持構造によって支持された前記ポリマーのシートにスタンピングするステップ（９１０６）と、前記スタンピングフォームは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された突起（９１５４）を含み、前記スタンピングによって、前記ポリマーのシートの変位した材料と、前記ポリマーのシート内にアレイ状に配置されたブラインドエンドを有する複数の窪み（９５２４）と、複数の窪みの各々を取り囲む前記ポリマーのシートの複数の隆起した壁（９５２６）とが得られ、前記複数の隆起した壁は、複数の２ＤＰを形成するためのものであり、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物（９５０６）を前記複数の窪みに充填するステップ（９１０８）と、前記複数の窪みの各窪みは、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰの対応する１つを形成し、前記ポリマーのシートは、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有し、各１ＤＰの遠位端は、前記ポリマーのシートの前記複数の隆起した壁の上面に近接しており、
前記ポリマーのシートの前記複数の隆起した壁の上面より上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記複数の隆起した壁の上面と同じ高さにするステップ（９１１０）と、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、前記複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップ（９１１２）と、
前記複数の隆起した壁、前記複数の窪みを備えたポリマー材料のスタンピングされたシートと、前記複数の窪み内に形成された複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイとを含む結果的製造されたアセンブリを前記支持構造から除去するステップ（９１１４）とを含む方法。

【請求項24】

基板を提供するとともに、スタンピングされた前記ポリマーのシートが前記基板上に配置されるように前記アセンブリを前記基板上に配置するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。

【請求項25】

基板を提供するとともに、少なくとも複数の１ＤＰの遠位端が前記基板上に配置されるように前記アセンブリを前記基板上に配置するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。

【請求項26】

前記基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含む、請求項２４または２５に記載の方法。

【請求項27】

硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項２３乃至２６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項28】

硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項２７に記載の方法。

【請求項29】

前記複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項２３乃至２８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項30】

対応する２ＤＰの各隆起した壁は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する、請求項２３乃至２９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項31】

少なくとも部分的に硬化するステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、少なくとも部分的に硬化させることを含む、請求項２３乃至３０のいずれか一項に記載の方法。

【請求項32】

スタンピングフォーム（１０５００）を製造する方法（１０１００）であって、
金属層（１０１５２）を上面上に有する基板（１０１５０）を提供するステップ（１０１０２）と、前記金属層は前記基板を覆っており、
前記金属層の上にフォトレジスト（１０１５４）を配置して、前記金属層を覆うステップ（１０１０４）と、
前記フォトレジストの上にフォトマスク（１０１５６）を配置するステップ（１０１０６）と、前記フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口（１０１５８）を含み、それによって露出されたフォトレジスト（１０１６０）が提供され、
少なくとも露出されたフォトレジストをＥＭ放射（１０１０９）に曝すステップ（１０１０８）と、
前記金属層からＥＭ放射の曝露を受けた露出されたフォトレジストを除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストに複数の実質的に同一に構成されたポケット（１０１６２）を形成するステップ（１０１１０）と、
複数のポケットを有する前記残りのフォトレジストの全ての露出された表面に金属コーティング（１０５１０）を塗布するステップ（１０１１２）と、
前記複数のポケットを充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジストを、前記金属層の上面に対して特定の厚さＨ７まで特定の金属（１０５１２）で覆うステップ（１０１１４）と、
前記金属層の底部から前記基板を除去するステップ（１０１１６）と、
前記金属層を除去するステップ（１０１１８）と、
前記残りのフォトレジストを除去して、前記特定の金属を含むスタンピングフォームを得るステップ（１０１２０）とを含む方法。

【請求項33】

前記基板は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記金属コーティングは、金属蒸着によって塗布され、
前記特定の金属は、ニッケルからなり、
前記基板は、エッチングまたは研削によって除去され、
前記金属層は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、
前記露出されたフォトレジストと前記残りのフォトレジストは、エッチングによって除去される、請求項３２に記載の方法。

【請求項34】

複数の第１の誘電体部分（１１５１０）（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（１１５２０）（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造（１１５００）を製造する方法（１１１００）であって、
支持構造（１１１５０）を提供するステップ（１１１０２）と、
前記支持構造の上にフォトレジストの層（１１５２２）を配置するステップ（１１１０４）と、
前記フォトレジストの上にフォトマスク（１１１５２）を配置するステップ（１１１０６）と、前記フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口（１１１５４）を含み、それによって露出されたフォトレジストが提供され、
少なくとも露出されたフォトレジストをＥＭ放射（１１１０９）に曝すステップ（１１１０８）と、
ＥＭ放射の曝露を受けた露出されたフォトレジストを前記支持構造から除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストに実質的に同一に構成された複数の開口（１１５２６）を形成するステップ（１１１１０）と、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物（１１５０６）を前記残りのフォトレジストの前記複数の開口に充填するステップ（１１１１２）と、複数の充填された開口は、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰのうちの対応する１ＤＰを提供し、前記残りのフォトレジストは、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰを提供し、
前記複数の２ＤＰの上面上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記複数の２ＤＰの上面と同じ高さにするステップ（１１１１４）と、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを形成するステップ（１１１１６）と、
前記複数の２ＤＰおよび内部に形成された前記複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを含む結果的に得られたアセンブリを前記支持構造から除去するステップ（１１１１８）とを含む方法。

【請求項35】

基板を提供するステップと、得られたアセンブリを前記基板に接着するステップとをさらに含み、
前記基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、前記ＥＭ放射はＸ線放射またはＵＶ放射であり、
前記露出されたフォトレジストおよび前記残りの（下にある）フォトレジストは、エッチングによって除去され、
少なくとも部分的に硬化させるステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項３４に記載の方法。

【請求項36】

硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項３４または３５に記載の方法。

【請求項37】

硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項３６に記載の方法。

【請求項38】

前記複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項３４乃至３７のいずれか一項に記載の方法。

【請求項39】

前記複数の２ＤＰのうちの対応する１つの２ＤＰの開口は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する、請求項３４乃至３８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項40】

複数の第１の誘電体部分（１２５１０）（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（１２５２０）（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造（１２５００）を製造する方法（１２１００）であって、
基板（１２５３０）を提供するステップ（１２１０２）と、
前記基板の上にフォトレジストの層（１２５１２）を配置するステップ（１２１０４）と、
前記フォトレジストの上にフォトマスク（１２１５０）を配置するステップ（１２１０６）と、前記フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバー（１２１５２）を含み、それによって前記不透明カバーで覆われた領域における非露出フォトレジスト（１２５１４）と、前記不透明カバーで覆われていない領域における露出されたフォトレジスト（１２５１６）とが提供され、
少なくとも前記露出されたフォトレジストをＥＭ放射（１２１０９）に曝すステップ（１２１０８）と、
前記基板から前記非露出フォトレジストを除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰのうちの対応する１ＤＰを形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジストの実質的に同一に構成された複数の部分を形成するステップ（１２１１０）と、
任意選択的に、スタンピングフォームにより複数の１ＤＰの各１ＤＰを、凸状の遠位端を有するドーム構造に成形するステップ（１２１１２）と、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物を前記複数の１ＤＰ間の空間に充填するステップ（１２１１４）と、充填された空間は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰのうちの対応する２ＤＰを提供し、
任意選択的に、前記複数の１ＤＰの上面上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記複数の１ＤＰの上面と同じ高さにするステップ（１２１１６）と、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、複数の２ＤＰに囲まれた複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイを得るステップ（１２１１８）とを含む方法。

【請求項41】

任意選択的に、前記成形するステップは、前記フォトレジストの硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、前記複数の１ＤＰにスタンピングフォームを適用することにより成形するステップと、その後、ドーム形状を維持するために、成形された複数の１ＤＰを少なくとも部分的に硬化させるステップとを含む、請求項４０に記載の方法。

【請求項42】

前記基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記非露出フォトレジストは、エッチングによって除去され、
少なくとも部分的に硬化するステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項４０または４１に記載の方法。

【請求項43】

硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項４０乃至４２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項44】

硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項４３に記載の方法。

【請求項45】

前記複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項４０乃至４４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項46】

各不透明カバーは、ｘ－ｙ平面平面図で観察されるように、円形である外形を有する、請求項４０乃至４５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項47】

スタンピングフォーム（１３５００）を製造する方法（１３１００）であって、
金属層（１３１５２）を上面上に有する基板（１３１５０）を提供するステップ（１３１０２）と、前記金属層は前記基板を覆っており、
前記金属層の上にフォトレジストの層（１３１５４）を配置して、前記金属層を覆うステップ（１３１０４）と、
前記フォトレジストの上にフォトマスク（１３１５６）を配置するステップ（１３１０６）と、前記フォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバー（１３１５８）を含み、それによって前記不透明カバーで覆われた領域における非露出フォトレジスト（１３１６０）と、前記不透明カバーで覆われていない領域における露出されたフォトレジスト（１３１６２）とが提供され、
少なくとも前記露出されたフォトレジストをＥＭ放射（１３１０９）に曝すステップ（１３１０８）と、
前記金属層から、ＥＭ放射の曝露を受けた露出されたフォトレジストを除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジスト（１３１６４）の実質的に同一に構成された複数の部分を形成するステップ（１３１１０）と、
前記フォトレジストの硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、残りのフォトレジストの実質的に同一に構成された複数の部分の各々に対するシェーピングフォームの適用により成形して、成形されたフォトレジスト（１３１６６）を形成するステップ（１３１１２）と、続いて、複数の実質的に同一に形成された形状を維持するために、前記残りのフォトレジストの成形された実質的に同一に構成された複数の部分を少なくとも部分的に硬化させるステップ（１３１１４）と、
実質的に同一に形成された形状を有する前記残りのフォトレジストの全ての露出面に金属コーティング（１３１６８）を塗布するステップ（１３１１６）と、
実質的に同一に形成された形状の間の空間（１３１７０）を充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジストを、前記金属層の上面に対して特定の厚さＨ７まで特定の金属で覆うステップ（１３１１８）と、
前記金属層の底部から前記基板を除去するステップ（１３１２０）と、
前記金属層を除去するステップ（１３１２２）と、
前記残りのフォトレジストを除去して、前記特定の金属を含むスタンピングフォームを得るステップ（１３１２４）とを含む方法。

【請求項48】

前記基板は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記金属コーティングは、金属蒸着によって塗布され、
前記特定の金属は、ニッケルからなり、
前記基板は、エッチングまたは研削によって除去され、
前記金属層は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、
前記露出されたフォトレジストと前記残りのフォトレジストは、エッチングによって除去される、請求項４７に記載の方法。

【請求項49】

複数の第１の誘電体部分（１４５１０）（１ＤＰ）と、複数の第２の誘電体部分（１４５２０）（２ＤＰ）とを有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造（１４５００）を製造する方法（１４１００）であって、
基板（１４５３０）を提供するステップ（１４１０２）と、
前記基板の上にフォトレジストの層（１４５１２）を配置するステップ（１４１０６）と、
前記フォトレジストの上にグレースケールフォトマスク（１４１５０）を配置するステップ（１４１０６）と、前記グレースケールフォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバー（１４１５２）を含み、前記グレースケールフォトマスクの前記カバーは、部分的に半透明な外側領域（１４１５６）に向かって遷移する不透明な中央領域（１４１５４）を含み、それによって、不透明領域で覆われた領域における非露出フォトレジスト（１４５１３）と、部分的に半透明な領域で覆われた領域における部分的に露出されたフォトレジスト（１４５１４）と、および前記カバーによって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジスト（１４５１５）とが設けられ、
前記グレースケールフォトマスクおよび前記完全に露出されたフォトレジストをＥＭ放射（１４１０９）に曝すステップ（１４１０８）と、
ＥＭ放射の曝露を受けた前記部分的に露出されたフォトレジストおよび前記完全に露出されたフォトレジストを除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰを形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジストの実質的に同一の形状の複数の構造（１４５１６）を形成するステップと、
流動性形態の硬化性のＤｋ組成物（１４５０７）を前記複数の１ＤＰ間の空間に充填するステップ（１４１１２）と、充填された空間は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰのうちの対応する２ＤＰを提供し、
任意選択的に、前記複数の１ＤＰの上面上の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物を前記複数の１ＤＰの上面と同じ高さにするステップ（１４１１４）と、
硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させて、前記基板と、前記基板上に配置された前記複数の２ＤＰによって取り囲まれた実質的に同一の形状を有する複数の１ＤＰの少なくとも１つのアレイとを含むアセンブリ（１４５００）を得るステップ（１４１１６）とを含む方法。

【請求項50】

前記基板は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、
前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記部分的に露出されたフォトレジストおよび前記完全に露出されたフォトレジストは、エッチングによって除去され、
少なくとも部分的に硬化するステップは、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む、請求項４９に記載の方法。

【請求項51】

硬化性のＤｋ組成物は、１，２－ブタジエン、２，３－ブタジエン、イソプレン、またはそれらのホモポリマーまたはコポリマー、エポキシ、アリル化ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル、任意選択的に、共硬化性の架橋剤、および任意選択的に、硬化剤を含む、請求項４９または５０に記載の方法。

【請求項52】

硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、前記無機粒子材料は、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成中空ガラス球、セラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、水酸化マグネシウム、またはそれらの組み合わせを含む、請求項５１に記載の方法。

【請求項53】

前記複数の１ＤＰの各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項４９乃至５２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項54】

前記複数の１ＤＰの各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のうちのいずれか１つを有する、請求項４９乃至５３のいずれか一項に記載の方法。

【請求項55】

スタンピングフォーム（１５５００）を製造する方法（１５１００）であって、
金属層（１５１５２）を上面上に有する基板（１５１５０）を提供するステップ（１５１０２）と、前記金属層は前記基板を覆っており、
前記金属層の上にフォトレジストの層（１５１５４）を配置して、前記金属層を覆うステップ（１５１０４）と、
前記フォトレジストの上にグレースケールフォトマスク（１５１５６）を配置するステップ（１５１０６）と、前記グレースケールフォトマスクは、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバー（１５１５８）を含み、前記グレースケールフォトマスクの前記カバーは、部分的に半透明な外側領域（１５１６２）に向かって遷移する不透明な中央領域（１５１６０）を含み、それによって、不透明領域で覆われた領域における非露出フォトレジスト（１５１６４）と、部分的に半透明な領域で覆われた領域における部分的に露出されたフォトレジスト（１５１６６）と、および前記カバーによって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジスト（１５１６８）とが設けられ、
前記グレースケールフォトマスクおよび前記完全に露出されたフォトレジストをＥＭ放射（１５１０９）に曝すステップ（１５１０８）と、
ＥＭ放射の曝露を受けた前記部分的に露出されたフォトレジストおよび前記完全に露出されたフォトレジストを除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジストの実質的に同一の形状の複数の構造（１５１７０）を形成するステップ（１５１１０）と、
実質的に同一の形状の構造を有する前記残りのフォトレジストの全ての露出面に金属コーティング（１５５０２）を塗布するステップ（１５１１２）と、
金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造の間の空間（１５１７４）を特定の金属（１５５０６）で充填して、金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造を、スタンプ適性金属で前記金属層の上面に対して特定の厚さＨ７まで覆うステップ（１５１１４）と、
前記金属層の底部から前記基板を除去するステップ（１５１１６）と、
前記金属層を除去するステップ（１５１１８）と、
前記残りのフォトレジストを除去して、前記特定の金属を含むスタンピングフォームを得るステップ（１５１２０）とを含む方法。

【請求項56】

前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであり、
前記ＥＭ放射は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、
前記金属コーティングは、金属蒸着によって塗布され、
前記特定の金属は、ニッケルからなり、
前記基板は、エッチングまたは研削によって除去され、
前記金属層は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、
前記露出されたフォトレジストと前記残りのフォトレジストは、エッチングによって除去される、請求項５５に記載の方法。

【請求項57】

実質的に同一の形状の複数の構造の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する、請求項５５または５６に記載の方法。

【請求項58】

実質的に同一の形状の複数の構造の各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のいずれか１つを有する、請求項５５乃至５７のいずれか一項に記載の方法。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、概して、誘電体（Ｄｋ：ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）電磁（ＥＭ：ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ）構造、およびその製造方法に関し、詳しくは、高性能Ｄｋ ＥＭ構造を製造するコスト効率の高い方法に関する。

【背景技術】

【0002】

例示的なＤｋ ＥＭ構造およびその例示的な製造方法は、出願人に譲渡された特許文献１に開示されている。
既存のＤｋ ＥＭ構造およびその製造方法は、それらの意図された目的に適しているかもしれないが、Ｄｋ ＥＭ構造の製造に関連する技術は、Ｄｋ ＥＭ構造を製造するコスト効率の高い方法の適用によって進歩するであろう。

【0003】

特許文献２～９および非特許文献１は、有益な背景技術として考えられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開第２０１７／０７５１７７号

【特許文献2】米国特許出願公開第２００８／１９３７４９号明細書

【特許文献3】米国特許出願公開第２０１１／２０４５３１号明細書

【特許文献4】米国特許出願公開第２００８／０７９１８２号明細書

【特許文献5】米国特許出願公開第２０１６／１１１７６９号明細書

【特許文献6】米国特許出願公開第２０１０／００２３１２号明細書

【特許文献7】米国特許出願公開第２００５／１６２７３３号明細書

【特許文献8】米国特許出願公開第２０１２／０４５６１９号明細書

【特許文献9】米国特許出願公開第２０１６／３２２７０８号明細書

【非特許文献】

【0005】

【非特許文献1】アタバック・ラシディアン（Atabak Rashidian）他、「フォトレジストベースのポリマー共振器アンテナ：リソグラフィーによる作製、ストリップフェッドによる励起、マルチモード動作（Photoresist-Based Polymer Resonator Antennas: Lithography Fabrication, Strip-Fed Excitation, and Multimode Operation）」、IEEEアンテナ＆プロパゲーションマガジン（IEEE Antennas and Propagation Magazine）、米国ニュージャージー州ピスカタウェイ、IEEEサービスセンタ（IEEE Service Center, Piscataway, NJ, U.S.）、第５３巻、第４号、２０１１年８月１日、第１６頁－２７頁、XPO11388753, ISSN: 1045-9243, DOI: 10.1109/MAP.2011.6097279

【発明の概要】

【0006】

一実施形態は、誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法を含み、この方法は、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を含む第１の型部分を提供するステップと、第１の複数の凹部を完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物で充填するステップと、第１のＤｋ組成物で充填された第１の複数の凹部の複数の凹部の上およびそれらを横断して基板を配置するステップと、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を備える基板を第１の型部分から除去して、基板と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物を含む複数のＤｋ構造とを含むアセンブリを得るステップとを含み、複数のＤｋ構造の各々は、第１の複数の凹部のうちの対応する凹部によって画定された三次元（３Ｄ）形状を有する。

【0007】

別の実施形態は、１つまたは複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）を有する誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法を含み、この方法は、アレイ状に配置され、かつ複数の１ＤＰを形成するように構成された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部を有する第１の型部分を提供するステップと、第１の型部分は、複数の凹部の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルをさらに含み、第１の複数の凹部および比較的薄い接続チャネルを、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物で充填するステップと、第１の型部分の上に第２の型部分を、硬化性のＤｋ組成物が間に配置された状態で配置するステップと、第２の型部分を第１の型部分に向かってプレスして、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、第１の型部分に対して第２の型部分を分離するステップと、第１の型部分から少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物を除去して、少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物を含む少なくとも１つのＤｋ構造を得るステップとを含み、少なくとも１つのＤｋ構造の各々は、第１の複数の凹部および相互接続する複数の比較的薄い接続チャネルによって画定された三次元（３Ｄ）形状を有し、第１の複数の凹部によって画定された３Ｄ形状は、ＥＭ構造における複数の１ＤＰを提供する。

【0008】

別の実施形態は、誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を製造する方法を含み、この方法は、Ｄｋ材料のシートを提供するステップと、シートに、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の複数の凹部を形成するステップと、シートの非凹部部分は、複数の凹部の個々の凹部間の接続構造を形成し、複数の凹部を、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物で充填するステップと、Ｄｋ材料のシートは、第１の平均誘電率とは異なる第２の平均誘電率を有し、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップとを含む。

【0009】

別の実施形態は、誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造を含み、Ｄｋ ＥＭ構造は、第１の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を含む少なくとも１つのＤｋ構成要素と、少なくとも１つのＤｋ構成要素の露出面の少なくとも一部の上に共形的に配置された、水不透過性層、水バリア層、または撥水性層とを備える。

【0010】

本発明の上記の特徴および利点、ならびに他の特徴および利点は、添付の図面に関連して考慮した場合、本発明の以下の詳細な説明から容易に明らかになる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

添付の図において、同様の構成要素に同様の番号が付けされているか、または同様の構成要素に同様の番号が付けされているが、先頭の数字が異なる例示的な非限定的な図面を参照する。

【図1A-1C】は、一実施形態による、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する代替方法のブロック図表現を断面側面図で示す図である。

【図1D】一実施形態による、図１Ａに示されているような代替プロセスステップを示す断面側面図および対応する平面図。

【図2A-2C】一実施形態による、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する他の代替方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図3A】一実施形態による、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する別の代替方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図3B】一実施形態による、図３ＡのＤｋ ＥＭ構造を製造する製造方法の概略図を示す断面側面図。

【図4A-4C】一実施形態による、図１Ａ－図１Ｄ、図２Ａ－図２Ｃ、および図３Ａ－図３Ｂのものと類似しているが代替的なＤｋ ＥＭ構造を示す断面側面図。

【図4D】一実施形態による、図４ＣのＤｋ ＥＭ構造のトップダウン平面図。

【図5A】一実施形態による、Ｄｋ ＥＭ構造を製造する別の代替方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図5B】一実施形態による、図５Ａに示される方法に従って製造されたＤｋ ＥＭ構造を示す断面側面図。

【図6A】一実施形態による、図１Ａ－図１Ｄ、図２Ａ－図２Ｃ、図３Ａ－図３Ｂ、図４Ａ－図４Ｃ、および図５Ａ－図５Ｂのものとは代替的なＤｋ ＥＭ構造を製造するための例示的な型を示す回転等角図。

【図6B】一実施形態による、図６Ａの型のユニットセルを示す回転等角図。

【図6C】一実施形態による、図６Ａおよび図６Ｂの型から製造されたＤｋ ＥＭ構造を示す透明回転等角図、対応する立体回転等角図、および対応する平面図。

【図7A-7E】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する代替の方法のブロック図表現を示す断面図。

【図8】一実施形態による、複数のＤｋ ＥＭ構造を形成するためのパネルレベルの処理の例を示すトップダウン平面図。

【図9A-9C】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図9D】一実施形態による、図９Ａ－図９Ｃに示される方法に従って製造されたＤｋ ＥＭ構造を示す断面側面図。

【図9E】一実施形態による、図９ＤのＤｋ ＥＭ構造を示すトップダウン平面図。

【図9F-9G】一実施形態による、図９Ａ－図９Ｄに示される方法に従って製造された代替のＤｋ ＥＭ構造を示す断面側面図。

【図10A-10D】一実施形態による、スタンピングフォームを製造する方法のブロック図表現を示す断面図。

【図11A-11B】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する代替の方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図12A-12C】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する代替の方法のブロック図表現を示す断面図。

【図13A-13C】一実施形態による、代替のスタンピングフォームを製造する方法のブロック図表現を示す断面図。

【図14A-14B】一実施形態による、代替のＤｋ ＥＭ構造を製造する代替の方法のブロック図表現を示す断面側面図。

【図15A-15B】一実施形態による、代替のスタンピングフォームを製造する方法のブロック図表現を示す断面図。

【図16A-16B】一実施形態に従って使用するための、代替の三次元（３Ｄ）および２次元（２Ｄ）の形状をそれぞれ示す図。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下の詳細な説明は、例示の目的で多くの詳細を含んでいるが、当業者であれば、以下の詳細に対する多くの変形および変更が添付の特許請求の範囲内にあることを理解するであろう。従って、以下の例示的な実施形態は、本明細書に開示された特許請求の範囲に記載された発明に対する一般性を失うことなく、また制限を課すことなく記載される。

【0013】

例示的な実施形態は、様々な図面および添付のテキストによって示され、説明されるように、代替的なＤｋ ＥＭ構造およびその製造方法を提供するものであり、これらには、成形、射出成形、圧縮成形、ロールツーロールモールドドラムによる成形、インプリンティング、スタンピング、エンボス加工、ステンシル加工、熱成形、フォトリソグラフィ、グレースケールフォトリソグラフィ、またはテンプレート充填を含むが、これらに限定されない。このような方法は、単層または多層のＤｋ ＥＭ構造を製造するために適用され得、Ｄｋ ＥＭ構造は、単一のＤｋ ＥＭ構造、複数のＤｋ ＥＭ構造、Ｄｋ ＥＭ構造のパネルまたはアレイ、またはＤｋ ＥＭ構造の複数のパネルまたはアレイであり得る。本明細書に開示されるＤｋ ＥＭ構造の実施形態は、例えば、アンテナ、誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）、アンテナまたはＤＲＡのアレイ、誘電体レンズ、および／または誘電体導波路を含む用途に有用であり得る。本明細書に図示および説明されている実施形態は、特定の断面プロファイル（ｘ－ｙ、ｘ－ｚ、またはｙ－ｚ、断面プロファイル）を有するＤｋ ＥＭ構造が示されているが、そのようなプロファイルは、本発明の範囲から逸脱することなく変更され得ることが理解されるであろう。従って、本明細書の開示の範囲内にあり、本明細書に開示された目的に適した任意のプロファイルが、本明細書に開示された実施形態を補完するものと見なされ、かつ企図される。本明細書に図示および説明されている実施形態は、特定のアレイサイズを有するか、または有することが示唆されているＤｋ ＥＭアレイの構造が示されているが、そのようなサイズは、本発明の範囲から逸脱することなく変更され得ることが理解されるであろう。従って、本明細書の開示の範囲内にあり、本明細書に開示された目的に適している任意のアレイサイズは、本明細書に開示される実施形態を補完するものと見なされ、かつ企図される。

【0014】

以下の例示的な実施形態は個別に提示されているが、以下に記載される全ての実施形態の完全な読解から、個々の実施形態の間には、特徴および／またはプロセスのいくつかのクロスオーバーを可能にするような類似性が存在し得ることが理解されるであろう。従って、そのような個々の特徴および／またはプロセスのいずれかの組み合わせは、そのような組み合わせが明示的に示されているかどうかにかかわらず、本明細書の開示内容と矛盾しない範囲で、一実施形態に従って使用することができる。

【0015】

以下の例示的な実施形態の１つまたは複数に関連するいくつかの図は、対応する実施形態の、対応する特徴の相互の構造的関係の基準フレームを提供する直交するｘｙｚ軸のセットを示しており、ｘｙ平面がトップダウン平面図と一致し、ｙｚ平面またはｘｚ平面は、側面正面図と一致する。

【0016】

本明細書で提供されるいくつかの図は、複数の１ＤＰおよび２ＤＰを有するＤｋ ＥＭ構造の側面正面図のみを示しているが、本明細書で提供される開示全体を読解すれば、本明細書に記載されている図面の他のトップダウン平面図または回転等角図が、対応する正面図の関連する１ＤＰおよび２ＤＰがアレイ状に配置されている、対応する正面図に関連するアレイ構成の代表的な図として使用することができることが理解されるであろう（例えば、図１Ｃ、図４Ｄ、図６Ａ、図８、および図９Ｅに示されているアレイを参照）。

【0017】

第１の例示的な実施形態：方法１１００、Ｄｋ ＥＭ構造１５００
Ｄｋ ＥＭ構造１５００を製造するための例示的な方法１１００の以下の説明では、特に図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃおよび図１Ｄがまとめて参照され、図１Ａは、方法ステップ１１０２、１１０４、１１０６、１１０８、１１１０、１１１２、および１１１４、ならびに対応する結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造１５００を示し、図１Ｂは、方法ステップ１１２２、１１２４、１１２６、１１２８、１１３０、１１３２、１１３４、および１１３６、ならびに対応する結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造１５００を示し、図１Ｃは、図１Ｂのものと交換に、方法ステップ１１２２、１１２４、１１２６、１１２８’、１１３０’、１１３４’、および１１３６、ならびに対応する結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造１５００を示し、図１Ｄは、比較的薄い接続チャネル１５１６および対応する構造１５１８を示す中間方法ステップの正面断面図および対応する平面図を示す。

【0018】

一実施形態では、特に図１Ａを参照して、誘電体（Ｄｋ）電磁（ＥＭ）構造１５００を製造する例示的な方法１１００は、アレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部１５０４を有する第１の型部分１５０２を提供するステップ１１０２と、第１の複数の凹部１５０４を、完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６で充填するステップ１１０４と、第１のＤｋ組成物１５０６で充填された第１の複数の凹部１５０４の複数の凹部の上およびそれらを横断して基板１５０８を配置するステップ１１０６と、硬化性の第１のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、基板１５０８の上に第２の型部分１５１０を配置する任意のステップ１１０８と、第２の型部分１５１０を第１の型部分１５０２に向かってプレスして、硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６をさらに少なくとも部分的に硬化させる別の任意選択のステップ１１１０と、第１の型部分１５０２に対して第２の型部分１５１０を分離する別の任意のステップ１１１２と、第１の型部分１５０２から少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６を備える基板１５０８を除去して、基板１５０８と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６を有する複数のＤｋ構造１５１４とを有するアセンブリ１５１２を得るステップ１１１４とを含み、複数のＤｋ構造１５１４の各々は、第１の複数の凹部１５０４のうちの対応する凹部によって画定された三次元（３Ｄ）形状を有する。

【0019】

本明細書で使用される場合、「実質的に」という用語は、製造公差を考慮していることを意図している。従って、対応する構造を製造するための製造公差がゼロである場合、実質的に同一の構造は同一である。

【0020】

一実施形態では、基板１５０８は、Ｄｋ層と、金属層と、Ｄｋ層と金属層の組み合わせと、複数のスロットを有する金属層（複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている）と、プリント回路基板と、フレキシブル回路基板と、基板一体型導波路（ＳＩＷ：ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）と、ＥＭ信号フィードネットワークとのうちの１つまたは複数を含み得る。

【0021】

一実施形態では、特に図１Ｂを参照すると、方法１１００は、第１の型部分１５０２を提供するステップ１１０２の前に、第１の型部分１５０２のアレイ状に配置された各々が実質的に同一の第２の複数の凹部１５２４を有する第１の先行型部分（ｐｒｅ－ｍｏｌｄ ｐｏｒｔｉｏｎ）１５２２を提供するステップ１１２２と（第２の複数の凹部１５２４の各々の１つは、第１の複数の凹部１５０４の対応する１つよりも大きい）、第２の複数の凹部１５２４を、第１の平均誘電率よりも小さく、かつ完全硬化後に空気の誘電率よりも大きい第２の平均誘電率を有する硬化性の第２のＤｋ組成物１５２６で充填するステップ１１２４と、第１の先行型部分１５２２の上に第２の先行型部分１５２８を配置するステップ１１２６と（第２の先行型部分１５２８は、第１の型部分１５０２のアレイ状に、かつ第２の複数の凹部１５２４の各々と１対１で対応して配置された複数の開口１５３０を有する）、第２の先行型部分１５２８の上に第３の先行型部分１５３２を配置するステップ１１２８と（第３の先行型部分１５３２は、第１の型部分１５０２のアレイ状に配置された複数の実質的に同一の突起１５３４を有し、各々が実質的に同一の突起１５３４は、第２の先行型部分１５２８の開口１５３０の対応する開口に挿入され、かつ第２の複数の凹部１５２４の対応する凹部に挿入され、それによって、第２の複数の凹部１５２４の各々内の第２のＤｋ材料１５２６を、所与の突起１５３４の体積に等しい体積だけ変位させる）、第３の先行型部分１５３２を第２の先行型部分１５２８に向かってプレスして、硬化性の第２のＤｋ組成物１５２６を少なくとも部分的に硬化させるステップ１１３０と、第２の先行型部分１５２８に対して第３の先行型部分１５３２を分離して（１１３２）、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６を有する型構造１５３６を第２のＤｋ組成物１５２６内に生成するステップ１１３４と（型構造１５３６は、第１の型部分１５０２を提供するのに役立ち、かつアレイ状に配置された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部１５０４を有する第１の型部分１５０２、１５３６を提供するステップ１１０２を確立する）を含み、前述の除去するステップ１１１４は、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６および少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６を有する基板１５０８を第１の型部分１５０２、１５３６から除去して、基板１５０８と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６のアレイおよび少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６の対応するアレイを含む複数のＤｋ構造１５４０とを含むアセンブリ１５３８を得るステップ１１３６を含み、複数のＤｋ構造１５４０の各々は、第１の複数の凹部１５０４および第２の複数の凹部１５２４のうちの対応する各々の凹部によって画定された３Ｄ形状を有する。

【0022】

一実施形態では、特に図１Ｂと組み合わせた図１Ｃを参照すると、図１Ｂの参照番号１１２８、１１３０、１１３２、および１１３４に関連するステップは、図１Ｃの参照番号１１２８’、１１３０’、および１１３４’に関連するステップに置き換えてもよく、他の全てのステップおよび対応する構造は本質的に同じままであることが理解されるであろう。図１Ｃに示されるように、図１Ｂからの配置するステップ１１２８は、基板１５０８と、基板１５０８上に形成された少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６を有する複数のＤｋ構造１５１４とを有する上記のアセンブリ１５１２を第２の先行型部分１５２８（図１Ｂを参照）の上に配置するステップ１１２８’に置き換えてもよく、アセンブリ１５１２は、第２の先行型部分１５２８の開口１５３０の対応する開口に挿入され、かつ第２の複数の凹部１５２４の対応する凹部に挿入される複数のＤｋ構造１５１４を有し、それにより、第２の複数の凹部１５２４の各々の凹部内の第２のＤｋ材料１５２６を、所与のＤｋ構造１５１４の体積に等しい体積だけ変位させることになる。また、図１Ｂからのプレスするステップ１１３０は、アセンブリ１５１２を第２の先行型部分１５２８に向かってプレスして、硬化性の第２のＤｋ組成物１５２６を少なくとも部分的に硬化させるステップ（１１３０’）に置き換えてもよい。さらに、図１Ｂからの分離するステップ１１３２は省略されてもよく、図１Ｂからの生成するステップ１１３４は、アセンブリ１５１２と、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６とを有する型構造１５３６を生成するステップ１１３４’に置き換えてもよい。さらに、前述の１１１４を除去するステップは、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６および少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６を有する基板１５０８を第１の型部分１５０２、１５３６から除去して、基板１５０８と、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６のアレイおよび少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６の対応するアレイを含む複数のＤｋ構造１５４０とを含むアセンブリ１５３８を得るステップ１１３６とを含み、複数のＤｋ構造１５４０の各々は、第１の複数の凹部１５０４および第２の複数の凹部１５２４のうちの対応する凹部によって画定された３Ｄ形状を有する。

【0023】

一実施形態では、複数のＤｋ構造１５１４は、基板１５０８上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）を提供し、各ＤＲＡは、第１のＤｋ組成物１５０６によって提供されるＤｋ材料の体積または層を有する単層ＤＲＡである。

【0024】

一実施形態では、複数のＤｋ構造１５４０は、基板１５０８上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）を提供し、各ＤＲＡは、第１のＤｋ組成物１５０６によって提供されるＤｋ材料の第１の内部体積または層と、第２のＤｋ組成物１５２６によって提供されるＤｋ材料の第２の外側体積または層とを有する２層ＤＲＡである。

【0025】

一実施形態では、複数のＤｋ構造１５４０は、基板１５０８上に配置された複数の誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）１５０６と、複数のＤＲＡと１対１で対応して配置された複数の誘電体レンズまたは誘電体導波路１５２６とを提供し、各ＤＲＡは、第１のＤｋ組成物１５０６によって提供されるＤｋ材料の体積または層を有する単一体積または単一層ＤＲＡであり、対応する各レンズまたは導波路は、第２のＤｋ組成物１５２６によって提供されるＤｋ材料の体積または層を有する単一体積または単一層構造である。

【0026】

一実施形態において、特に図１Ａと組み合わせて図１Ｃを参照すると、第１の型部分１５０２は、第１の複数の凹部１５０４の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル１５１６を含み、このチャネル１５１６は、第１の平均誘電率を有する硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６で第１の複数の凹部を充填するステップ１１０４中に充填され、それにより、基板１５０８と、複数のＤｋ構造１５１４とを含むアセンブリ１５１２が、複数のＤｋ構造１５１４の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造１５１８とともに得られ、比較的薄い接続構造１５１８は、少なくとも部分的に硬化された第１のＤｋ組成物１５０６から構成され、第１のＤｋ組成物１５０６を有する比較的薄い接続構造１５１８および充填された第１の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する。

【0027】

一実施形態では、特に図１Ｂと組み合わせて図１Ｃを参照すると、第２の先行型部分１５２８は、第２の複数の凹部１５２４の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル１５１６を含み、このチャネルは、第２の複数の凹部１５２４の各々の凹部内の第２のＤｋ材料１５２６を所与の突起１５３４の体積に等しい体積だけ変位させる前述のプロセス中に充填され、それにより、基板１５０８と複数のＤｋ構造１５４０とを有するアセンブリ１５３８が、複数のＤｋ構造１５４０の隣接するＤｋ構造を相互接続する複数の比較的薄い接続構造１５１８とともに得られ、比較的薄い接続構造１５１８は、少なくとも部分的に硬化された第２のＤｋ組成物１５２６から構成され、第２のＤｋ組成物１５２６を有する比較的薄い接続構造１５１８および充填された第２の複数の凹部は、単一のモノリシックを形成する。

【0028】

一実施形態では、第１の複数の凹部を充填するステップ１１０４、第２の複数の凹部を充填するステップ１１２４、または第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、流動性形態（ｆｌｏｗａｂｌｅ ｆｏｒｍ）の個々の硬化性のＤｋ組成物を対応する凹部に注入およびスクイージングする（ｓｑｕｅｅｇｅｅｉｎｇ）ことをさらに含む。

【0029】

一実施形態では、第１の複数の凹部を充填するステップ１１０４、第２の複数の凹部を充填するステップ１１２４、または第１および第２の複数の凹部の両方を充填するステップは、個々の硬化性のＤｋ組成物の流動性の誘電体フィルムを対応する凹部にインプリンティングすることをさらに含む。

【0030】

一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６をプレスして少なくとも部分的に硬化させるステップ１１１０、硬化性の第２のＤｋ組成物１５２６をプレスして少なくとも部分的に硬化させるステップ１１３０、または硬化性の第１のＤｋ組成物と硬化性の第２のＤｋ組成物の両方をプレスして少なくとも部分的に硬化させるステップは、個々の硬化性のＤｋ組成物を、約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の期間の間、硬化させることを含む。

【0031】

方法１１００の一実施形態では、第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。
方法１１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。

【0032】

方法１１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物１５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。
方法１１００の一実施形態では、所与のＤｋ構造１５１４、１５４０の３Ｄ形状は、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0033】

本明細書に開示された任意の実施形態では、基板は、例えば、シリコンウェハなどのウェハ、または本明細書に開示された目的に適した任意の他の電子基板であり得る。
第２の例示的な実施形態：方法２１００、Ｄｋ ＥＭ構造２５００
Ｄｋ ＥＭ構造２５００を製造するための例示的な方法２１００の以下の説明では、特に図２Ａ、図２Ｂ、および図２Ｃがまとめて参照され、図２Ａは、方法ステップ２１０２、２１０６、２１０８、２１１０、２１１２、および２１１４、ならびに結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造２５００のアレイ２５０１を示し、図２Ｂは、方法ステップ２１１７および結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造２５００を示す。

【0034】

一実施形態では、特に図２Ａを参照して、１つまたは複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）２５１２を有するＤｋ ＥＭ構造２５００を製造する例示的な方法２１００は、アレイ状に配置され、かつ複数の１ＤＰ２５１２を形成するように構成された各々が実質的に同一の第１の複数の凹部２５０４を有する第１の型部分２５０２を提供するステップ２１０２と（第１の型部分２５０２は、複数の凹部２５０４の隣接する凹部を相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル２１０４をさらに有する）、第１の複数の凹部２５０４および比較的薄い接続チャネル２１０４を、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物２５０６で充填するステップ２１０６と、第１の型部分２５０２の上に第２の型部分２５０８を、硬化性のＤｋ組成物２５０６が間に配置された状態で配置するステップ２１０８と、第２の型部分２５０８を第１の型部分２５０２に向かってプレスして、硬化性のＤｋ組成物２５０６を少なくとも部分的に硬化させるステップ２１１０と、第１の型部分２５０２に対して第２の型部分２５０８を分離するステップ２１１２と、第１の型部分２５０２から少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物２５０６を除去して、少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物２５０６を有する少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を得るステップ２１１４と、を含み、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０の各々は、第１の複数の凹部２５０４および相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル２１０４によって画定された三次元（３Ｄ）形状を有し、第１の複数の凹部２５０４によって画定された３Ｄ形状は、相互接続する複数の比較的薄い接続チャネル２１０４の充填されたチャネルにより形成された比較的薄い接続構造２５１４により相互接続された複数の１ＤＰ２５１２を有するＥＭ構造２５００を提供する。

【0035】

一実施形態では、特に図２Ａを再度参照すると、第２の型部分２５０８は、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０に位置合わせ機構２５１６を提供するために配置された少なくとも１つの凹部２１１６を含み、第２の型部分２５０８を第１の型部分２５０２に向かってプレスするステップ２１１０は、硬化性のＤｋ組成物２５０６の一部を少なくとも１つの凹部２１１６内に変位させることをさらに含む。

【0036】

一実施形態では、特に図２Ａと組み合わせて図２Ｂを参照すると、第１の型部分２５０２は、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０に位置合わせ機構を提供するために配置された少なくとも１つの第１の突起２１１８をさらに含み（具体的には示されていないが、当業者であれば、位置合わせ機構が突起２１１８によって形成された接続構造２５１４の開口であることを理解し得る）、第２の型部分２５０８を第１の型部分２５０２に向かってプレスするステップ２１１０は、硬化性のＤｋ組成物２５０６の一部を少なくとも１つの第１の突起２１１８の周りに変位させることをさらに含む。

【0037】

一実施形態では、特に図２Ａを参照すると、第１の型部分２５０２および第２の型部分２５０８のうちの少なくとも１つは、セグメント化されたセットのパネルをアレイ２５０１の形態で提供するために、複数の凹部２５０４のサブセットの周りのセグメント化突起２１２０を含み、第２の型部分２５０８を第１の型部分２５０２に向かってプレスするステップ２１１０は、硬化性のＤｋ組成物２５０６の一部を、セグメント化突起２１２０の近接領域で第１の型部分２５０２と第２の型部分２５０８との間の対面接触から離れるように変位させることをさらに含む。

【0038】

一実施形態では、特に図２Ａおよび２Ｂと組み合わせて図２Ｃを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０における所与の１ＤＰ２５１２対して少なくとも１つのＤｋアイソレータ２５１８（図２Ｂ参照）を提供するために、第１の型部分２５０２は、第２の複数の凹部２１２２をさらに含み、第２の複数の凹部２１２２の各々の１つは、第１の複数の凹部２５０４の１つと１対１で対応して配置され、かつ第１の型部分２５０２のトップダウン平面図で観察されるように、第１の複数の凹部２５０４の対応する１つを実質的に取り囲む。一実施形態では、Ｄｋアイソレータ２５１８は、１ＤＰ２５１２の対応する１つの周りにＤｋ組成物２５０６の連続リングを形成する。一実施形態では、Ｄｋ構造２５１０は、複数の１ＤＰ２５１２、比較的薄い接続構造２５１４、および少なくとも１つのＤｋアイソレータ２５１８の一体的に形成された構成を含むモノリシックのＤｋ組成物２５０６である。

【0039】

一実施形態では、特に図２Ａおよび２Ｂと組み合わせて図２Ｃを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０における所与の１ＤＰ２５１２に対して対応する強化されたＤｋアイソレータ２５２０を提供するために、第１の型部分２５０２は、第２の複数の凹部２１２２の１つと１対１で対応して配置された複数の第２の突起２１２４をさらに含み、各第２の突起２１２４は、第２の複数の凹部２１２２の対応する１つ内に中央に配置され、かつ第１の複数の凹部２５０４の対応する１つを実質的に取り囲む。一実施形態では、強化されたＤｋアイソレータ２５２０は、１ＤＰ２５１２の対応する１つの周りにＤｋ組成物２５０６の連続リングを形成する。一実施形態では、Ｄｋ構造２５１０は、複数の１ＤＰ２５１２、比較的薄い接続構造２５１４、および対応する強化されたＤｋアイソレータ２５２０の一体的に形成された構成を含むＤｋ組成物２５０６のモノリシックである。

【0040】

一実施形態では、特に図２Ａおよび２Ｂと組み合わせて図２Ｃを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０における所与の１ＤＰ２５１２に対して強化されたＤｋアイソレータ２５２２を提供するために、第２の型部分２５０８は、第１の型部分２５０２の第２の複数の凹部２１２２の１つと１対１で対応して配置された複数の第３の突起２１２６をさらに含み、各第３の突起２１２６は、第１の型部分２５０２の第２の複数の凹部２１２２の対応する１つ内に中央に配置され、かつ第１の型部分２５０２の第１の複数の凹部２５０４の対応する１つを実質的に取り囲む。一実施形態では、強化されたＤｋアイソレータ２５２２は、１ＤＰ２５１２の対応する１つの周りにＤｋ組成物２５０６の連続リングを形成する。一実施形態では、Ｄｋ構造２５１０は、複数の１ＤＰ２５１２、比較的薄い接続構造２５１４、および対応する強化されたＤｋアイソレータ２５２２の一体的に形成された構成を含むＤｋ組成物２５０６のモノリシックである。

【0041】

一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物２５０６を少なくとも部分的に硬化させることを含むステップ２１１０は、硬化性のＤｋ組成物２５０６を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、加熱することを含む。

【0042】

一実施形態では、方法２１００は、第１の型部分２５０２から少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物２５０６を除去するステップ２１１４の後に、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を完全に硬化させるステップと、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０の背面に接着剤２５２４を塗布するステップとを含む。

【0043】

一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物２５０６の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。
方法２１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物２５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。

【0044】

一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物２５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。
方法２１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ２５１２の各１ＤＰは、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0045】

一実施形態では、特に図２Ａと組み合わせて図２Ｂを参照すると、方法２１００は、基板２５２６を提供するステップと、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を基板２５２６上に配置するステップ２１１７とをさらに含む。

【0046】

一実施形態では、基板２５２６は、Ｄｋ層と、金属層と、Ｄｋ層と金属層の組み合わせと、複数のスロットを有する金属層（複数のスロットの各々が、複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている）と、プリント回路基板と、フレキシブル回路基板と、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークとのうちの１つまたは複数を含み得る。

【0047】

一実施形態では、少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を基板２５２６上に配置するプロセスは、位置合わせ機構２５１６を、基板２５２６上の対応する受承機構（図示の基板２５２６の破線の開口によって一般的に示される）と位置合わせするステップと、接着剤２５２４により少なくとも１つのＤｋ構造２５１０を基板２５２６に接着するステップとをさらに含む。

【0048】

第３の例示的な実施形態：方法３１００、Ｄｋ ＥＭ構造３５００
Ｄｋ ＥＭ構造３５００を製造するための例示的な方法３１００の以下の説明では、特に図３Ａおよび図３Ｂがまとめて参照され、図３Ａは、方法ステップ３１０２、３１０４、３１０６、３１０７、３１０８、および３１１０、および結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造３５００を、複数の凹部３５０４のうちの対応する凹部の中心を通る正面断面図で示し、図３Ｂは、方法ステップ３１２０および３１２２を含む製造プロセスを示す。

【0049】

一実施形態では、特に図３Ａを参照して、Ｄｋ ＥＭ構造３５００を製造する例示的な方法３１００は、Ｄｋ材料のシート３５０２を提供するステップ３１０２と、Ｄｋ材料のシート３５０２に、アレイ状に配置される各々が実質的に同一の複数の凹部３５０４を形成するステップ３１０４（Ｄｋ材料のシート３５０２の非凹部は、複数の凹部３５０４の個々の凹部間に配置された接続構造３５０５を形成し、一実施形態では、複数の凹部３５０４の各凹部は、周囲壁を有するポケット凹部である）と、複数の凹部３５０４を、完全硬化後に空気の平均誘電率よりも大きい第１の平均誘電率を有する硬化性のＤｋ組成物３５０６で充填するステップ３１０６（Ｄｋ材料のシート３５０２は、第１の平均誘電率とは異なる第２の平均誘電率を有する）と、硬化性のＤｋ組成物３５０６を少なくとも部分的に硬化させるステップ３１０７とを含む。

【0050】

方法３１００の一実施形態では、第２の平均誘電率は、第１の平均誘電率よりも小さい。
一実施形態では、特に図３Ａを参照して、方法３１００は、硬化性のＤｋ組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ３１０７に続いて、Ｄｋ材料のシート３５０２を個々のタイル３５０８に切断するステップ３１０８をさらに含み、各タイル３５０８は、内部に少なくとも部分的に硬化されたＤｋ組成物３５０６を有する複数の凹部３５０４のサブセットのアレイを有し、凹部間には接続構造３５０５の一部が配置されている。

【0051】

一実施形態では、形成するステップ３１０４は、複数の凹部３５０４をトップダウン方式でスタンピングまたはインプリンティングすることを含む。
一実施形態では、形成するステップ３１０４は、複数の凹部３５０４をボトムアップ方式でエンボス加工することを含む。

【0052】

一実施形態では、充填するステップ３１０６は、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物３５０６を複数の凹部３５０４に注入およびスクイージングすることを含む。
一実施形態では、形成するステップ３１０４は、Ｄｋ材料のシート３５０２の第１の側から、シート３５０２内に、各々が実質的に同一の複数の凹部３５０４を形成することをさらに含み、複数の凹部３５０４の各々は、深さＨ５を有し、さらにシート３５０２の第２の反対側から、複数の凹部３５０４と１対１で対応する複数の窪み３５１０を形成するステップ３１１０を含み、複数の窪み３５１０の各々は、深さＨ６を有し、Ｈ６は、Ｈ５以下である。

【0053】

一実施形態では、複数の凹部３５０４の各々はポケット凹部であり、複数の窪み３５１０の各々は、複数の凹部３５０４の各対応する１つの凹部内において周囲の側壁３５１１を有するブラインドポケットを形成して、各ポケット凹部３５０４内のＤｋ組成物３５０６が、対応する中央に配置された窪み３５１０を取り囲むようになっている。

【0054】

一実施形態では、複数の窪み３５１０の各々は、複数の凹部３５０４のうちの対応する１つの凹部に対して中央に配置されている。
一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物３５０６を少なくとも部分的に硬化させるステップ３１０７は、Ｄｋ組成物３５０６を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0055】

一実施形態では、提供するステップ３１０２は、Ｄｋ材料のシート３５０２を平坦な形態で提供することを含み、充填するステップ３１０６は、平坦な形態のシートの複数の凹部３５０４を一度に１つまたは複数の凹部３５０４を充填することを含む。

【0056】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、提供するステップ３１０２は、ロール３５２０上にＤｋ材料のシート３５０２を提供するステップ３１２０と、次の形成するステップ３１０４のためにＤｋ材料のシート３５０２を展開するステップ３１２２とを含む。

【0057】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂも参照すると、方法３１００は、Ｄｋ材料３５０２のロール３５２０の下流にパターンローラ３５２２および対向する圧縮ローラ３５２４を提供するステップと、パターンローラ３５２２の下流にＤｋ組成物３５０６のディスペンサユニット３５２６を提供するステップと、ディスペンサユニット３５２６の下流に硬化ユニット３５２８を提供するステップと、硬化ユニット３５２８の下流に仕上げローラ３５３０を提供するステップとをさらに含む。

【0058】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、パターンローラ３５２２の下流、かつディスペンサユニット３５２６の上流に第１の張力ローラ３５３２を提供するステップと、第１の張力ローラ３５３２の下流、かつ硬化ユニット３５２８の上流に第２の張力ローラ３５３４を提供するステップとをさらに含む。

【0059】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、第２の張力ローラ３５３４と協働するように、かつ第２の張力ローラ３５３４と対向して配置されたスキージユニット３５３６を提供するステップをさらに含む。

【0060】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、Ｄｋ材料のロール３５２０からＤｋ材料のシート３５０２を展開するステップ３１２２と、パターンローラ３５２２と対向する圧縮ローラ３５２４との間にＤｋ材料３５０２の展開されたシートを通過させるステップと、ここで、シートにアレイ状に配置された実質的に同一の複数の凹部３５０４を形成するステップ３１０４（図３Ａを参照）が発生して、パターン化されたシート３５１２が得られ、パターン化されたシート３５１２をディスペンサユニット３５２６に近接して通過させるステップと、ここで、複数の凹部３５０４を硬化性のＤｋ組成物３５０６で充填するステップ３１０６（図３Ａを参照）が発生して、充填されたパターン化されたシート３５１４が得られ、充填されたパターン化されたシート３５１４を硬化ユニット３５２８に近接して通過させるステップと、ここで、硬化性のＤｋ組成物３５０６を少なくとも部分的に硬化するステップ３１０７が生じて、少なくとも部分的に硬化されたシート３５１８が得られ、少なくとも部分的に硬化されたシート３５１８をその後の処理のために仕上げローラ３５３０に送給するステップとをさらに含む。

【0061】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、パターン化されたシート３５１２をディスペンサユニット３５２６に近接して通過させるステップの前に、パターン化されたシート３５１２を、一実施形態では、パターン化されたシート３５１２のプロセス中の張力を制御するために位置調整可能である第１の張力ローラ３５３２に係合させるステップと、充填されたパターン化されたシート３５１４を硬化ユニット３５２８に近接して通過させるステップの前に、充填されたパターン化されたシート３５１４を、一実施形態では充填されたパターン化されたシート３５１４のプロセス中の張力を制御するために位置調整可能である第２の張力ローラ３５３４に係合させるステップとをさらに含む。

【0062】

一実施形態では、特に図３Ａと組み合わせて図３Ｂを参照すると、方法３１００は、充填されたパターン化されたシート３５１４を硬化ユニット３５２８に近接して通過させるステップの前に、充填されたパターン化されたシート３５１４を、スキージユニット３５３６および対向する第２の張力ローラ３５３４に係合させて、充填されかつスクイージングされたパターン化されたシート３５１６を得るステップをさらに含む。

【0063】

方法３１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物３５０６の第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。

【0064】

方法３１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物３５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法３１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物３５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0065】

方法３１００の一実施形態では、複数の凹部の各凹部３５０４は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0066】

第４の例示的な実施形態：Ｄｋ ＥＭ構造４５００
例示的なＤｋ ＥＭ構造４５００の以下の説明は、特に図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃおよび図４Ｄがまとめて参照され、図４Ａは、Ｄｋ ＥＭ構造４５００の代替形態の正面断面図を示し、図４Ｂおよび図４Ｃは、Ｄｋ ＥＭ構造４５００の代替形態に代わるＤｋ ＥＭ構造４５００．１および４５００．２の正面断面図を示し、図４Ｄは、例示的なＤｋ ＥＭ構造４５００、４５００．１、４５００．２のトップダウン平面図を示す。

【0067】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、例示的なＤｋ ＥＭ構造４５００は、第１の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を有する少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０と、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の露出面の少なくとも一部の上に共形的に（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）配置された水不透過性層４５０４とを含む。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の露出された上面の上に共形的に配置され、かつ少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の露出された最も外側の側面の上に共形的に配置され得る（図４Ａ参照）。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の全ての露出された面の上に共形的に配置されている。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、３０ミクロン以下であり、代替的には、１０ミクロン以下であり、さらに代替的には、３ミクロン以下であり、よりさらに代替的には、１ミクロン以下である。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、２８０℃以上のはんだ付け温度に耐えることが可能である。一実施形態では、水不透過性層４５０４は、撥水性層（本明細書では参照番号４５０４によっても参照される）に置き換えられる。一実施形態では、水不透過性または撥水性層は、窒化物、窒化ケイ素、アクリレート、一酸化ケイ素（ＳｉＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの任意の添加剤を含むアクリレート層、ポリエチレン、または疎水性ポリマーベースの材料を含む。

【0068】

本明細書で使用される場合、「空気以外のＤｋ材料を有する」という語句は、空気ではないＤｋ材料を必然的に含むが、発泡体を含む空気をも含み得る。本明細書で使用される場合、「空気を含む」という語句は、空気を必然的に含むが、発泡体を含む空気ではないＤｋ材料を排除しない。また、「空気」という用語は、本明細書に開示された目的に適した誘電率を有するガスであるとしてより一般的に参照され、かつ見なされ得る。

【0069】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０は、Ｄｋ構成要素４５２０のアレイを形成するｘ×ｙ配置に配置された複数のＤｋ構成要素４５２０を含む（アレイ状に配置された図４Ａに示された複数のＤｋ構成要素４５２０は、図４Ａには具体的に示されていないが、少なくとも図８を参照することにより当業者に理解される）。

【0070】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、複数のＤｋ構成要素４５２０の各々は、比較的薄い接続構造４５２８を介して複数のＤｋ構成要素４５２０の少なくとも１つの他のＤｋ構成要素に物理的に接続されており、各接続構造４５２８は、複数のＤｋ構成要素４５２０のうちの１つの全体的な外寸と比較して比較的薄く、各接続構造４５２８は、個々の接続されたＤｋ構成要素４５２０の全体の高さＨ１よりも小さい断面の全体の高さＨ０を有し、かつＤｋ構成要素４５２０のＤｋ材料から形成されており、各比較的薄い接続構造４５２８および複数のＤｋ構成要素４５２０は、単一のモノリシック（概して、参照番号４５２０によっても参照される）を形成する。一実施形態では、比較的薄い接続構造４５２８は、モノリシック４５２０と一体的に形成された少なくとも１つの位置合わせ機構４５０８を含む。一実施形態では、少なくとも１つの位置合わせ機構４５０８は、突起、凹部、穴、または前述の位置合わせ機構の任意の組み合わせのうちのいずれかであり得る。

【0071】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、Ｄｋ構成要素４５２０のアレイは、複数のＤｋ構成要素４５２０の各１つと１対１の対応で配置された複数のＤｋアイソレータ４５１０を含み、各Ｄｋアイソレータ４５１０は、複数のＤｋ構成要素４５２０のうちの対応する１つを実質的に取り囲んで配置されている。一実施形態では、各Ｄｋアイソレータ４５１０は、Ｄｋ構成要素４５２０のうちの対応する１つの周りに連続リングを形成する。一実施形態では、複数のＤｋアイソレータ４５１０の各々は、複数のＤｋ構成要素４５２０の高さＨ１以下の高さＨ２を有する。一実施形態では、Ｄｋアイソレータ４５１０の各々は、中空の内部部分を備える（図２Ｃの強化されたＤｋアイソレータ２５２０、２５２２を参照）。一実施形態では、中空の内部部分は、上部が開放されているか（強化されたＤｋアイソレータ２５２０、図２Ｃを参照）、または下部が開放されている（Ｄｋアイソレータ２５２２、図２Ｃを参照）。一実施形態では、複数のＤｋアイソレータ４５１０は、比較的薄い接続構造４５２８を介して、複数のＤｋ構成要素４５２０と一体的に形成され、モノリシックを形成する。

【0072】

一実施形態では、特に図４Ａを参照すると、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の各々は、第１の誘電体部分（１ＤＰ）４５２２を含むとともに、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）４５３２をさらに含み、複数の２ＤＰの各２ＤＰ４５３２は、第２の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を有し、各１ＤＰ４５２２は、近位端４５２４および遠位端４５２６を有し、各２ＤＰ４５３２は、近位端４５３４および遠位端４５３６を有し、所与の２ＤＰ４５３２の近位端４５３４は、対応する１ＤＰ４５２２の遠位端４５２６に近接して配置され、所与の２ＤＰ４５３２の遠位端４５３６は、対応する１ＤＰ４５２２の遠位端４５２６から規定された距離だけ離間して配置され、第２の平均誘電率は、第１の平均誘電率よりも小さい。一実施形態では、側面正面断面図で観察されるように（図４Ａを参照）、各１ＤＰ４５２２は全体的な高さＨ１を有し、各２ＤＰ４５３２は全体的な高さＨ３を有し、Ｈ３は、Ｈ１よりも大きく、所与の２ＤＰ４５３２の遠位端４５３６
一実施形態では、各２ＤＰ４５３２は、比較的薄い接続構造４５３８を介して２ＤＰ４５３２の隣接する２ＤＰと一体的に形成されて、比較的薄い接続構造４５３８とともに２ＤＰ４５３２のモノリシックを形成する。

【0073】

一実施形態では、Ｄｋ ＥＭ構造４５００の第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。
Ｄｋ ＥＭ構造４５００の一実施形態において、特に図４ＢのＤｋ ＥＭ構造４５００．１と組み合わせた図４ＡのＤｋ ＥＭ構造４５００を参照すると、少なくとも１つのＤｋ構成要素４５２０の各々は、高さＨ１を有する第１の誘電体部分（１ＤＰ）４５２２を含むとともに、第２の平均誘電率を有する空気以外のＤｋ材料を有する、高さＨ３を有する第２の誘電体部分（２ＤＰ）４５３２さらに含み、２ＤＰ４５３２のＤｋ材料は、複数の凹部４５３３を含み、複数の凹部の各凹部４５３３は、１ＤＰ４５２２のうちの対応する１つのＤｋ材料で充填され、２ＤＰ４５３２の各々は、１ＤＰ４５２２の対応する１ＤＰを実質的に取り囲み、第２の平均誘電率は、第１の平均誘電率よりも小さい。一実施形態では、２ＤＰ４５３２の各々は、Ｄｋ ＥＭ構造４５００の平面図で観察されるように、１ＤＰ４５２２の対応する１ＤＰの周りに１ＤＰ４５２２のそれよりも比較的低いＤｋ材料の連続リングを形成する。図４ＢのＤｋ ＥＭ構造４５００、４５００．１の一実施形態では、Ｈ１は、Ｈ３に等しい。

【0074】

Ｄｋ ＥＭ構造４５００の代替の実施形態では、特に図４ＣのＤｋ ＥＭ構造４５００．２と組み合わせて図４ＡのＤｋ ＥＭ構造４５００を参照すると、２ＤＰ４５３２は、１ＤＰ４５２２の各々の下にある比較的薄い接続構造４５３８を含み、２ＤＰ４５３２および比較的薄い接続構造４５３８はモノリシックを形成し、Ｈ１は、Ｈ３よりも小さい。

【0075】

Ｄｋ ＥＭ構造４５００．１および４５００．２の一実施形態では、不透過性層４５０４は、アレイの全ての露出面上に共形的に配置されている。
Ｄｋ ＥＭ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、第１の平均誘電率は、５以上であり、代替的には、９以上であり、さらに代替的には、１８以上、かつ１００以下である。

【0076】

Ｄｋ ＥＭ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、第１の平均誘電率を有するＤｋ材料は、Ｄｋ粒子材料を含む少なくとも部分的に硬化された樹脂を含む。Ｄｋ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、Ｄｋ粒子材料は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0077】

Ｄｋ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、少なくとも１つのＤｋ構成要素の各Ｄｋ構成要素４５２０は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。Ｄｋ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、少なくとも１つのＤｋ構成要素の各Ｄｋ構成要素４５２０は、誘電体共振器アンテナ（ＤＲＡ）である。Ｄｋ構造４５００、４５００．１、および４５００．２の一実施形態では、複数の２ＤＰの各２ＤＰ４５３２は、誘電体レンズまたは誘電体導波路である。

【0078】

図４Ｃは、Ｄｋ ＥＭ構造４５００、４５００．２の側面正面断面図を示し、図４Ｄは、複数の１ＤＰ４５２２が複数の２ＤＰ４５３２によって取り囲まれてアレイ状に配置されたＤｋ ＥＭ構造４５００、４５００．２のトップダウン平面図を示す（複数の２ＤＰ４５３２は、実線で示されるように長方形であり得るか、または破線で示されるように円形であり得るか、または本明細書に開示された目的に適した他の任意の形状であり得る）。

【0079】

第５の例示的な実施形態：方法５１００、Ｄｋ ＥＭ構造５５００
Ｄｋ ＥＭ構造５５００を製造するための例示的な方法５１００の以下の説明では、特に図５Ａおよび図５Ｂがまとめて参照され、図５Ａは、方法ステップ５１０２、５１０４、５１０６、５１０８、５１１０、５１１２、５１１４、５１１６、および結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造５５００のアレイ５５０１を示し、図５Ｂは、結果的に製造される例示的なＤｋ ＥＭ構造５５００を示す。

【0080】

一実施形態では、特に図５Ａおよび５Ｂをまとめて参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）５５１０と、複数の１ＤＰ５５１０のうちの所与の１つと１対１で対応して配置された複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）５５２０とを有するＤｋ ＥＭ構造５５００であって、複数の１ＤＰの各１ＤＰ５５１０は、近位端５５１２および遠位端５５１４を有し、所与の１ＤＰ５５１０の遠位端５５１４は、ｘｙ平面断面図で観察されるような所与の１ＤＰ５５１０の近位端５５１２の断面よりも小さい、ｘｙ平面断面図で観察されるような断面を有する、Ｄｋ ＥＭ構造５５００を製造する例示的な方法５１００は、支持構造５５０２を提供するステップ５１０２と、少なくとも１つのアレイに配置された、複数の一体的に形成された２ＤＰ５５２０を提供するステップ５１０４と（複数の２ＤＰ５５２０は、少なくとも部分的に硬化されたＤｋ材料であり、複数の２ＤＰの各２ＤＰ５５２０は、近位端５５２２および遠位端５５２４を含み、所与の２ＤＰ５５２０の各近位端５５２２は、ブラインドエンドを有する中央に配置された窪み５５２６を含む）、複数の２ＤＰ５５２０を支持構造５５０２上に配置するステップ５１０６と（複数の２ＤＰ５５２０の各窪み５５２６は、充填されると、複数の１ＤＰ５５１０のうちの対応する１ＤＰを形成するように構成される）、複数の２ＤＰ５５２０の窪み５５２６を流動性形態の硬化性のＤｋ組成物５５０６で充填するステップ５１０８と（Ｄｋ組成物５５０６は、完全に硬化されたときの複数の２ＤＰ５５２０の第２の平均誘電率よりも大きい完全に硬化されたときの第１の平均誘電率を有する）、支持構造５５０２の上側および複数の２ＤＰ５５２０の近位端５５２２を横断してスクイージングして、硬化性のＤｋ組成物５５０６の余剰分を除去して、Ｄｋ組成物５５０６を、複数の２ＤＰ５５２０の各２ＤＰ５５２０の近位端５５２２と少なくとも同じ高さにするステップ５１１０と、硬化性のＤｋ組成物５５０６を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰ５５１０の少なくとも１つのアレイ５５０１を形成するステップ５１１２と、支持構造５５０２内に形成された１ＤＰ５５１０の少なくとも１つのアレイ５５０１とともに２ＤＰ５５２０の少なくとも１つのアレイ５５０１を含む結果的に製造されるアセンブリ５５３０を支持構造５５０２から除去するステップ５１２０とを含む。

【0081】

方法５１００の一実施形態では、支持構造５５０２は、複数の２ＤＰ５５２０の少なくとも１つのアレイ５５０１の所与の１つの周りに隆起した壁５５０４を含み、充填するステップ５１０８およびスクイージングするステップ５１１０は、複数の２ＤＰ５５２０の窪み５５２６を支持構造５５０２の隆起した壁５５０４の上端５５０８まで流動性形態の硬化性のＤｋ組成物５５０６で充填して、複数の２ＤＰ５５２０の窪み５５２６が充填されて、関連する複数の２ＤＰ５５２０の近位端５５２２が特定の厚さＨ６までＤｋ組成物５５０６により覆われるようにするステップ５１１４と、支持構造５５０２の隆起した壁５５０４を横断して５１１６をスクイージングして、任意の余剰分のＤｋ組成物５５０６を除去して、Ｄｋ組成物５５０６を隆起した壁５５０４の上端５５０８と同じ高さにするステップとを含み、Ｈ６の厚さのＤｋ組成物５５０６は、モノリシックを形成するために複数の１ＤＰ５５１０と一体的に形成された接続構造５５１６（図５Ｂを参照）を提供する。５１００の方法の一実施形態では、Ｈ６は約０．００２インチ（０．００５０８センチメートル）である。

【0082】

方法５１００の一実施形態では、複数の一体的に形成された２ＤＰ５５２０の少なくとも１つのアレイは、支持構造５５０２上に配置された一体的に形成された２ＤＰ５５２８の複数のアレイのうちの１つであり、複数の２ＤＰ５５２０は、熱可塑性ポリマーを含み、複数の１ＤＰ５５１０は、熱硬化性Ｄｋ材料５５０６を含み、少なくとも部分的に硬化させるステップ５１１２は、硬化性のＤｋ組成物５５０６を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。方法５１００の一実施形態では、熱可塑性ポリマーは高温ポリマーであり、Ｄｋ材料５５０６は、無機粒子材料を含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0083】

５１００の方法の一実施形態では、複数の１ＤＰ５５１０の各々および複数の２ＤＰ５５２０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0084】

第６の例示的な実施形態：型６１００、Ｄｋ ＥＭ構造６５００
Ｄｋ ＥＭ構造６５００を製造するための例示的な型６１００の以下の説明では、特に図６Ａ、図６Ｂ、および図６Ｃがまとめて参照され、図６Ａは、例示的な型６１００を示し、図６Ｂは、型６１００のユニットセル６０５０を示し、図６Ｃは、型６１００から製造可能な例示的なＤｋ ＥＭ構造６５００を示す。

【0085】

一実施形態では、特に図６Ａ、図６Ｂ、および図６Ｃをまとめて参照すると、第１の平均誘電率を有する第１の領域６５１０と、第１の領域の外側でｚ軸に対して半径方向に配置され、第２の平均誘電率を有する第２の領域６５２０と、第２の領域の外側でｚ軸に対して半径方向に配置され、第３の平均誘電率を有する第３の領域６５３０と、第３の領域の外側でｚ軸に対して半径方向に配置され、第２の平均誘電率を有する第４の領域６５４０とを含むＤｋ ＥＭ構造６５００を製造するための例示的な型６１００は、互いに一体的に形成されるか、または互いに結合されて連続した型６１００を提供する複数のユニットセル６０５０を含み、各ユニットセル６０５０は、ＥＭ構造６５００の第１の領域６５１０を形成するように配置および構成された第１の部分６１１０と、ＥＭ構造６５００の第２の領域６５２０を形成するように配置および構成された第２の部分６１２０と、ＥＭ構造６５００の第３の領域６５３０を形成するように配置および構成された第３の部分６１３０と、ＥＭ構造６５００の第４の領域６５４０を形成するように配置および構成された第４の部分６１４０と、各ユニットセル６０５０の外側境界を形成および画定するように配置および構成された第５の部分６１５０とを有し、第１の部分６１１０、第２の部分６１２０、第３の部分６１３０、第４の部分６１４０、および第５の部分６１５０は、全て単一の材料から互いに一体的に形成されて、モノリシックユニットセル６０５０を提供し、第１の部分６１１０および第５の部分６１５０は、モノリシックユニットセル６０５０の単一の材料を含み、第２の部分６１２０および第４の部分６１４０は、モノリシックユニットセル６０５０の単一の材料が存在せず、第３の部分６１３０は、モノリシックユニットセル６０５０の単一材料の不存在および存在の組み合わせを有し、第２の部分６１２０および第４の部分６１４０、ならびに第３の部分６１３０の一部のみが、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物６５０６を受容するように構成される。

【0086】

型６１００の一実施形態において、特に図６Ａおよび図６Ｂと組み合わせて図６Ｃを参照すると、型６１００のユニットセル６０５０から製造された単一のＤｋ ＥＭ構造６５００は、近位端６５０２および遠位端６５０４を有するＤｋ組成物６５０６の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された三次元（３Ｄ）本体６５０１を含み、３Ｄ本体６５０１は、３Ｄ本体６５０１の（対応するｚ軸に対して）中心に実質的に配置された第１の領域６５１０を有し、第１の領域６５１０は、空気を含む組成物で３Ｄ本体６５０１の遠位端６５０４まで軸方向に延在し、３Ｄ本体６５０１は、Ｄｋ組成物６５０６の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された第２の領域６５２０をさらに有し、第２の平均誘電率が第１の平均誘電率よりも大きく、第２の領域６５２０は、３Ｄ本体６５０１の近位端６５０２から遠位端６５０４まで軸方向に延在し、３Ｄ本体６５０１は、Ｄｋ組成物６５０６の少なくとも部分的に硬化された形態から部分的に作製され、かつ例えば、空気などの別の誘電媒体から部分的に作製された第３の領域６５３０をさらに有し、第３の平均誘電率が第２の平均誘電率よりも小さく、第３の領域６５３０は、３Ｄ本体６５０１の近位端６５０２から遠位端６５０４まで軸方向に延在し、第３の領域６５３０は、Ｄｋ組成物６５０６の少なくとも部分的に硬化された形態から作製された突起６５３２であって、第２の領域６５２０からｚ軸に対して半径方向に外向きに延在し、かつ第２の領域６５２０と一体的かつモノリシックである突起６５３２を含み、突起６５３２の各々の１つは、ｘｙ平面断面で観察されるように、断面全長Ｌ１および断面全幅Ｗ１を有し、Ｌ１およびＷ１は、それぞれ、λ未満であり、λは、Ｄｋ ＥＭ構造６５００が電磁的に励起されるときのＤｋ ＥＭ構造６５００の動作波長であり、３Ｄ本体６５０１の少なくとも第２の領域６５２０の全ての露出面は、型６１００の抜き勾配がつけられた側壁により、３Ｄ本体６５０１の近位端６５０２から遠位端６５０４まで内側に抜き勾配を有する。型６１００の一実施形態では、型６１００のユニットセル６０５０から製造された単一のＤｋ ＥＭ構造６５００は、さらに、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状と、ｘｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状と（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）をそれぞれが有する３Ｄ本体６５０１の第１の領域６５１０および第２の領域６５２０を含む。一実施形態では、Ｄｋ ＥＭ構造６５００は、本明細書に開示された目的のために本明細書に開示された任意の基板の形態であり得る基板６５０８上に配置される。図６Ｃは、Ｄｋ ＥＭ構造６５００のサイズに関連して０～４ｍｍのスケールを示しているが、このスケールは、説明のみを目的としており、Ｄｋ ＥＭ構造６５００の物理的サイズを制限するものではなく、本明細書に開示された目的に適した任意のサイズであり得ることが理解されるであろう。

【0087】

前述のことから、Ｄｋ ＥＭ構造６５００の一実施形態は、信号供給基板上に単一のステップで型／フォーム６１００により成形または他の方法で形成され得、これは、本明細書に開示された目的に有用な既存のＤｋ ＥＭ構造の既存の製造方法に関して、処理時間およびコストを大幅に削減することが企図されていることが理解されるであろう。

【0088】

第７の例示的な実施形態：方法７１００、Ｄｋ ＥＭ構造７５００
Ｄｋ ＥＭ構造７５００を製造する例示的な方法７１００の以下の説明では、特に図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄ、および図７Ｅがまとめて参照され、図７Ａは、方法ステップ７１０２、７１０４、７１０６、７１０８、７１１０、７１１２、７１１４、および７１１６、ならびに結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造７５００およびそのアレイ７５０１を示し、図７Ｂは、追加の方法ステップ７１１８を示し、図７Ｃは、追加の方法ステップ７１２０、７１２２、７１２４、７１２６、および７１２８、および結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造７５００およびそのアレイ７５０１を示し、図７Ｄは、追加のステップ７１３０を示し、図７Ｅは、追加の方法ステップ７１３２、７１３４、７１３６、７１３８、および７１４０、ならびに結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造７５００およびそのアレイ７５０１を示す。

【0089】

一実施形態では、特に図７Ａを参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）７５１０を有するＤｋ ＥＭ構造７５００を製造する例示的な方法７１００であって、複数の１ＤＰの各１ＤＰ７５１０は、近位端７５１２および遠位端７５１４を有し、遠位端７５１４は、ｘｙ平面断面で観察されるような近位端７５１２の断面積よりも小さい断面積を有し、方法７１００は、キャリア７１５０を提供するステップ７１０２と、キャリア７１５０上に基板７５３０を配置するステップ７１０４と、基板７５３０上に第１のステンシルマスク７１５２を配置するステップ７１０６と（第１のステンシルマスク７１５２は、少なくとも１つのアレイに配置された複数の開口７１５４を有し、各開口７１５４は、１ＤＰ７５１０の対応する１つの１ＤＰを形成するように構成された形状を有する）、第１の流動性形態の硬化性の第１のＤｋ組成物７５０６を第１のステンシルマスク７１５２の開口７１５４に充填するステップ７１０８と（第１のＤｋ組成物７５０６は、硬化後に第１の平均誘電率を有する）、第１のステンシルマスク７１５２の上面を横断してスクイージングして、第１のＤｋ組成物７５０６の任意の余剰分を除去して、残りの第１のＤｋ組成物７５０６を第１のステンシルマスク７１５２の上面と同じ高さにするステップ７１１０と、硬化性の第１のＤｋ組成物７５０６を少なくとも部分的に硬化させて、１ＤＰ７５１０の少なくとも１つのアレイ７５０１を形成するステップ７１１２と、第１のステンシルマスク７１５２を除去するステップ７１１４と、１ＤＰ７５１０の少なくとも１つのアレイ７５０１が取り付けられた基板７５３０を有する結果的に製造されたアセンブリ７５００をキャリア７１５０から除去するステップ７１１６とを含む。

【0090】

一実施形態では、図７Ａと組み合わせた図７Ｂおよび図７Ｃを特に参照して、方法７１００は、第１のステンシルマスク７１５２を除去するステップ７１１４の後で、１ＤＰ７５１０の少なくとも１つのアレイが取り付けられた基板７５３０を除去するステップ７１１６の前に、基板７５３０上に第２のステンシルマスク７１５６を配置するステップ７１１８と（第２のステンシルマスク７１５６は、１ＤＰの複数のアレイ７５０１を形成するために複数の１ＤＰ７５１０のサブセットを取り囲むように構成され、かつ配置された仕切り壁７１６０によって取り囲まれた開口７１５８を有し、１ＤＰ７５１０の各アレイ７５０１は、第２の誘電体部分（２ＤＰ）７５２０内に封入されることになっている（図７Ｃを参照））、第２の流動性形態の硬化性の第２のＤｋ組成物７５０７を第２のステンシルマスク７１５６の開口７１５８に充填するステップ７１２０と（第２のＤｋ組成物７５０７は、硬化後に第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する）、第２のステンシルマスク７１５６の上面を横断してスクイージングして、第２のＤｋ組成物７５０７の余剰分を除去して、残りの第２のＤｋ組成物７５０７を第２のステンシルマスク７１５６の上面と同じ高さにするステップ７１２２と、硬化性の第２のＤｋ組成物７５０７を少なくとも部分的に硬化させて、２ＤＰ７５２０内に封入された１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１を形成するステップ７１２４と、２ＤＰ７５２０内に封入された１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１から第２のステンシルマスク７１５６を除去するステップ７１２６と、対応する２ＤＰ７５２０内に封入された１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１が取り付けられた基板７５３０を有する結果的に製造されたアセンブリ７５００をキャリア７１５０から除去するステップ７１２８とをさらに含む。

【0091】

一実施形態では、特に図７Ｄおよび図７Ｅを図７Ａ～図７Ｃと組み合わせて参照すると、方法７１００は、第１のステンシルマスク７１５２を除去するステップ７１１４の後、１ＤＰ７５１０の少なくとも１つのアレイが取り付けられた基板７５３０を除去するステップ７１１６の前に、基板７５３０上に第２のステンシルマスク７１６２を配置するステップ７１３０と（第２のステンシルマスク７１６２は、複数の１ＤＰ７５１０の対応する個々の１ＤＰを覆うカバー７１６４と、平面図で観察されるように、複数の１ＤＰ７５１０の個々の１ＤＰを取り囲む開口７１６６と、平面図で観察されるように、１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１を形成するための複数の１ＤＰ７５１０のサブセットを取り囲む仕切り壁７１６８とを有し、複数の１ＤＰ７５１０の各１つの１ＤＰは、導電性構造７５１６（図７Ｅを参照）によって取り囲まれるようになっている）、流動性形態の硬化性の組成物７５０８を第２のステンシルマスク７１６２の開口７１６６に充填するステップ７１３２と（硬化性の組成物７５０８は、完全に硬化したときに導電性となる）、第２のステンシルマスク７１６２の上面を横断してスクイージングして、硬化性の組成物７５０８の余剰分を除去して、残りの硬化性の組成物を第２のステンシルマスク７１６２の上面と同じ高さにするステップ７１３４と、硬化性の組成物７５０８を少なくとも部分的に硬化して、１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１を形成するステップ７１３６と（平面図で観察されるように、各１ＤＰ７５１０は、導電性構造７５１６によって取り囲まれている）、複数のアレイ７５０１から第２のステンシルマスク７１６２を除去するステップ７１３８と、各１ＤＰ７５１０が導電性構造７５１６によって取り囲まれている１ＤＰ７５１０の複数のアレイ７５０１が取り付けられた基板７５３０を有する結果的に製造されたアセンブリ７５００をキャリア７１５０から除去するステップ７１４０とを含む。

【0092】

一実施形態では、第１のステンシルマスク７１５２は、第１のＤｋ組成物７５０６から生成された１ＤＰ７５１０に任意の所望の形状を提供するために、垂直側壁、傾斜側壁、または湾曲側壁を有し得る。

【0093】

方法７１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物７５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。方法７１００の一実施形態では、硬化性の第１のＤｋ組成物７５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0094】

方法７１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ７５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0095】

方法７１００の一実施形態では、硬化性の組成物７５０８は、金属粒子を有するポリマー、銅粒子を有するポリマー、アルミニウム粒子を有するポリマー、銀粒子を有するポリマー、導電性インク、カーボンインク、または、前述の硬化性の組成物の組み合わせのうちのいずれか１つを含む。

【0096】

方法７１００の一実施形態では、導電性構造７５１６は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0097】

方法７１００の一実施形態では、基板７５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含む。

【0098】

第８の例示的な実施形態：方法８１００、Ｄｋ ＥＭ構造８５００
Ｄｋ ＥＭ構造８５００を製造する例示的な方法８１００の以下の説明では、特に図８が参照される。方法８１００およびＤｋ ＥＭ構造８５００は、図８に関して本明細書で以下に説明されるが、同じ方法が、前述の方法１１００、２１００、３１００、５１００、６１００、および７１００のいずれにも適用可能であり得、図示のＤｋ ＥＭ構造８５００が前述のＤＫ ＥＭ構造１５００、２５００、３５００、４５００、５５００、６５００、および７５００のいずれにも適用可能であり、かついずれかを代表し得ることが理解されるであろう。従って、図８における方法８１００およびＤｋ ＥＭ構造８５００へのいかなる参照も、図１Ａ～図７Ｅに示された前述の方法および構造のいずれかを考慮して読まれるべきである。

【0099】

一実施形態では、例示的な方法８１００は、前述の方法のいずれかに関するものであり、Ｄｋ ＥＭ構造８５００は、１ＤＰ（前述の１ＤＰのいずれか）の少なくとも１つのアレイ８５０１（アレイ８５０１に置換され得る１５０１、２５０１、５５０１、７５０１も参照）を含み、１ＤＰの少なくとも１つのアレイの複数のアレイ８５０１が単一のＤｋ ＥＭ構造８５００上にパネルの形態で形成されるパネルレベル処理のプロセスによって形成され、本明細書で参照番号８５００によっても参照される。

【0100】

方法８１００の一実施形態では、パネル８５００は、基板８５０８（例えば、本明細書に開示された基板のいずれかを参照）、または誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つをさらに含む。

【0101】

第９の例示的な実施形態：方法９１００、Ｄｋ ＥＭ構造９５００
Ｄｋ ＥＭ構造９５００を製造する例示的な方法９１００の以下の説明では、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ、図９Ｄ、図９Ｅ、図９Ｆ、および図９Ｇがまとめて参照され、図９Ａは、プロセスステップ９１０２、９１０４、９１０６を示し、図９Ｂは、プロセスステップ９１０６．１を示し、図９Ｃは、プロセスステップ９１０６．２を示し、図９Ｄは、プロセスステップ９１０８、９１１０、９１１２、９１１４、およびＤｋ ＥＭ構造９５００の側面正面断面図を示し、図９Ｅは、（実線で示されるように長方形、破線で示されるように円形、または本明細書に開示された目的のために任意の他の適切な形状であり得る）複数の２ＤＰ９５２０によって囲まれたアレイ状に配置された複数の１ＤＰ９５１０を有するＤｋ ＥＭ構造９５００のトップダウン平面図を示し、図９Ｆは、プロセスステップ９１１６を示し、図９Ｇは、プロセスステップ９１１６の代替であるプロセスステップ９１１８を示す。

【0102】

一実施形態では、特に図９Ａ～図９Ｅを参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）９５１０と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）９５２０とを有し、各１ＤＰ９５１０は、近位端９５１２および遠位端９５１４を有するＤｋ ＥＭ構造９５００（図９Ｄおよび図９Ｅを参照）を製造する例示的な方法９１００は、支持構造９１５０を提供するステップ９１０２と、支持構造９１５０上にポリマーのシート９５２２を配置するステップ９１０４と、スタンピングフォーム９１５２を提供して、スタンピングフォームを下降させ９１０６．１、次にスタンピングフォームを上昇させて９１０６．２、支持構造９１５０によって支持されたポリマーのシート９５２２にスタンピングするステップ９１０６と（スタンピングフォーム９１５２は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された突起９１５４を有し、スタンピング９１０６によって、ポリマーのシート９５２２の変位した材料と、ポリマーのシート９５２２内にアレイ状に配置されたブラインドエンドを有する複数の窪み９５２４と、複数の窪み９５２４は、複数の１ＤＰ９５１０を形成するためのものであり、かつ複数の窪み９５２４の各々を取り囲むポリマー９５２２のシートの隆起した壁９５２６とが得られ、複数の隆起した壁９５２６は、複数の２ＤＰ９５２０を形成するためのものである）、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物９５０６を複数の窪み９５２４に充填するステップ９１０８と（複数の窪みの各窪みは、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰ９５１０の対応する１つを形成し、ポリマーのシート９５２２は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有し、各１ＤＰ９５１０の遠位端９５１４は、ポリマーのシート９５２２の複数の隆起した壁９５２６の上面９５２８に近接している）、任意選択的に、ポリマーのシート９５２２の複数の隆起した壁９５２６の上面９５２８より上の任意の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物９５０６を複数の隆起した壁９５２６の上面９５２８と同じ高さにするステップ９１１０と、硬化性のＤｋ組成物９５０６を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰ９５１０の少なくとも１つのアレイ９５０１を形成するステップ９１１２と、複数の隆起した壁９５２６、複数の窪み９５２４を備えたポリマー材料９５２２のスタンピングされたシートと、複数の窪み９５２４内に形成された複数の１ＤＰ９５１０の少なくとも１つのアレイ９５０１とを含む結果的に製造されたアセンブリ９５００を支持構造９１５０から除去するステップ９１１４とを含み、複数の２ＤＰ９５２０が複数の１ＤＰ９５１０を取り囲むように配置されている。

【0103】

一実施形態では、図９Ａ～図９Ｅと組み合わせた図９Ｆを特に参照すると、方法９１００は、基板９５３０を提供するとともに、スタンピングされたポリマーのシート９５２２を備えたアセンブリ９５００を基板９５３０上に配置して、各１ＤＰ９５１０の近位端９５１２が基板９５３０に近接して配置され、各１ＤＰ９５１０の遠位端９５１４が基板９５３０から離間して配置されるようにするステップ９１１６をさらに含む。

【0104】

一実施形態では、図９Ａ～図９Ｅと組み合わせた図９Ｇを特に参照すると、方法９１００は、基板９５３０を提供するとともに、複数の１ＤＰ９５１０の少なくとも遠位端９５１４が基板９５３０上に配置され、複数の１ＤＰ９５１０の近位端９５１２が基板９５３０から離間して配置された状態でアセンブリ９５００を基板９５３０上に配置するステップ９１１８をさらに含む。

【0105】

方法９１００の一実施形態では、基板９５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含む。

【0106】

方法９１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物９５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法９１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物９５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0107】

方法９１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ９５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0108】

方法９１００の一実施形態では、対応する２ＤＰ９５２０の各隆起した壁９５２６は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0109】

方法９１００の一実施形態では、少なくとも部分的に硬化させるステップ９１１２は、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、少なくとも部分的に硬化させることを含む。

【0110】

第１０の例示的な実施形態：方法１０１００、スタンピングフォーム１０５００
スタンピングフォーム１０５００を製造する例示的な方法１０１００の以下の説明では、特に図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、および図１０Ｄがまとめて参照され、図１０Ａは、方法ステップ１０１０２および１０１０４を示し、図１０Ｂは、方法ステップ１０１０５、１０１０８、および１０１１０を示し、図１０Ｃは、方法ステップ１０１１２および１０１１４を示し、図１０Ｄは、方法ステップ１０１１６、１０１１８、および１０１２０、ならびに結果的に製造されたスタンピングフォーム１０５００を示す。

【0111】

一実施形態では、特に図１０Ａ～図１０Ｄを参照すると、例示的な方法１０１００は、スタンピングフォームにより形成された例えばＤｋ ＥＭ構造９５００等の任意の前述のＤｋ ＥＭ構造を製造する際に使用するためのスタンピングフォーム１０５００（図１０Ｄ参照）を製造するためのものであり、方法１０１００は、金属層１０１５２を上面上に有する基板１０１５０を提供するステップ１０１０２と（金属層１０１５２は基板１０１５０を覆っている）、金属層１０１５２の上にフォトレジスト１０１５４を配置して、金属層１０１５２を覆うステップ１０１０４と、フォトレジスト１０１５４の上にフォトマスク１０１５６を配置するステップ１０１０６と（フォトマスク１０１５６は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口１０１５８を有し、それによって露出されたフォトレジスト１０１６０が得られる）、少なくとも露出されたフォトレジスト１０１６０をＥＭ放射１０１０９に曝すステップ１０１０８と、金属層１０１５２からＥＭ放射１０１０９の曝露１０１０８を受けた露出されたフォトレジスト１０１６０を除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジスト１０１６４に複数の実質的に同一に構成されたポケット１０１６２を形成するステップ１０１１０と、複数のポケット１０１６２を有する残りのフォトレジスト１０１６４の全ての露出された表面に金属コーティング１０５１０を塗布するステップ１０１１２と、複数のポケット１０１６２を充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジスト１０５１０を、金属層１０１５２の上面に対して特定の厚さＨ７までスタンプ適性金属１０５１２で覆うステップ１０１１４と、金属層１０１５２の底部から基板１０１５０を除去するステップ１０１１６と、金属層１０１５２を除去するステップ１０１１８と、残りのフォトレジスト１０１６４を除去して、スタンピングフォーム１０５００を得るステップ１０１２０とを含む。一実施形態では、スタンプ適性金属１０５１２による充填１０１１４は、金属電鋳を含み、これは、一実施形態では、シード層として既存の金属表面を使用して金属を電気めっきすることを含む。

【0112】

方法１０１００の一実施形態では、基板１０１５０は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化シリコン基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、フォトレジスト１０１５４は、ポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１０１０９は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、金属コーティング１０５１０は、全ての側面の被覆を達成するために複数の傾斜角での金属蒸着または金属スパッタリングなどの金属蒸着により塗布され、スタンプ適性金属１０５１２は、ニッケルまたはニッケル合金を含み、基板１０１５０は、１０１１６においてエッチングまたは研磨によって除去され、金属層１０１５２は、１０１１８において研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、露出されたフォトレジスト１０１６０および残りのフォトレジスト１０１６４は、１０１２０においてエッチングによって除去される。

【0113】

一実施形態では、フォトレジスト層はまた、低吸水性レジスト層（例えば、体積比で１％未満の吸水性）であり得る。
第１１の例示的な実施形態：方法１１１００、Ｄｋ ＥＭ構造１１５００
Ｄｋ ＥＭ構造１１５００を製造する例示的な方法１１１００の以下の説明では、特に図１１Ａおよび図１１Ｂがまとめて参照され、図１１Ａは方法ステップ１１１０２、１１１０４、および１１１０６を示し、図１１Ｂは方法ステップ１１１０８、１１１１０、１１１１２、１１１１４、１１１１６、１１１１８、１１１２０、および１１１２２、ならびに結果的に製造されたＤｋ ＥＭ構造１１５００を示す。

【0114】

一実施形態では、特に図１１Ａ～図１１Ｂを参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）１１５１０と、複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）１１５２０とを有するＤｋ ＥＭ構造１１５００を製造する例示的な方法１１１００は、支持構造１１１５０を提供するステップ１１１０２と、支持構造１１１５０の上にフォトレジスト１１５２２の層を配置するステップ１１１０４と、フォトレジスト１１５２２の上にフォトマスク１１１５２を配置するステップ１１１０６と（フォトマスク１１１５２は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された開口１１１５４を有し、それによって露出されたフォトレジスト１１５２４が得られる）、少なくとも露出されたフォトレジスト１１５２４をＥＭ放射１１１０９に曝すステップ１１１０８と、支持構造１１１５０から、ＥＭ放射１１１０９の曝露１１１０８を受けた露出されたフォトレジスト１１５２４を除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジスト１１５２８に実質的に同一に構成された複数の開口１１５２６を形成するステップ１１１１０と、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物１１５０６を残りのフォトレジスト１１５２８の複数の開口１１５２６に充填するステップ１１１１２と（複数の充填された開口１１５２６は、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰ１１５１０の対応する１ＤＰを提供し、残りのフォトレジストは、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰ１１５２０を提供する）、任意選択的に、複数の２ＤＰ１１５２０の上面１１５２１上の任意の余剰分のＤｋ組成物１１５０６を除去して、Ｄｋ組成物１１５０６を複数の２ＤＰ１１５２０の上面１１５２１と同じ高さにするステップ１１１１４と、硬化性のＤｋ組成物１１５０６を少なくとも部分的に硬化させて、複数の１ＤＰ１１５１０の少なくとも１つのアレイを形成するステップ１１１１６と、支持構造１１１５０から複数の２ＤＰ１１５２０および内部に形成された複数の１ＤＰ１１５１０の少なくとも１つのアレイを有する結果的に得られたアセンブリ１１５００を除去するステップ１１１１８とを含む。

【0115】

一実施形態では、方法１１１００は、基板１１５３０を提供するステップ１１１２０と、得られたアセンブリ１１５００を基板１１５３０に接着するステップ１１１２２とをさらに含み、基板１１５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、フォトレジスト１１５２２はポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１１１０９はＸ線放射またはＵＶ放射であり、露出されたフォトレジスト１１５２４および残りのフォトレジスト１１５２８は、１１１１０においてエッチングによって除去され、少なくとも部分的に硬化させるステップ１１１１６は、硬化性のＤｋ組成物１１５０６を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0116】

方法１１１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１１５０６は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法１１１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１１５０６は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0117】

方法１１１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ１１５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0118】

方法１１１００の一実施形態では、複数の２ＤＰ１１５２０のうちの対応する１つの開口１１５２６は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である内部断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0119】

第１２の例示的な実施形態：方法１２１００、Ｄｋ ＥＭ構造１２５００
Ｄｋ ＥＭ構造１２５００を製造する例示的な方法１２１００の以下の説明は、特に図１２Ａ、図１２Ｂ、および図１２Ｃがまとめて参照され、図１２Ａは、方法ステップ１２１０２、１２１０４、および１２１０６を示し、図１２Ｂは、方法ステップ１２１０８および１２１１０を示し、図１２Ｃは、方法ステップ１２１１２、１２１１４、１２１１６、１２１１８、および１２１２０、ならびに結果的に製造されるＤｋ ＥＭ構造１２５００を示す。

【0120】

一実施形態では、特に図１２Ａ～図１２Ｃを参照すると、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）１２５１０および複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）１２５２０を有するＤｋ ＥＭ構造１２５００を製造する例示的な方法１２１００は、基板１２５３０を提供するステップ１２１０２と、基板１２５３０の上にフォトレジスト１２５１２の層を配置するステップ１２１０４と、フォトレジスト１２５１２の上にフォトマスク１２１５０を配置するステップ１２１０６と（フォトマスク１２１５０は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバー１２１５２を有し、それによって不透明カバー１２１５２によって覆われた領域における非露出フォトレジスト１２５１４と、不透明カバー１２１５２によって覆われていない領域における露出されたフォトレジスト１２５１６とが得られる）、少なくとも露出されたフォトレジスト１２５１６をＥＭ放射１２１０９に曝すステップ１２１０８と、基板１２５３０から非露出フォトレジスト１２５１４を除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰ１２５１０の対応する１ＤＰを形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジスト１２５１８の実質的に同一に構成された複数の部分を形成するステップ１２１１０と、任意選択的に、スタンピングフォーム（例えば、図１３Ｃを参照）により複数の１ＤＰの各１ＤＰ１２５１０（または残りのフォトレジスト１２５１８）を、凸状の遠位端１２５１９を有するドーム構造に成形するステップ１２１１２と、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物１２５０７を複数の１ＤＰ１２５１０の間の空間１２５２４に充填するステップ１２１１４と（充填された空間１２５２４は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰ１２５２０の対応する２ＤＰを提供する）、任意選択的に、複数の１ＤＰ１２５１０の上面の上の任意の余剰分のＤｋ組成物を除去して、Ｄｋ組成物１２５０７を複数の１ＤＰ１２５１０の上面と同じ高さにするステップ１２１１６と、硬化性のＤｋ組成物１２５０７を少なくとも部分的に硬化させて、複数の２ＤＰ１２５２０に囲まれた複数の１ＤＰ１２５１０の少なくとも１つのアレイの形態のＤｋ ＥＭ構造１２５００を得るステップ１２１１８とを含む。

【0121】

方法１２１００の一実施形態では、任意選択的に、成形するステップ１２１１２は、フォトレジスト１２５１８の硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、複数の１ＤＰ１２５１９にスタンピングフォーム（例えば、図１３Ｃを参照）を適用することにより成形するステップと、その後、ドーム形状を維持するために、成形された複数の１ＤＰ１２５１９を少なくとも部分的に硬化させるステップ１２１２０とを含む。

【0122】

方法１２１００の一実施形態では、基板１２５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、フォトレジスト１２５１２は、ポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１２１０９は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、非露出フォトレジスト１２５１４は、１２１１０においてエッチングによって除去され、少なくとも部分的に硬化させるステップ１２１１８は、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0123】

方法１２１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１２５０７は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法１２１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0124】

方法１２１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ１２５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0125】

方法１２１００の一実施形態では、各不透明カバー１２１５２は、ｘ－ｙ平面図で観察されるように、円形である外形を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0126】

第１３の例示的な実施形態：方法１３１００、スタンピングフォーム１３５００
スタンピングフォーム１３５００を製造する例示的な方法１３１００の以下の説明では、特に図１３Ａ、図１３Ｂ、および図１３Ｃがまとめて参照され、図１３Ａは、方法ステップ１３１０２、１３１０４を示し、図１３Ｂは、方法ステップ１３１０６、１３１０８、１３１１０を示し、図１３Ｃは、方法ステップ１３１１２、１３１１４、１３１１６、１３１１８、１３１２０、１３１２２、および１３１２４、ならびに結果的に製造されたスタンピングフォーム１３５００を示す。

【0127】

一実施形態では、例示的な方法１３１００は、Ｄｋ ＥＭ構造１２５００を製造する際に使用するためのスタンピングフォーム１３５００を製造するのに有用であり、より具体的には、複数の１ＤＰ１２５１０を凸状の遠位端１２５１９を有するドーム構造にするのに有用であり、方法１３１００は、金属層１３１５２を上面に有する基板１３１５０を提供するステップ１３１０２と（金属層１３１５２は基板１３１５０を覆っている）、金属層１３１５２の上にフォトレジスト１３１５４の層を配置して、金属層１３１５２を覆うステップ１３１０４と、フォトレジスト１３１５４の上にフォトマスク１３１５６を配置するステップ１３１０６と（フォトマスク１３１５６は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成された不透明カバー１３１５８を有し、それによって、不透明カバー１３１５８によって覆われた領域における非露出フォトレジスト１３１６０と、不透明カバー１３１５８によって覆われていない領域における露出されたフォトレジスト１３１６２とが設けられる）、少なくとも露出されたフォトレジスト１３１６２をＥＭ放射１３１０９に曝すステップ１３１０８と、金属層１３１５２から、ＥＭ放射１３１０９の曝露１３１０８を受けた露出されたフォトレジスト１３１６２を除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジスト１３１６４の複数の実質的に同一に構成された部分を形成するステップ１３１１０と、フォトレジスト１３１６４の硬化ではなくリフローを引き起こす温度で、残りのフォトレジスト１３１６４の複数の実質的に同一に構成された部分の各々に対するシェーピングフォーム（例えば、図１５Ｂのスタンピングフォーム１５５００を参照）の適用により成形して、成形されたフォトレジスト１３１６６を形成するステップ１３１１２と、続いて、複数の実質的に同一に形成された形状１３１６６を維持するために、残りのフォトレジストの成形された複数の実質的に同一に構成された部分を少なくとも部分的に硬化させるステップ１３１１４と（一実施形態では、形成された形状１３１６６は、凸状の遠位端を有するドーム構造である）、実質的に同一に形成された形状１３１６６を有する残りのフォトレジストの全ての露出面に金属コーティング１３１６８を塗布するステップ１３１１６と、実質的に同一に形成された形状１３１６６の間の空間１３１７０を充填して、残りの金属コーティングされたフォトレジストを、金属層１３１５２の上面に対して特定の厚さＨ７までスタンプ適性金属１３１７２で覆うステップ１３１１８と、金属層１３１５２の底部から基板１３１５０を除去するステップ１３１２０と、金属層１３１５２を除去するステップ１３１２２と、残りのフォトレジスト１３１６６を除去して、スタンピングフォーム１３５００を得るステップ１３１２４とを含む。

【0128】

方法１３１００の一実施形態では、基板１３１５０は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、フォトレジスト１３１５４は、ポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１３１０８は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、金属コーティング１３１６８は、金属蒸着により塗布され、スタンプ適性金属１３１７２は、ニッケルを含み、基板１３１５０は、エッチングまたは研削によって１３１２０が除去される。ここで、金属層１３１５２は、１３１２２において研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、露出されたフォトレジスト１３１６２および残りのフォトレジスト１３１６６は、エッチングによって除去される。

【0129】

第１４の例示的な実施形態：方法１４１００、Ｄｋ ＥＭ構造１４５００
Ｄｋ ＥＭ構造１４５００を製造する例示的な方法１４１００の以下の説明では、特に図１４Ａおよび図１４Ｂがまとめて参照され、図１４Ａは、方法ステップ１４１０２、１４１０４、１４１０６、および１４１０８を示し、図１４Ｂは、方法ステップ１４１１０、１４１１２、１４１１４、および１４１１６、ならびに結果的に製造されたＤｋ ＥＭ構造１４５００を示す。

【0130】

一実施形態では、複数の第１の誘電体部分（１ＤＰ）１４５１０および複数の第２の誘電体部分（２ＤＰ）１４５２０を有するＤｋ ＥＭ構造１４５００を製造する例示的な方法１４１００は、基板１４５３０を提供するステップ１４１０２と、基板１４５３０の上にフォトレジスト１４５１２の層を配置するステップ１４１０４と、フォトレジスト１４５１２の上にグレースケールフォトマスク１４１５０を配置するステップ１４１０６と（グレースケールフォトマスク１４１５０は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバー１４１５２を有し、グレースケールフォトマスク１４１５０のカバー１４１５２は、部分的に半透明な外側領域１４１５６に向かって半径方向外向きに遷移する不透明な軸方向中央領域１４１５４を有し、それによって、不透明な中央領域１４１５４によって覆われた領域における実質的に非露出のフォトレジスト１４５１３と、部分的に半透明な領域１４１５６によって覆われた領域における部分的に露出されたフォトレジスト１４５１４と、カバー１４１５２によって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジスト１４５１５とが設けられる）、グレースケールフォトマスク１４１５０および完全に露出されたフォトレジスト１４５１５をＥＭ放射１４１０９に曝すステップ１４１０８と、ＥＭ放射１４１０９の曝露１４１０８を受けた部分的に露出されたフォトレジスト１４５１４および完全に露出されたフォトレジスト１４５１５を除去して、第１の平均誘電率を有する複数の１ＤＰ１４５１０を形成するアレイ状に配置された残りのフォトレジスト１４５１６の複数の実質的に同一の形状の構造を形成するステップ１４１１０と（一実施形態では、形成された構造１４５１６は、凸状の遠位端を有するドーム構造である）、流動性形態の硬化性のＤｋ組成物１４５０７を複数の１ＤＰ１４５１０の間の空間１４５２２に充填するステップ１４１１２と（充填された空間は、第１の平均誘電率よりも小さい第２の平均誘電率を有する複数の２ＤＰ１４５２０の対応する２ＤＰを提供する）、任意選択的に、複数の１ＤＰ１４５１０の上面の上の任意の余剰分のＤｋ組成物１４５０７を除去して、Ｄｋ組成物１４５０７を複数の１ＤＰ１４５１０の上面と同じ高さにするステップ１４１１４と、硬化性のＤｋ組成物１４５０７を少なくとも部分的に硬化させて、基板１４５３０と、基板１４５３０上に配置された複数の２ＤＰ１４５２０によって取り囲まれた実質的に同一の形状の構造１４５１６を有する複数の１ＤＰ１４５１０の少なくとも１つのアレイとを有するアセンブリ１４５００を得るステップ１４１１６とを含む。一実施形態では、フォトレジスト１４５１２は、例えば、セラミックフィラーで充填されていないか、または充填されている比較的高いＤｋ材料（第１の平均誘電率）である。

【0131】

方法１４１００の一実施形態では、基板１４５３０は、誘電体パネル、金属パネル、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、複数の１ＤＰのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つを含み、フォトレジスト１４５１２は、ポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１４１０９は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、部分的に露出されたフォトレジスト１４５１４および完全に露出されたフォトレジスト１４５１５は、１４１１０においてエッチングによって除去され、少なくとも部分的に硬化させるステップ１４１１６は、硬化性のＤｋ組成物を約１７０℃以上の温度で、約１時間以上の時間の間、硬化させることを含む。

【0132】

方法１４１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１４５０７は、硬化性の樹脂を含み、好ましくは、硬化性の樹脂は、Ｄｋ材料を含む。
方法１４１００の一実施形態では、硬化性のＤｋ組成物１４５０７は、無機粒子材料をさらに含み、好ましくは、無機粒子材料は二酸化チタンを含む。

【0133】

方法１４１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ１４５１０の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0134】

方法１４１００の一実施形態では、複数の１ＤＰ１４５１０の各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のうちのいずれか１つを有する（例えば、図１６Ａ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0135】

第１５の例示的な実施形態：方法１５１００、スタンピングフォーム１５５００
スタンピングフォーム１５５００を製造する例示的な方法１５１００の以下の説明では、特に図１５Ａおよび図１５Ｂがまとめて参照され、図１５Ａは、方法ステップ１５１０２、１５１０４、１５１０６、および１５１０８を示し、図１５Ｂは、方法ステップ１５１１０、１５１１２、１５１１４、１５１１６、１５１１８、および１５１２０、ならびに結果的に製造されたスタンピングフォーム１５５００を示す。

【0136】

一実施形態では、例示的な方法１５１００は、Ｄｋ ＥＭ構造１２５００を製造する際に使用するためのスタンピングフォーム１５５００を製造するのに有用であり、方法１５１００は、金属層１５１５２を上面に有する基板１５１５０を提供するステップ１５１０２と（金属層１５１５２は基板１５１５０を覆っている）、金属層１５１５２の上にフォトレジスト１５１５４の層を配置して、金属層１５１５２を覆うステップ１５１０４と、フォトレジスト１５１５４の上にグレースケールフォトマスク１５１５６を配置するステップ１５１０６と（グレースケールフォトマスク１５１５６は、アレイ状に配置された複数の実質的に同一に構成されたカバー１５１５８を有し、グレースケールフォトマスク１５１５６のカバー１５１５８は、部分的に半透明の外側領域１５１６２に向かって半径方向外向きに遷移する不透明な軸方向中央領域１５１６０を有し、それによって、不透明な領域１５１６０によって覆われる領域における非露出フォトレジスト１５１６４と、部分的に半透明な領域１５１６２によって覆われる領域における部分的に露出されたフォトレジスト１５１６６と、およびカバー１５１５８によって覆われていない領域における完全に露出されたフォトレジスト１５１６８とが設けられる）、グレースケールフォトマスク１５１５６および完全に露出されたフォトレジスト１５１６８をＥＭ放射１５１０９に曝すステップ１５１０８と、ＥＭ放射１５１０９の曝露１５１０８を受けた部分的に露出されたフォトレジスト１５１６６および完全に露出されたフォトレジスト１５１６８を除去して、アレイ状に配置された残りのフォトレジスト１５１７２の複数の実質的に同一の形状の構造１５１７０を形成するステップ１５１１０と（一実施形態では、形成された構造１５１７０は、凸状の遠位端を有するドーム構造である）、実質的に同一の形状の構造１５１７０を有する残りのフォトレジスト１５１７２の全ての露出面に１５１１２に金属コーティング１５５０２を塗布するステップ１５１１２と、金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造１５５０４の間の空間１５１７４をスタンプ適性金属１５５０６で充填して、金属コーティングされた実質的に同一の形状の構造１５５０４をスタンプ適性金属１５５０６で金属層１５１５２の上面に対して特定の厚さＨ７まで覆うステップ１５１１４と、金属層１５１５２の底部から基板１５１５０を除去するステップ１５１１６と、金属層１５１５２を除去するステップ１５１１８と、残りのフォトレジスト１５１７０を除去して、スタンピングフォーム１５５００を得るステップ１５１２０とを含む。

【0137】

方法１５１００の一実施形態では、基板１５１５０は、金属、電気絶縁材料、ウェハ、シリコン基板またはウェハ、二酸化ケイ素基板またはウェハ、酸化アルミニウム基板またはウェハ、サファイア基板またはウェハ、ゲルマニウム基板またはウェハ、ガリウムヒ素基板またはウェハ、シリコンとゲルマニウムの合金基板またはウェハ、または、リン化インジウム基板またはウェハのいずれか１つを含み、フォトレジスト１５１５４はポジ型フォトレジストであり、ＥＭ放射１５１０９は、Ｘ線放射またはＵＶ放射であり、金属コーティング１５５０２は、金属蒸着により塗布され、スタンプ適性金属１５５０４は、ニッケルを含み、基板１５１５０は、エッチングまたは研削によって除去され、金属層１５１５２は、研磨、エッチング、または研磨とエッチングの組み合わせによって除去され、露出されたフォトレジスト１５１６８および残りのフォトレジスト１５１７０は、エッチングによって除去される。

【0138】

方法１５１００の一実施形態では、複数の実質的に同一の形状の構造１５１７０、１５５０４の各々は、ｘ－ｙ平面断面で観察されるように、円形である外側断面形状を有する（例えば、図１６Ｂ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0139】

方法１５１００の一実施形態では、複数の実質的に同一の形状の構造１５１７０、１５５０４の各々は、ドーム形状、円錐形状、円錐台形形状、円筒形状、リング形状、または、長方形形状のうちのいずれか１つを有する（例えば、図１６Ａ、および本明細書で企図される他の例示的な形状を参照）。

【0140】

一般的なＤｋ ＥＭ構造
本明細書に開示される例示的なＤｋ ＥＭ構造を製造するための方法ステップの前述の説明から、第１および第２の型部分が本明細書に開示される場合、本明細書に開示されるか、または本明細書に開示された目的に適していると考えられる他の方法に加えて、射出成形法または圧縮成形法が使用され得ることが理解されるであろう。

【0141】

ここで、図１６Ａおよび図１６Ｂが参照される。本明細書で開示されている特定の実施形態は、円筒形またはドーム形の３Ｄ形状を有するＤｋ ＥＭ構造が描かれているが、これは図示および説明のみを目的としたものであり、本明細書に開示される任意のＤｋ ＥＭ構造は、本明細書に開示されている目的に適した任意の３Ｄ形状を有してもよく、また本明細書に開示されている目的に適したｘｙ平面断面で観察される任意の２Ｄ断面形状を有していてもよいことが理解されるであろう。限定ではなく例として、図１６Ａは、非限定的な３Ｄ形状として、ドーム形状１６０２、円錐形状１６０４、円錐台形形状１６０６、円筒形状１６０８、リング形状１６１０、同心リング形状１６１２、中央の穴または空洞１６１４を備えたシリンダーなどの任意の形状、互いに積み重ねられた任意の形状であって、例えば、単一または複数のスタンピング、エンボス加工、またはフォトリソグラフィープロセスを用いて、積み重ねられた円筒形状１６１６、積み重ねられた長方形形状１５１８、または本明細書に開示された目的に適した任意の他の形状または積み重ねられた形状に形成され得る、互いに積み重ねられた任意の形状を示している。限定ではなく例として、図１６Ｂは、非限定的な２Ｄｘ－ｙ平面断面形状として、円形形状１６５２，円筒形状１６５４、楕円形形状１６５６、長方形形状１６５８、正方形形状１６６０、三角形状１６６２、五角形形状１６６４、六角形形状１６６６、八角形形状１６６８、または本明細書に開示された目的に適した任意の形状を示している。

【0142】

本明細書に開示されたＤｋ ＥＭ構造の前述の全ての説明に加えて、また開示の完全性の観点から、本明細書に開示された目的のための信号供給として有用であり得る前述の基板１５０８、２５２６、６５０８、７５３０、８５０８、９５３０、１１５３０、１２５３０、および１４５３０は、Ｄｋ層または誘電体パネル、金属層または金属パネル、Ｄｋ層と金属層の組み合わせ、誘電体パネルと金属パネルの組み合わせ、複数の１ＤＰまたはＤＲＡのうちの所与の１つと１対１の対応で配置された複数のスロット付き開口を備える金属パネル、複数のスロットを有する金属層であって、複数のスロットの各々が、対応する複数の充填された凹部の充填された凹部と１対１で対応して配置されている金属層、プリント回路基板、フレキシブル回路基板、または、基板一体型導波路（ＳＩＷ）、または、ＥＭ信号フィードネットワークのいずれか１つの形態であり得る（本明細書では、前述の参照番号の対応する１つによっても表される）。特に図６Ｃに示される基板６５０８を参照すると、図示された基板６５０８は、関連する１ＤＰまたはＤＲＡを電磁的に励起するためのスロット付き開口の信号供給構造を有する２つの導電層の間に配置された誘電体媒体の積層構成を示していることが当業者によって認識されるであろう。

【0143】

Ｄｋ ＥＭ構造材料一般
本明細書に開示される任意の硬化性の組成物は、一般に、硬化性のポリマー成分および任意選択的に誘電性フィラーを含み、それぞれが、本明細書に開示された目的に一致する誘電定数と、１０ギガヘルツ（ＧＨｚ）、２３°Ｃで測定して０．０１未満、または０．００８以下の誘電損失（誘電正接（ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）とも呼ばれる）とを有する完全に硬化された材料を提供するように選択される。いくつかの態様では、誘電率は１０より大きく、または１５より大きく、例えば、１０～２５または１５～２５であり、誘電正接は、２３°Ｃで１０ＧＨｚの周波数において０．００７以下、または０．００６以下、または０．０００１～０．００７である。誘電正接は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０のＸバンドストリップライン法により、またはスプリット共振器法により測定することができる。

【0144】

硬化性の組成物は、放射線硬化型であっても、または熱硬化型であってもよい。いくつかの態様において、硬化性の組成物の成分は、少なくとも２つの異なる硬化メカニズム（例えば、照射および熱硬化）、または少なくとも２つの異なる硬化条件（例えば、低温硬化および高温硬化）を有するように選択される。硬化性の組成物の成分は、モノマー、プレポリマー、架橋剤などの共反応性（ｃｏ－ｒｅａｃｔｉｖｅ）成分、ならびに硬化剤（触媒、硬化促進剤、硬化プロモータなどを含む）を含むことができる。共反応性成分は、エポキシ基、イソシアネート基、活性水素含有基（ヒドロキシまたは一級アミノ基など）、エチレン性不飽和基（例えば、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリル基）などの共反応性基を含むことができる。特定の共反応性成分の例には、１，２－ポリブタジエン（ＰＢＤ）、オリブタジエン－ポリイソプレン共重合体、アリル化ポリフェニレンエーテル（例えば、ＯＰＥ－２ＳＴ１２００またはＯＰＥ－２ＳＴ２２００（三菱ガス化学株式会社から市販されている）またはＮＯＲＹＬ ＳＡ９０００（ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチックス社（Ｓａｂｉｃ Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）から市販されている））、シアネートエステル、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、１，２，４－トリビニルシクロヘキサン、トリメチロールプロパントリアクリレート、またはトリメチロールプロパントリメタクリレートなどが含まれる。

【0145】

一態様では、共反応性成分は、ブタジエン、イソプレン、またはそれらの組み合わせを、任意選択的に、他の共反応性モノマー、例えば、置換または非置換ビニル芳香族モノマー（例えば、スチレン、３－メチルスチレン、３，５－ジエチルスチレン、４－ｎ－プロピルスチレン、α－メチルスチレン、α－メチルビニルトルエン、パラヒドロキシスチレン、パラメトキシスチレン、α－クロロスチレン、α－ブロモスチレン、ジクロロスチレン、ジブロモスチレン、テトラクロロスチレンなど）、または置換または非置換のジビニル芳香族モノマー（ジビニルベンゼン、ジビニルトルエンなど）を含む。共反応性モノマーの組み合わせも使用することができる。これらのモノマーの重合から誘導される完全に硬化された組成物は、「熱硬化性ポリブタジエンまたはポリイソプレン」であり、本明細書で使用される場合、ブタジエンホモポリマー、イソプレンホモポリマー、およびブタジエン、イソプレン、またはそれらの組み合わせから誘導される単位からなるコポリマー、任意選択的に、ブタジエン－スチレンなどの共反応性モノマー、イソプレン－スチレンコポリマーなどのコポリマーを含む。組み合わせ、例えば、ポリブタジエンホモポリマーとポリ（ブタジエン－イソプレン）コポリマーの組み合わせも使用することができる。シンジオタクチックポリブタジエンを含む組み合わせも使用することができる。共反応性成分は、ブタジエンまたはイソプレンのエポキシ－、無水マレイン酸－、またはウレタン－修飾ポリマーまたはコポリマーなどのポスト反応（ｐｏｓｔ－ｒｅａｃｔｅｄ）ポリマーまたはポリマーを使用することができる。

【0146】

他の共反応性成分が、特定の特性または処理の変更のために存在する可能性がある。例えば、完全に硬化された誘電体の絶縁耐力および機械的特性の安定性を改善するために、低分子量エチレン－プロピレンエラストマー、すなわち、主にエチレンおよびプロピレンを含むコポリマー、ターポリマー、または他のポリマーが存在し得る。エチレン－プロピレンエラストマーは、ＥＰＭコポリマー（エチレンモノマーおよびプロピレンモノマーのコポリマー）およびＥＰＤＭターポリマー（エチレンモノマー、プロピレンモノマー、およびジエンモノマーのターポリマー）を含む。エチレン－プロピレンエラストマーの分子量は、１０，０００グラム／モル（ｇ／ｍｏｌ）未満の粘度平均分子量（Ｍｖ）、例えば、５，０００～８，０００ｇ／ｍｏｌＭｖとすることができる。エチレン－プロピレンエラストマーは、硬化性の組成物の総重量に対して最大２０重量％、例えば、４～２０重量％、または６～１２重量％（それぞれ硬化性の組成物の総重量に基づく）の量で硬化性の組成物中に存在してもよい。

【0147】

別の種類の共硬化性成分は、不飽和ポリブタジエンまたはポリイソプレン含有するエラストマーである。この成分は、主に１，３－付加ブタジエンまたはイソプレンと、エチレン性不飽和モノマー、例えば、スチレンまたはα－メチルスチレンなどのビニル芳香族化合物、メチルメタクリレートまたはアクリロニトリルなどの（メタ）アクリレートとのランダムまたはブロックコポリマーであり得る。エラストマーは、ポリブタジエンまたはポリイソプレンブロックと、スチレンまたはα－メチルスチレンなどのモノビニル芳香族モノマーから誘導され得る熱可塑性ブロックとを有する直鎖状またはグラフト型ブロックコポリマーを含む固体熱可塑性エラストマーであり得る。この種類のブロックコポリマーは、スチレン－ブタジエン－スチレントリブロックコポリマー（例えば、テキサス州ヒューストンのデクスコ・ポリマーズ社（Ｄｅｘｃｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）からＶＥＣＴＯＲ ８５０８Ｍ（商標）の商品名で入手可能なもの、テキサス州ヒューストンのエニケム・エラストマーズ・アメリカ社（Ｅｎｉｃｈｅｍ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｓ Ａｍｅｒｉｃａ）からＳＯＬ－Ｔ－６３０２（商標）の商品名で入手可能なもの、およびダイナソル・エラストマーズ社（Ｄｙｎａｓｏｌ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｓ）からＣＡＬＰＲＥＮＥ（商標）４０１の商品名で入手可能なもの）、ならびにスチレン－ブタジエンジブロックコポリマーおよびスチレンとブタジエンを含む混合トリブロックおよびジブロックコポリマー（例えば、クレイトン・ポリマーズ社（Ｋｒａｔｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）（テキサス州ヒューストン）からＫＲＡＴＯＮ（商標）Ｄ１１１８の商品名で入手可能なもの）を含む。ＫＲＡＴＯＮ（商標）Ｄ１１１８は、３３重量％のスチレンを含有する混合ジブロック／トリブロックスチレンおよびブタジエン含有コポリマーである。

【0148】

任意選択のポリブタジエンまたはポリイソプレン含有エラストマーは、ポリブタジエンまたはポリイソプレンブロックが水素化されることを除いて上記と同様の第２のブロックコポリマーをさらに含むことができ、それによりポリエチレンブロック（ポリブタジエンの場合）またはエチレン－プロピレンコポリマーブロック（ポリイソプレンの場合）を形成する。上記のコポリマーと組み合わせて使用すると、より強靭な材料を製造できる。この種類の例示的な第２のブロックコポリマーは、ＫＲＡＴＯＮ（商標）ＧＸ１８５５（クレイトン・ポリマーズ社から市販されており、スチレン－高１，２－ブタジエン－スチレンブロックコポリマーとスチレン－（エチレン－プロピレン）－スチレンブロックコポリマーの組み合わせであると考えられている）である。不飽和ポリブタジエンまたはポリイソプレン含有エラストマー成分は、誘電体材料の総重量に対して２～６０重量％、詳細には、５～５０重量％または１０～４０もしくは１０～５０重量％の量で硬化性の組成物中に存在していてもよい。特定の特性または処理の変更のために追加できるさらに他の共硬化性ポリマーには、限定されるものではないが、ポリエチレンおよびエチレンオキシドコポリマーなどのエチレンのホモポリマーまたはコポリマー、天然ゴム、ポリジシクロペンタジエンなどのノルボルネンポリマー、水素化スチレン－イソプレン－スチレンコポリマーおよびブタジエン－アクリロニトリルコポリマー、不飽和ポリエステルなど、が含まれる。これらのコポリマーのレベルは、一般に、硬化性の組成物中の全有機成分の５０重量％未満である。

【0149】

フリーラジカル硬化性モノマーも、例えば、硬化後の系の架橋密度を高めるために、特定の特性または処理の変更のために追加することができる。適切な架橋剤となり得る例示的なモノマーには、ジビニルベンゼン、トリアリルシアヌレート、ジアリルフタレート、または多官能性アクリレートモノマー（例えば、サルトマーＵＳＡ社（Ｓａｒｔｏｍｅｒ ＵＳＡ）、ペンシルベニア州 ニュータウンスクエア（Ｎｅｗｔｏｗｎ Ｓｑｕａｒｅ）から入手可能なＳＡＲＴＯＭＥＲ（商標）ポリマー）などの、ジ、トリ、またはより高次のエチレン性不飽和モノマーが含まれ、それらのすべては市販されている。架橋剤は、使用される場合、誘電体組成物の総重量に基づいて、最大２０重量％、または１～１５重量％の量で硬化性成分中に存在していてもよい。

【0150】

硬化剤を誘電体組成物に添加して、オレフィン反応性部位を有するポリエンの硬化反応を促進することができる。硬化剤は、有機過酸化物、例えば、過酸化ジクミル、ｔ－ブチルパーベンゾエート、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、α，α－ジ－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキシン－３、またはこれらのうちの少なくとも１つを含む組み合わせ、を含み得る。炭素－炭素開始剤、例えば、２，３－ジメチル－２，３ジフェニルブタンを使用することができる。硬化剤または開始剤は、単独で、または組み合わせて使用できる。硬化剤の量は、誘電体組成物中のポリマーの総重量に基づいて、１．５～１０重量％であり得る。

【0151】

いくつかの態様において、ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーは、カルボキシ官能化されている。官能化は、（ｉ）炭素－炭素二重結合または炭素－炭素三重結合、および（ｉｉ）カルボン酸、無水物、アミド、エステルまたは酸ハロゲン化物を含む少なくとも１つのカルボキシ基、の両方を分子内に有する多官能性化合物を使用して達成することができる。特定のカルボキシ基は、カルボン酸またはエステルである。カルボン酸官能基を提供することができる多官能性化合物の例としては、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、またはクエン酸のうちの少なくとも１つが含まれる。特に、無水マレイン酸が付加されたポリブタジエンを熱硬化性組成物に使用することができる。適切なマレイン化ポリブタジエンポリマーは、例えば、クレイバレー社（Ｃｒａｙ Ｖａｌｌｅｙ）から、またはＲＩＣＯＮの商品名でサルトマー社（Ｓａｒｔｏｍｅｒ）から市販されている。

【0152】

硬化性の組成物は、誘電定数、誘電正接、または熱膨張係数のうちの少なくとも１つを調整するために選択することができる粒子状誘電体材料（フィラー組成物）を含むことができる。フィラー組成物は、少なくとも１つの誘電体フィラー、例えば、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、シリカ（溶融アモルファスシリカを含む）、コランダム、ウォラストナイト、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、固体ガラス球、合成ガラスまたはセラミック中空球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナ、アルミナ三水和物、マグネシア、マイカ、タルク、ナノクレイ、または水酸化マグネシウムの少なくとも１つを含み得る。誘電体フィラーは、粒子状物質、繊維、またはウィスカーのうちの少なくとも１つであり得る。

【0153】

フィラー組成物は、マルチモーダル粒子サイズ分布を有することができ、マルチモーダル粒子サイズ分布の第１のモードのピークは、マルチモーダル粒子サイズ分布の第２のモードのピークの少なくとも７倍である。マルチモーダル粒子サイズ分布は、例えば、バイモーダル、トリモーダル、またはクアドラモーダルとすることができる。存在する場合、完全に硬化された誘電体材料は、硬化性の組成物の総体積を基準にして、１～８０体積パーセント（ｖｏｌ％）、または１０～７０ｖｏｌ％、または２０～６０ｖｏｌ％、または４０～６０ｖｏｌ％の誘電体フィラーを含むことができる。

【0154】

任意選択的に、誘電体フィラーは、カップリング剤、例えば、有機官能性アルコキシシランカップリング剤、ジルコネートカップリング剤、またはチタネートカップリング剤で表面処理することができる。そのようなカップリング剤は、硬化性の組成物中の誘電体フィラーの分散を改善することができるか、または完全に硬化された組成物の吸水を低減することができる。

【0155】

硬化性の組成物は、難燃性化合物または粒子状フィラー（例えば、難燃性リン含有化合物、難燃性臭素含有化合物）、アルミナ、マグネシア、水酸化マグネシウム、アンチモン含有化合物などをさらに含むことができる。

【0156】

本明細書に開示される高温ポリマーは、一般的に、２００℃以上、好ましくは、２２０℃以上、より好ましくは、２５０℃以上の熱分解温度を有する材料である。特に上限はないが、４００°Ｃが実用的な上限であり得る。そのようなポリマーは、一般的に、芳香族基、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ：ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、芳香族ポリイミド、芳香族ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ：ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリアリルエーテルケトン（ＰＡＥＫ：ｐｏｌｙａｒｙｌｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒ ｋｅｔｏｎｅ）、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅｋｅｔｏｎｅ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニレンスルホン（ＰＰＳＵ：ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリフェニレンスルホンウレア、自己強化型ポリフェニレン（ＳＲＰ：ｓｅｌｆ－ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）などを有する。異なるポリマーの組み合わせを使用することができる。一態様では、高温ポリマーはＬＣＰである。ＬＣＰは熱可塑性樹脂とすることができるが、官能化によって、またはエポキシなどの熱硬化性樹脂との配合によって熱硬化性樹脂として使用することもできる。市販のＬＣＰの例には、ティコナ社（Ｔｉｃｏｎａ）、ケンタッキー州フローレンスから市販されているＶＥＣＴＲＡ（登録商標）、アモコポリマーズ社（Ａｍｏｃｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）から市販されているＸＹＤＡＲ（登録商標）、ダウ・デュポン社（Ｄｏｗ ＤｕＰｏｎｔ）、デラウェア州ウィルミントンから市販されているＺＥＮＩＴＥ（登録商標）、及びＲＴＰカンパニー（ＲＴＰ Ｃｏ．）から市販されている例えばＲＴＰ－３４００シリーズのＬＣＰなどＺが含まれる。

【0157】

本明細書に開示または記載されている任意の接着剤、接着（ａｄｈｅｒｉｎｇ）、または接着剤層について、接着剤層は、所望の特性に基づいて選択することができ、例えば、低融点を有する熱硬化性ポリマーまたは２つの誘電体層を結合するか、または導電層から誘電体層に結合するための他の組成物とすることができる。接着剤層は、ポリ（アリーレンエーテル）、カルボキシ官能化ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマー（ブタジエン、イソプレン、またはブタジエンおよびイソプレン単位、および０～５０重量％以下の共硬化性モノマー単位を含む）を含んでいてもよい。接着剤層の接着剤組成物は、誘電体組成物とは異なってもよい。接着剤層は、１平方メートルあたり２～１５グラムの量で存在することができる。ポリ（アリーレンエーテル）は、カルボキシ官能化ポリ（アリーレンエーテル）を含むことができる。ポリ（アリーレンエーテル）は、ポリ（アリーレンエーテル）と環状無水物との反応生成物、またはポリ（アリーレンエーテル）と無水マレイン酸との反応生成物であり得る。カルボキシ官能化ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーは、カルボキシ官能化ブタジエン－スチレンコポリマーであり得る。カルボキシ官能化ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーは、ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーと環状無水物との反応生成物であり得る。カルボキシ官能化ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーは、マレイン化ポリブタジエン－スチレンまたはマレイン化ポリイソプレン－スチレンコポリマーであり得る。

【0158】

接着剤層は、接着剤層の誘電率を調整するための誘電体フィラー（例えば、セラミック粒子）を含むことができる。例えば、接着剤層の誘電率を調整して、電磁デバイス（例えば、ＤＲＡデバイス）の性能を向上させるか、またはそれ以外に修正することができる。

【0159】

個々の特徴および／またはプロセスの特定の組み合わせが本明細書で説明および図示されているが、特徴および／またはプロセスのこれらの特定の組み合わせは例示のみを目的としており、そのような個々の特徴および／またはプロセスのいずれかの任意の組み合わせが、そのような組み合わせが明示的に示されているか、および本明細書の開示と一致しているかどうかにかかわらず、一実施形態に従って採用することができる。本明細書に開示されるような特徴および／またはプロセスの任意の全てのそのような組み合わせは、本明細書において企図されており、本出願を全体として考慮したときに当業者の理解の範囲内であると見なされ、当業者によって理解されるような方法で、添付の特許請求の範囲内であると見なされる。

【0160】

本明細書では、例示的な実施形態を参照して発明を記載したが、特許請求の範囲から逸脱することなく、様々な変更を加えることができ、その構成要素を均等物に置き換えることができることを当業者には理解されるであろう。本発明の本質的な範囲から逸脱することなく、特定の状況または材料を本発明の教示に適合させるために、多くの変更を加えることができる。従って、本発明は、本発明を実施するために企図された最良のまたは唯一の態様として本明細書に開示された特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明は、添付の特許請求の範囲に含まれる全ての実施形態を含むことが意図されている。図面および説明では、例示的な実施形態が開示されており、特定の用語および／または寸法が使用されている場合があるが、これらは、特に明記しない限り、一般的、例示的、および／または説明的な意味でのみ使用されており、限定を目的としたものではないので、特許請求の範囲は、そのように限定されない。ある要素が別の要素の「上」にあるという場合、その要素は他の要素の上に直接存在するか、または介在する要素が存在することもある。対照的に、ある要素が別の要素の「上に直接ある」という場合、そこには介在する要素は存在しない。第１、第２などの用語の使用は、順序または重要性を示すものではなく、第１、第２などの用語は、ある要素を別の要素と区別するために使用されている。ａ、ａｎなどの用語の使用は、数量の制限を示すものではなく、参照される項目の少なくとも１つの存在を示す。本明細書で使用されている「備える」という用語は、１つまたは複数の追加の特徴を含む可能性を排除するものではない。そして、本明細書で提供される背景情報は、本明細書で開示される発明に関連する可能性があると出願人が考える情報を明らかにするために提供されるものである。そのような背景情報のいずれかが、本明細書に開示された本発明の実施形態に対する先行技術を構成することは、必ずしも意図されておらず、またそのように解釈されるべきでもない。

【国際調査報告】