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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-01-31
(54)【発明の名称】電子部品の気密パッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 23/29 20060101AFI20220124BHJP
B81B 7/02 20060101ALI20220124BHJP
B81C 1/00 20060101ALI20220124BHJP
A61F 9/007 20060101ALI20220124BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20220124BHJP
【ＦＩ】
H01L23/30 B
B81B7/02
B81C1/00
A61F9/007 190A
H01L23/28 F
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021526508
(86)(22)【出願日】2019-12-09
(85)【翻訳文提出日】2021-05-14
(86)【国際出願番号】 EP2019084275
(87)【国際公開番号】W WO2020115332
(87)【国際公開日】2020-06-11
(31)【優先権主張番号】PCT/EP2018/084059
(32)【優先日】2018-12-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】515328853
【氏名又は名称】ピクシウム ビジョン エスエー
(74)【代理人】
【識別番号】100107515
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 浩一
(74)【代理人】
【識別番号】100107733
【弁理士】
【氏名又は名称】流 良広
(74)【代理人】
【識別番号】100115347
【弁理士】
【氏名又は名称】松田 奈緒子
(72)【発明者】
【氏名】マーティン・ドテール
(72)【発明者】
【氏名】ジャン－ルネ・テネイルロウ
(72)【発明者】
【氏名】セオドア・アイ・カミンズ
【テーマコード（参考）】
3C081
4M109
【Ｆターム（参考）】
3C081AA01
3C081AA17
3C081BA22
3C081BA30
3C081CA14
3C081CA15
3C081CA26
3C081CA27
3C081CA29
3C081CA31
3C081DA03
3C081DA04
3C081DA06
3C081DA07
3C081DA10
3C081DA11
3C081DA22
3C081EA01
3C081EA39
3C081EA41
4M109AA02
4M109CA04
4M109EA01
4M109EC07
4M109EE06
(57)【要約】
本発明は、電子機器の分野に関し、特に、生体医療用途のためなどの、埋込み型電子機器に関し、更に詳細には、インビボでの生体医療用途のための気密パッケージ電子機器及びそのような電子機器のパッケージ方法に関する。
【選択図】図１Ａ
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
気密パッケージ（１０）によりカプセル封入された電子部品（１０１）を含み、前記パッケージが、カプセル上層（１０３）及びカプセル下層（１０４）を含み、前記カプセル上層及び前記カプセル下層（１０３及び１０４）は、２重層（１０５、１０５’）を形成するように、少なくとも一部が重なり合っていることを特徴とする埋込み型機器。
【請求項2】
前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）の少なくとも一部、より好ましくは全部を覆っている、請求項１に記載の埋込み型機器。
【請求項3】
前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の全体ではなく、一部のみを覆っている、請求項１から２のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項4】
前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）のみを覆っており、前記電子部品（１０１）の上面及び下面を覆っていない、請求項１から３のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項5】
前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、生体適合性である、請求項１から４のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項6】
前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、耐腐食性である、請求項１から５のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項7】
前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、金属と、酸化物、窒化物、及び炭化物、好ましくは、金属酸化物、金属窒化物、及び金属炭化物を含むセラミックと、ダイヤモンドライクカーボンと、ダイヤモンドと、ガラスと、ポリマーと、これらの組合せ、又はこれらの複数層とを含む又はからなる、請求項５から６のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項8】
前記金属が、Ｔｉ、Ｐｔ、ステンレス鋼、チタン－ニッケル、パラジウム、ニオブ、タンタル、これらの組合せ又は合金、及びこれらの複数層から選択される１つである、前記セラミックが、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化チタン、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択される１つである、及び／又は
前記ポリマーが、フルオロカーボン、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、シリコーン、ＰＤＭＳ、パリレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリカーボネートウレタン、シリコーン、シリコーン－ポリエステル－ウレタン、ｄｕｒｉｍｉｄｅ（感光性ポリイミド）、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリフェニレン、ポリスルホン、ポリフェニルスルホン、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択される１つである、
請求項７に記載の埋込み型機器。
【請求項9】
前記パッケージが、更に少なくとも１つのトップコート（１０７）を含み、好ましくは、前記トップコート（１０７）と前記カプセル上層（１０３）とが、少なくとも一部で、又は完全に重なり合っている、請求項１から８のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項10】
前記トップコート（１０７）が、生体適合性である、請求項９に記載の埋込み型機器。
【請求項11】
前記トップコート（１０７）が、耐腐食性である、請求項９から１０のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項12】
前記トップコート（１０７）が、透明である、請求項９から１０のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項13】
前記トップコート（１０７）が、セラミック、ＳｉＣ又はＳｉＯＣを含むガラス、ＳｉＯ２、ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウム、酸化チタン、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択される材料を含む又はからなる、請求項９から１２のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項14】
前記埋込み型機器が、好ましくは前記トップコート（１０７）が、更に、前記電子部品（１０１）と電気的に接続している電子トレース（１０８）を含み、
前記電子トレース（１０８）が、好ましくは、前記トップコート（１０７）中に、又は前記トップコート（１０７）から突出して、電極を形成している、請求項９から１３のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項15】
前記電子トレースが電極を形成しており、前記電極が好ましくは生体適合性及び耐腐食性である、請求項１４に記載の埋込み型機器。
【請求項16】
前記電子トレースが、白金、黒色／多孔質白金、イリジウム、イリジウム／白金、酸化イリジウム、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、窒化チタン、ドープダイヤモンド又はドープダイヤモンドライクカーボン、グラフェン、及びこれらの組合せから選択される材料を含む又はからなる、請求項１４から１５のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項17】
前記気密パッケージ（１０）によりカプセル封入されている前記電子部品（１０１）が、層（１０２）を含む、請求項１から１６のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項18】
前記層（１０２）が、セラミック又はガラスを含む又はからなり、任意に、酸化ケイ素から選択され、
任意に、シリコン基板を酸化することにより得られる、請求項１７に記載の埋込み型機器。
【請求項19】
前記埋込み型機器が、前記カプセル上層（１０３）上に、少なくとも１つの更なるカプセル上層（１０３ａ）、及び／又は
前記カプセル下層（１０４）をカプセル封入する、少なくとも１つの更なる下部カプセル封入（１０４ａ）を含む
請求項１から１８のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項20】
少なくとも１つの更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）を形成するように、前記更なるカプセル層（１０３ａ、１０４ａ）が重なり合っており、任意に、前記更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）は、前記電子部品（１０１）の前記側壁（１０６、１０６’）の少なくとも一部、より好ましくは、全部を覆っている、請求項１９に記載の埋込み型機器。
【請求項21】
前記少なくとも１つの更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）のみを覆っており、前記電子部品（１０１）の上面及び下面を覆っていない、請求項２０に記載の埋込み型機器。
【請求項22】
前記カプセル上層（１０３、１０３’）及び／又は前記カプセル下層（１０４、１０４’）が、耐腐食性であり、任意に、生体適合性である、請求項１９又は２１に記載の埋込み型機器。
【請求項23】
前記少なくとも１つの更なるカプセル上層（１０３ａ）及び／又は前記少なくとも１つの更なるカプセル下層（１０４ａ）が、生体適合性であり、任意に、耐腐食性である、請求項１９から２２のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項24】
前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）、及び／又は任意に、前記少なくとも１つの更なるカプセル上層（１０３ａ）及び／又は前記少なくとも１つの更なるカプセル下層（１０４ａ）が、
同じ又は異なる材料を含む又はからなる、請求項１から２３のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項25】
前記埋込み型機器が、環境に晒されるフォトダイオード及び／又は電極（１０９）を含み、好ましくは、前記フォトダイオード及び／又は電極（１０９）の最上面が環境に晒されるように、前記トップコート及び／又は前記カプセル上層に埋め込まれている、請求項１から２４のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項26】
前記埋込み型機器が、目に埋込み可能なように構成されており、好ましくは、網膜インプラントとして、網膜上又は網膜下に埋込み可能なように構成されている、請求項１から２５のいずれかに記載の埋込み型機器。
【請求項27】
請求項１から２６のいずれかに前記パッケージ機器を少なくとも１つ含むことを特徴とする、埋込み型システム。
【請求項28】
埋込み型機器をパッケージする方法であって、（ａ）少なくとも１つの電子部品（１０１）を基板（１１０）上に提供する工程と、
（ｂ）前記電子部品（１０１、１０１’）に、少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を塗工する工程と、
（ｃ）前記電子部品（１０１、１０１’）に、少なくとも１つのカプセル下層（１０４、１０４’）を塗工する工程と、を含み、
前記カプセル上層（１０３、１０３’）及び前記カプセル下層（１０４、１０４’）は、２重層（１０５、１０５’、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）を形成するように、少なくとも一部で重なり合っていることを特徴とする方法。
【請求項29】
埋込み型機器をパッケージする方法であって、（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは互いに間隔を空けて配された複数の電子部品（１０１、１０１’）が基板上（１１０）に設けられた組立部品（１００）を提供し、隣接する前記電子部品（１０１、１０１’）と基板（１１０）とが、前記電子部品（１０１、１０１’）間の溝（１１１）を画定する工程と、
（ｉｉ）前記組立部品（１００）に少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を塗工して、前記電子部品（１０１、１０１’）をコーティングし、前記溝（１１１）に下引きする工程と、
（ｉｉｉ）前記組立部品（１００）に剥離層（１１２）を塗工する工程と、
（ｉｖ）部分的に前記剥離層（１１２）を取り除き、前記下引きされた溝（１１１）内に残存量の前記剥離層（１１２）を残す工程と、
（ｖ）好ましくは、前記組立部品（１００）を、上下逆に反転する工程と、
（ｖｉ）前記組立部品の下面から、（ａ）前記基板（１１０）、（ｂ）前記カプセル上層（１０３）、及び（ｃ）前記残存量の前記剥離層（１１２）を取り除く工程と、
（ｖｉｉ）前記組立部品（１００）に少なくとも１つのカプセル下層（１０４、１０４’）を塗工し、好ましくは、前記電子部品（１０１、１０１’）及び前記溝（１１１）をコーティングする工程と、を含み、
前記カプセル上層（１０３、１０３’）及び前記カプセル下層（１０４、１０４’）は、少なくとも一部が重なり合って、２重層（１０５、１０５’）を形成するように塗工されることを特徴とする方法。
【請求項30】
前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の前記側壁（１０６、１０６’）の少なくとも一部、より好ましくは、全部を覆うように形成される、請求項２８から２９のいずれかに記載の方法。
【請求項31】
前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）のみを覆っており、前記電子部品（１０１）の上面及び下面を覆っていない、請求項２８から３０のいずれかに記載の方法。
【請求項32】
前記方法が、更に、トップコート（１０７）を提供する工程を含み、前記工程が、
（ａ）好ましくは請求項１から３１のいずれかに規定されているように、前記電子部品（１０１、１０１’）の上面にトップコート（１０７）を塗工し、（ｂ）部分的に前記トップコート（１０７）を取り除き、（ｃ）好ましくは請求項１から３１のいずれかに規定されているように、少なくとも前記トップコート（１０７）及びカプセル層（１０３、１０３’）が好ましくは少なくとも一部で重なり合うように、少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を前記電子部品（１０１、１０１’）に塗工する、
又は
（ａ’）好ましくは請求項１から３１のいずれかに規定されているように、前記電子部品（１０１、１０１’）に少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を塗工し、（ｂ’）部分的にカプセル上層（１０３、１０３’）を前記電子部品（１０１、１０１’）から取り除き、（ｃ’）好ましくは請求項１から３１のいずれかに規定されているように、少なくともトップコート（１０７）及びカプセル層（１０３、１０３’）が好ましくは少なくとも一部で重なり合うように、前記トップコート（１０７）を前記電子部品（１０１、１０１’）に塗工する
ことにより行われる、請求項２８から３１のいずれかに記載の方法。
【請求項33】
前記工程（２）が、化学的又は物理的プロセスにより、好ましくはウェット又はドライエッチング及び／又はリフトオフにより、前記トップコート（１０７）又は前記カプセル上層（１０３、１０３’）を部分的に取り除くことを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項34】
前記トップコート（１０７）が、堆積法により塗工され、前記堆積法が、化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、及び下層酸化法を含み、
前記化学蒸着法（ＣＶＤ）が、ＰＥＣＶＤを含む、請求項３２から３３のいずれかに記載の方法。
【請求項35】
前記方法が、更に、電子トレース（１０８）及び／又は電極（１０９）を、好ましくは前記トップコート（１０７）中に、堆積法及び／又はパターニングにより形成する工程を含み、前記堆積法が物理蒸着法及び電着法を含み、前記パターニングがリフトオフ又はエッチングを含む、請求項２８から３４のいずれかに記載の方法。
【請求項36】
前記方法が、前記工程（ｉｖ）の前に、前記組立部品の上面を一時的キャリア（１１３）に付着させる工程を含む、請求項２９から３５のいずれかに記載の方法。
【請求項37】
前記基板（１１０）、前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記剥離層（１１２）が、物理的手段及び化学的手段からそれぞれ独立して選択される手段により取り除かれ、前記物理的手段及び前記化学的手段が、研削、エッチング、及び／又はストリッピングを含む、請求項２９から３５のいずれかに記載の方法。
【請求項38】
前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、生体適合性である、請求項２８から３７のいずれかに記載の方法。
【請求項39】
前記カプセル上層（１０３、１０３ａ）及び／又は前記カプセル下層（１０４、１０４ａ）が、耐腐食性である、請求項２８から３８のいずれかに記載の方法。
【請求項40】
前記カプセル上層（１０３、１０３ａ）及び／又は前記カプセル下層（１０４、１０４ａ）が、金属、セラミック、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド、ガラス、低透過性及び／又は緻密な（明細書）ポリマー、及びこれらの複数層から任意に選択される材料を含む又はからなり、
前記金属は、チタン、白金、ステンレス鋼、チタン－ニッケル、パラジウム、ニオブ、タンタル、これらの合金及び複数層を含み、
前記セラミックは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム等の金属酸化物、金属窒化物、及び金属炭化物、並びにこれらの複数層を含み、
前記ポリマーが、フルオロカーボン、ポリウレタン、ＰＥＥＫ、シリコーン、ＰＤＭＳ、パリレン、及びポリイミドを含む、
請求項２８から３９のいずれかに記載の方法。
【請求項41】
前記剥離層（１１２）が、ポリマー材料から選択される材料、好ましくは、樹脂から選択される材料、
より好ましくは、感光性樹脂及び可溶性ポリマー材料から選択される材料、
を含む又はからなる、請求項３０から４０のいずれかに記載の方法。
【請求項42】
前記トップコート（１０７）が、生体適合性である、請求項３２から４１のいずれかに記載の方法。
【請求項43】
前記トップコート（１０７）が、耐腐食性である、請求項３２から４２のいずれかに記載の方法。
【請求項44】
前記トップコート（１０７）が、透明である、請求項３２から４３のいずれかに記載の方法。
【請求項45】
前記トップコート（１０７）が、セラミック、ＰＥＣＶＤ ＳｉＣ又はＳｉＯＣを含むガラス、ＳｉＯ２、ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウム、酸化チタン、及びこれらの複数層から選択される材料を含む又はからなる、請求項３２から４４のいずれかに記載の方法。
【請求項46】
前記方法が、請求項１から２６のいずれかに記載のパッケージ機器を提供する、請求項２８から４５のいずれかに記載の方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子機器分野、特に、生体医療用途等のための埋込み型電子機器に関する。より詳細には、本発明は、インビボでの生体医療用途の気密パッケージ電子機器、及び、前記電子機器を製造するための電子部品のパッケージ方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電子機器は広範に使用されており、しばしば、厳しい環境条件下でも機能することが要求される。例えば、チップ等の埋込み型電子機器は、生体機能を行う、請け負う、制御する、又はモニタリングする等、インビボでの生体医療用途に用いられる。具体例としては網膜インプラントが挙げられる。そのような埋込み型電子機器は、通常、体液及び組織と直接接触する。したがって、電子機器、特にインビボでの生体医療用途に用いられる埋込み型電子機器は、下記の（１）及び（２）を達成するようにパッケージされなければならない。（１）前記埋込み型機器の腐食、ダメージ、機能不良等を引き起こすかもしれない酸化還元活性又は腐食性化合物の前記機器への侵入等、生体の水性環境によりもたらされるいかなる侵害からも埋込み型機器を保護する。（２）前記電子機器からの有害物の生体組織中への漏れ、又は、体内での前記埋込み型機器による機械的摩擦等の患者の身体へのその他の悪影響から身体を保護する。
【0003】
埋込み型電子機器をパッケージするための従来技術のアプローチでは、通常、前記機器は金属筐体に収容される。この公知のパッケージ方法において、パッケージは、もともとのチップよりかなり大きく、埋込みの際により大きな切開が必要となり、したがって、治癒及び炎症プロセスがより広範囲となってしまう。更に、インプラントが大きいほど、大きい繊維状カプセル封入となってしまい、前記インプラントの使用期間中の患者に局所的組織刺激を起こすリスクが高くなる。本発明の気密パッケージは、例えば、元々の機器のサイズと実質的に同様か、又はほんの僅か大きい寸法であるような小さいものである点で、従来技術のアプローチより優れたものである。小さな寸法の機器は、より少ない外傷性の埋込みと、より早い傷の治癒を可能とする。個々の電子機器を金属筐体に収容する従来の方法と比較し、本発明の方法は、同種又は異種の多数の電子機器又は部品の同時処理に適用することができ、使用される基板又は部品の材料に実質的に殆ど依存することがないという利点がある。更に、前記パッケージングは、前記電子機器又は部品を処理した後のクリーンルーム等のクリーン環境で行うことができ、このようにして、汚染及び／又はダメージを回避することができる。更に、本発明のパッケージング方法は、良好な気密封止をもたらす重なった層及び均一な厚みを有するカプセル封入を達成する非常に良好な段差被覆を提供する。
【0004】
特許文献１は、バイオ医療機器をパッケージングする他の方法を開示しており、前記方法は、製造中の劣化からカプセル層を保護するための一時的バリアとしての剥離層の本発明の使用を伴っていない。この処理方法の違いにより、特許文献１では２層で気密なカプセル封入を可能とせず、気密封止を達成するには更なるコーティングが必要となる。具体的には、本発明のパッケージング方法は、電子機器全体、特に側壁を覆う気密封止２重層の提供を可能とする。このような２重層構造は、気密封止を確実にするために特に有利である。単層ではピンホール（即ち、微小欠陥）を含んでいることがあり、前記ピンホールが、もしかすると腐食性を有するかもしれない周囲の媒体に対する侵入口を形成するかもしれないためである。第２の層の材料が前記ピンホールを塞ぎ、カプセル封入の気密封止を確実なものとする。従来技術の方法では、電子機器の全ての辺を完全に囲む２重層封止を提供することができなかった。その主な理由としては、コーティングの際に前記電子機器が固定される必要があり、固定することにより前記電子機器の表面のある箇所がアクセス不可能になるからである。前記機器を反転し、フォトレジス等の剥離層を一時的保護バリアとして使用する本発明のパッケージング方法が提供されて初めて、形状追従性封止材料を両側から側壁に堆積することができるようになり、よって、完全に周囲を封止する２重層を提供できるようになった。特許文献１に開示のパッケージ機器とは対照的に、本発明のパッケージング方法は、更に、前記機器の側壁が傾斜している必要はなく、バイオ医療インプラントに一般的に存在する真っ直ぐで直角な表面をコーティングすることができる形状追従性の高いコーティングと伴に用いることができる。更に、特許文献１は網膜インプラントに関するものではなく、トップコートの使用を想定しているものではなく、本発明に記載の透明トップコートの使用を想定していないことは言うまでもない。
【0005】
封入されたチップを囲む更なるカプセル層を必要とせず、ピンホールの数を低減した信頼性の高い気密カプセル封入をたった２つの重なった層により得られることが、本発明の方法及びパッケージの利点である。
【0006】
特許文献２及び特許文献３は、積層されたカプセル層によるパッケージによりカプセル封入されことにより多層カプセル封入された電子部品を含む埋込み型医療機器を開示している。
【発明の概要】
【0007】
本発明の実施形態は、インビボでの生物学的又は生体医療用途のための埋込み型電子機器等のパッケージ電子機器を製造するための、電子部品を気密パッケージする方法、及び前記方法により得られたパッケージ電子機器に関する。本発明に係る前記パッケージは、有利に、向上した気密バリアを付与し、前記気密バリアは、好ましくは、前記電子機器又はその機能性電子部品と、埋込みされた際のインビボ環境等の使用環境との相互作用を最小限に抑える。したがって、本発明のパッケージは、好ましいことに、１）腐食又は回路短絡効果等による前記機器の機能不良を回避する等、インビボ条件下での前記電子機器の機能維持を確保し、２）埋め込まれた際、周辺組織への前記機器の電子部品の材料の漏れ／溶脱又は拡散、又は、体内での埋め込まれた機器の機械的摩擦等の他の阻害要因から体を守る。言い換えると、本発明の機器を特徴づける前記気密パッケージは、外的要因に対する信頼性の高いバリアを形成するものである。より詳細には、本発明は、インビボ環境から前記機器が影響をうけることなく、また、前記電子部品の非生理学的材料又は非生体適合性材料が前記埋込み型機器周辺の組織に拡散することがない、双方向拡散バリアを提供することができる。本発明のパッケージの有利な特性は、好ましくは、前記電子部品を完全にカプセル封入する層状カプセルを提供することにより得られる。それにより得られたパッケージ機器は、２重層構造を形成するように前記電子部品を埋め込んだ層が少なくとも一部で重なり合っており、これは、好ましくは、本発明のパッケージ方法を用いて得る、又は得られる。
【0008】
第１の実施形態において、本発明は、電子部品と、前記電子部品をカプセル封入する気密パッケージとを含む埋込み型パッケージ機器に関し、前記パッケージが、カプセル上層及びカプセル下層を含み、前記カプセル上層及びカプセル下層は２重層を形成するように、少なくとも一部が重なり合っている。好ましくは、前記２重層構造は、少なくとも一部、より好ましくは完全に、前記電子部品の側壁まで延在して覆っている。このように、前記機器のパッケージにより、有利に、電子部品に気密封止が付与されてもよい。本願明細書において、前記「気密」、「気密な封止」及び「気密封止」の用語は、前記機器の機能にネガティブな影響を与える望ましくない外的要因に対して不透過性である、又は本質的に不透過性であることを意味する。即ち、「気密」封止又はカプセル封入は、前記機器の腐食又は他の機能障害を好適に最小限に抑える又は避けるように、有効な方法で、前記埋込み型機器を、その環境、特に、水性のインビボ環境から好適に遮断する。好ましくは、「気密」封止又は層は、前記機器への体液の浸入を防止する。前記「気密」の用語は、更に、前記埋込み型機器が身体から同様に遮断されることを意味してもよい。
【0009】
前記パッケージ機器は、通常、側壁表面と、上下面により形付けられている。前記「カプセル上層」及び「カプセル下層」の用語は、通常、カプセル封入される前記電子部品の上方（上）面、及び、前記電子部品の下面の少なくとも一部を覆うものである。したがって、前記電子機器の前記「上方面」は、１つ以上の層により、完全に又は部分的に覆われており、前記層の最表層が前記パッケージ埋込み型機器の上面を形成している。一方、パッケージされる前記電子部品の下面は、１つ以上の層により覆われており、前記層の最表面が前記パッケージ埋込み型機器の下面を形成している。
【0010】
前記機器は、例えば、周辺の細胞又は組織への電気刺激等によりインビボ環境と連通するフィードスルー又は穴を含んでいてもよいことが理解される。前記パッケージ埋込み型機器の「上方部」は、例えば、刺激を付加する又は記録する電極又はフォトダイオードを含有することにより、前記機器とその環境とが相互作用することを可能にする機能性構造又は機能を含む。よって、前記パッケージ埋込み型機器の「上面」は、その上方部を（部分的に）覆い、「下面」は下方部を覆う。ある態様では、前記上面又はその一部では、コート層を外部環境と接触する最外層として外部に晒していてもよい。本発明によりパッケージ機器を提供する製造方法に関し、前記製造方法は、１つ以上のカプセル層を前記上面に塗工する初期工程により特徴づけられ、前記上面塗工後にはじめて、前記下面は、１つ以上のカプセル下層を塗工することにより形成される。
【0011】
第２の実施形態において、本発明は、本発明による機密パッケージ機器を含む埋込み型システムを提供する。
【0012】
第３の実施形態において、本発明は、埋込み型機器を提供又は製造するためのパッケージ方法に関し、前記方法は、（ａ）少なくとも１つの電子部品を基板上に提供する工程、（ｂ）前記電子部品に、少なくとも１つのカプセル上層を塗工する工程、及び（ｃ）前記電子部品に、少なくとも１つのカプセル下層を塗工する工程を含み、前記カプセル上層及び前記カプセル下層は、２重層構造を形成するように、少なくとも一部で重なり合っている。本発明の方法は、多数のパッケージ電子機器を随時製造するように、エレクトロニックダイス等として、複数の電子部品を加工できるようにしてもよく、これにより、費用効果が高くスケーラブル（低価格で大規模化可能）な、特にチップ製造のための、製造方法となり有利である。
【0013】
前記第２の実施形態の態様でもある更なる実施形態では、本発明は、パッケージ埋込み型機器を提供する電子部品のパッケージ方法に関し、前記方法は、（ｉ）電子部品プロト構造に溝を導入することにより、少なくとも１つ、好ましくは互いに間隔を空けて配された複数の電子部品が基板上に設けられた組立部品を提供し、隣接する前記電子部品とそれらの共通の基板とが前記溝をサポート又は画定している工程、（ｉｉ）前記組立部品に少なくとも１つのカプセル上層を塗工して、前記電子部品をコーティングし、前記溝に下引きする工程、（ｉｉｉ）前記組立部品に剥離層を塗工する工程、（ｉｖ）部分的に前記剥離層を取り除き、前記下引きされた溝内に前記剥離層に残存分を残す工程、（ｖ）前記組立部品（１００）を、上下逆に反転する工程、（ｖｉ）前記組立部品の下面から、（ａ）前記基板、（ｂ）前記カプセル上層、及び（ｃ）前記剥離層の残存分を取り除く工程、、及び（ｖｉｉ）前記組立部品に少なくとも１つのカプセル下層を塗工する工程、を含み、前記カプセル上層及び前記カプセル下層は、少なくとも一部が重なり合って、２重層を形成するように塗工される。本発明の方法によると、前記カプセル上層及び前記剥離層を追加することにより、前記組立部品の上面又は上方面を始めに処理する。続いて、前記組立部品は、好ましくは、上下逆に反転され（よって、好ましくは下から、それより劣るが若干好ましくは上から、前記下面が処理され）て、前記組立部品の下側から前記基板、及び前記溝中の前記剥離層下の前記カプセル上層が取り除かれる。よって、前記剥離層の残存分が各溝に残され、残された前記剥離層の残存分が、前記溝の側壁を下引きする前記カプセル上層を劣化から保護する。続いて、前記剥離層は、通常、完全に取り除かれる。最後に、前記カプセル下層が、前記組立部品の下面及び側壁に塗布される。本発明の方法は、好ましくは前記剥離層を処理及び保護のため残存させる際に前記組立部品を反転することにより、前記電子部品の側壁まで延在する積層されたカプセル層により気密パッケージが達成され、これにより向上した気密性が得られるため有利である。
【0014】
埋込み型機器をパッケージするための本発明の第３及び４実施態様による方法により、本発明の第１の態様のパッケージ機器を好ましく作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下に本発明が詳細に説明されるが、本発明は、本願明細書に記載の特定の方法、プロトコール及び試剤に限定されることなく、それらは変更されてもよいことが理解されるべきである。また、本願明細書で使用される用語は本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の範囲は添付の請求項によってのみ規定されるものであることが理解されるべきである。特に言及されない限り、本願明細書中で使用される技術用語及び科学的用語の全ては、当業者により一般的に理解される意味と同じものを意味する。
【0017】
以下に、本発明の特徴が説明される。これら特徴は、具体的な態様として説明される。しかし、これら態様は、更なる態様を作製するために、どのように組み合わせても、また、いくつ組み合わせてもよいことが理解されるべきである。多様に記載された例及び好ましい態様は、前記記載された態様により本発明が限定されるものであると解釈されるべきではない。本記載は、任意の数の開示された及び／又は好ましい特徴を有する明記された態様と組み合わされた態様をサポートし、包含するものであると解釈されるべきである。更に、本願明細書に記載された全ての特徴の順序及び組み合わせの全ては、特にその他に理解されない限り、本願明細書の記載によってサポートされるものであると考慮される。
【0018】
更に、記載及び請求項中の第１、第２等の用語は、同様の要素間で違いを出すために使用されており、時間的な、空間的な、等級付け、又は他の方法での順序を必ずしも示すものではない。使用された前記用語は適切な状況下で交換可能であり、記載された本発明の態様は説明又は示された以外の順序で行うことができることが理解されるべきである。記載された方法工程は適切に順序を変更できることが言及されるべきである。以下の記載において、実例として、工程の順序が変更されたいくつかの例及び態様が説明されるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0019】
更に、記載及び請求項中の上、下、上方、下方等の用語は、説明目的のために使用されており、必ずしも位置関係を示しているものではない。使用された前記用語は適切な状況下で交換可能であり、記載された本発明の態様は説明又は示された以外の配向で行うことができることが理解されるべきである。
【0020】
文脈上必要がない限り、本願明細書及びそれに続く請求書を通して、「含む」の用語及びその変形である「含有する」等は、言及されている部材、整数、又は工程を含むことを意味しており、その他の言及されていない部材、整数、又は工程を除外するものではない。「～から構成される」の用語は、前記「含む」の用語の特定の態様であり、その他の言及されていない部材、整数、又は工程を除外する。本発明の文脈において、前記「含む」の用語は「～から構成される」の用語を包含するものである。したがって、前記「含む」は、前記「～から構成される」と伴に「～からなる」をも包含し、例えば、Ｘを「含む」組成物は、Ｘのみから構成されてもよく、又はＸ＋Ｙ等、Ｘに加えて更なるものを含んでいてもよい。
【0021】
特に言及又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、本発明を説明する文脈において（特に請求項の文脈において）使用される冠詞は、単数及び複数の両方を包含するものであると解釈されるべきである。数値の範囲の詳述は、単に、範囲内の個々の数値を参照する簡略な方法として用いられているものである。特に記載がない限り、各数値は、各数値がそれぞれ本願明細書に記載されているかの如く、本願明細書内に取り込まれる。本願明細書におけるいずれの言語も、本発明を実施するのに必要であるが、請求項で規定されていない要素を意味すると解釈されるべきではない。
【0022】
「実質的に」の用語は、「完全に」の意味を除外するものではなく、例えば、Ｙを「実質的に」含まない組成物は、Ｙを完全に含まなくてもよい。必要に応じて、本発明の定義から前記「実質的に」の用語は省略されることがある。
【0023】
数値ｘと関連して使用される用語「約」は、ｘ±１０％を意味する。
【0024】
第１の実施形態では、本発明は、電子部品を含む気密パッケージ電子機器に関する。好ましくは、前記機器は、埋込み型機器である。より好ましくは、前記電子機器は、目に埋め込むのに好適な、又は目に埋め込むように構成されている網膜インプラントであってもよい。本発明に係る前記電子機器は、積層又は２重層構造である気密パッケージを含み、好ましくは、前記気密パッケージは前記電子部品の側壁上に延在する又は少なくとも一部を覆う。これにより、前記パッケージは、長期埋込みが好適になるための前記機器の気密カプセル封入を向上する。好ましくは、前記気密パッケージは、例えば、体液又は細胞の侵入、及び金属等の非生体適合性剤の電子部品からインビボ環境への拡散など、埋込み後の水性のインビボ環境からの悪影響を防止又は軽減する。好ましくは、前記パッケージ機器は、少なくとも２つの耐腐食性カプセル層、即ち、カプセル上層及びカプセル下層により、封入又は埋め込まれる。前記気密パッケージ機器は、また、２つを越える数のカプセル層を有していてもよい。例えば、前記機器は、互いに重ね合わされる１つ以上のカプセル上層及び／又は、互いに部分的に又は完全に重ね合わされる１つ以上のカプセル下層を含んでいてもよい。最外層は好ましくは生体適合性を有していてもよい。前記気密パッケージ機器は、前記請求項で請求された電子機器に更なる特性を付与するトップコート等、更なるコーティングを含んでいても良い。例えば、気密パッケージ光起電力（網膜）インプラントの場合、前記トップコート及び／又は前記カプセル上層は、可視光線又は近赤外線（ＩＲ）等の光信号により暗号化されたデータを受け取るために、透明材料により形成されていてもよい。埋込み型刺激装置又は埋込み型記録装置として使用される本発明の電子機器の場合、前記トップコート又は前記カプセル上層は、電極を埋め込んでいてもよい。したがって、好ましくは、前記電子機器の上面に位置する前記電極及び／又は前記フォトダイオードは、その環境に晒されるのが好ましく、よって、少なくとも前記電極及び／又は前記フォトダイオードの最表面がどのカプセル層によっても覆われていない。より好ましくは、前記電極及び／又は前記フォトダイオードは、少なくとも１つのカプセル層、特に、トップコート及び／又はカプセル上層に、埋め込まれている。前記カプセル上層及び前記カプセル下層はそれぞれ、１つ以上の導電性（底）層から構成されていてもよく、前記層は、例えば、電線としてパターニングされていてもよく、よって、前記機器の上面と下面とが１つ以上の電気接続を形成していてもよい。
【0025】
パッケージ埋込み型機器１の例が、実例として、図１Ａ～Ｆ及び図３に示されるが、これらに限定されるものではない。本発明に係る前記パッケージ電子機器は、気密パッケージによりカプセル封入された電子部品１０１を含み（前記気密パッケージは、前記電子部品１０１を囲み封入している層により形付けられる）、前記パッケージは、少なくともカプセル上層１０３及びカプセル下層１０４を含む。前記カプセル上層１０３及び前記カプセル下層１０４は、例えば、前記カプセル封入機器の側壁で、２重層構造１０５及び１０５’の領域を形成するように少なくとも一部が重なり合っていている。したがって、前記カプセル上層及び前記カプセル下層は、通常、それぞれ、パッケージされる前記電子部品の上面及び下面を（少なくとも部分的に）覆うだけではなく、例えば、鉛直方向に、前記上面及び前記下面を越えて延在するように設計されており、よって、前記機器の側壁をも（少なくとも部分的に）覆う。図１Ａ～Ｄに例示された態様では、前記カプセル下層１０４は、前記２重層構造１０５及び１０５’の領域において、前記カプセル封入機器の最表層を形成している。しかし、そのような２重層構造１０５及び１０５’の領域において、前記カプセル上層１０３が前記機器の最表層を形成している組立部品１００も本願明細書では説明される。
【0026】
前記パッケージ電子機器１は、一般的に、チップ、刺激装置、及び制御又はモニタリング機器等、いかなる電子機器であってもよい。前記電子機器は、好ましくは埋込み型である。前記パッケージ電子機器は、生物学的又は生体医療用途に有用なものであるものが好ましく、特に、インビボ用途であるものが好ましい。例示的な埋込み型電子機器は、国際公開第２０１６／１８０５１７号及びＰＣＴ／ＥＰ２０１８／０６９１５９等に記載の網膜下又は網膜上インプラント、並びに、視角野を刺激するためなどの脳インプラントを含む。これらインプラントにより、患者の目又は脳内等で神経細胞を電気的に刺激すること（例えば、視角野を刺激することにより視覚を取り戻すため、又はパーキンソン病の治療のために神経細胞を刺激すること）、及び／又は患者の神経細胞の電気信号を記録することができる。本願明細書に記載される前記気密パッケージは、埋込み箇所で、前記埋め込まれた電子機器が水性のインビボ環境に影響されることなく、長期のインプラント半減期を確保する。
【0027】
本発明に係る前記電子機器１は、１つ以上の電子部品１０１を含んでいてもよく、前記電子部品１０１は、直方体形状であることが有利であり、外に向かって突出する（直方体から突出する、又は直方体の面から突出する）立体形状のトランジスタ等のパッケージされる電子要素を好ましくは含まず、ダイスとも呼ばれる集積回路であってもよい。前記部品の他の種としては、０レベルパッケージ化ＭＥＭＳ、薄膜キャップ化ＭＥＭＳ等の微小電気機械システム（メムス、ＭＥＭＳ）が挙げられる。前記ＭＥＭ機器は、例えば、パッシブ部品、アクチュエーター、センサー等を含む。前記部品の更なる例示としては、マイクロ流体デバイスが挙げられる。更なる例示は、二次電池等の電池、回路、トランジスタ、抵抗器、フォトダイオード、キャパシタ等が挙げられる。電子部品１０１は、実際には、例えば、集積回路上のメモリーチップなど、複数の電子ユニットの積層を表していてもよい。電子部品１０１を形成する積層ユニットは、パッケージ埋込み型電子機器１が、電子ユニットの積層を含む電子部品１０１を含むように、全体がカプセル封入されていてもよい。
【0028】
前記電子ユニットに加え、前記電子部品１０１は、（非カプセル）層１０２を含んでいてもよい。前記層１０２は、前記電子部品１０１の下面に位置していてもよく（図１Ｃ及びＤ参照）、或いは、上面に位置していてもよい。前記層１０２は、好適な基板材料のいずれかを含む又はから構成されていてもよく、例えば、前記材料は、シリコン材料等の半導体材料、絶縁材料、ガラス材料、ポリマー材料、及び、使用可能であれば、金属等の導電性材料を含む。前記層１０２は、好ましくは、セラミック又はガラスを含む又はから構成されていてもよく、前記セラミック又はガラスは、任意に酸化ケイ素及び二酸化ケイ素から選択され、任意に、シリコン基板の酸化により得られる。前記層１０２は、前記パッケージ方法の過程で、特に、前記基板１１０を取り除く工程で、前記電子部品１０１を保護するバリアとして有利に作用する。例えば、前記層１０２は、基板１１０を取り除く工程において、分解／劣化しにくい材料により構成されてもよい。前記電子部品１０１、層１０２、及び基板１１０は、好ましくはｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ又はＳＯＩウエハ構造を形成するように選択されてもよく、前記ウエハ構造は容易に入手可能で、汎用されている。このため、前記層１０２は、シリコン基板１１０上に配置された酸化ケイ素の層として構成されていてもよい。特に、フォトダイオード又は他の感光性電子部品１０１では、所望の電子的及び又は光学的特性を有する電子ユニットと部品１０１の層１０２との界面を形成するため、前記二酸化ケイ素層１０２は、好ましくは、前記電子部品上に熱成長されてもよい。
【0029】
前記カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４からなる２重層構造１０５及び１０５’が、電子部品１０１の側壁１０６及び１０６’の少なくとも一部、より好ましくは全部を覆うことが好ましい。側壁１０６、１０６’の少なくとも一部を覆う又は延在にする２重層構造は、向上した気密カプセル封入を有利に与え、ある態様においては、好ましくは、カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４をそれぞれ囲む更なるカプセル層の必要性をなくす。前記２重層（１０５、１０５’）は、好ましくは、前記電子部品（１０１）を完全には覆っておらず、一部のみを覆っており、例えば、前記２重層（１０５、１０５’）は前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）のみを覆っているが、前記電子部品（１０１）の上面及び下面は２重層（１０５、１０５’、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）により覆われていない。或いは、前記２重層（１０５、１０５’）は、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）及び下面を覆っているが、前記上面は覆っておらず、フォトダイオード及び／又は電極（１０９）を露出していてもよい。他の態様では、前記電子部品（１０１）の下面のみが２重層（１０５、１０５’、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）で覆われている。
【0030】
カプセル上層１０３及び／又はカプセル下層１０４は、電気部品１０１に気密封止を与えるものができることが好ましい。前記「気密封止」、「気密な封止」、及び「気密」の用語は、明細書の他の箇所で規定されている。カプセル上層１０３及び／又はカプセル下層１０４は、有利には、生体適合性を有していてもよい。「生体適合性」及び「バイオ適合性」の用語は、被移植体への好ましくない局所的又は全身的影響を誘発することなく、被移植体で医療機器が目的の機能を発揮できる能力を意味する。前記カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４は、耐腐食性を有していてもよい。「耐腐食性」の用語は、通常、インビボ状態下で経験されるような水性環境との反応に対する材料の耐性を意味する。酸化還元（レドックス）活性化合物は、前記機器の材料を腐食させることがある。インビボでのインプラントの腐食は、前記インプラントが、一般的に、その環境において酸化又は化学的に攻撃されることを意味する。「耐腐食性」は、劣化、及び、レドックス反応等の化学的変性／劣化に対する耐久性である。
【0031】
前記電子部品の側壁１０６、１０６’を好ましくは少なくとも部分的に覆うように重なり合っている１つのカプセル上層１０３及び１つのカプセル下層１０４から構成される気密パッケージ、即ち、更なるカプセル層を含まない気密パッケージに特徴づけられる態様（例えば、更なる上表面のコーティングを有する図１Ａの態様、又は図１Ｂ～Ｄの態様、及び図３の態様を参照）としては、前記電子機器１のインビボ適応性及び適切な機能の両者を確実なものとするため、前記カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４は生体適合性及び耐腐食性の両者を有することが好ましい。当業者は、好ましくは生体適合性及び／又は耐腐食性を示す前記カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４の好適な材料を容易に選択することができる。前記カプセル上層１０３及び前記カプセル下層１０４に好適な材料の例示としては、金属、セラミック（酸化物、窒化物、及び炭化物を含む）、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド、ガラス、ポリマー（特に、低透過性及び／又は緻密なポリマー）、及びこれらの組合せが挙げられる。詳細には、好適な金属は、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、ステンレス鋼、チタン－ニッケル、パラジウム、ニオブ、タンタル、及びこれらの組合せ又は合金から選択されてよく、好適なセラミックは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化チタン、窒化チタン、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、及びこれらの組合せから選択されてよく、好適なポリマーは、フルオロカーボン、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、シリコーン、ＰＤＭＳ、パリレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリカーボネートウレタン、シリコーン、シリコーン－ポリエステル－ウレタン、ｄｕｒｉｍｉｄｅ（感光性ポリイミド）、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリフェニレン、ポリスルホン、ポリフェニルスルホン、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択されてもよい。前記カプセル上層１０３及び前記カプセル下層１０４は、同じ又は異なる材料を含む、或いは、同じ又は異なる材料から構成されていてもよい。前記カプセル上層１０３及び前記カプセル下層１０４は、例示された前記材料の単層又多層（例えば、１つ超の（低）層）を含む又はから構成される。
【0032】
上述されたように、前記気密パッケージは、少なくとも１つの更なるカプセル上層１０３ａ、及び／又は更なるカプセル下層１０４ａ（例えば、図１Ｅ及び１Ｆの態様参照）を含んでいてもよく、前記更なるカプセル上層１０３ａ、及び／又は更なるカプセル下層１０４ａは、好ましくは、前記側壁で少なくとも１つの更なる２重層構造１０５ａ、１０５ｃを形成するか、前記下側（図１Ｅ）で少なくとも１つの更なる２重層構造１０５ｄを形成するか、前記側壁（図１Ｆ）で少なくとも２つの更なる２重層構造（１０５ａ、１０５ｂ、及び１０５ｃ）を形成する。そのような更なる２重層構造１０５ｂ、１０５ｃは、前記機器の下面及び又は側壁で、カプセル外層１０４及び１０４ａとなるものであってもよい。特に、そのような更なるカプセル下層１０４ａは、前記電子部品１０１の側壁１０６、１０６’の少なくとも一部、より好ましくは、完全に覆っていてもよい。それにより、図１Ｅ及び１Ｆの態様で示されるように、内部２重層構造１０５を形成しているカプセル上層１０３とカプセル下層１０４とにより３重カプセル層の側壁配置が形成される。前記カプセル下層１０４は、更に、前記更なるカプセル下層１０４ａと伴に、第２の２重層構造１０５ｃを形成し、よって、前記側壁に３重層構造が形成される。好ましくは、前記少なくとも１つの更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）は、前記側壁（１０６、１０６’）のみを覆うが、前記電子部品（１０１）の上面及び下面は覆っていない。前記カプセル上層１０３が、最外層である前記更なるカプセル下層１０４ａと前記側壁領域で最内カプセル層となる前記カプセル下層１０４とに挟まれるように、類似の配置は、前記カプセル下層１０４が前記側壁領域で最内カプセル層として設けられる。また、前記更なるカプセル下層１０４ａは、前記機器の下面で、カプセル下層１０４と他の２重層構造１０５ｄを形成していてもよい。図１Ｆは図１Ｅの態様を例示するが、カプセル層１０３上に部分的な更なるカプセル上層１０３ａを含んでおり、よって、本発明によるパッケージ電子機器１の上面の周囲部でも２重層構造を形成する。３つの２重層構造１０５ａ、１０５ｂ、及び１０５ｃ（４つの側壁層）は、前記機器１０１の側壁に配置されている。１つを越える、又は２つを越える積層カプセル層を使用することにより気密カプセル封入が向上され有利であり、外部影響に対してより信頼性の高いバリアを提供できる。そのような多層構造を用いた態様は、前記更なる層が前記埋込み型機器を顕著に大きくしないため、埋込み手術において、傷の治癒を遅らせることなく、局所的組織刺激のリスクも低い。
【0033】
このため、気密パッケージには、少なくとも１つの更なるカプセル上層１０３ａ及び／又は少なくとも１つの更なるカプセル下層１０４ａが付与されていてもよい。更なるカプセル上層１０３ａは、好ましくは、カプセル層１０３上に塗布される。更なるカプセル下層１０４ａは、好ましくは、カプセル下層１０４上に塗布される。よって、更なるカプセル上層１０３ａ及びカプセル下層１０４ａが、好ましくは、気密パッケージの最外層を形成し、埋込みされた際に、環境、即ち、生体組織と直接接触する。カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４は、電子部品１０１の最外層１０３ａ及び１０４ａ、並びに、上面及び下面で挟まれていてもよい。したがって、カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４は、これに限定されないが、生体適合性材料（特に、カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４が生体組織と直接接触していない場合）から構成されてもよい。しかし、カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４は、環境による腐食から電子部品１０１を保護するために、例示された耐腐食性材料を含む又はから構成されることが好ましい。更なるカプセル上層１０３ａ及び／又はカプセル下層１０４ａが存在する場合、これに限定されることはないが、更なるカプセル上層１０３ａ及び／又はカプセル下層１０４ａは耐腐食性材料（特に、層１０３及び１０４が好適に電子部品１０１を腐食から保護するものである場合）から構成されていてもよい。層１０３ａ及び１０４ａが存在する場合、層１０３ａ及び１０４ａは生体適合性材料から構成されるのが好ましい。
【0034】
更なるカプセル上層１０３ａ及びカプセル下層１０４ａは、それぞれ、単層又は多層（例えば１つを越える（底）層）から構成されていてもよい。更なるカプセル上層１０３ａ及びカプセル下層１０４ａは、同じ材料で構成されていてもよく、異なる材料で構成されていてもよい。
【0035】
例えば、「積層」又は多数のカプセル層を有する好ましい態様は、金属等の耐腐食性材料からなるカプセル上層１０３及びカプセル下層１０４を含んでいてもよく、前記カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４は、シリコーン、パリレン、ハイドロゲル等の生体適合性材料からなる更なるカプセル上層及び／又はカプセル下層に更に埋め込まれていてもよい。
【0036】
（更なる）カプセル上層１０３、１０３ａ及びカプセル下層１０４、１０４ａは、任意の多層構造の場合は特に、パッケージ機器の上面と下面と、又はパッケージ機器の一部との間に電気的接続を形成することができる少なくとも１つの導電性（底）層を更に含んでいてもよい。前記回路構成は、パッケージ機器の上面上に位置するのが好ましい。これら（底）層のうちの１つ以上は、前記パッケージ機器の上面と下面との間の電気的接続を１つ以上形成するために、例えば、電気線の形状に、パターニングされていてもよい。例えば、電子部品１０１は、前記電子部品の上面及び／又は下面上に回路構成を有していてもよく、前記上面及び／又は下面は、少なくとも１つのカプセル層の一部である複数層の電気線の１つにより相互接続していてもよい。したがって、カプセル層１０３、１０３ａ、１０４、１０４ａは、白金、チタン、炭化ケイ素、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素等の少なくとも１つのパターン化又は非パターン化電気導電性又は絶縁性（底）層を含んでいてもよい。１つの態様において、金属等の前記導電性カプセル封入（底）層は、全て、互いに電気的に接続されていてもよく、前記電子部品１０１の回路構成の電気的アースに接続されていてもよい。他の態様では、少なくとも１つのカプセル層１０３、１０３ａ、１０４、１０４ａの（パターン化）パッシブ導電性線（トラック）又は導電性のベタ（底）層は、前記回路構成と電気的接続を形成していてもよい。
【0037】
本発明による前記電子機器１は、図１Ｂ～Ｄに記載されているように、少なくとも１つのトップコート１０７を更に含んでいてもよい。トップコート１０７は、前記パッケージの気密性を有利に確実なものとするために、少なくとも一部でカプセル上層１０３と重なっていてもよい。トップコート１０７は、通常、本発明の機器の上面等、本発明の気密パッケージの最外層を形成するため、前記トップコート１０７は埋込みされた際に生体組織と直接接触するため、生体適合性であることが好ましい。トップコート１０７は、また、耐腐食性でもあることが好ましい。トップコート１０７は、本発明の機器の気密パッケージに更なる機能を加える好適な材料により構成されていてもよい。特に埋込み型電子機器１としての網膜インプラントの場合、例えば、トップコート１０７は光透明材料から構成されていてもよい。有利なことに、光（例えば、ＩＲ又は可視光）透過性トップコートは、光起電力網膜刺激装置等の網膜刺激装置に有用である。詳細には、トップコート１０７は、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ等を含むセラミック、ＳｉＯ２、ガラス、ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウム、酸化チタン、及びこれらの組合せから選択される材料を含む又は前記材料から構成されていてもよい。トップコート１０７は、前述の材料の単層又は多層（（底）層を表す）から構成されていてもよい。各（底）層は、特に上述のように、同一の材料から構成されてもよく、好ましくは異なる材料から構成されてもよい。トップコート１０７の前述の材料は、非結晶性でもよく、結晶性でもよく、また、非結晶性及び結晶性の両方として提供されてもよい。
【0038】
上述のように、埋込み型電子機器１は、好ましくは、網膜インプラント又は網膜刺激装置等の電気刺激装置であってもよい。このため、気密パッケージは、例えば、前記気密パッケージのトップコート１０７及び／又はカプセル上層１０３により、電子トレース１０８を含み及び／又は、前記電子部品１０１の一部であり電気的に接続している電極１０９を覆う、囲む、又は埋め込んでいてもよい。好ましくは、電極１０９は、前記気密パッケージ内又は気密パッケージ上に延在して配置され、特に、トップコート１０７内又はトップコート１０７を突き出て配置されていてもよい。そのような態様は、図１Ｄに示されている。トップコート１０７は、電気、光、又は化学信号（例えば、データ通信のための）を部品１０１へ、又は、部品１０１から通過又は交換するための穴又はフィードスルーを含んでいてもよい。前記フィードスルーは、例えば、電気又はイオン信号を通信する電極１０９を含んでいてもよい。配置可能な他のフィードスルーの例示としては、液体フィードスルーであってもよい。フィードスルーは、（例えば、信号を検出するため、又は標的細胞又は組織を電気的に刺激するための）電気信号を受信又は送信するための導線と接続されていてもよい。フィードスルーは、更なる電極又は前記部品１０１から遠隔にある機器と接続された又は通信しているフレキシブル回路に接続されていてもよい。
【0039】
好ましくは、前記電子部品１０１は、電極１０９をフィードスルーとして有する集積回路又はダイスである。電極１０９は、好ましくは、前記集積回路内又は上に配置された電子トレース１０８と電気的に連通していることが好ましく、例えば、前記集積回路を介して生成された電気信号を変換してもよい。しかし、当業者であれば、電子トレース１０８及び／又は電極１０９の規定が電気刺激装置又は網膜刺激装置に規定されるものではないことは、容易に理解できるはずである。電子トレースは、例えば、センサー、制御装置、又は他の用途に使用される装置内に配置されてもよい。埋込み型機器１では、選択された電子トレース１０８及び／又は電極１０９は、埋込みされた際、生体組織と直接接触されるのが好ましい。このため、電極１０９は、好ましくは、生体適合性材料からなっていてもよい。好ましくは、電子トレース１０８及び／又は電極１０９は、腐食又は電子部品１０１へのダメージを削減又は回避するために、耐腐食性材料からなっていてもよい。電子トレース１０８及び／又は電極１０９は、好ましくは、白金、黒色／多孔質白金、イリジウム、イリジウム／白金、酸化イリジウム、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルフォネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、（多孔性）窒化チタン、ドープダイヤモンド又はドープダイヤモンドライクカーボン、及びグラフェンから選択される材料を含む、又は前記材料から構成されていてもよい。
【0040】
好ましい態様では、本発明の機器１は、図１Ｃ又はＤに示された通りであってもよく、少なくとも１つの電子部品１０１を含み、前記電子部品１０１は、好ましくは集積回路又はダイスを含み、任意に、パッシブ又はアクティブ回路等の電子ユニットを更に含む。前記電子部品１０１は、カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４を含む気密パッケージに完全に包まれている又は埋め込まれており、前記カプセル上層１０３及びカプセル下層１０４はそれぞれ、金属、好ましくはチタンで構成されている。電子部品１０１、１０１’は、通常、前記電子部品の下面に位置する層１０２を含んでいてもよく、前記層は、セラミック又はガラス、金属、又はこれらの組合せ、好ましくは二酸化ケイ素から構成されている。具体的な態様では、前記層１０２は、例えば、セラミック又はガラスの１層と金属の１層から構成される、或いは、２層の金属層から構成される２重層構造であると予見される。前記部品１０１、１０１’の一部としての電極１０９は、好ましくは、多孔性白銀ブラック等の白金（Ｐｔ）、（多孔性）ＴｉＮ、酸化イリジウム、又はポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルフォネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）から構成され、前記電子部品１０１と、周囲の体液、組織又は細胞との電気接続を形成する。トップ層１０７に埋め込まれるように上方に突き出る、又はトップ層１０７を超えて突き出る等、電極１０９は、前記部品１０１、１０１’と、埋込みされた際の生体組織等の周囲環境との電気的接続を形成するように構成されてもよい。好ましい態様において、電子トレース１０８は、前記部品１０１、１０１’の上面又は上方面等、前記電子部品１０１、１０１’の一部として提供されてもよい。
【0041】
前記機器１の気密パッケージは、好ましくはトップ層１０７を含み、前記トップ層は好ましくは透明である。前記トップ層１０７は、好ましくはセラミック層から構成されていてもよく、より好ましくはセラミック多層から構成されてもよく、更に好ましくは、非結晶性炭化ケイ素等の炭化ケイ素を含む又はから構成されるセラミック多層から構成されてもよい。前記トップ層１０７は、また、電子トレースを含んでいてもよく、前記電子トレースは好ましくはチタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はこれらの多層から選択される。
【0042】
図３は、本発明のパッケージ埋込み型機器１の他の態様を示す。図３の機器は、更なるコート層１０７を含む。前記カプセル上層１０３は、先端領域で前記コート層１０７と重なる。このような機器１は、例えば、図４Ａの工程（工程３００）を組み合わせた本発明の方法を実施することにより得られてもよい。
【0043】
前記機器１は、目に埋め込まれるための気密パッケージによりパッケージされた、好ましくは、網膜上又は網膜下に埋め込まれるために構成された、網膜インプラントであるのが好ましい。或いは、前記機器１は、神経皮質に埋め込まれるために、特に、視覚データ処理に関連する神経皮質細胞と接続するために構成されていてもよい。
【0044】
第２の実施形態において、本発明はシステムを提供し、前記システムは、例えば、好適には目に埋め込むように構成された、少なくとも１つの前記パッケージ埋込み型機器１を含む。前記機器１は、請求項に記載の前記機器１を製造する方法により得られるものであってもよい。前記システムは、また、他の埋込み型又は外部（非埋込み型）機器又は部品を含んでいてもよい。本発明のシステムは、また、１つを超える数の、例えば、複数の埋込み型機器１を含んでいてもよい。上述のように、パッケージされる電子部品１０１は、集積回路又はダイス、ＣＭＯＳロジックス（操作、プログラム可能装置等）、ＭＥＭＳ（例えば、圧力検知のための膜、ドラッグリザーバー、ドラッグデリバリーのためのマイクロ流体等）、バッテリー、アンテナ（例えば、二次電池を充電するためのアンテナ、再プログラム可能機器をプログラムするためのアンテナ）を含んでいてもよい。
【0045】
システムは、機器１０１と通信するビデオ眼鏡及び外部ポケットプロセッサ等の外部機器と一緒に提供されていてもよい。通常、前記機器１０１は、赤外線通信、パターン化された光、ＲＦ通信、又はその他好適な手段等を介した無線通信により外部機器と通信していてもよい。或いは、前記機器１０１は、皮内ワイヤ等の有線通信により外部機器と通信していてもよい。好ましい態様では、本発明に係るシステムの埋込み型部品は、前記機器１として示され、例えば、網膜インプラントとして図１Ｄに示される気密パッケージ部品１０１を含んでいてもよい。前記パッケージ部品１０１は、好ましくは目に埋め込まれてもよく、より好ましくは、網膜上又は網膜下インプラントとして好適であり、そのように構成されている。前記パッケージ電子部品１０１、１０１’は、積層されているか、及び／又は好適な支持体上に互いに離れていてもよく、その両方であってもよい。機能的に異なるパッケージ電子部品１０１、１０１’は、共通の支持体上の金属等、電子トレースを介して電気的に接続されていてもよい。前記支持体は、柔軟性又は伸縮性があるものであってもよい。前記パッケージ電子部品１０１、１０１’は好適な付着手段により前記支持体に付着していてもよい。前記システムは、電気フィードスルー、流体フィードスルー等の包括的な（グローバル）フィードスルーと伴に提供されていてもよい。
【0046】
第３の実施形態では、本発明は、埋込み型パッケージ機器１を作製又は製造する方法を提供し、前記方法は、（ａ）基板１１０上に位置する少なくとも１つの電子部品１０１を提供する工程、（ｂ）少なくとも１つのカプセル上層１０３、１０３ａを電子部品１０１に塗工する工程、及び（ｃ）少なくとも１つのカプセル下層１０４、１０４ａを電子部品１０１に塗工する工程を含み、前記カプセル上層１０３、１０３ａ、及びカプセル下層１０４、１０４ａは少なくとも一部で重なり合って、前記機器１の側壁部分に２重層構造を形成する等、２重層構造１０５、１０５’、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄを前記機器１の下面及び／又は上面に形成する。前記２重層（１０５、１０５’、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）は、好ましくは、完全ではなく、部分的に前記電子部品（１０１）を覆い、例えば、前記２重層（１０５、１０５’）は前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）覆うが、前記電子部品（１０１）の上面及び下面は２重層（１０５、１０５’、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）により覆われていない。或いは、前記２重層（１０５、１０５’）は、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）及び下面を覆っているが、前記上面は覆われておらずフォトダイオード及び／又は電極（１０９）が露出していてもよい。他の態様では、前記電子部品（１０１）の下面のみ２重層（１０５、１０５’、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）により覆われている。
【0047】
前記第３の実施形態の態様であってもよい第４の実施形態では、本発明は、埋込み型パッケージ機器を作製または製造する方法（例えば図２に示すような）を提供し、前記方法は、下記の３０９、３１０、３１１、３１２、３１３、３１４、及び３１５、任意の工程３１６及び３１７を、好ましくはこの順序で含む。
【0048】
工程３０９では、組立部品１００は、連続層１０２と、前記連続層上に配置された連続電子部品原構造１０１とを有す原構造として提供される。前記組立部品１００は、その下側を基板１１０により支持されている。
【0049】
工程３１０では、少なくとも１つ、好ましくは複数の電子部品１０１及び１０１’の組立部品１００が提供され、前記電子部品１０１及び１０１’は、溝又は間隔により互いに隔離されて基板１１０上に配置されている。隣接する電子部品１０１、１０１’及び基板１１０が溝１１１を形付ける。前記溝１１１は、前記電子部品１０１、１０１’の側壁１０６、１０６’により外側を囲まれている。本例では、前記組立部品は、ウエハ１１０上のダイス１０１、１０１’である組立部品であってもよい。有利には、基板１１０は、より多くの部品１０１、１０１’、例えば、少なくとも１０、少なくとも２０、少なくとも５０、少なくとも１００、又は少なくとも５００の部品１０１、１０１’を支持していてもよい。工程３１０による組立部品１００の提供とは、本発明の方法が適用される前記電子部品の基本構造としての、少なくとも１つの連続電子部品原構造１０１（図２の工程３０９で示されるような）に溝１１１を導入することが含まれる。前記組立部品は、（部品１０１及び層１０２の文脈で記載されているように）好適な材料から構成されており、例えば電気回路構成、フォトダイオード、他のセンサー／刺激装置機能等の潜在的ないくつかの電子及び／又は光学機能を有しており、前記電子及び／又は光学機能は、基板１１０上／中に配置され、いくつかのパターン化された（底）層により形成される。工程３１０により、溝１１１を挿入することで電子部品１０１、１０１’のそれぞれを隔離し、よって単独化される。電子部品１０１、１０１’を隔離する溝１１１は、ドライ又はウェットエッチングにより導入される。電子部品のそれぞれを隔離する工程により、１つの電子部品原構造に基づき、同じ基板（通常、平板）１１０上に多数の電子部品を製造することができる。これにより、本発明のパッケージ方法を複数の（原構造によって）同一の又は異なる電子部品１０１、１０１’に対して同時に行うことができ、よって、時間及びコスト効率のよい製造方法が可能となる。
【0050】
工程３１１では、少なくとも１つのカプセル上層１０３は、組立部品１００の上面に塗工され、よって、電子部品１０１、１０１’の上面を水平にコーティングし、溝１１１の壁を垂直に下引きする。前記カプセル上層１０３の好適な材料は上述のとおりである。カプセル上層１０３、１０３ａが、好ましくは形状追従性材料により構成されていてもよく、それによりカプセル上層１０３、１０３ａが電子部品１０１、１０１’の輪郭及び溝１１１を追従し、よって、部品１０１、１０１’及び溝１１１の壁を覆うことが理解される。カプセル上層１０３のための形状追従性材料及び、非方向性又は部分方向性物理蒸着技法、スパッタリング、化学蒸着法等の堆積法の好ましい選択により、信頼性が高く、再現性のある段差状（非平面）被覆（水平表面及び垂直側壁被覆を含む）が、通常、達成される。上述のように、工程３１１は、また、同じ又は異なる材料の単層又は多層を追加することを含んでいてもよい。工程３１１は、また、通常、カプセル上層１０３を塗工した後、組立部品１００に少なくとも１つの更なるカプセル上層１０３ａ（図２、工程３１１には図示されていない）を塗工することを含んでいてもよい。（更なる）カプセル上層１０３、１０３ａの少なくとも１つは、環境に対して前記部品１０１を十分に気密封止する耐腐食性材料から選択される。周囲の生体細胞、組織、又は体液に与える刺激又はダメージを軽減又は回避するため、前記パッケージの最外カプセル上層１０３、或いは、更なるカプセル上層が設けられる場合は、最外カプセル層１０３ａは、好ましくは、生体適合性材料により構成される。
【0051】
工程３１２では、剥離層１１２は、事前にコートされた部品１０１及び１０１’、及び下引きされた溝１１１を覆うように、通常、組立部品１００の上面に塗工される。前記剥離層１１２は、好ましくはポリマー材料を含む又はから構成されていてもよく、前記ポリマー材料は、好ましくは樹脂、より好ましくは、感光性樹脂（フォトレジスト）、及び可溶性ポリマー材料から選択される。前記感光性樹脂又はフォトレジスト（フォトポリマー又は光活性樹脂としても知られる）は、通常、電磁スペクトルの紫外線又は可視光領域における光を露光した際に特性が変わるオリゴマー又はポリマーである。詳細には、光照射により、感光性樹脂は、不溶性の架橋ネットワークポリマーに重合される（“ネガティブフォトレジスト”）か、又は、固体ポリマーが半液体、或いは可溶性又は溶解性となるように分解される（“ポジティブフォトレジスト”）。本発明においては、一般的に知られているポジ型感光性樹脂が使用される。前記剥離層１１２は、前記部品１０１及び１０１’の一時的保護、より詳細には、後続の工程のためのカプセル上層１０３及び１０３ａの一時的保護として塗工される。したがって、前記剥離層１１２は、好ましくは、電子部品１０１及び１０１’又はカプセル上層１０３及び１０３ａに影響を与えることなく取り除くことが可能な材料により構成される。前記剥離層１１２の除去は、好ましくは、半導体分野で一般的に用いられているような、フォトレジスト現像剤又はフォトレジストストリッピング剤を塗布することにより行われてもよい。
【0052】
工程３１３では、前記剥離層１１２が前記組立部品から取り除かれ、前記部品１０１及び１０１’の表面上のカプセル上層１０３が露出される。前記除去工程は、研削、ドライ又はウェットエッチング、及び／又はウェット溶液又はプラズマ中でのストリッピング等、好適な物理的又は化学的手段により行われてもよい。好ましくは、前記除去は、下引きされた溝に剥離層１１２に残存分を残してもよく、前記残存分は、通常、前記溝の下面を覆う。この剥離層１１２の残存分は、後続する処理工程により劣化から、溝１１１を下引きするカプセル上層を保護する保護バリア又は「プラグ」を形成するためのものである。
【0053】
剥離層１１２がポジティブフォトレジストにより構成されている好ましい態様では、特に、工程３１３は、（１）組立部品１００を、上面にのみ当てられた光（溝１１１の底部には当てられない）で露光する副工程、及び（２）組立部品１００にフォトレジスト現像剤を塗工する副工程を含んでいてもよい。このように、確実に、前記組立部品１００の上面又はその付近のフォトレジスト剥離層１１２のみが除去され、非露光のフォトレジストの残存分が溝１１１の底部に残存する。或いは、剥離層１１２は、ネガティブフォトレジストにより構成されていてもよい。このような状況下、工程３１３は、（１）組立部品１００を、溝１１１の底部のみに当てられた光（上面には当てられない）で露光する副工程、及び（２）組立部品１００にフォトレジスト現像剤を塗工する副工程を含んでいてもよい。このように、確実に、組立部品１００の上面の非露光のフォトレジスト剥離層１１２のみが除去され、フォトレジストの残存分が溝１１１の底部に残存する。
【0054】
工程３１４（図２、工程３１４ａに示されたように）では、組立部品１００は、上下逆に反転され（非図示）、処理される。前記機器を反転することにより、前記機器の下面を上からアクセス可能にすることで、前記下面の処理を容易にする。このため、組立部品１００は、暫定的に一時的キャリア１１３に付着されてもよい。暫定的付着は、いかなる好適な接着又は付着手段により達成されてもよく、前記接着又は付着手段は、好ましく可逆性であり、例えば、好適な接着剤によるものである。好ましくは、前記接着剤は、調整可能な接着接続により特徴づけられ、前記接着接続は、例えば、前記組立部品１００を前記一時的キャリア１１３から脱着するように、熱、ＵＶ線、レーザー光、又は他の光照射により低減されるなど、変更することができる。前記一時的キャリア１１３は、シリコン又はガラス等の、好適な固体材料により構成されていてもよい。
【0055】
この処理により、積層又は２重層のカプセル層構造１０５、１０５’を有利に提供することができ、前記カプセル層構造１０５、１０５’は、そのパッケージにより前記電子部品１０１、１０１’の気密封止を確実なものとする。
【0056】
工程３１４は、組立部品１００の下側から層を取り除く複数の副工程を含んでおり、前記副工程は、下引きされた溝１１１が、最終的にカプセル下層１０４、１０４’（後続する工程３１５参照）により下引きされて、少なくとも一部又はより好ましくは完全に電子部品の側壁１０６、１０６’を覆う２重層構造１０５、１０５’を形成するために、解放されたままにされるように行われる。
【0057】
工程３１４ａでは、基板１１０が除去され、前記電子部品１０１、１０１’の下面が露出され、任意に、層１０２及び溝１１１を下引きしているカプセル上層により覆われる。工程３１４ａは、また、前記基板の「薄膜化」と呼ばれるものでもよい。基板１１０は、研削、エッチング等の好適な物理的又は化学的手段により除去されてもよい。好ましくは、任意の層１０２は、薄膜化又は前記除去工程による他のダメージから前記部品１０１、１０１’の下面を保護するバリアとして機能してもよく、よって、電子部品１０１、１０１’に影響を与えることなく前記基板１１０の除去を精密に制御できてもよい。前記「薄膜化」は、好ましくは、前記基板１１０が除去されるまで行われる（工程３１４ｂ）、より好ましくは、前記溝１１１内に残留している前記剥離層１１２の残留分が層１０３、１０３’を除去することにより露出されるまで、行われる（副工程３１４ｃ）。このように、前記電子部品１０１、１０１’は、前記剥離層１１２を介して溝１１１を下引きしているカプセル上層１０３、１０３’のみにより接続されている。
【0058】
副工程３１４ｃでは、カプセル上層１０３、１０３’が除去され、よって、下引きされた溝内の保護バリアを形成している残存剥離層１１２を露出する。前記保護バリアにより、後続の処理に対し、例えば、基板１１０の除去時、カプセル上層１０３、１０３’を完全な状態に保持できる。有利には、この方法により、最初にカプセル上層１０３、１０３’を形成し、続いて、好ましくは電子部品１０１、１０１’の側壁まで延在して完全に覆っているカプセル下層１０４、１０４’を塗工することにより２重層構造１０５、１０５’を作製することがでる。これにより、高効率で向上した気密カプセル封入が達成される。
【0059】
副工程３１４ｄでは、残存剥離層１１２が除去され、よって、カプセル下層１０４を塗工するために、下引きされた溝１１１が露出される。好ましくは、剥離層１１２は、剥離層１１２を溶解又は除去できる状態又は薬品に前記層１１２を晒すことにより除去してもよい。一般的に、前記除去は、エッチング、ストリッピング、又は前記剥離層１１２を除去可能な好適な薬剤又は溶剤による他の処理等の好適な物理的又は化学的手段により行われてもよい。フォトレジスト剥離層１１２の場合、除去は、好ましくは、光照射及びフォトレジスト現像剤の塗布、フォトレジスト現像剤の塗布単独、ウェット溶液中でのフォトレジストストリッピング、又はプラズマ照射をすることにより行われてもよい。
【0060】
処理中に各層を除去する好適な技術の選択は、公知である。適切な技術の選択は、通常、除去される層の材料に依存する。適切な除去技術は、通常、除去される材料の性質に基づき選択されることが理解される。即ち、各層は、組立部品１００の対象外の層又は材料ではなく、除去対象の層のみを優先的に除去する技術により除去される。
【0061】
工程３１５では、好ましくは上方から処理するために上下逆の配置で、少なくとも１つのカプセル下層１０４、１０４ａが組立部品１００に塗工され、前記電子部品１０１、１０１’の下面と、前記カプセル上層１０３、１０３ａで下引きされた溝１１１とがコーティングされる。前記カプセル下層１０４、１０４ａの好適な材料は上述のとおりである。前記カプセル下層１０４、１０４ａは、好ましくは、前記電子部品１０１、１０１’及び前記溝１１１の輪郭を追従することができる、形状追従性材料により構成されているか、少なくとも部分的に方向性がある技術により付着されてもよく、よって、前記部品１０１、１０１’及び事前にカプセル上層１０３、１０３ａで下引きされた溝１１１の内壁が覆われることが理解される。カプセル下層１０４、１０４ａの形状追従性材料及び堆積法技術の好ましい選択により、非常に好適な段（ステップ）状被覆が、通常、得られる。上述のように、工程３１５では、同じ又は異なる材料の単層又は多層が塗工されてもよい。前記カプセル下層１０４の塗工に加え、工程３１５では、通常、カプセル下層１０４の塗工後に、少なくとも１つの更なるカプセル下層１０４ａ（工程３１５では非図示）を前記組立部品１００に塗工する副工程を更に含んでいてもよい。少なくとも１つのカプセル下層１０４、１０４ａは、好ましくは、環境に対して部品１０１、１０１’を十分に気密封止する耐腐食性材料から選択される。周囲の生体細胞、組織、又は体液に与える刺激又は影響を低減又は回避するため、環境との界面となる前記最外カプセル下層１０４、１０４ａは、好ましくは生体適合性材料により構成されている。上述のように、工程３１５は、同じ又は異なる材料の単層又は多層を追加することを含んでいてもよい。
【0062】
本発明の方法は、少なくとも一部で重なり合って２重層構造１０５、１０５’、１０５ａが形成されるようにカプセル上層１０３、１０３ａ及びカプセル下層１０４、１０４ａを好ましく塗工する。前記２重層構造１０５、１０５ａは、好ましくは少なくとも一部、より好ましくは完全に、前記電子部品の側壁１０６、１０６’を覆う。これは、特に、剥離層１１２を、溝１１１を下引きするカプセル上層１０３、１０３ａの保護バリアとして使用することにより（工程３１４参照）、及び、カプセル下層１０４、１０４ａの塗工前に好ましくは、前記組立部品１００の向きを上下逆に変更（「反転する」）ことにより（組立部品１００の上下逆の処理を可能にするように）行われる。
【0063】
１つ以上のカプセル上層１０３、１０３ａ及び／又はカプセル下層１０４、１０４ａ（又は少なくともその一部）は、例えば、電子部品１０１、１０１’の上面及び下面間の電気的接合を可能とする連続トラック（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｔｒａｃｋｓ）（例えば、少なくとも側壁箇所において）を導入するために、例えば、リソグラフィー及びエッチング、又はリフトオフを前記処理中に使用することにパターン化されていてもよい。
【0064】
任意の工程３１６では、組立部品１００は支持層１１４に固定又は固着し、好ましくは、それに引き続き、工程３１５で得られた組立部品１００は一時的キャリア１１３から取り除かれた。固定又は固着は、例えば好適な接着剤によるなどの、好適な付着手段により達成されてもよい。前記接着剤は、好ましくは、調整可能な接着接続により特徴づけられ、前記接着接続は、特に、熱及び／又はＵＶ光及び／又はレーザー光を照射することにより低減されるなど、変更することができる。支持層１１４は、好ましくは、薄膜等の可撓性材料により構成され、それにより電子部品１０１、１０１’の輸送又は保存が可能になる。例示材料としては、所謂、半導体「ダイシングテープ」等の可撓性ポリマーを含む。有利なことに、可撓性フィルムの使用により、ダイス等の前記電子部品１０１、１０１’を「ダイピッキング」処理により取り除くことができる。前記「ダイピッキング」処理により、前記ダイスが１つ以上のピンで裏面から押し出され、真空「ピックアップ治具」を使用して前記ダイスを浮かせて、全面から取り出される。この工程は、通常、自動「ダイピッキング」機により行われる。
【0065】
前記支持層１１４からの剥離は、工程３１７に示される。得られた機器１は、工程３１５で得られたカプセル上層１０３及びカプセル下層１０４によりカプセル封入されている。又は、工程３１６で、支持層１１４から剥離される。工程３１７により得られた前記組立部品１００は、しっかりとカプセル封入され、インビボ埋込みに所望な気密性を有す本発明の態様を表す。それは、図２の態様で示される本発明の方法により得られた、側壁全体を覆っているカプセル層１０３及び１０４により形成された２重層構造１０５、１０５’により特徴づけられる。
【0066】
本発明の方法は、トップコート１０７を付与する任意の工程３１７を更に含んでいてもよい。前記トップコート１０７は、工程３１１でカプセル上層１０３、１０３ａを付与する前に付与されてもよい。或いは、トップコート１０７は、工程３１１でカプセル上層１０３、１０３ａを付与した後に付与してもよい。例えば、工程３１２前、又は工程３１６後に付与される。前記塗布工程４００が工程３１１の前に行われるとしたら、前記塗布工程４００は、前述のとおり溝１１１が組立部品１００（即ち、図２の工程３１０の工程３０９の前記組立部品１００）に導入される前、又は前記溝が導入された後に行われる（工程３１１の前の工程３１０の組立部品１００に塗布される）。本発明の方法の過程でいつ前記トップコート１０７が組立部品１００に塗工されるかにより、前記カプセル上層１０３、１０３ａは前記コート層１０７の少なくとも一部を覆っていてもよく、或いは、前記コート層１０７は少なくとも一部でカプセル層１０３、１０３ａと重なっていてもよい。工程３１６の後に工程４００によりトップコート１０７が塗工される場合、前記トップコート１０７は好ましくは、前記層１０３、１０３ａ上に更なる層を形成し、環境と直接接触する、前記機器１の最上層を形成する。
【0067】
１つの態様では、トップコート１０７は、好ましくは、カプセル層１０３、１０３ａの塗工前に、前記電子部品１０１、１０１’（又は組立部品１００の上面）に塗工される。前記塗工は好ましい手段により行われ、好ましくは、堆積法により行われる。前記堆積法としては、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、及び下層酸化法が挙げられる。続いて、前記トップコート１０７が好ましくは部分的に取り除かれ、その後、前記トップコート１０７とカプセル層１０３、１０３ａが好ましくは少なくとも一部で重なり合うように少なくとも１つのカプセル上層１０３、１０３ａが塗工される。少なくとも１つのカプセル上層１０３、１０３ａが前記コート層１０７と少なくとも前記コート層１０７の端部で重なり合うようになっているのが好ましい。前記組立部品の端部を露出するため、トップコート１０７の部分的除去が好ましくは検討される。前記除去は、化学的又は物理的プロセス等の好適な手段により行われ、好ましくはウェット又はドライエッチング及び／又はリフトオフにより行われる。得られる前記パッケージによる前記トップコート１０７と前記カプセル上層１０３、１０３ａとの部分的な重なりは、トップコート１０７の意図された機能を干渉することなく、電子部品１０１、１０１’を気密に封入する。
【0068】
或いは、トップコート１０７は、工程３１１でカプセル上層１０３、１０３ａが塗工された後に、塗工されてもよい。このため、少なくとも１つのカプセル上層１０３、１０３ａは、電子部品１０１、１０１’の上面から塗工される。続いて、例えば、カプセル上層１０３、１０３ａが除去された箇所に、トップコート１０７が塗工されるように、前記カプセル上層１０３、１０３ａは、好ましくは部分的に電子部品１０１、１０１’から除去される。例えば、前記電子部品１０１、１０１’の端部を含む周辺部分は少なくとも１つのカプセル上層１０３、１０３ａで覆われたままで、カプセル上層１０３、１０３ａは、前記電子部品１０１、１０１’の上面の中央部分から取り除かれてもよい。化学的又は物理的プロセス等のいかなる好適な手段が適用され、好ましくは、ウェット又はドライエッチング及び／又はリフトオフが適用される。トップコート１０７とカプセル層１０３、１０３ａとが好ましくは少なくとも一部で重なり合うように前記トップコート１０７は前記電子部品１０１、１０１’に塗工される。上述のとおり、トップコート１０７は好ましくは堆積法により塗工され、前記堆積法としては、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、及び下層酸化法が挙げられる。
【0069】
トップコート１０７を示す得られた態様は、適用された特定の基礎となる方法及び本発明の方法の過程での工程４００を行う段階による。そのようなトップコート１０７塗工の別の態様は、図４Ａ～Ｃに示されている。
【0070】
図４Ａ～Ｃに示された態様の全ては、本発明の異なる段階での、工程４００の好ましい別の態様を示している。図４Ａの工程４００により、前記溝により隔離されている前記部品１０１、１０１’（図２による方法の工程３１０参照）は、その上面及び前記溝の垂直な内壁表面（或いは、前記溝１１１を形成している前記電子部品１０１、１０１’の側壁１０６、１０６’）に沿ってコーティング（コート層１０７）されている。前記コート層１０７は、エッチング又はリフトオフによってパターン化される。前記エッチング処理が用いられる際、前記材料１０７が最初に付着され、その後、フォトレジストが塗工及びパターン化され、前記フォトレジストに覆われていない領域の前記材料１０７がエッチングにより取り除かれる。最後に、前記フォトレジストが取り除かれる。
【0071】
リフトオフが用いられる際、前記フォトレジストのパターニングは前記材料１０７の堆積前に行われ、前記材料１０７の堆積後、前記材料１０７の堆積前にフォトレジストが取り除かれた領域に堆積した層１０７が残されるように、前記レジスト及びフォトレジスト上の前記材料１０７が取り除かれた。
【0072】
しかし、図４Ｂの工程４００による態様は、塗工層１０７の塗工が（電子部品１０１、１０１’をそれぞれ隔離する）溝１１１の導入の前に塗工される点で図４Ａとは異なる。前記パターニング又はリフトオフ処理は、図４Ｂに基づく前記パターニング又はリフトオフ工程４００後に、溝１１１のみが導入されるように、行われる。図４Ａ及び４Ｂの態様の両者は、その後、工程３１１（図２の）が行われ、露出された上面に前記カプセル上層１０３が塗工され、よって、前記溝１１１も下引きされる。図４Ｃの工程４００は、工程の順序が異なる点で、図４Ａ及び４Ｂの態様の工程４００とは異なる。図４Ｃの工程３１０及び（図２の）工程３１１の態様が最初に行われるため、工程３１１（カプセル上層１０３塗工）が行われて初めて、前記電子部品１０１、１０１’がコート層１０７によりコーティングされる。したがって、図４Ｃの工程４００の態様は、図４Ａ及び４Ｂの態様とは対照的に、前記コート層１０７が前記カプセル上層１０３に（部分的に）重なり合うようになっている。
【0073】
エッチング又はリフトオフに含まれるのは、工程４００のこれら態様の全てに共通である。
【0074】
工程４００の前記エッチングプロセスにおいて、トップコート１０７は、前記部品１０１、１０１’の表面に塗工される。続いて、スピンコート等の好適な方法を用いて、フォトレジスト層が塗工され、前記フォトレジスト層は、任意に、熱を与えることにより乾燥（ベーク）される。その後、得ようとするトップコート１０７の所望なパターンを規定するマスクを付与し、「マスクされた」フォトレジストを露光する。続いて、好適な現像剤が塗布され、それにより前記フォトレジストが除去される。ポジ型フォトレジストの場合、露光された場所が除去される。ネガ型フォトレジストの場合、露光されなかった場所のレジストが除去される。前記「現像工程」後、熱を付与することにより、前記レジストの硬化が任意で行われる。ウェット又はドライエッチングが続いて、前記フォトレジストで覆われたトップコート１０７を残したまま、前記フォトレジストに覆われていない前記トップコート１０７の箇所を部分的に取り除いてもよい。最後に、好適なストリッピング溶液中でのストリッピング又はプラズマで残りのレジストを取り除き、前記マスクで規定されたようにパターン化されたトップコート１０７を得た。
【0075】
工程４００の他のリフトオフプロセスでは、フォトレジストは、例えば、スピンコートにより、前記部品１０１、１０１’の上面、又はトップコート１０７を支持する他の層上に塗工される。任意に、熱を付与して乾燥（ベーク）される。続いて、得ようとするトップコート１０７の所望なパターンを規定するマスクが前記フォトレジストに付与され、「マスクされた」フォトレジストを露光する。その後、好適な現像剤が塗布され、それにより前記フォトレジストが除去される。ポジ型フォトレジストの場合、露光された場所が除去される。ネガ型フォトレジストの場合、露光されなかった場所のレジストが除去される。前記「現像工程」後、熱を付与することにより、前記レジストの硬化が任意で行われる。カプセル上層１０３（又はトップコート１０７を部分的に覆うような他の層）が前記フォトレジスト上に付着される。最後に、好適なストリッピング溶液が付与され、任意に、超音波を同時に付与し、前記パターン化されたフォトレジスト及びそれを覆う層と一緒にリフトオフし、下地のフォトレジストが事前に除去された領域のカバー層のみが残された。
【0076】
【0077】
更に、本発明の方法は、例えば、電子部品１０１、１０１’の上側又は下側に、例えば、電子トレース１０８、フォトダイオード及び／又は電極１０９を設ける任意の工程５００を有していてもよい。前記任意の工程５００は、通常、電子部品１０１の上面が露出されていて更なる改造（ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）が可能な場合に、例えば工程３０９又は３１０で、行われる。或いは、前記任意の工程５００は、外層が塗工された後、例えば工程３１６又はその後に、行われてもよい。この他のアプローチは、事前に塗布された層又はコーティングを、少なくとも領域ごとに、取り除くことにより可能となる。したがって、工程５００は、前記電子部品１０１を改造（ｍｏｄｉｆｙ）する。これにより、電子トレース１０８及び／又は電極１０９が、前記電子部品１０１、１０１’の表面上であって、通常、トップコート１０７及びカプセル上層１０３、１０３ａ下に好適な堆積法により、下記により詳細に説明されているように、塗工されてもよい。前記堆積法は化学蒸着法（ＣＶＤ）、電子ビーム蒸着及び（反応性）スパッタリング等の物理蒸着法、電気化学堆積法、電着法、及び、リフトオフ及びエッチング等のパターニングを含む。
【0078】
垂直又は上方に突出する構造（例えば、電極、図１Ｄ等参照）による前記電子部品１０１の改造（ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）は、前記カプセル上層１０３、１０３ａ及び／又はコート層１０７の特性に影響を与えるかもしれない。前記構造は、例えば、１つの以上の前記層を遮る穴を示してもよい。好ましくは、電極１０９は、例えば、トップコート１０７内に設けられる又はトップコート１０７を超えて延在していてもよく、及び／又は、追加で又はそれに代わって、カプセル上層１０３／１０３ａ内に設けられる又はカプセル上層１０３／１０３ａを超えて延在していてもよい。
【0079】
前記部品１０１、１０１’の表面が、電極堆積箇所で、通常は、完全に露出されるように、トップコート１０７及び／又はカプセル上層１０３、１０３ａが部分的に取り除かれることにより前記気密パッケージが提供された後に、電極１０９も導入されてもよい。前記部品１０１、１０１’の表面上の前記電極１０９は、例えば、金属又は他の電極材料層を堆積されることにより追加されてもよい。最初に、電極１０９を形成するための穴又はフィードスルーを形成するために、トップコート１０７及び／又はカプセル上層１０３／１０３ａを部分的に取り除いてもよい。前記除去は、エッチング等の好適な技術により行われてもよい。続いて、トップコート１０７及び／又はカプセル上層１０３／１０３ａに電極材料を塗工する。例えば、余剰な前記電極材料は、続いて、前記電極材料が好ましくはトップコート１０７及び／又はカプセル上層１０３／１０３ａの穴又はフィードスルーの箇所のみ残留するように、及び任意にトップコート１０７及び／又はカプセル上層１０３／１０３ａと部分的に重なり合うように、エッチング、リフトオフ等により取り除かれる。そのような態様は、電極１０９の直径が、前記穴又はフィードスルーの寸法より大きい場合に、検討されてもよい。
【0080】
或いは、電極１０９は、トップコート１０７及び／又はカプセル上層１０３／１０３ａ下に電子トレース１０８により形成されてもよい。このため、下地の電子トレース１０８の箇所を露出する穴又はフィードスルーを形成するために、例えば、エッチング又はリフトオフにより、トップコート１０７及び／又はカプセル上層１０３／１０３ａは、部分的に取り除かれる。
【0081】
上記記載は、本発明の特定の態様を詳述するものである。しかし、上記記載がいかに詳述なものであっても、本発明は多様に実施されることが理解されるであろう。本発明の特定の特徴又は実施形態を説明する際に使用される特定の技術用語は、前記技術用語が関連している本発明の特徴又は実施態様の特定の性質を含むように限定するものであると再定義されると解釈されるべきではない。
【0082】
様々な態様に適用される本発明の新規の特徴が上記詳細な記載に示され、説明され、指摘されているが、示された機器又はプロセスの形状及び詳細における様々な省略、代用、及び変更は、当業者であれば本発明の意図から逸脱することなく行われることが理解される。本発明の範囲は、前記記載にではなく、添付の請求項により規定されるものである。本願請求項と等価の意味及び範囲内での変更の全ては、本発明の範囲内であると考えられるべきである。
【0083】
項目
１．気密パッケージ（１０）によりカプセル封入された電子部品（１０１）を含み、
前記パッケージが、カプセル上層（１０３）及びカプセル下層（１０４）を含み、前記カプセル上層及び前記カプセル下層（１０３及び１０４）は、２重層（１０５、１０５’）を形成するように、少なくとも一部が重なり合っていることを特徴とする、埋込み型機器。
２．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）の少なくとも一部、より好ましくは全部を、覆っている、項目１に記載の埋込み型機器。
３．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の全体ではなく、一部のみを覆っている、項目１から２のいずれかに記載の埋込み型機器。
４．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）のみを覆っており、前記電子部品（１０１）の上面及び下面を覆っていない、項目１から３のいずれかに記載の埋込み型機器。
５．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、生体適合性である、項目１から４のいずれかに記載の埋込み型機器。
６．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、耐腐食性である、項目１から５のいずれかに記載の埋込み型機器。
７．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、金属と、酸化物、窒化物、及び炭化物、好ましくは、金属酸化物、金属窒化物、及び金属炭化物を含むセラミックと、ダイヤモンドライクカーボンと、ダイヤモンドと、ガラスと、ポリマーと、これらの組合せ、又はこれらの複数層とを含む又はからなる、項目５から６のいずれかに記載の埋込み型機器。
８．前記金属が、Ｔｉ、Ｐｔ、ステンレス鋼、チタン－ニッケル、パラジウム、ニオブ、タンタル、これらの組合せ又は合金、及びこれらの複数層から選択される１つである、
前記セラミックが、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化チタン、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択される１つである、及び／又は
前記ポリマーが、フルオロカーボン、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、シリコーン、ＰＤＭＳ、パリレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリカーボネートウレタン、シリコーン、シリコーン－ポリエステル－ウレタン、ｄｕｒｉｍｉｄｅ（感光性ポリイミド）、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリフェニレン、ポリスルホン、ポリフェニルスルホン、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択される１つである、
項目７に記載の埋込み型機器。
９．前記パッケージが、更に少なくとも１つのトップコート（１０７）を含み、
好ましくは、前記トップコート（１０７）と前記カプセル上層（１０３）とが、少なくとも一部で、又は完全に重なり合っている、項目１から８のいずれかに記載の埋込み型機器。
１０．前記トップコート（１０７）が、生体適合性である、項目９に記載の埋込み型機器。
１１．前記トップコート（１０７）が、耐腐食性である、項目９から１０のいずれかに記載の埋込み型機器。
１２．前記トップコート（１０７）が、透明である、項目９から１０のいずれかに記載の埋込み型機器。
１３．前記トップコート（１０７）が、セラミック、ＳｉＣ又はＳｉＯＣを含むガラス、ＳｉＯ２、ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウム、酸化チタン、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択される材料を含む又はからなる、項目９から１２のいずれかに記載の埋込み型機器。
１４．前記埋込み型機器が、好ましくは前記トップコート（１０７）が、
更に、前記電子部品（１０１）と電気的に接続している電子トレース（１０８）を含み、
前記電子トレース（１０８）が、好ましくは、前記トップコート（１０７）中に、又は前記トップコート（１０７）から突出して、電極を形成している、項目９から１３のいずれかに記載の埋込み型機器。
１５．前記電子トレースが電極を形成しており、前記電極が好ましくは生体適合性及び耐腐食性である、項目１４に記載の埋込み型機器。
１６．前記電子トレースが、白金、黒色／多孔質白金、イリジウム、イリジウム／白金、酸化イリジウム、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、窒化チタン、ドープダイヤモンド又はドープダイヤモンドライクカーボン、グラフェン、及びこれらの組合せから選択される材料を含む又はからなる、項目１４から１５のいずれかに記載の埋込み型機器。
１７．前記気密パッケージ（１０）によりカプセル封入されている前記電子部品（１０１）が、層（１０２）を含む、項目１から１６のいずれかに記載の埋込み型機器。
１８．前記層（１０２）が、セラミック又はガラスを含む又はからなり、
任意に、酸化ケイ素から選択され、
任意に、シリコン基板を酸化することにより得られる、項目１７に記載の埋込み型機器。
１９．前記埋込み型機器が、
前記カプセル上層（１０３）上に、少なくとも１つの更なるカプセル上層（１０３ａ）、及び／又は
前記カプセル下層（１０４）をカプセル封入する、少なくとも１つの更なる下部カプセル封入（１０４ａ）を含む、
項目１から１９のいずれかに記載の埋込み型機器。
２０．少なくとも１つの更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）を形成するように、前記更なるカプセル層（１０３ａ、１０４ａ）が重なり合っており、
任意に、前記更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）は、前記電子部品（１０１）の前記側壁（１０６、１０６’）の少なくとも一部、より好ましくは、全部を覆っている、項目１９に記載の埋込み型機器。
２１．前記少なくとも１つの更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）のみを覆っており、前記電子部品（１０１）の上面及び下面を覆っていない、項目２０に記載の埋込み型機器。
２２．前記カプセル上層（１０３、１０３’）及び／又は前記カプセル下層（１０４、１０４’）が、耐腐食性であり、任意に、生体適合性である、項目１９又は２１に記載の埋込み型機器。
２３．前記少なくとも１つの更なるカプセル上層（１０３ａ）及び／又は前記少なくとも１つの更なるカプセル下層（１０４ａ）が、生体適合性であり、任意に、耐腐食性である、項目１９から２２のいずれかに記載の埋込み型機器。
２４．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）、及び／又は
任意に、前記少なくとも１つの更なるカプセル上層（１０３ａ）及び／又は前記少なくとも１つの更なるカプセル下層（１０４ａ）が、
同じ又は異なる材料を含む又はからなる、項目１から２３のいずれかに記載の埋込み型機器。
２５．前記埋込み型機器が、環境に晒されるフォトダイオード及び／又は電極（１０９）を含み、
好ましくは、前記フォトダイオード及び／又は電極（１０９）の最上面が環境に晒されるように、前記トップコート及び／又は前記カプセル上層に埋め込まれている、項目１から２４のいずれかに記載の埋込み型機器。
２６．前記埋込み型機器が、目に埋込み可能なように構成されており、
好ましくは、網膜インプラントとして、網膜上又は網膜下に埋込み可能なように構成されている、項目１から２５のいずれかに記載の埋込み型機器。
２７．項目１から２６のいずれかに前記パッケージ機器を少なくとも１つ含むことを特徴とする、埋込み型システム。
２８．埋込み型機器をパッケージする方法であって、
（ａ）少なくとも１つの電子部品（１０１）を基板（１１０）上に提供する工程と、
（ｂ）前記電子部品（１０１、１０１’）に、少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を塗工する工程と、
（ｃ）前記電子部品（１０１、１０１’）に、少なくとも１つのカプセル下層（１０４、１０４’）を塗工する工程と、を含み、
前記カプセル上層（１０３、１０３’）及び前記カプセル下層（１０４、１０４’）は、２重層（１０５、１０５’、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）を形成するように、少なくとも一部で重なり合っていることを特徴とする方法。
２９．埋込み型機器をパッケージする方法であって、
（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは互いに間隔を空けて配された複数の電子部品（１０１、１０１’）が基板上（１１０）に設けられた組立部品（１００）を提供し、隣接する前記電子部品（１０１、１０１’）と基板（１１０）とが、前記電子部品（１０１、１０１’）間の溝（１１１）を画定する工程と、
（ｉｉ）前記組立部品（１００）に少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を塗工して、前記電子部品（１０１、１０１’）をコーティングし、前記溝（１１１）に下引きする工程と、
（ｉｉｉ）前記組立部品（１００）に剥離層（１１２）を塗工する工程と、
（ｉｖ）部分的に前記剥離層（１１２）を取り除き、前記下引きされた溝（１１１）内に前記剥離層（１１２）の残存分を残す工程と、
（ｖ）好ましくは、前記組立部品（１００）を、上下逆に反転する工程と、
（ｖｉ）前記組立部品の下面から、（ａ）前記基板（１１０）、（ｂ）前記カプセル上層（１０３）、及び（ｃ）前記剥離層（１１２）の残存分を取り除く工程と、
（ｖｉｉ）前記組立部品（１００）に少なくとも１つのカプセル下層（１０４、１０４’）を塗工し、好ましくは、前記電子部品（１０１、１０１’）及び前記溝（１１１）をコーティングする工程と、を含み、
前記カプセル上層（１０３、１０３’）及び前記カプセル下層（１０４、１０４’）は、少なくとも一部が重なり合って、２重層（１０５、１０５’）を形成するように塗工されることを特徴とする方法。
３０．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の前記側壁（１０６、１０６’）の少なくとも一部、より好ましくは、全部を覆うように形成される、項目２８から２９のいずれかに記載の方法。
３１．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６及び１０６’）のみを覆っており、前記電子部品（１０１）の上面及び下面を覆っていない、項目２８から３０のいずれかに記載の方法。
３２．前記方法が、更に、トップコート（１０７）を提供する工程を含み、
前記工程が、
（ａ）好ましくは項目１から３１のいずれかに規定されているように、前記電子部品（１０１、１０１’）の上面にトップコート（１０７）を塗工し、（ｂ）部分的に前記トップコート（１０７）を取り除き、（ｃ）好ましくは項目１から３１のいずれかに規定されているように、少なくとも前記トップコート（１０７）及びカプセル層（１０３、１０３’）が好ましくは少なくとも一部で重なり合うように、少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を前記電子部品（１０１、１０１’）に塗工する、又は
（ａ’）好ましくは項目１から３１のいずれかに規定されているように、前記電子部品（１０１、１０１’）に少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を塗工し、（ｂ’）部分的にカプセル上層（１０３、１０３’）を前記電子部品（１０１、１０１’）から取り除き、（ｃ’）好ましくは項目１から３１のいずれかに規定されているように、少なくともトップコート（１０７）及びカプセル層（１０３、１０３’）が好ましくは少なくとも一部で重なり合うように、前記トップコート（１０７）を前記電子部品（１０１、１０１’）に塗工する
ことにより行われる、
項目２８から３１のいずれかに記載の方法。
３３．前記工程（２）が、化学的又は物理的プロセスにより、好ましくはウェット又はドライエッチング及び／又はリフトオフにより、前記トップコート（１０７）又は前記カプセル上層（１０３、１０３’）を部分的に取り除くことを含む、項目３２に記載の方法。
３４．前記トップコート（１０７）が、堆積法により塗工され、
前記堆積法が、化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、及び下層酸化法を含み、
前記化学蒸着法（ＣＶＤ）が、ＰＥＣＶＤを含む、項目３２から３３のいずれかに記載の方法。
３５．前記方法が、更に、電子トレース（１０８）及び／又は電極（１０９）を、好ましくは前記トップコート（１０７）中に、堆積法及び／又はパターニングにより形成する工程を含み、
前記堆積法が物理蒸着法及び電着法を含み、前記パターニングがリフトオフ又はエッチングを含む、項目２８から３４のいずれかに記載の方法。
３６．前記方法が、前記工程（ｉｖ）の前に、前記組立部品の上面を一時的キャリア（１１３）に付着させる工程を含む、項目２９から３５のいずれかに記載の方法。
３７．前記基板（１１０）、前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記剥離層（１１２）が、物理的手段及び化学的手段からそれぞれ独立して選択される手段により取り除かれ、
前記物理的手段及び前記化学的手段が、研削、エッチング、及び／又はストリッピングを含む、項目２９から３５のいずれかに記載の方法。
３８．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、生体適合性である、項目２８から３７のいずれかに記載の方法。
３９．前記カプセル上層（１０３、１０３ａ）及び／又は前記カプセル下層（１０４、１０４ａ）が、耐腐食性である、項目２８から３８のいずれかに記載の方法。
４０．前記カプセル上層（１０３、１０３ａ）及び／又は前記カプセル下層（１０４、１０４ａ）が、
金属、セラミック、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド、ガラス、低透過性及び／又は緻密な（明細書）ポリマー、及びこれらの複数層から任意に選択される材料を含む又はからなり、
前記金属は、チタン、白金、ステンレス鋼、チタン－ニッケル、パラジウム、ニオブ、タンタル、これらの合金及び複数層を含み、
前記セラミックは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム等の金属酸化物、金属窒化物、及び金属炭化物、並びにこれらの複数層を含み、
前記ポリマーが、フルオロカーボン、ポリウレタン、ＰＥＥＫ、シリコーン、ＰＤＭＳ、パリレン、及びポリイミドを含む、
項目２８から３９のいずれかに記載の方法。
４１．前記剥離層（１１２）が、ポリマー材料から選択される材料、
好ましくは、樹脂から選択される材料、
より好ましくは、感光性樹脂及び可溶性ポリマー材料から選択される材料、
を含む又はからなる、項目３０から４０のいずれかに記載の方法。
４２．前記トップコート（１０７）が、生体適合性である、項目３２ら４１のいずれかに記載の方法。
４３．前記トップコート（１０７）が、耐腐食性である、項目３２から４２のいずれかに記載の方法。
４４．前記トップコート（１０７）が、透明である、項目３２から４３のいずれかに記載の方法。
４５．前記トップコート（１０７）が、
セラミック、ＰＥＣＶＤ ＳｉＣ又はＳｉＯＣを含むガラス、ＳｉＯ２、ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウム、酸化チタン、及びこれらの複数層から選択される材料を含む又はからなる、項目３２から４４のいずれかに記載の方法。
４６．前記方法が、項目１から２６のいずれかに記載のパッケージ機器を提供する、項目２８から４５のいずれかに記載の方法。
１．気密パッケージ（１０）によりカプセル封入された電子部品（１０１）を含み、
前記パッケージが、カプセル上層（１０３）及びカプセル下層（１０４）を含み、前記カプセル上層及び前記カプセル下層（１０３及び１０４）は、２重層（１０５、１０５’）を形成するように、少なくとも一部が重なり合っていることを特徴とする、埋込み型機器。
２．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）の少なくとも一部、より好ましくは全部を、覆っている、項目１に記載の埋込み型機器。
３．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の全体ではなく、一部のみを覆っている、項目１から２のいずれかに記載の埋込み型機器。
４．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）のみを覆っており、前記電子部品（１０１）の上面及び下面を覆っていない、項目１から３のいずれかに記載の埋込み型機器。
５．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、生体適合性である、項目１から４のいずれかに記載の埋込み型機器。
６．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、耐腐食性である、項目１から５のいずれかに記載の埋込み型機器。
７．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、金属と、酸化物、窒化物、及び炭化物、好ましくは、金属酸化物、金属窒化物、及び金属炭化物を含むセラミックと、ダイヤモンドライクカーボンと、ダイヤモンドと、ガラスと、ポリマーと、これらの組合せ、又はこれらの複数層とを含む又はからなる、項目５から６のいずれかに記載の埋込み型機器。
８．前記金属が、Ｔｉ、Ｐｔ、ステンレス鋼、チタン－ニッケル、パラジウム、ニオブ、タンタル、これらの組合せ又は合金、及びこれらの複数層から選択される１つである、
前記セラミックが、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化チタン、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択される１つである、及び／又は
前記ポリマーが、フルオロカーボン、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、シリコーン、ＰＤＭＳ、パリレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリカーボネートウレタン、シリコーン、シリコーン－ポリエステル－ウレタン、ｄｕｒｉｍｉｄｅ（感光性ポリイミド）、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリフェニレン、ポリスルホン、ポリフェニルスルホン、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択される１つである、
項目７に記載の埋込み型機器。
９．前記パッケージが、更に少なくとも１つのトップコート（１０７）を含み、
好ましくは、前記トップコート（１０７）と前記カプセル上層（１０３）とが、少なくとも一部で、又は完全に重なり合っている、項目１から８のいずれかに記載の埋込み型機器。
１０．前記トップコート（１０７）が、生体適合性である、項目９に記載の埋込み型機器。
１１．前記トップコート（１０７）が、耐腐食性である、項目９から１０のいずれかに記載の埋込み型機器。
１２．前記トップコート（１０７）が、透明である、項目９から１０のいずれかに記載の埋込み型機器。
１３．前記トップコート（１０７）が、セラミック、ＳｉＣ又はＳｉＯＣを含むガラス、ＳｉＯ２、ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウム、酸化チタン、これらの組合せ、及びこれらの複数層から選択される材料を含む又はからなる、項目９から１２のいずれかに記載の埋込み型機器。
１４．前記埋込み型機器が、好ましくは前記トップコート（１０７）が、
更に、前記電子部品（１０１）と電気的に接続している電子トレース（１０８）を含み、
前記電子トレース（１０８）が、好ましくは、前記トップコート（１０７）中に、又は前記トップコート（１０７）から突出して、電極を形成している、項目９から１３のいずれかに記載の埋込み型機器。
１５．前記電子トレースが電極を形成しており、前記電極が好ましくは生体適合性及び耐腐食性である、項目１４に記載の埋込み型機器。
１６．前記電子トレースが、白金、黒色／多孔質白金、イリジウム、イリジウム／白金、酸化イリジウム、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、窒化チタン、ドープダイヤモンド又はドープダイヤモンドライクカーボン、グラフェン、及びこれらの組合せから選択される材料を含む又はからなる、項目１４から１５のいずれかに記載の埋込み型機器。
１７．前記気密パッケージ（１０）によりカプセル封入されている前記電子部品（１０１）が、層（１０２）を含む、項目１から１６のいずれかに記載の埋込み型機器。
１８．前記層（１０２）が、セラミック又はガラスを含む又はからなり、
任意に、酸化ケイ素から選択され、
任意に、シリコン基板を酸化することにより得られる、項目１７に記載の埋込み型機器。
１９．前記埋込み型機器が、
前記カプセル上層（１０３）上に、少なくとも１つの更なるカプセル上層（１０３ａ）、及び／又は
前記カプセル下層（１０４）をカプセル封入する、少なくとも１つの更なる下部カプセル封入（１０４ａ）を含む、
項目１から１９のいずれかに記載の埋込み型機器。
２０．少なくとも１つの更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）を形成するように、前記更なるカプセル層（１０３ａ、１０４ａ）が重なり合っており、
任意に、前記更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）は、前記電子部品（１０１）の前記側壁（１０６、１０６’）の少なくとも一部、より好ましくは、全部を覆っている、項目１９に記載の埋込み型機器。
２１．前記少なくとも１つの更なる２重層（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６、１０６’）のみを覆っており、前記電子部品（１０１）の上面及び下面を覆っていない、項目２０に記載の埋込み型機器。
２２．前記カプセル上層（１０３、１０３’）及び／又は前記カプセル下層（１０４、１０４’）が、耐腐食性であり、任意に、生体適合性である、項目１９又は２１に記載の埋込み型機器。
２３．前記少なくとも１つの更なるカプセル上層（１０３ａ）及び／又は前記少なくとも１つの更なるカプセル下層（１０４ａ）が、生体適合性であり、任意に、耐腐食性である、項目１９から２２のいずれかに記載の埋込み型機器。
２４．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）、及び／又は
任意に、前記少なくとも１つの更なるカプセル上層（１０３ａ）及び／又は前記少なくとも１つの更なるカプセル下層（１０４ａ）が、
同じ又は異なる材料を含む又はからなる、項目１から２３のいずれかに記載の埋込み型機器。
２５．前記埋込み型機器が、環境に晒されるフォトダイオード及び／又は電極（１０９）を含み、
好ましくは、前記フォトダイオード及び／又は電極（１０９）の最上面が環境に晒されるように、前記トップコート及び／又は前記カプセル上層に埋め込まれている、項目１から２４のいずれかに記載の埋込み型機器。
２６．前記埋込み型機器が、目に埋込み可能なように構成されており、
好ましくは、網膜インプラントとして、網膜上又は網膜下に埋込み可能なように構成されている、項目１から２５のいずれかに記載の埋込み型機器。
２７．項目１から２６のいずれかに前記パッケージ機器を少なくとも１つ含むことを特徴とする、埋込み型システム。
２８．埋込み型機器をパッケージする方法であって、
（ａ）少なくとも１つの電子部品（１０１）を基板（１１０）上に提供する工程と、
（ｂ）前記電子部品（１０１、１０１’）に、少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を塗工する工程と、
（ｃ）前記電子部品（１０１、１０１’）に、少なくとも１つのカプセル下層（１０４、１０４’）を塗工する工程と、を含み、
前記カプセル上層（１０３、１０３’）及び前記カプセル下層（１０４、１０４’）は、２重層（１０５、１０５’、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ）を形成するように、少なくとも一部で重なり合っていることを特徴とする方法。
２９．埋込み型機器をパッケージする方法であって、
（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは互いに間隔を空けて配された複数の電子部品（１０１、１０１’）が基板上（１１０）に設けられた組立部品（１００）を提供し、隣接する前記電子部品（１０１、１０１’）と基板（１１０）とが、前記電子部品（１０１、１０１’）間の溝（１１１）を画定する工程と、
（ｉｉ）前記組立部品（１００）に少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を塗工して、前記電子部品（１０１、１０１’）をコーティングし、前記溝（１１１）に下引きする工程と、
（ｉｉｉ）前記組立部品（１００）に剥離層（１１２）を塗工する工程と、
（ｉｖ）部分的に前記剥離層（１１２）を取り除き、前記下引きされた溝（１１１）内に前記剥離層（１１２）の残存分を残す工程と、
（ｖ）好ましくは、前記組立部品（１００）を、上下逆に反転する工程と、
（ｖｉ）前記組立部品の下面から、（ａ）前記基板（１１０）、（ｂ）前記カプセル上層（１０３）、及び（ｃ）前記剥離層（１１２）の残存分を取り除く工程と、
（ｖｉｉ）前記組立部品（１００）に少なくとも１つのカプセル下層（１０４、１０４’）を塗工し、好ましくは、前記電子部品（１０１、１０１’）及び前記溝（１１１）をコーティングする工程と、を含み、
前記カプセル上層（１０３、１０３’）及び前記カプセル下層（１０４、１０４’）は、少なくとも一部が重なり合って、２重層（１０５、１０５’）を形成するように塗工されることを特徴とする方法。
３０．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の前記側壁（１０６、１０６’）の少なくとも一部、より好ましくは、全部を覆うように形成される、項目２８から２９のいずれかに記載の方法。
３１．前記２重層（１０５、１０５’）が、前記電子部品（１０１）の側壁（１０６及び１０６’）のみを覆っており、前記電子部品（１０１）の上面及び下面を覆っていない、項目２８から３０のいずれかに記載の方法。
３２．前記方法が、更に、トップコート（１０７）を提供する工程を含み、
前記工程が、
（ａ）好ましくは項目１から３１のいずれかに規定されているように、前記電子部品（１０１、１０１’）の上面にトップコート（１０７）を塗工し、（ｂ）部分的に前記トップコート（１０７）を取り除き、（ｃ）好ましくは項目１から３１のいずれかに規定されているように、少なくとも前記トップコート（１０７）及びカプセル層（１０３、１０３’）が好ましくは少なくとも一部で重なり合うように、少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を前記電子部品（１０１、１０１’）に塗工する、又は
（ａ’）好ましくは項目１から３１のいずれかに規定されているように、前記電子部品（１０１、１０１’）に少なくとも１つのカプセル上層（１０３、１０３’）を塗工し、（ｂ’）部分的にカプセル上層（１０３、１０３’）を前記電子部品（１０１、１０１’）から取り除き、（ｃ’）好ましくは項目１から３１のいずれかに規定されているように、少なくともトップコート（１０７）及びカプセル層（１０３、１０３’）が好ましくは少なくとも一部で重なり合うように、前記トップコート（１０７）を前記電子部品（１０１、１０１’）に塗工する
ことにより行われる、
項目２８から３１のいずれかに記載の方法。
３３．前記工程（２）が、化学的又は物理的プロセスにより、好ましくはウェット又はドライエッチング及び／又はリフトオフにより、前記トップコート（１０７）又は前記カプセル上層（１０３、１０３’）を部分的に取り除くことを含む、項目３２に記載の方法。
３４．前記トップコート（１０７）が、堆積法により塗工され、
前記堆積法が、化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、及び下層酸化法を含み、
前記化学蒸着法（ＣＶＤ）が、ＰＥＣＶＤを含む、項目３２から３３のいずれかに記載の方法。
３５．前記方法が、更に、電子トレース（１０８）及び／又は電極（１０９）を、好ましくは前記トップコート（１０７）中に、堆積法及び／又はパターニングにより形成する工程を含み、
前記堆積法が物理蒸着法及び電着法を含み、前記パターニングがリフトオフ又はエッチングを含む、項目２８から３４のいずれかに記載の方法。
３６．前記方法が、前記工程（ｉｖ）の前に、前記組立部品の上面を一時的キャリア（１１３）に付着させる工程を含む、項目２９から３５のいずれかに記載の方法。
３７．前記基板（１１０）、前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記剥離層（１１２）が、物理的手段及び化学的手段からそれぞれ独立して選択される手段により取り除かれ、
前記物理的手段及び前記化学的手段が、研削、エッチング、及び／又はストリッピングを含む、項目２９から３５のいずれかに記載の方法。
３８．前記カプセル上層（１０３）及び／又は前記カプセル下層（１０４）が、生体適合性である、項目２８から３７のいずれかに記載の方法。
３９．前記カプセル上層（１０３、１０３ａ）及び／又は前記カプセル下層（１０４、１０４ａ）が、耐腐食性である、項目２８から３８のいずれかに記載の方法。
４０．前記カプセル上層（１０３、１０３ａ）及び／又は前記カプセル下層（１０４、１０４ａ）が、
金属、セラミック、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド、ガラス、低透過性及び／又は緻密な（明細書）ポリマー、及びこれらの複数層から任意に選択される材料を含む又はからなり、
前記金属は、チタン、白金、ステンレス鋼、チタン－ニッケル、パラジウム、ニオブ、タンタル、これらの合金及び複数層を含み、
前記セラミックは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム等の金属酸化物、金属窒化物、及び金属炭化物、並びにこれらの複数層を含み、
前記ポリマーが、フルオロカーボン、ポリウレタン、ＰＥＥＫ、シリコーン、ＰＤＭＳ、パリレン、及びポリイミドを含む、
項目２８から３９のいずれかに記載の方法。
４１．前記剥離層（１１２）が、ポリマー材料から選択される材料、
好ましくは、樹脂から選択される材料、
より好ましくは、感光性樹脂及び可溶性ポリマー材料から選択される材料、
を含む又はからなる、項目３０から４０のいずれかに記載の方法。
４２．前記トップコート（１０７）が、生体適合性である、項目３２ら４１のいずれかに記載の方法。
４３．前記トップコート（１０７）が、耐腐食性である、項目３２から４２のいずれかに記載の方法。
４４．前記トップコート（１０７）が、透明である、項目３２から４３のいずれかに記載の方法。
４５．前記トップコート（１０７）が、
セラミック、ＰＥＣＶＤ ＳｉＣ又はＳｉＯＣを含むガラス、ＳｉＯ２、ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウム、酸化チタン、及びこれらの複数層から選択される材料を含む又はからなる、項目３２から４４のいずれかに記載の方法。
４６．前記方法が、項目１から２６のいずれかに記載のパッケージ機器を提供する、項目２８から４５のいずれかに記載の方法。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0084】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０１５／０２９７１３６ Ａ１号明細書
【特許文献2】米国特許出願公開第２０１３／３３０４９８ Ａ１号明細書
【特許文献3】米国特許出願公開第２０１１／０３９０５０ Ａ１号明細書
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図2-1】
【図2-2】
【図2-3】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【国際調査報告】