(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-02-07
(54)【発明の名称】選択的水素化方法
(51)【国際特許分類】
C07C 5/09 20060101AFI20220131BHJP
B01J 35/10 20060101ALI20220131BHJP
B01J 23/50 20060101ALI20220131BHJP
C07C 11/04 20060101ALI20220131BHJP
C07B 61/00 20060101ALN20220131BHJP
【ＦＩ】
C07C5/09
B01J35/10 301G
B01J23/50 Z
C07C11/04
C07B61/00 300
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021518731
(86)(22)【出願日】2019-10-22
(85)【翻訳文提出日】2021-04-05
(86)【国際出願番号】 US2019057428
(87)【国際公開番号】W WO2020086574
(87)【国際公開日】2020-04-30
(31)【優先権主張番号】62/749,456
(32)【優先日】2018-10-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】596081005
【氏名又は名称】クラリアント・インターナシヨナル・リミテツド
(74)【代理人】
【識別番号】397040605
【氏名又は名称】クラリアント ジャパン 株式会社
(72)【発明者】
【氏名】アダムス・ダーレン
(72)【発明者】
【氏名】スン・ミンギョン
(72)【発明者】
【氏名】デュール・ウーベ
(72)【発明者】
【氏名】クーパー・デニス
(72)【発明者】
【氏名】ヒースリー・ブライアン
(72)【発明者】
【氏名】シュ・リン
(72)【発明者】
【氏名】クリントン・ティナ
【テーマコード（参考）】
4G169
4H006
4H039
【Ｆターム（参考）】
4G169AA03
4G169AA15
4G169BA01A
4G169BA01B
4G169BA02A
4G169BA04A
4G169BA21A
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4G169BE01A
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4G169EC06Y
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4G169FC08
4H006AA02
4H006AC11
4H006BA25
4H006BA55
4H006BA61
4H006BC10
4H006BC18
4H006BC31
4H006BE20
4H039CA21
4H039CB10
(57)【要約】
本開示は、アセチレンを選択的に水素化するための方法、選択的水素化反応器を始動するための方法、およびそのような方法に有用な水素化触媒に関する。一態様では、本開示は、多孔質支持体、パラジウム、および１以上のイオン性液体を含む触媒組成物を使用してアセチレンを選択的に水素化する方法で使用するための、反応器を始動するための様々な方法を提供する。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、各触媒床を第一温度以下で提供すること、当該触媒床の触媒は、第一ガスと接触し、第一ガスは第一温度で当触媒の存在下で非反応性である；第一ガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は、第一の温度より少なくとも２０度高く、第一ガスは、第二温度で当触媒の存在下で非反応性であり、次いで、当触媒床が少なくとも第二温度である間に、当触媒と接触するガスの組成を第一ガスからプロセスガス流に変化させ、
反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、プロセスガスを触媒床に流すこと、を含む。
【請求項2】
各触媒床の当触媒が、１００ｐｐｍを超える量の一酸化炭素と反応器中で接触されておらず、当該方法が、一酸化炭素をプロセスガスに添加しないことを含む、請求項１に記載の方法。【請求項3】
選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、各触媒床を第一温度以下で提供すること、当該触媒床の触媒は、当プロセスガスと接触している；当プロセスガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は、第一温度より少なくとも２０度高く、各触媒床の加熱は少なくとも３℃／時間の範囲の速度で行われる、反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、当プロセスガスを当触媒床に流すことを含む。
【請求項4】
当該速度が３～２０℃／時、例えば、３～１５℃／時、または、３～１２℃／時の範囲である、請求項３に記載の方法。【請求項5】
選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、当反応器に、第一温度で第一ガスと接触する触媒を持った触媒床を供給すること、第一ガスは、第一温度で触媒の存在下で非反応性であり、当触媒は、２０００ｐｐｍを超える一酸化炭素濃度を有する一酸化炭素含有ガスと反応器内で接触していない、当プロセスガスの流れを１以上の触媒床に導入すること、および、一酸化炭素を当プロセスガスに添加しないこと、を含む。【請求項6】
それぞれの触媒床の触媒床温度を、第一温度から少なくとも一第二温度に上昇させることをさらに含む、請求項５に記載の方法。【請求項7】
第一温度は４０℃以下であり、第二温度は４０℃～１４０℃の範囲内である、請求項１～４および６のいずれかに記載の方法。【請求項8】
選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、少なくとも５０℃の温度で当該１以上の触媒床を乾燥させること；次いで、各乾燥触媒床を、３１～５０℃の範囲である当乾燥温度未満の第一温度に冷却すること、および、各触媒の触媒を第一温度でプロセスガスと接触させること；次いで、プロセスガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は第一温度より少なくとも２０度高い；および反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまでプロセスガスを触媒床に流すことを含む。
【請求項9】
第一温度は、３１～４５℃の範囲内である、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項10】
当該選択的水素化は、４０℃～１４０℃の範囲内である第二温度で行われる、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項11】
当該選択的水素化は、少なくとも７，１００ｈ―１のガス空間速度で行われる、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項12】
当該エチレンは、少なくとも２０モル％の量で当プロセスガス中に存在し、アセチレンは、少なくとも５００ｐｐｍの量で当プロセスガス中に存在する、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項13】
当該水素は、５モル％～３５モル％の範囲の量で当プロセスガス中に存在する、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項14】
当該プロセスガスは、Ｃ１成分（例えば、メタン、一酸化炭素、および二酸化炭素）、Ｃ２成分（例えば、エチレン、エタン、およびアセチレン）、および、Ｃ３成分（例えば、プロパン、プロピレン、メチルアセチレン、およびプロパジエン）以外の炭素含有成分を、５モル％以下含有する、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項15】
当該触媒組成物は、９０重量％～９９．９の範囲内の量で当触媒組成物中に存在し、アルミナ、シリカ、チタニア、およびそれらの混合物から選択される、多孔質担体を含む、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項16】
当該触媒組成物は、パラジウムを少なくとも０．０２重量％の量で含む、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項17】
当該触媒組成物は、少なくとも１のイオン性液体を１０重量％までの総量で含む、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項18】
当該少なくとも１のイオン性液体は、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリフラート、１－エチル－３－メチルピリジニウムエチルサルフェート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムトリフラート、１－ブチル－２，３－ジメチルイミダゾリウムトリフラート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリシアノメタン、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムメチルサルフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムオクチルサルフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムエチルサルフェート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムメチルホスホネート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムトリフラート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムテトラシアノボレート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリシアノメタン、１－エチル－３－メチルピリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムテトラシアノボレート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、１－メチル－３－オクチルイミダゾリウムトリフラート、エチルジメチル－（２－メトキシエチル）アンモニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、トリブチルメチルアンモニウムジシアンアミド、トリシクロヘキシルテトラデシルホスホニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、および１－エチル－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、から選択される、請求項１～８のいずれかに記載の方法。【請求項19】
当該触媒組成物は、９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で組成物中に存在する多孔質担体；元素質量ベースで計算して、０．０２重量％～０．５重量％（例えば、０．０３重量％～０．４重量％、又は０．０４重量％～０．３重量％）の範囲内の量で組成物中に存在するパラジウム；および１０重量％までの総量で組成物中に存在する１以上のイオン性液体、を含む、
請求項１～８のいずれかに記載の方法。
【請求項20】
当該触媒組成物は、９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で当組成物中に存在する多孔質担体；元素質量ベースで計算して、少なくとも０．０２重量％の範囲内の量で組成物中に存在するパラジウム；および、１０重量％までの総量で組成物中に存在する１以上のイオン性液体、を含む、
ここで、当該水素化触媒が、１０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積、および、少なくとも０．０５ｍＬ／ｇの細孔容積を有する、請求項１～８のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、一般に、水素化方法および水素化触媒に関する。より詳細には、本開示は、例えば、フロントエンドプロセスにおいてアセチレンを選択的に水素化する方法；例えば、フロントエンドプロセスにおいて選択的水素化反応器を起動する方法；および、そのような方法において有用な水素化触媒に関する。
【背景技術】
【0002】
オレフィンは、プラスチックの製造のための重要なモノマーである。例えば、エチレンおよびプロピレンを重合させて、それぞれポリエチレンおよびポリプロピレンが形成される。エチレンおよびプロピレンのようなオレフィンは、典型的には、炭化水素の熱分解または接触分解によって、石油生成物から誘導される。しかし分解は、アセチレンを含有しうる粗オレフィン混合物をもたらし、これは、下流のエチレンおよびプロピレンの重合を妨害しうる。存在するオレフィンまたはアセチレン自体をアルカンに実質的に還元することなく、アセチレンをエチレンに選択的に変換するために、当プロセスガスを「クリーンアップ」することが望ましい。
【0003】
エチレンリッチ流中のアセチレンの選択的水素化のためには、２つの主な反応器構成がある、すなわちテールエンド（またはバックエンド）プロセス、およびフロントエンドプロセスがある。テールエンド構成では、当該選択的水素化反応器フィードは、通常は主にＣ２炭化水素からなり、反応器への供給流中の水素の最適濃度（通常は１％～４％モル％）とするために、アセチレンに対する化学量論量の水素が、当該供給ガス流に添加される。
【0004】
一酸化炭素は、通常は、供給流中に２ｐｐｍを超える量では存在せず、いくつかの従来のプロセスでは、ＣＯが反応器入口流に別々に添加される。フロントエンド構成では、選択的水素化反応器フィードは、通常は、一酸化炭素、アセチレン、オレフィンおよび他の炭化水素と共に、例えば１０～３５モル％の過剰な水素を含有する。フロントエンド脱エタン塔設計では、反応器フィードは、Ｃ２およびより軽質の流れを含有し、フロントエンド脱プロパン塔ユニットでは、反応器フィードは、Ｃ３およびより軽質の炭化水素を含有する。一酸化炭素は、一般に、１００ｐｐｍ未満から３０００ｐｐｍまで変化する濃度で、このようなフィード流中に存在する。
【0005】
従来、オレフィンリッチ混合物中に存在するアセチレンのフロントエンド選択的水素化は、任意に促進されたパラジウムシェル触媒を使用することによって行われている。しかしながら、プロセス条件下での水素化触媒の活性は、熱暴走（発熱性水素化反応からの熱が、触媒温度を上昇させ、次いで、水素化反応の速度を上昇させ、より多くの熱を提供するなどの、制御されないフィードバックループ）を回避するために注意深く制限されなければならず、これは、エチレンのエタンへの望ましくない過剰還元、および、反応器中の制御できない温度上昇による反応器の停止さえも、もたらし得る。従来のフロントエンド選択的水素化プロセスは、特定の温度（例えば、暴走温度）未満に保たれるよう、温度の厳密な制御によって制限される。従来のフロントエンド選択的水素化プロセスは、ガス空間速度（ＧＨＳＶ）によって制限され、その結果、アセチレンをクリーンアップするために必要とされる発熱水素化反応による温度は、あまり高く上昇しないために、熱暴走をもたらし得る温度に近づかない。
【0006】
さらに、このような従来のフロントエンド選択的水素化プロセスのための反応器、特に未使用の触媒を含有する反応器は、熱暴走を避けるために、特に注意深く始動されなければならない。従来、触媒床とプロセスガス流（すなわち、水素、オレフィンおよびアセチレンを含有する）との最初の接触は、熱暴走を避けるために低温で行わなければならないと理解されていた。しかし、このような低温では、通常、アセチレンの還元が完全ではなく、従って、反応器流出物中のアセチレン濃度は、生成物規格が許容するよりも高い。プロセスガスが流れている間に、触媒床温度を、アセチレン濃度が規格を満たす所望の反応温度まで、非常にゆっくりと上昇させる。温度上昇は、大抵は１時間当たり摂氏１度のオーダーであるから、当該始動作業は、規格内の生成物を提供するために、２０時間を超える時間を要しうる。始動期間中、反応器からの規格外の流出物は、大抵はフレアに送られる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
厳密な温度制御に加えて、従来、反応器は、始動中、触媒が加熱される前に、ＣＯで予備充填され、非反応性ガスで加圧される。反応器ガス混合物の組成は、プロセスガス（すなわち、水素、アセチレンおよび１以上オレフィンを含む）に向かってゆっくりとシフトされる。この始動プロセスは、現場で大量のＣＯガスを使用することによる安全上の懸念を有するだけでなく、材料コスト、製造時間の損失、および反応器が完全に運転される前の反応器出力の処理／廃棄にも費用がかかる。
【0008】
したがって、高処理量および／または低濃度のＣＯで、しかし熱暴走の過度の危険性なしに、アセチレンを選択的に水素化する方法が依然として必要とされている。また、反応器にＣＯを予備充填する必要も、不活性ガス加圧も必要とせず、および／または短時間で行うことができる水素化反応器を始動させるための方法も必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、本明細書に記載される触媒が、アセチレンの選択的水素化の新しい方法を可能にする特に有利な特性を有することを見出した。
【0010】
したがって、本開示の一態様は、アセチレンを選択的に水素化するための方法であって、当該方法は、多孔質担体、パラジウム、および少なくとも１のイオン性液体を含む触媒組成物を、少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；プロセスガス中に少なくとも５モル％存在する水素；および、０ｐｐｍ～１９０ｐｐｍの一酸化炭素、を含むプロセスガスと接触させることを含む、ここで、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの合計の１モル％以下がエタンに変換される。
【0011】
したがって、本開示の別の態様は、アセチレンを選択的に水素化するための方法であって、当該方法は、多孔質担体、パラジウム、および少なくとも１のイオン性液体を含む触媒組成物を、少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；プロセスガス中に少なくとも５モル％存在する水素、及び、少なくとも６００ｐｐｍの一酸化炭素、を含むプロセスガスと接触させることを含む、ここで、当プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、および、当プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの合計の１モル％以下がエタンに変換される。
【0012】
したがって、本開示の別の態様は、アセチレンを選択的に水素化するための方法であって、当該方法は、多孔質担体、パラジウム、および少なくとも１のイオン性液体を含む触媒組成物を、少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；プロセスガス中に少なくとも５モル％存在する水素、及び、少なくとも６００ｐｐｍの一酸化炭素、を含むプロセスガスと接触させることを含む、ここで、当プロセスガスは、少なくとも７，１００ｈ－１（例えば、７，５００ｈ－１から４０，０００ｈ－１）の触媒床総体積に基づくガス空間速度（ＧＨＳＶ）で触媒と接触される；および、ここで、当プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、当プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの合計の１モル％以下がエタンに変換される。
【0013】
本開示の別の態様は、選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、各触媒床を第一温度以下で提供すること、当該触媒床の触媒は、第一ガスと接触し、第一ガスは第一温度で当触媒の存在下で非反応性である；第一ガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は、第一の温度より少なくとも１０度高く、第一ガスは、第二温度で当触媒の存在下で非反応性であり、次いで、当触媒床が少なくとも第二温度である間に、当触媒と接触するガスの組成を第一ガスからプロセスガスの流れに変化させ、反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、当プロセスガスを当触媒床に流すこと、
を含む選択的水素化反応器を始動させる方法。
特定のそのような実施形態では、第一温度は、３１～５０℃、例えば、３１～４５℃、または３１～４０℃の範囲である。他の実施態様では、第一温度は、３５～５０℃、例えば、３５～４５℃、または３５～４０℃の範囲である。他の実施態様では、第一温度は４０～５０℃、例えば、４０～４５℃の範囲である。
を含む選択的水素化反応器を始動させる方法。
特定のそのような実施形態では、第一温度は、３１～５０℃、例えば、３１～４５℃、または３１～４０℃の範囲である。他の実施態様では、第一温度は、３５～５０℃、例えば、３５～４５℃、または３５～４０℃の範囲である。他の実施態様では、第一温度は４０～５０℃、例えば、４０～４５℃の範囲である。
【0014】
本開示の別の態様は、選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、反応器に、第一ガスと接触する触媒を持つ触媒床を供給し、第一ガスは触媒の存在下で第一温度において触媒の存在下で非反応性であり、ここで、当触媒は、１００ｐｐｍを超える一酸化炭素濃度を有する一酸化炭素含有ガスと反応器内で接触していない；当該プロセスガスの流れを１以上の触媒床に導入すること、および、一酸化炭素を当プロセスガスに添加しないことを含む、選択的水素化反応器を始動させる方法。そのような方法は、当各触媒床の触媒床温度を第一温度以下から、少なくとも第二温度（例えば、触媒と接触する当ガスを第１ガスから当プロセスガスに変える前に、間に、または後に）へ上げることをさらに含むことができる。
【0015】
本開示の別の態様は、選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、
各触媒床を第一温度以下で提供すること、当該触媒床の触媒は、当ガスと接触し；
当プロセスガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は、第一温度より少なくとも２０度高く、各触媒床の加熱は少なくとも３℃／時間の範囲の速度で行われる、および
反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、当プロセスガスを当触媒床に流すこと、を含む選択的水素化反応器を始動させる方法。
各触媒床を第一温度以下で提供すること、当該触媒床の触媒は、当ガスと接触し；
当プロセスガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は、第一温度より少なくとも２０度高く、各触媒床の加熱は少なくとも３℃／時間の範囲の速度で行われる、および
反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、当プロセスガスを当触媒床に流すこと、を含む選択的水素化反応器を始動させる方法。
【0016】
本開示の別の態様は、選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、少なくとも５０℃の温度で当該１以上の触媒床を乾燥させること；次いで、各乾燥触媒床を、３１～５０℃（例えば、３１～４５℃、または３１～４０℃、または３５～４５℃、または３５～４０℃、または４０～５０℃、または４０～４５℃）の範囲である第一温度に冷却すること、および、各触媒の触媒を第一温度で当プロセスガスと接触させること；次いで、当プロセスガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は第一温度より少なくとも２０度高い；および、反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、当プロセスガスを当触媒床に流すこと、を含む選択的水素化反応器を始動させる方法。
【0017】
本開示の別の態様は、９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で組成物中に存在する多孔質担体；元素質量ベースで計算して、０．０２重量％～０．５重量％、または０．０３重量％～０．４重量％、または０．０４重量％～０．３重量％の範囲内の量で組成物中に存在するパラジウム；および、１０重量％までの総量で組成物中に存在する１以上のイオン性液体、を含む水素化触媒組成物である。
【0018】
本開示の別の態様は、９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で組成物中に存在し、１０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積および少なくとも０．１ｍＬ／ｇの細孔容積をもつ多孔質担体；元素質量ベースで計算して、少なくとも０．０２重量％の範囲内の量で組成物中に存在するパラジウム；および、１０重量％までの総量で組成物中に存在する１以上のイオン性液体、を含む水素化触媒組成物である。
【0019】
本開示の別の態様は、９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で組成物中に存在する多孔質担体；元素質量ベースで計算して、少なくとも０．０２重量％の範囲内の量で組成物中に存在するパラジウム；および、１０重量％までの総量で組成物中に存在する１以上のイオン性液体、を含む水素化触媒組成物である、ここで、当水素化触媒は、１０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積および少なくとも０．０５ｍＬ／ｇの細孔容積をもつ。
【0020】
これらの水素化触媒組成物は、本明細書に記載の方法で有利に使用することができる。
【0021】
本開示の他の態様は、本明細書の開示を基に、当業者には明らかである。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】
【0027】
【発明を実施するための形態】
【0028】
本開示は、アセチレン含有プロセスガスを、多孔質担体、パラジウム、および、１以上のイオン性液体、そして任意で、銀、金、亜鉛、スズ、鉛、ガリウム、カドミウム、銅、ビスマス、ナトリウム、セシウム、またはカリウムなどの促進剤を含む触媒組成物と接触させることによって、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）を選択的に水素化するための方法に関する。本発明者らは、このような触媒が予想外にも、従来考えられていたよりも広範囲の条件下で、熱暴走なしに、アセチレンの選択的水素化が可能となり、水素化システムの改善された操作を提供することができることを見出した。
【0029】
例えば、本開示の特定の態様では、ＣＯはプロセスガス中に存在してもよいが、比較的少量（例えば、モル基準で計算して、０～１９０ｐｐｍ、または０～１７５ｐｐｍ、または０～１５０ｐｐｍの範囲）でのみ存在する。これにより、低ＣＯフィードにＣＯを添加することなく、プロセスを実施することが可能になり、運転が簡素化され、プラントの安全性が改善される。
【0030】
他の態様では、ＣＯは、比較的多量（例えば、少なくとも６００ｐｐｍ、または６００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または６００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍの範囲）でプロセスガス中に存在してもよい。これにより、高ＣＯプロセスガスを使用することができる。様々な態様において、プロセスガスは、比較的高いガス空間速度（ＧＨＳＶ）（例えば、少なくとも７，１００ｈ―１、少なくとも１０，０００ｈ―１、または少なくとも１２，５００ｈ―１、例えば７，１００ｈ―１～４０，０００ｈ―１の範囲、または１０，０００ｈ―１～４０，０００ｈ―１の範囲、または１２，５００ｈ―１～４０，０００ｈ―１の範囲）で、触媒組成物と接触させることができる。本発明者らは、本明細書中に記載される触媒が、予想外に高い反応フローで、暴走することなく、使用され得ることを見出した。ある実施形態では、選択的水素化は、比較的高温で行われ、反応速度の増加および処理量の増加を可能にする。本開示は、このような選択的水素化の方法が、熱暴走することなく、望ましい選択的アセチレン転化率、および、比較的少ないエチレン（エテン；Ｃ２Ｈ４）転化率を、有利に提供し得ることを示す。
【0031】
したがって、本開示の一態様は、アセチレンを選択的に水素化するための方法であって、当該方法は、触媒組成物をプロセスガスと接触させることを含む。当該触媒組成物は、多孔質担体、パラジウム、および１以上イオン性液体を含む。当該ガス混合物は、少なくとも１５モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；少なくとも５モル％の量でプロセスガス中に存在する水素；および、０～１９０ｐｐｍの一酸化炭素を含む。
当該プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％は水素化され、選択的水素化は、熱暴走なしに行われる。本開示の別の態様は、アセチレンを選択的に水素化するための方法であって、当該方法は、触媒組成物をプロセスガスと接触させることを含む。当該触媒組成物は、多孔質担体、パラジウム、および１以上のイオン性液体を含む。ガス混合物は、少なくとも１５モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；少なくとも５モル％の量でプロセスガス中に存在する水素；および少なくとも６００ｐｐｍの一酸化炭素を含む。当プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％は、水素化され、選択的水素化は熱暴走なしに行われる。あるこのような実施形態では、当該接触は、２，０００ｈ―１～４０，０００ｈ―１の範囲内のＧＨＳＶで行われる。
当該プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％は水素化され、選択的水素化は、熱暴走なしに行われる。本開示の別の態様は、アセチレンを選択的に水素化するための方法であって、当該方法は、触媒組成物をプロセスガスと接触させることを含む。当該触媒組成物は、多孔質担体、パラジウム、および１以上のイオン性液体を含む。ガス混合物は、少なくとも１５モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；少なくとも５モル％の量でプロセスガス中に存在する水素；および少なくとも６００ｐｐｍの一酸化炭素を含む。当プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％は、水素化され、選択的水素化は熱暴走なしに行われる。あるこのような実施形態では、当該接触は、２，０００ｈ―１～４０，０００ｈ―１の範囲内のＧＨＳＶで行われる。
【0032】
「熱暴走」という用語は、触媒発熱反応（例えば、水素化）によって放出される熱が、触媒の温度を上昇させ、触媒反応速度を加速させるプロセスを意味する。続いて、加速された反応によって放出される熱の量が増加し、触媒温度をさらに上昇させる。当業者は、アセチレン水素化の場合、この熱暴走のプロセスは、エタン（Ｃ２Ｈ６）の形成を増加させることを理解する。したがって、本明細書で使用されるように、「熱暴走」という用語はプロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンが、合計で１モル％以下しか、エタンに変換されないプロセスを意味する。すなわち、本方法に投入されるプロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化される。エチレンおよびアセチレンは、エタンを形成するために過還元され得るプロセスガスの典型的な成分であり；本発明者らが、この望ましくない過還元の量が、本明細書中の触媒および方法の使用によって、減少できることに注目した。したがって、「プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンが、合計で１モル％未満しか、エタンに変換されない」とは、プロセスからのエタン排出量が投入プロセスガスと比較して、反応器排出ガスの総含有量に基づいて、１モル％を超えて増加しないことを意味する。例えば、入力プロセスガス流が２０モル％のエタンを有する場合、出力流は、２１モル％以下のエタンとなる。
【0033】
本明細書で使用される場合、選択率は、エチレンに変換されるアセチレンの部分、すなわち［エチレン取得］／［アセチレン損失］として定義される。
【0034】
本開示の別の態様は、アセチレンを選択的に水素化するための方法であり、当該方法は、少なくとも７，１００ｈ―１（例えば、７，５００ｈ―１～４０，０００ｈ―１の範囲内）のＧＨＳＶで、触媒組成物をプロセスガスに接触させることを含む。ＧＨＳＶ値は、触媒床の体積を参照して決定される。当該触媒組成物は、多孔質担体、パラジウム、および１以上イオン性液体を含む。上記プロセスガスは、少なくとも１５モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；および少なくとも２モル％の量でプロセスガス中に存在する水素を含む。上記プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、当選択的水素化は、熱暴走（すなわち、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンが、合計で１モル％以下しか、エタンに変換されない）することなく行われる。本発明者らは、本明細書に記載される触媒の高い選択率が、予想外に高い空間体積での操作を可能にし得ることを見出した。あるそのような実施形態では、プロセスガスは、２０，０００ｐｐｍまでの一酸化炭素を含む。
【0035】
当該プロセスガスの接触は、当業者によく知られた種々の装置を用いて行うことができる。例えば、触媒組成物は反応容器内の１つの床に含まれていてもよいし、反応器内の複数の床に分割されていてもよい。反応システムは、１つ以上の反応容器を直列に含むことができる。反応ゾーンへのフィードは、通常のプラグフロー反応器中の触媒床を通って、垂直に、上方向へあるいは下方向へ、または、ラジアルフロー型反応器中の触媒床を横切って水平に流れることができる。当該反応容器は、中間冷却器を有する断熱反応器、または、冷却された反応器、例えば、触媒が管内にあるかまたは冷却媒体が管内にある管状等温反応器、であってもよい。いくつかの実施形態では、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％は、一つの床に含まれる触媒組成物と接触することによって、水素化しうる。他の実施形態において、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％は、複数の床の間で分割された触媒組成物と接触することによって、水素化しうる。プロセスガスは単一の流れとして供給することができ、または、反応器内で組み合わされる複数の流れ（例えば、水素流および炭化水素フィード流）として供給することができる。
【0036】
本発明者らは、有利には、本明細書に別途記載される方法が、例えば、別途従来のオレフィン処理システムにおいて、有益な性能を提供し得ることを見出した。例えば、本明細書に別途記載される方法は、分解によって生成される粗オレフィン流（すなわち、原料ガス炭化水素フィード）、またはオレフィン流からＣ３炭化水素（すなわち、脱プロパン装置）またはＣ２炭化水素（すなわち、脱エタン装置）を分離するためのシステムのオーバーヘッド流に含まれるアセチレンを、選択的に水素化するために行うことができる。別の例では、本明細書に他に記載されているような方法を実施して、精製所オフガス流に含まれるアセチレンを選択的に水素化することができる。したがって、本明細書に別に記載されるような様々な実施形態では、プロセスガスは、分解プロセスの流出物から、脱プロパン装置のオーバーヘッド流から、脱エタン装置のオーバーヘッド流から、または製油所オフガス流から供給される。
【0037】
本明細書に他に記載されるような方法のある実施形態では、当選択的水素化は、２０℃～１４０℃の範囲内の温度で行われる。ある望ましい実施形態では、選択的水素化が４０℃～１００℃、例えば、４０℃～９０℃、または５０℃～１００℃、または５０℃～９０℃の範囲内の温度で行われる。しかし、当プロセスは、様々な温度で行うことができる。例えば、あるそのような実施形態では、当選択的水素化が２０℃～１３０℃の範囲内、例えば２０℃～１２０℃、または２０℃～１１０℃、または２０℃～１００℃、または２０℃～９０℃の範囲内の温度で行われる。他のそのような実施形態では、当選択的水素化が４０℃～１４０℃、例えば、４０℃～１３０℃、または４０℃～１２０℃、または４０℃～１１０℃の範囲内の温度で行われる。他のそのような実施形態では、当選択的水素化が５０℃～１４０℃、例えば５０℃～１３０℃、または５０℃～１２０℃、または５０℃～１１０℃の範囲内の温度で行われる。他のそのような実施形態では、当選択的水素化が６０℃～１４０℃、例えば、６０℃～１３０℃、または６０℃～１２０℃、または６０℃～１１０℃、または６０℃～１００℃、または６０℃～９０℃の範囲内の温度で行われる。
【0038】
有利には、本発明者らは、本明細書に別途記載されるような方法のプロセスガスが、比較的広い範囲内の量の一酸化炭素（ＣＯ）を含むことができると見出した。
例えば、本発明者らは、従来のプロセスでは、通常プロセスフィードにある程度の一酸化炭素を有し、十分な一酸化炭素を含まないプロセスフィードには一酸化炭素を添加することに着目した。一酸化炭素の目的は触媒の活性を媒介することであり、その結果、プロセスは暴走せず、所望されるよりも多くのエタンを生成しない。従来の触媒は、特により低い一酸化炭素濃度において、アセチレンの水素化に対するより低い選択率を有すると考え、したがって、一酸化炭素の添加は、プロセス出力において比較的低い量のエタンを維持するのに望ましいと考えらえれた。対照的に、本発明者らは、本明細書に記載される触媒が、低ＣＯ濃度であっても暴走することなく、高い選択率を提供することができることを見出した。
例えば、本発明者らは、従来のプロセスでは、通常プロセスフィードにある程度の一酸化炭素を有し、十分な一酸化炭素を含まないプロセスフィードには一酸化炭素を添加することに着目した。一酸化炭素の目的は触媒の活性を媒介することであり、その結果、プロセスは暴走せず、所望されるよりも多くのエタンを生成しない。従来の触媒は、特により低い一酸化炭素濃度において、アセチレンの水素化に対するより低い選択率を有すると考え、したがって、一酸化炭素の添加は、プロセス出力において比較的低い量のエタンを維持するのに望ましいと考えらえれた。対照的に、本発明者らは、本明細書に記載される触媒が、低ＣＯ濃度であっても暴走することなく、高い選択率を提供することができることを見出した。
【0039】
したがって、本明細書に他に記載されるような方法のある実施形態では、ＣＯは、１９０ｐｐｍまでの量で、例えば、１ｐｐｍ～１９０ｐｐｍの範囲内の量で、例えば、５ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または１００ｐｐｍ～１９０ｐｐｍの範囲内の量で、プロセスガス中に存在する。本明細書に別途記載される方法のある実施形態では、ＣＯは、１８０ｐｐｍまでの量、例えば、１ｐｐｍ～１８０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～１８０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１８０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１８０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１８０ｐｐｍ、または１００ｐｐｍ～１８０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。本明細書に他に記載されるような方法のある実施形態では、ＣＯは、１７０ｐｐｍまでの量で、例えば、１ｐｐｍ～１７０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～１７０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１７０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１７０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１７０ｐｐｍ、または１００ｐｐｍ～１７０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。本明細書に他に記載されるような方法のある実施形態では、ＣＯは、１６０ｐｐｍまでの量で、例えば、１ｐｐｍ～１６０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～１６０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１６０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１６０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１６０ｐｐｍ、または１００ｐｐｍ～１６０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。
【0040】
本明細書に別途記載される方法のある実施形態では、ＣＯは、１５０ｐｐｍまでの量、例えば、１ｐｐｍ～１５０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または１００ｐｐｍ～１５０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。本明細書に他に記載されるような方法のある実施形態では、ＣＯは、１４０ｐｐｍまでの量で、例えば、１ｐｐｍ～１４０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～１４０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１４０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１４０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１４０ｐｐｍ、または１００ｐｐｍ～１４０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。本明細書に他に記載されるような方法のある実施形態では、ＣＯは、１３０ｐｐｍまでの量で、例えば、１ｐｐｍ～１３０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～１３０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１３０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１３０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１３０ｐｐｍ、または１００ｐｐｍ～１３０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。
【0041】
本明細書に別途記載される方法のある実施形態では、ＣＯは、１２０ｐｐｍまでの量、例えば、１ｐｐｍ～１２０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～１２０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１２０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１２０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１２０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。本明細書に別途記載される方法のある実施形態では、ＣＯは、１１０ｐｐｍまでの量、例えば、１ｐｐｍ～１１０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～１１０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１１０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１１０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１１０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。本明細書に他に記載されるような方法のある実施形態では、ＣＯは、１００ｐｐｍまでの量で、例えば、１ｐｐｍ～１００ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～１００ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１００ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１００ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。
【0042】
本明細書に別途記載される方法のある実施形態では、ＣＯは、９０ｐｐｍまでの量、例えば、１ｐｐｍ～９０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～９０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～９０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～９０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～９０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。本明細書に他に記載されるような方法のある実施形態では、ＣＯは、プロセスガス中に、８０ｐｐｍまでの量、例えば、１ｐｐｍ～８０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～８０ｐｐｍの範囲内の量で存在する。本明細書に他に記載されるような方法のある実施形態では、ＣＯは、プロセスガス中に、５０ｐｐｍまでの量、例えば、１ｐｐｍ～５０ｐｐｍの範囲内、例えば、５ｐｐｍ～５０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～５０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～５０ｐｐｍの範囲内に存在する。本明細書に別途記載される方法のある実施形態では、プロセスガス中に、ＣＯは実質的に存在しない。
【0043】
特に、本明細書に別途記載される方法のある実施態様では、一酸化炭素は、プロセスガスを提供するためのフィードガス流に添加されない。すなわち、多くの従来の方法とは異なり、特定の実施態様では、本明細書に別途記載されているように、エチレン水素化による十分に低い発熱性を維持するために、プロセスガス中の基準ＣＯ濃度を維持する必要はない。むしろ、本明細書に記載される触媒は、低いＣＯ濃度においてさえ、アセチレンのエチレンへの水素化に対して高度に選択的であり、したがって、そのような低いＣＯ濃度におけるエチレン還元による熱暴走の危険性はほとんどない。
【0044】
本発明者らは、ＣＯが高いプロセスガスは、上流のプロセス工程における変動から生じ得ること、およびこのような変動の全体にわたって、および／または、後に水素化性能を継続することもまた望ましいことに注目した。本発明者らは、本明細書に記載の触媒が、２００００ｐｐｍまでの高いＣＯレベルで、下流プロセスのための規格内ガスを、暴走することなく、そのようなＣＯ濃度が典型的に必要とする著しく高い温度（すなわち、低いＣＯレベルでアセチレンをクリーンアップするために必要とされる温度と比較して）を考慮してさえ、連続的な製造を提供することができることに注目した。特に、実施例７に記載されるように、本明細書に記載される触媒は、より高いＣＯ濃度でさえ、比較的不変のアセチレン選択率を有することができる。ある実施態様では、本明細書に別途記載されるように、ＣＯは少なくとも６００ｐｐｍ（例えば、少なくとも８００ｐｐｍ、または少なくとも１，０００ｐｐｍ、または少なくとも１，５００ｐｐｍ、または少なくとも２，０００ｐｐｍ）の量でプロセスガス中に存在する。例えば、本明細書に別途記載されているように、ある実施態様中では、ＣＯは６００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。例えば、あるそのような実施形態において、ＣＯは、６００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または６００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または６００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍ、または６００ｐｐｍ～２，５００ｐｐｍ、または６００ｐｐｍ～１，５００ｐｐｍ、または７００ｐｐｍ～１，２００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～１，２００ｐｐｍ、または９００ｐｐｍ～１，２００ｐｐｍ、または７００ｐｐｍ～１，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～１，１００ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する。他のそのような実施形態では、ＣＯは８００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～２，５００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～１，５００ｐｐｍの範囲の量でプロセスガス中に存在する。他のそのような実施形態では、ＣＯは、プロセスガス中に、１，０００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または１，０００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または１，０００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または１，０００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍ、または１，０００ｐｐｍ～２，５００ｐｐｍの範囲の量で存在する。他のそのような実施形態では、ＣＯは、１，５００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または１，５００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または１，５００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または１，５００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍの範囲の量でプロセスガス中に存在する。他のそのような実施形態では、ＣＯは、２，０００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または２，０００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または２，０００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または２，０００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍの範囲の量でプロセスガス中に存在する。
【0045】
しかしながら、他の実施形態では、プロセスガスは異なるＣＯ濃度を有することができる。例えば、ある実施態様では（例えば、ＧＨＳＶが少なくとも７，５００ｈ―１、少なくとも１０，０００ｈ―１、少なくとも１５，０００ｈ―１または少なくとも２０，０００ｈ―１である場合）、プロセスガスのＣＯ濃度は、１，２００ｐｐｍまで、例えば１，０００ｐｐｍまで、または５００ｐｐｍまで、または１０ｐｐｍから１，２００ｐｐｍまでの範囲、または１０ｐｐｍから５００ｐｐｍまでの範囲、または５０ｐｐｍから１，２００ｐｐｍまでの範囲、または５０ｐｐｍから５００ｐｐｍまでの範囲、または１００ｐｐｍから１，２００ｐｐｍまでの範囲、または１００ｐｐｍから５００ｐｐｍまでの範囲である。
【0046】
有利には、本発明者らは、本明細書に別途記載される方法のプロセスガスを、比較的高速（例えば、少なくとも７，１００ｈ―１、または７，５００ｈ―１～４０，０００ｈ―１の範囲内）で触媒組成物と接触させることができ、望ましく処理量を増加させることができることを見出した。本発明者らは、本明細書中に記載される触媒の高い選択率の結果として、有利には、本明細書中に記載される方法が、選択率を保持しながら、熱暴走を引き起こすことなく、高い処理量で実行され得ることを見出した。したがって、本明細書に記載の方法は、比較的小さい体積を有する選択的水素化反応器（例えば、単一の触媒床、または複数の触媒床を含む）中で行うことができる（すなわち、生成物の同じ全体的な形成速度を達成するための従来のプロセスと比較して）。従って、ある実施態様では、本明細書に別途記載されるように、プロセスガスは、少なくとも７，１００ｈ―１、例えば、７，１００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または７，１００ｈ―１～３０，０００ｈ―１、または７，１００ｈ―１～２０，０００ｈ―１のＧＨＳＶで触媒と接触される。ある実施態様では、本明細書に別途記載されるように、プロセスガスは、少なくとも７，５００ｈ―１、例えば、７，５００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または７，５００ｈ―１～３０，０００ｈ―１、または７，５００ｈ―１～２０，０００ｈ―１のＧＨＳＶで触媒と接触される。ある実施態様では、本明細書に別途記載されるように、プロセスガスは、少なくとも１０，０００ｈ―１、例えば、１０，０００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または１０，０００ｈ―１～３０，０００ｈ―１、または１０，０００ｈ―１～２０，０００ｈ―１のＧＨＳＶで、触媒と接触される。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、プロセスガスは、少なくとも１５，０００ｈ―１、例えば、１５，０００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または１５，０００ｈ―１～３０，０００ｈ―１、または１５，０００ｈ―１～２０，０００ｈ―１のＧＨＳＶで、触媒と接触される。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、プロセスガスは、少なくとも２０，０００ｈ―１、例えば２０，０００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または２０，０００ｈ―１～３０，０００ｈ―１のＧＨＳＶで、触媒と接触される。ＧＨＳＶ値は、触媒床の総体積を基準に定められる。
【0047】
上述のように、本明細書に記載のプロセスは実施され、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化される（すなわち、アセチレン転化率が少なくとも９０％）。例えば、ある特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９２．５％、または少なくとも９５モル％、または少なくとも９６％、または少なくとも９７％、または少なくとも９７．５％、または少なくとも９８％、または少なくとも９８．５％、または少なくとも９９％が、水素化される。ある特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、プロセスガス中に存在するアセチレンの実質的に全てが水素化される。
【0048】
上述のように、様々な態様において、本明細書に別途記載される方法は、熱暴走することなく、すなわち、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの合計の１モル％以下がエタンに転化されることなく、実施することができる。例えば、ある特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの総量の、０．９モル％以下、または０．８モル％以下、または０．７モル％以下、または０．６モル％以下、または０．５モル％以下が、エタンに変換される（すなわち、プロセスからのエタン排出量は投入プロセスガスと比較して、プロセスガスの総含有量に対して０．８モル％、または０．７モル％、または０．６モル％、または０．５モル％を超えて増大しない）。例えば、ある特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの総量の、０．２モル％以下、例えば０．１モル％以下、または０．０５モル％以下が、エタンに変換される。ある特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、実質的に、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの総量のいずれも、エタンに変換されない。
【0049】
換言すれば、本明細書に別段に記載されるような方法の選択的水素化生成物中のエタンの量は、プロセスガス中のエタンの量の１モル％以下多い量のエタンを含むことができる（すなわち、本明細書に別段に記載されるような触媒組成物と接触させる前）。例えば、ある実施態様では、本明細書に別途記載されるような方法の選択的水素化生成物中のエタンの量は、プロセスガス中のエタンの量の０．９モル％以下、または０．８モル％以下、または０．７モル％以下、または０．６モル％以下、または０．５モル％以下で多い。ある実施態様では、本明細書に記載されるような方法の選択的水素化生成物中のエタンの量は、プロセスガス中のエタンの量よりも、０．２モル％以下で多い、例えば０．１モル％以下で多い、または０．０５モル％以下で多い。ある実施態様では、本明細書に他に記載されているような方法の選択的に水素化された生成物中のエタンの量は、プロセスガス中のエタンの量と実質的に同じである。
【0050】
上述のように、本明細書に記載の選択的水素化方法を使用して、多様なプロセスガスを処理することができる。例えば、特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、エチレンが少なくとも１５モル％の量でプロセスガス中に存在する。例えば、あるそのような実施態様では、エチレンが１５モル％～７０モル％、または１５モル％～６０モル％、または１５モル％～５０モル％の量で、プロセスガス中に存在する。特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、エチレンは、少なくとも２０モル％の量で、例えば、２０モル％～７０モル％、または２０モル％～６０モル％、または２０モル％～５０モル％の範囲内で、プロセスガス中に存在する。特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、エチレンが少なくとも３０モル％の量で、例えば、３０モル％～７０モル％、または３０モル％～６０モル％、又は３０モル％～５０モル％の範囲でプロセスガス中に存在する。
【0051】
アセチレンは、プロセスガスの特定の供給源に応じて、様々な量でプロセスガス組成物中に存在することができる。特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、アセチレンは、プロセスガス中に、少なくとも１０ｐｐｍ、少なくとも５０ｐｐｍ、少なくとも１００ｐｐｍ、または少なくとも５００ｐｐｍの量で、例えば、１０ｐｐｍから２ｍｏｌ．％、または１０ｐｐｍから１ｍｏｌ．％、または１０ｐｐｍから０．５ｍｏｌ％、または５０ｐｐｍから２ｍｏｌ．％、または５０ｐｐｍから１ｍｏｌ．％、または５０ｐｐｍから０．５ｍｏｌ．％、または１００ｐｐｍから２ｍｏｌ．％、または１００ｐｐｍから１ｍｏｌ．％、または１００ｐｐｍから０．５ｍｏｌ．％、または５００ｐｐｍから２ｍｏｌ．％、または５００ｐｐｍから１ｍｏｌ．％または５００ｐｐｍから０．５ｍｏｌ．％の範囲の量で存在する。特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、アセチレンは、プロセスガス中に、少なくとも０．１モル％の量で、例えば、少なくとも０．５モル％、または少なくとも１モル％、例えば、０．１モル％～２モル％、または０．５モル％～２モル％、または１モル％～２モル％、または０．１モル％～１．５モル％、または０．５モル％～１．５モル％、または１モル％～１．５モル％、または０．１モル％～１モル％、または０．５モル％～１モル％の範囲内で存在する。
【0052】
水素は、様々な濃度でプロセスガス中に供給することができる。当業者は、アセチレンの必要な還元を提供するために、例えば、後続のプロセス工程へ所望の量の水素を提供するために、水素の量を選択する。特定の実施態様では、本明細書に記載されているように、水素は、プロセスガス中に、少なくとも５モル％、少なくとも６モル％、少なくとも７モル％、少なくとも８モル％、少なくとも９モル％、または、少なくとも１０モル％の量で、例えば、５モル％～５０モル％、または５モル％～３５モル％、または５モル％～２０モル％、または５モル％～１５モル％、または８モル％～５０モル％、または８モル％～３５モル％、または８モル％～２０モル％、または８モル％～１５モル％、または８モル％～１５モル％、または１０モル％～５０モル％、または１０モル％～３５モル％、または１０モル％～２０モル％、または１０モル％～１５モル％の範囲で存在する。
【0053】
当業者であれば、本明細書に記載されているように、本方法のプロセスガス中に他の成分が存在してもよいことを理解する。例えば、プロセスガスは、分解によって生成される粗オレフィン流中に通常存在する１以上の成分、例えば、Ｃ１成分（例えば、メタン、一酸化炭素、および二酸化炭素を含む）、Ｃ２成分（例えば、エチレン、エタン、およびアセチレンを含む）、およびＣ３成分（例えば、プロパン、プロピレン、プロパジエン、およびメチルアセチレンを含む）、ならびにＣ４成分（例えば、１，３―ブタジエンを含む）を含むことができる。しかしながら、ある実施態様では、当プロセスガスは、Ｃ１成分（例えば、メタン、一酸化炭素、および二酸化炭素）以外の炭素含有成分、Ｃ２成分（例えば、エチレン、エタン、およびアセチレン）、およびＣ３成分（例えば、プロピレン、プロパン、メチルアセチレン、およびプロパジエン）を、１０モル％以下（例えば、５モル％以下、２モル％以下、または１モル％以下）で含有する。ある実施態様では、プロセスガスは、エチレン、エタン、アセチレン、一酸化炭素及び二酸化炭素以外の炭素含有成分を、２０モル％以下（例えば、１５モル％以下、１０モル％以下又は５モル％以下）、含有する。ある実施態様では、プロセスガスは、エチレン、エタン、アセチレン、一酸化炭素及び二酸化炭素以外の炭素含有成分を、５モル％以下（例えば、２モル％以下）含有する。
【0054】
プロセスガスを提供するために、様々なガス流を組み合わせることができる。例えば、水素含有ガス流を別のガス流に添加して、プロセスガスを提供することができる。ガス流を反応器内で組み合わせて、投入ガス流の組み合わせであるプロセスガスを提供することができる。
【0055】
上記のように、様々な態様において、本開示の方法は、触媒組成物をプロセスガスと接触させることを含む。従って、本発明の別の態様は、多孔質担体、パラジウム、及び１以上イオン性液体を含む、触媒組成物である。ある実施態様では、本明細書に別途記載されるように、触媒組成物は、アルミナ、シリカ、チタニア、およびそれらの任意の混合物から選択される多孔質担体を含む。特定のそのような実施態様では、アルミナ、シリカ、チタニア、およびそれらの任意の混合物は、焼成ベース上の酸化物として計算して、総量で、９０重量％～９９．９重量％の範囲内で、触媒組成物中に存在する。例えば、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、アルミナ、シリカ、チタニア、およびそれらの任意の混合物から選択される多孔質担体を含み、９２．５重量％～９９重量％、または９５重量％～９９．９重量％、または９７．５重量％～９９．９重量％の範囲内の量で触媒組成物中に存在する。特定のそのような実施態様では、当多孔質担体は、アルミナとシリカとの混成物である。他のそのような実施形態では、当多孔質担体は、アルミナ、例えばアルファ―アルミナである。
【0056】
本明細書で使用される場合、例えば、「混合酸化物」、「アルミナ」、「シリカ」などを含む「酸化物」という用語は、あらゆる形態の酸化物および結晶相を含む。例えば、「アルミナ」は、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏｘを含み、ここで、ｘは１～３の範囲内である。特に断らない限り、酸化物の実際の化学量論にかかわらず、酸化物は、重量パーセント測定の目的で最も安定な酸化物として計算される。例えば、当業者は、アルミニウムの非化学量論的酸化物、またはアルミニウムの別の形態でさえも、Ａｌ２Ｏ３として計算され得ることを理解するのであろう。さらに、特に断らない限り、組成物は焼成ベースとして記載されている。
【0057】
特定の実施態様では、本明細書に別途記載されるように、多孔質担体のＢＥＴ表面積は、２ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇの範囲内である。当業者であれば、材料の「ＢＥＴ表面積」が物の比表面積を指し、標準試験手順ＡＳＴＭ Ｄ３６６３（「触媒および触媒担体の表面積のための標準試験方法」）によって定まることを理解する。例えば、特定の実施態様では、本明細書に別途記載されるように、当多孔質担体のＢＥＴ表面積は、２ｍ２／ｇ～９ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～８ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～７ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～６ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～５ｍ２／ｇ、または３ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または４ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または５ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または６ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～６ｍ２／ｇ、または３ｍ２／ｇ～７ｍ２／ｇ、または４ｍ２／ｇ～８ｍ２／ｇ、または５ｍ２／ｇ～９ｍ２／ｇである。１０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積は、当担体を比較的高温で焼成することによって提供することができる。
【0058】
特定の実施態様では、本明細書に別途記載されるように、当多孔質担体の細孔容積（ＡＳＴＭ Ｄ４２８４による水銀圧入ポリソメトリーを使用して決定される）は、少なくとも０．１０ｍＬ／ｇ、例えば、０．１０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇの範囲内である。例えば、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当多孔質担体の細孔容積（ＡＳＴＭ Ｄ４２８４による水銀圧入ポリソメトリーを用いて測定される）は、０．１０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．２０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．３０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．２０ｍＬ／ｇ～０．７０ｍＬ／ｇ、または０．３０ｍＬ／ｇ～０．７０ｍＬ／ｇの範囲内である。
【0059】
金属含浸多孔質担体（すなわち、多孔質担体、パラジウム、および任意の促進剤を含むが、イオン性液体は含まない）は、同様に、比較的高い表面積、例えば、少なくとも０．１０ｍＬ／ｇ（ＡＳＴＭ Ｄ４２８４による水銀圧入ポリソメトリーを用いて測定）を、有することができる。例えば、特定の実施態様では、本明細書に記載されるように、当金属含浸多孔質担体は、少なくとも０．１５ｍＬ／ｇ、少なくとも０．２０ｍＬ／ｇ、または０．２５ｍＬ／ｇの細孔容積を有する。様々な実施形態では、本明細書に記載されるように、当金属含浸多孔質担体は、０．１０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．１０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．３０ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。他の実施形態では、本明細書に記載のように、当金属含浸多孔質担体は、０．１５ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．１５ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．１５～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．１５～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．１５～０．３０ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。他の実施形態では、本明細書に記載のように、当金属含浸多孔質担体は、０．２０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．２０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．３５ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。他の実施形態では、本明細書に記載のように、当金属含浸多孔質担体は、０．２５ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．２５ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．２５～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．２５～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．３５ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。
【0060】
本発明者らは、当金属含浸多孔質担体は、また、高い細孔容積と共に比較的低いＢＥＴ表面積（すなわち、１０ｍ２／ｇ以下、または上記のより特定の範囲）を有する場合に、特定の利点を見出した。特に、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当多孔質担体は、比較的低いＢＥＴ表面積（すなわち、１０ｍ２／ｇ以下、または上記のより特定の範囲）を有するが、比較的高い細孔容積（すなわち、０．１０ｍＬ／ｇを超える、例えば、０．１０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇの範囲内、または上記のより特定の範囲内）を有する。これは、物質が、本明細書に記載されるように、イオン性液体で含浸された後、イオン性液体の存在下でさえ、いくらかの細孔容積を保持することを可能にし得る。
【0061】
例えば、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物（すなわち、多孔質担体、パラジウムおよび存在する任意の促進剤、およびイオン性液体を含む）は、それ自身、少なくとも０．０５ｍＬ／ｇの比較的大きな細孔容積（ＡＳＴＭ Ｄ４２８４による水銀圧入ポリソメトリーを用いて測定される）を有する。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、少なくとも０．１０ｍＬ／ｇ、少なくとも０．１５ｍＬ／ｇ、さらには０．２０ｍＬ／ｇの細孔容積を有する。様々な実施形態では、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、０．０５ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．０５ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．０５～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．０５～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．０５～０．３０ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。他の実施形態では、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、０．１０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．１０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．３０ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。他の実施形態では、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、０．１０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．１０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．３０ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。他の実施形態では、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、０．１５ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．１５ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．１５～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．１５～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．１５～０．３０ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。他の実施形態では、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、０．２０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．２０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．３５ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。このような物質は、担体の細孔容積に応じて、比較的少量のイオン性液体を、例えば、４重量％まで、または３重量％までで使用することによって、提供することができる。
【0062】
特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、少なくとも０．０２重量％の量のパラジウムを含む（すなわち、元素質量ベースで計算される）。例えば、特定のそのような実施態様では、当触媒組成物は、少なくとも０．０３重量％、または少なくとも０．０４重量％、または少なくとも０．０５重量％、または少なくとも０．０６重量％、または少なくとも０．０７重量％、または少なくとも０．０８重量％、または少なくとも０．０９重量％、または少なくとも０．１重量％、または少なくとも０．１１重量％、または少なくとも０．１２重量％、または少なくとも０．１３重量％、または少なくとも０．１４重量％、または少なくとも０．１５重量％の量のパラジウムを含む。特定のそのような実施態様では、当触媒組成物は、パラジウムを０．５重量％以下（例えば、０．４重量％以下、または０．３重量％以下、または０．２重量％以下）の量で含む。例えば、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、パラジウムを、０．０２重量％～０．５重量％、または０．０２重量％～０．４５重量％、または０．０３重量％～０．４重量％、または０．０３重量％～０．３５重量％、または０．０４～０．３重量％、または０．０４～０．２５重量％の範囲内の量で含む。
【0063】
特定の実施態様において、本明細書に記載のように、パラジウムは担体の表面に局在化され、いわゆるシェル触媒配置をとる。「表面に局在化された」物質は、物質内部よりも材料の表面（内部細孔の表面を含む）において、実質的に高い濃度（例えば、少なくとも１００％高い）で存在する。当業者は、組成物の「表面」は、組成物の原子の最外面のみからなるのではなく、むしろ、組成物の外側に表面層を含むことをさらに理解する。例えば、当担体上のパラジウム含有シェルは、特定の実施態様では、１ミリメートルまでの厚さを有することができる。当シェルの厚さは、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、１００～８００μｍの範囲内である。
【0064】
特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、銀、金、亜鉛、スズ、鉛、ガリウム、カドミウム、銅、ビスマス、ナトリウム、セシウム、またはカリウムから選択される少なくとも１つの促進剤を、さらに含む。例えば、特定のそのような実施態様では、当触媒組成物は、銀促進剤を含む。他のそのような実施形態では、当触媒組成物は、金または亜鉛促進剤を含む。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、少なくとも１つの促進剤（例えば、銀）は、触媒組成物中に、少なくとも０．０２重量％（すなわち、元素質量ベースで計算される）、または少なくとも０．０４重量％、または少なくとも０．０６重量％、または少なくとも０．０８重量％、または少なくとも０．１重量％もしくは少なくとも０．１２重量％、または少なくとも０．１４重量％、または少なくとも０．１６重量％、または少なくとも０．１８重量％、または少なくとも０．２重量％、または少なくとも０．２２重量％、または少なくとも０．２４重量％、または少なくとも０．２６重量％、または少なくとも０．２８重量％、または少なくとも０．３重量％の総量で存在する。特定のそのような実施態様では、当触媒組成物は、少なくとも１つの促進剤を、０．６重量％以下（例えば、０．４５重量％以下、または０．３重量％以下）の総量で含む。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、少なくとも１つの促進剤（例えば、銀）は、シェル層中にパラジウムと一緒に存在する。特定の実施態様では、パラジウムの助触媒金属に対する質量比率は、１：５～３：１の範囲内、例えば、１：４～２：１の範囲内、または１：３～１：１の範囲内にある。
【0065】
特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、少なくとも１のイオン性液体を、１０重量％までの総量で含む。例えば、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、少なくとも１のイオン性液体を、０．０１重量％～１０重量％、例えば０．０１～８重量％、または０．０１～６重量％、または０．０１～４重量％、または０．０１～３重量％、または０．０１重量％～２重量％、または０．０１重量％～１重量％の範囲内の総量で含む。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当イオン性液体は、０．０５重量％～１０重量％、例えば、０．０５～８重量％、又は０．０５～６重量％、又は０．０５～４重量％、又は０．０５～３重量％、又は０．０５重量％～２重量％、又は０．０５重量％～１重量％の範囲の量で存在する。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、少なくとも１のイオン性液体を、０．１重量％～１０重量％、例えば０．１重量％～８重量％、または０．１重量％～６重量％、または０．１重量％～４重量％、または０．１～３重量％、または０．１重量％～２重量％、または０．１重量％～１重量％の範囲内の総量で含む。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、少なくとも１のイオン性液体を、０．２重量％～１０重量％、例えば０．２重量％～８重量％、または０．２重量％～６重量％、または０．２重量％～４重量％、または０．２～３重量％、または０．２重量％～２重量％、または０．２重量％～１重量％の範囲内の総量で含む。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当触媒組成物は、少なくとも１のイオン性液体を、０．５重量％～１０重量％、例えば０．５重量％～８重量％、または０．５重量％～６重量％、または０．５重量％～４重量％、または０．５～３重量％、または０．５重量％～２重量％の範囲内の総量で含む。
【0066】
当業者は、用語「イオン性液体」が一般に、例えば１００℃未満と、比較的低い融点を有する、配位が不十分な塩のクラスを指すことを理解する。特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当イオン性液体は、次式の化合物を含む：
［Ａ］ｎ ┼［Ｙ］ｎ ―
（式中、ｎは１または２）；
［Ａ］ｎ ┼［Ｙ］ｎ ―
（式中、ｎは１または２）；
【0067】
［Ｙ］ｎ
―は、テトラフルオロホウ酸（［ＢＦ４］―）ヘキサフルオロホスフェート（［ＰＦ６］―）；ジシアナミド（［Ｎ（ＣＮ）２］―）；ハロゲン化物（Ｃｌ―、Ｂｒ―、Ｆ―、Ｉ―）；ヘキサフルオロアンチモン（［ＳｂＦ６］―）；硝酸塩（［ＮＯ３］―）；亜硝酸塩（［ＮＯ２］―）；アニオン性金属錯体（例えば、［ＣｕＣｌ４］２
―、［ＰｄＣｌ４］２
―、［ＡｕＣｌ４］―）；酢酸塩（［ＣＨ３ＣＯＯ］―）；トリフルオロ酢酸塩（［Ｆ３ＣＣＯＯ］―）；ヘキサフルオロヒ酸塩（［ＡｓＦ６］―）；硫酸塩（［ＳＯ４］２
―）；硫酸水素塩（［Ｒ´－ＳＯ４］―）；アルキル硫酸塩（［Ｒ´－ＳＯ４］―）；トシレート（［Ｃ７Ｈ７ＳＯ３］―）；トリフラート（［ＣＦ３ＳＯ３］―）；ノナフラート（［Ｃ４Ｆ９ＳＯ３］－）；トリペルフルオロエチレントリフルオロホスフェート（［ＰＦ３（Ｃ２Ｆ５）３］―）；トリシアノメタニド（［Ｃ（ＣＮ）３］―）；テトラシアノボレート（［Ｂ（ＣＮ）４］―；チオシアネート（［ＳＣＮ］―）；カーボネート（［ＣＯ３］２
―）；カルボキシレート（［Ｒ´－ＣＯＯ］―）；スルホネート（［Ｒ´－ＳＯ３］―）；ジアルキルホスフェート（［Ｒ´ＰＯ４Ｒ"］―）；アルキルホスホネート（［Ｒ´ＨＰＯ３］―）；およびビスルホニルイミド（［（Ｒ´－ＳＯ２）２Ｎ］―）（例えば、ビス（トリフルオルメチルスルホニル）イミド）から選択され；ここで式中、Ｒ´及びＲ"は、それぞれ独立して、直鎖状又は分枝状のＣ１－Ｃ１２脂肪族又は脂環式アルキル；Ｃ５－Ｃ１８アリール；Ｃ５－Ｃ１８アリール置換Ｃ１－Ｃ６アルキル；または、Ｃ１－Ｃ６アルキル置換Ｃ５－Ｃ１８アリールであり、アルキルは、任意で、１つ以上のハロゲンで置換されていてもよい；
【0068】
［Ａ］＋は、式［ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ］＋を有する第四級アンモニウムカチオン、式［ＰＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ］＋を有するホスホニウムカチオン、式［ＳＲ１Ｒ２Ｒ］＋を有するスルホニウムカチオン、式
を有するグアニジニウムカチオン；式
を有するイミダゾリウムカチオン、
ここで、イミダゾールは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ；Ｃ１～Ｃ６アミノアルキル；Ｃ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される１以上のグループで置換されている；式
を有するピリジニウムカチオン：
ここで、ピリジンは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ；Ｃ１～Ｃ６アミノアルキル；Ｃ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される１以上のグループで置換されている；式
を有するピラゾリウムカチオン、
ここで、ピラゾールは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ；Ｃ１～Ｃ６アミノアルキル；Ｃ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される１以上のグループで置換されている；
および、次の式
を有するトリアゾリウムカチオン、
式中、トリアゾールは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ；Ｃ１～Ｃ６アミノアルキル；Ｃ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される１以上のグループで置換されている；
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して、水素；Ｃ１―Ｃ２０アルキル；任意でＣ１～Ｃ６アルキルおよび水素のうち１以上で置換されたＣ３～Ｃ８ヘテロアリール；Ｃ３～Ｃ８ヘテロアリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキル、当ヘテロアリールは、任意でＣ１～Ｃ６アルキルおよびハロゲンのうち１以上で置換されている；式「－ＣＨ２ＣＨ２Ｏ」ｎＲａを有するポリエーテル、ここでｎは１～５０，０００の範囲内で、Ｒａは、Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される；Ｃ１～Ｃ６アルキルおよびハロゲンのうち１以上で置換されたＣ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキル、当アリールは、任意でＣ１～Ｃ６アルキルおよびハロゲンのうち１以上で置換されている、である；
ここで、Ｒは、Ｃ１～Ｃ２０アルキル；Ｃ４～Ｃ８ヘテロアリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキル、当ヘテロアリールは、任意でＣ１～Ｃ６アルキルおよびハロンゲンのうち１以上で置換されている；およびＣ４～Ｃ１２アリール置換Ｃ１－Ｃ６アルキル、当該アリールは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキルおよびハロンゲンのうち１以上で置換されている、から選択される。
ここで、イミダゾールは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ；Ｃ１～Ｃ６アミノアルキル；Ｃ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される１以上のグループで置換されている；式
ここで、ピリジンは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ；Ｃ１～Ｃ６アミノアルキル；Ｃ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される１以上のグループで置換されている；式
ここで、ピラゾールは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ；Ｃ１～Ｃ６アミノアルキル；Ｃ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される１以上のグループで置換されている；
および、次の式
式中、トリアゾールは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ；Ｃ１～Ｃ６アミノアルキル；Ｃ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される１以上のグループで置換されている；
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して、水素；Ｃ１―Ｃ２０アルキル；任意でＣ１～Ｃ６アルキルおよび水素のうち１以上で置換されたＣ３～Ｃ８ヘテロアリール；Ｃ３～Ｃ８ヘテロアリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキル、当ヘテロアリールは、任意でＣ１～Ｃ６アルキルおよびハロゲンのうち１以上で置換されている；式「－ＣＨ２ＣＨ２Ｏ」ｎＲａを有するポリエーテル、ここでｎは１～５０，０００の範囲内で、Ｒａは、Ｃ１～Ｃ６アルキルから選択される；Ｃ１～Ｃ６アルキルおよびハロゲンのうち１以上で置換されたＣ５～Ｃ１２アリール；およびＣ５～Ｃ１２アリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキル、当アリールは、任意でＣ１～Ｃ６アルキルおよびハロゲンのうち１以上で置換されている、である；
ここで、Ｒは、Ｃ１～Ｃ２０アルキル；Ｃ４～Ｃ８ヘテロアリール置換Ｃ１～Ｃ６アルキル、当ヘテロアリールは、任意でＣ１～Ｃ６アルキルおよびハロンゲンのうち１以上で置換されている；およびＣ４～Ｃ１２アリール置換Ｃ１－Ｃ６アルキル、当該アリールは、任意で、Ｃ１～Ｃ６アルキルおよびハロンゲンのうち１以上で置換されている、から選択される。
【0069】
例えば、特定のそのような実施態様では、［Ａ］ｎ
＋は、１－ブチル－１－メチルピロリジニウム、１－ブチル－２，３－ジメチルイミダゾリウム、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウム、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム、１－エチル－３－メチルピリジニウム、１－メチル－３－オクチルイミダゾリウム、エチルジメチル－（２－メトキシエチル）アンモニウム、トリブチルメチルアンモニウム、トリシクロヘキシルテトラデシルホスホニウムから選択される。特定のそのような実施態様では、［Ｙ］ｎ
―は、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ジシアンアミド、エチルサルフェート、メチルホスホネート、メチルサルフェート、オクチルサルフェート、テトラシアノボレート、テトラフルオロボレート、トリシアノメタン、トリフラート、およびトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェートから選択される。
【0070】
特定の実施形態では、本明細書に記載のように、少なくとも１のイオン性液体は、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリフラート、１－エチル－３－メチルピリジニウムエチルサルフェート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムトリフラート、１－ブチル－２，３－ジメチルイミダゾリウムトリフラート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリシアノメタン、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムメチルサルフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムオクチルサルフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムエチルサルフェート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムメチルホスホネート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムトリフラート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムテトラシアノボレート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリシアノメタン、１－エチル－３－メチルピリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムテトラシアノボレート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、１－メチル－３－オクチルイミダゾリウムトリフラート、エチルジメチル－（２－メトキシエチル）アンモニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、トリブチルメチルアンモニウムジシアンアミド、トリシクロヘキシルテトラデシルホスホニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、および１－エチル－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、から選択される。
【0071】
当業者は、本明細書記載のように、他の成分が、当触媒組成物に存在してもよいことを理解する。しかしながら、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、多孔質担体、パラジウム、促進剤およびイオン性液体の総量は、少なくとも９０重量％、または少なくとも９２．５重量％、または少なくとも９５重量％、または少なくとも９７．５重量％、または少なくとも９８重量％、または少なくとも９９重量％、または少なくとも９９．５重量％、または少なくとも９９．９重量％である。
【0072】
当業者は、本明細書に記載のように、従来の方法を用いて、例えば、１以上のイオン性液体またはパラジウム、および任意に促進剤（例えば、銀）を含む含浸溶液で、多孔質担体を含浸させること（例えば、溶液滴下含浸法または過度の溶液浸漬による）、を含む１以上含浸工程、それぞれの含浸工程に続く乾燥または焼成工程によって、当触媒組成物を提供することができることを理解する。
【0073】
当触媒組成物の製造のは特定の実施態様では、本明細書に記載されるように、当イオン性液体またはいくつかのイオン性液体の混合物は、例えば水、アルコール、アセトンなどのような、そのために適した溶液剤中に、または溶液剤混合物中に、溶解または懸濁され、そして、ノズルを使い、反応チャンバー内のすでに予め形成された触媒上に、連続的に塗布される。このために、溶液剤は、プロセス中に反応チャンバーから連続的に除去される。基板の均一なコーティングを達成するために、基板材料は、流動浸漬として知られるプロセスにおいて、プロセスガスを通して、連続的に流動化される。さらなる適切なコーティングプロセスは、浸漬コーティングまたはスプレーピストルまたはスプレードライピストルを用いたスプレー塗布である。
【0074】
コーティング技術によるイオン性液体の適用とは別に、溶液または懸濁液を含浸させることによっても同様に適用することができる。このために、イオン性液体またはいくつかのイオン性液体の混合物を、適切な溶液剤（混合物）に、溶解または懸濁させ、続いて予め形成された触媒と接触させる。次いで、溶液剤は、真空下で、または高温（またはその両方）で、空気中に置くことによって、またはガス流によって、除去される。使用される溶液剤の量は、使用される触媒の細孔容積と等しいか、それよりも少ないか、または多いことができる。
【0075】
使用されるイオン性液体の量は、特定の望ましい実施形態では、使用される触媒の細孔容積と等しい、または、より少ない。イオン性液体の適用後、所望の量のイオン性液体でコーティングされた、外部乾燥固体が残る。得られる触媒組成物の細孔容積は、イオン性液体の容積によって減少する。当触媒の総重量に関連して、０．１～１０重量％、好ましくは０．２～６重量％、特に好ましくは０．３～４重量％のイオン性液体が使用される。肉眼で見える基材フォームボディー、顆粒または粉末上のイオン性液体の分布は、コーティング条件を選択することによって、自由に調節可能である。条件の選択に応じて、いわゆる卵殻、卵白、卵黄の形成、または当イオン性液体の均一な分布が、基材上に生じ得る。さらに、イオン性液体の任意の濃度勾配を基板上に生成することができる。イオン性液体は、好ましくは、薄いシェルとして基板表面に適用される。本明細書に記載される当触媒の基材表面上のイオン性液体のシェル厚さは、通常、１０～２０００μｍの範囲内、好ましくは１００～１０００μｍの範囲内、特に好ましくは１００～８００μｍの範囲内にある。
【0076】
得られた触媒は、目的とする反応を制限することなく使用することができる。当触媒を活性化するために必要な金属粒子の還元は、イオン性液体でのコーティングの前に、またはそれに続いて行うことができる。
【0077】
当触媒は、例えば、イオン性液体またはイオン性液体の混合物の添加の前、または後に、還元することができる。当該還元に使用される方法は、専門家に知られており、例えば、ＮａＢＨ４、ＬｉＡｌＨ４、ヒドラジン（水和物）、次亜リン酸塩、ギ酸、またはそれらの塩（ギ酸塩）などの還元剤を介する、湿式化学的方法を含むことができる。さらに、還元は、水素（純粋な水素または水素を含む混合物；好ましくは水素濃度はＮ２または他の不活性ガス中で１モル％より高い）を用いた気相中で、２０～２００℃、好ましくは５０～１５０℃の範囲内の温度で、行うことができる。
【0078】
このようにして得られる還元金属粒子は、通常、１～６０ｎｍの範囲内、好ましくは１～３０ｎｍの範囲内、特に好ましくは２～２０ｎｍの範囲内の直径を有する。
【0079】
同様に、水素化触媒はイオン性液体がその上に提供された後に、例えば、反応器中の床中にある間に、上記のように水素含有ガスと接触させることによって還元することができる。例えば、当イオン性液体は、触媒合成サイトでのプロセスにおいて、当触媒上に含浸させることができ、次いで、当触媒は、アセチレン還元反応器中の触媒床で還元を行いながら、プロセスサイトに輸送され、貯蔵されうる。
【0080】
しかしながら、他の実施形態では、当水素化触媒は、プロセスガスと接触する前に、予備還元されない。
【0081】
使用前に、当触媒を乾燥させて、任意の吸着水の量を減少させることが有利であり得る。乾燥は、乾燥不活性ガス（例えば、窒素、水素、残留メタン、エタン）を使用して、乾燥ガス流出物が所望の露点、例えば、―６０℃未満に低下するまで、ある温度（例えば、少なくとも５０℃、例えば、５０～１００℃の範囲）で、ある期間（例えば、５時間～２日間）にわたって行うことができる。
【0082】
任意の水素化および乾燥工程の後に、反応性気体流の開始のための第一温度まで、当触媒の温度を低下させることが望ましい。本発明者らは、本明細書に記載される当触媒は、アセチレンに対する高い選択率（従って、エチレンの還元速度が比較的低い）の結果として、比較的高い温度で開始され得ることを見出した。従来の触媒（実施例の触媒Ｃのような）は、典型的には３０℃以下の低温で始動された。特に、本発明者らは、本明細書に記載の当触媒を、最初に、より高い温度、例えば３１～５０℃の範囲でプロセスガスと接触させることができることを見出した。特定の実施態様では、本明細書に記載の当触媒は、最初に３１～４５℃、または３１～４０℃で、プロセスガスと接触させることができる。他のそのような実施形態では、本明細書に記載される当触媒は、最初に、３５～５０℃、例えば３５～４５℃、または３５～４０℃の範囲の温度で、プロセスガスと接触させることができる。また、他のそのような実施形態では、本明細書に記載の当触媒は、最初に、４０～５０℃の範囲、例えば４０～４５℃、３１～４０℃、または３５～４０℃の範囲の温度で、プロセスガスと接触させることができる。
【0083】
本明細書中に記載される当方法において使用するための特定の適切な触媒は、米国特許出願公開第２０１３／０１０２８１９号に記載され、これはその全体が参照により本明細書中に援用される。
【0084】
種々の側面および実施形態において、本明細書記載の当方法は、アセチレンを選択的に水素化することができる触媒組成物（例えば、本明細書記載の触媒組成物）を含む一の触媒床または一連の触媒床を収容した選択的水素化反応器において、行うことができる。
【0085】
別の態様では、本発明者らは、当触媒組成物が「未使用」である（例えば、反応器内に新たに設置または再生され、還元または非還元であり、まだプロセスガスに曝されていない）場合であっても、フロントエンド選択的水素化反応器を、従来の方法の望ましくない態様（例えば、長期のフレアへのプロセスガス送出、ＣＯの触媒予備充填、または始動中のプロセス流へのＣＯ添加）の多くを行うことなく、始動させることができることを見出した。当業者に理解されるように、このような始動プロセスは、望ましく、材料コストを減少させ、反応器のダウンタイムを減少させ、反応器の廃棄物出力（すなわち、反応器が完全に運転される前の反応器出力）を減少させることができる。
【0086】
したがって、本開示の別の態様は、選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容する。当該方法は、各々の触媒床を、第一温度以下で提供することを含み、当触媒床の触媒は、第一ガスと接し、第一ガスは、第一温度での触媒の存在下で、非反応性である。第一ガスの存在下では、それぞれの触媒床は、少なくとも第二温度に加熱され、第二温度は、第一温度よりも、少なくとも１０度大きく（例えば、少なくとも２０度大きく、少なくとも３０度大きく、少なくとも４０度大きく、少なくとも５０度大きく、またはさらには少なくとも６０度大きく）、第一ガスは、第二温度での触媒の存在下で、非反応性である。当触媒床にて当触媒と接触したガス組成は、触媒床が少なくとも第二温度である間に、第一ガスから、プロセスガス流に変化する。当プロセスガスは、反応器の出口（すなわち、反応したプロセスガスを排出する出口）におけるアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満（例えば、０．５ｐｐｍ未満）になるまで、各触媒床を通って流れることができる。したがって、触媒床の温度は、第一ガスと接している間に上昇させることができ、その結果、触媒床が温度に達する間に、プロセスガスをフレアに回す必要がない。特定の実施態様では、反応器の出口でのアセチレン濃度は、プロセスガスを１以上の触媒床に導入する６時間以内、例えば、５時間以内、４時間以内、３時間以内、または２時間以内、１ｐｐｍ以下である。本明細書に記載される当触媒材料は、触媒床が高温である間にプロセスガスの導入を可能にし、したがって、始動中に触媒床を通って流れるプロセスガスの量を低減することができる。
【0087】
別の態様において（上記の態様と組み合わせて、または別個に）、本開示は、ＣＯで触媒を前処理することなく、かつ、プロセスガスにＣＯを添加することなく、選択的水素化反応器を始動させるための方法を提供する。例えば、一実施形態では、上記のような選択的水素化反応器を始動する方法は、第一ガスと接触する触媒を有する各触媒床を反応器に提供することを含み、第一ガスは第一温度で触媒の存在下で非反応性であり、ここで、当触媒は、反応器中で、１００ｐｐｍを超える一酸化炭素濃度を有する一酸化炭素含有ガスと接触されていない。次に、プロセスガス流を、１以上の触媒床に導入する。重要なことに、当該方法は、当プロセスガスに一酸化炭素を添加しないことを含む。したがって、当該方法は、プロセスに有意な量のＣＯを添加することなく（すなわち、前処理によって、またはプロセスガスに添加することによって）、行われる。本発明者らは、本明細書に記載される当触媒の使用が、一酸化炭素なしでの始動を可能にすることを見出し、これは安全性、プロセスの複雑さ、およびプロセスコストにおける有意な改善を示し得る。特定の実施態様では、このような方法はまた、各々の触媒床の触媒床温を、第一温度以下から、少なくとも第二温度まで上昇させることを含む。当触媒床温度は、当プロセスガスが導入される前、または後に、上昇させることができる。他の実施形態では、当プロセスガスは、当触媒床温度が上昇している間に導入される。当温度が上昇後、プロセスガスは、反応器流出物が１ｐｐｍ未満のアセチレン（例えば、０．５ｐｐｍ未満のアセチレン）を有するまで、一以上の触媒床を通って流されるうる。
【0088】
第一温度は、例えば、反応器の始動温度、例えば、オンラインでないときの反応器システムの温度、を表すことができる。特定の実施態様では、第一温度は、５０℃以下、例えば３１～５０℃、または３５～５０℃、または４０～５０℃、または４５～５０℃の範囲である。特定の実施態様では、第一温度は、４５℃以下、例えば３１～４５℃、または３５～４５℃、または４０～４５℃の範囲である。特定の実施態様では、第一温度は、４０℃以下、例えば３１～４０℃、または３５～４０℃の範囲である。しかし、他の実施形態では、第一温度は、さらに低温であり、例えば、３０℃以下、またはいくつかの実施形態では２５℃以下である。
【0089】
第二温度は、例えば、反応器の操作温度を表し、例えば、反応器流出物（特定のプロセスガスおよび使用される他の条件）が、１ｐｐｍ以下（例えば、０．５ｐｐｍ以下）のアセチレン濃度を有する温度を表すことができる。したがって、第二温度は、上記のような水素化反応温度とすることができる。特定の実施態様では、第二温度は、４０℃～１４０℃の範囲内である。特定の望ましい実施形態では、第二温度は、４０℃～１００℃、例えば、４０℃～９０℃、または５０℃～９０℃の範囲内である。しかし、他の第二温度も考えられる。いくつかの実施形態では、第二温度は、２０℃～１３０℃の範囲内、例えば、２０℃～１２０℃、または２０℃～１１０℃、または２０℃～１００℃、または２０℃～９０℃の範囲内である。いくつかの実施形態では、第二温度は、４０℃～１４０℃の範囲内、例えば４０℃～１３０℃、または４０℃～１２０℃、または４０℃～１１０℃の範囲内である。いくつかの実施形態では、第二温度は、５０℃～１４０℃の範囲内、例えば、５０℃～１３０℃、または５０℃～１２０℃、または５０℃～１１０℃の範囲内である。いくつかの実施形態では、第二温度は、６０℃～１４０℃の範囲内、例えば、６０℃～１３０℃、または６０℃～１２０℃、または６０℃～１１０℃、または６０℃～１００℃、または６０℃～９０℃の範囲内である。本明細書に記載の当該方法は、第一温度と第二温度との間のかなりの差で、例えば、少なくとも３０℃、少なくとも４０℃、少なくとも５０℃、またはさらには少なくとも６０℃の差で、使用することができる。
【0090】
第一温度以下から少なくとも第二温度までの昇温は、有利には比較的迅速に行うことができる。例えば、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、それぞれの触媒床の温度は、１０時間以下、例えば６時間以下、例えば２～１０時間、４～１０時間、または３～６時間の範囲にわたって、第一温度以下から少なくとも第二温度まで上昇される。温度変化の速度は、例えば、３～１５℃／時の範囲、例えば、３～１２℃／時、または６～１５℃／時、または６～１２℃／時とすることができる。
【0091】
上述したように、当プロセスガスは、エチレン、アセチレン及び水素を含む。プロセスガスは、本明細書の任意の実施形態に記載されているように、これらの物質および任意の他の成分の量を有することができる。特定の実施態様では、当プロセスガスは、少なくとも１０ｐｐｍのＣＯを含む。
【0092】
第一ガスは、上記のように、非反応性である。特定の実施態様では、第一ガスは、１ｐｐｍ以下（例えば、０．５ｐｐｍ以下）のアセチレンを含む。種々の物質を、個別に、または混合して、第一ガスとして使用することができる。第一ガスは、第一温度および第二温度において、触媒床上で非反応性である。したがって、特定の実施態様では、第一ガスは、少量（または全く含まない）の水素および／または少量（または全く含まない）の還元可能な炭化水素を含むことができる。特定の実施態様では、第一ガスは、２％未満の水素、例えば１％未満の水素を含む。窒素および燃料ガスのようなガスを、使用することができる。
【0093】
上記の種々の方法において、それぞれの触媒床は、第一ガスとの接触から、プロセスガスとの接触に変更される。第一ガスは、プロセスガス源よりも比較的低い圧力で反応器中に存在することができ、その結果、プロセスガスが、反応器出口を開くことなく、反応器に入れられるとき、全反応圧力を提供するために第一ガスと混合することができる。望ましくは、圧力の差は、最初に反応器に入れられるときにプロセスガスが著しく希釈されるのに十分に小さい。例えば、一実施形態の一例では、反応器内の第一ガスの圧力は、２００～３００ｐｓｉとすることができ、一方、プロセスガスの圧力は４００～５００ｐｓｉとすることができる。第一ガスとプロセスガスが反応器内で混合すると、ガスを反応器から逃がすことによって流れができる。もちろん、当業者は、プロセスガスを反応器に入れる特定の方法が、反応器およびプロセス設計に依存することを理解する。
【0094】
特定の望ましい実施形態は、本明細書記載のように、当プロセスガス自身を使用して、選択的水素化プロセスが実行される反応器圧力まで、反応器を加圧することができる。すなわち、特定の実施態様では、プロセス圧まで不活性気体で予備加圧する必要がない。むしろ、当プロセスガスを用いて、反応器をプロセス圧まで上げることができる。有利には、本明細書に記載される当触媒の高い選択率は、プロセスガスが、熱暴走の危険性をはるかに低減した初期反応器圧力を、提供することを可能にする。
【0095】
本発明者らは、本明細書に記載される触媒は、アセチレン水素化に対する高い選択率の結果として、以前の触媒よりも迅速に、処理温度にすることができると見出した。したがって、本発明の別の態様は、選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、各触媒床を第一温度以下で提供すること、当触媒床の触媒は、ガスと接し；当プロセスガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は、第一温度より少なくとも２０度高く、各触媒床の加熱は少なくとも３℃／時間の範囲の速度で行われる；当プロセスガスが、反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、当プロセスガスを当触媒床に流すこと、を含む。特定の実施態様では、当速度は、３～２０℃／時、例えば３～１５℃／時、または３～１２℃／時である。特定の実施態様では、当速度は、６～２０℃／時、例えば６～１５℃／時または６～１２℃／時である。特定の実施態様では、当速度は、９～２０℃／時、例えば９～１５℃／時である。
【0096】
水素化方法に関して上述した当触媒は、本明細書に記載した始動方法での使用に適しうる。
【0097】
従来のように、本明細書に記載の当該方法は、当プロセスガスを当床に導入する前に、または当触媒組成物を当プロセスガスと接触させる前に、当触媒を還元することを（例えば、水素含有ガスの流れで）、さらに含むことができる。
【0098】
本発明の別の態様は、水素化触媒組成物であって、当組成物中に９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で存在する多孔質担体、元素質量ベースで計算して０．０２重量％～０．５重量％（例えば、０．０４重量％～０．１５重量％）の範囲内の量で当組成物中に存在するパラジウム、合計で１０重量％までの量で組成物中に存在する１以上イオン性液体とを含む水素化触媒組成物である。特定の実施態様では、当触媒組成物は、元素質量ベースで計算して、０．０５重量％～０．２５重量％、例えば０．０８重量％～０．２５重量％、または０．１重量％～０．２５重量％の量の範囲内で、組成物中に存在する少なくとも１つの促進剤（例えば銀）をさらに含む。
【0099】
当触媒組成物中のパラジウムの量は、例えば、０．０５～０．２重量％、または０．０５重量％～０．１５、重量％、０．０７重量％～０．２重量％、または０．０７～０．１５重量％、または０．０８～０．２重量％、または０．０８～０．１５重量％、または０．１重量％～０．２重量％、または０．１重量％～０．１５重量％、または０．１１重量％～０．２重量％、または０．１１～０．１５重量％の範囲内である。本発明者らは、比較的多量のパラジウムを有する触媒が、暴走することなく、高い転化率および高い選択率を有用に提供できることを見出した。
【0100】
本発明の別の態様は、組成物中に９０重量％～９９．９重量％の量で存在する多孔質担体と、組成物中に元素質量ベースで計算して少なくとも０．０２重量％（例えば、０．０４重量％～０．１５重量％）の量で存在するパラジウムと、組成物中に１０重量％までの総量で存在する１以上イオン性液体とを含む水素化触媒組成物である。特定の実施態様では、当触媒組成物は、元素質量ベースで計算して、０．０５重量％～０．２５重量％、例えば０．０８重量％～０．２５重量％、または０．１重量％～０．２５重量％の量で組成物中に存在する少なくとも１つの促進剤（例えば銀）をさらに含む。この態様では、当担体は、１０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積、および少なくとも０．１ｍＬ／ｇの細孔容積を有する。当担体のＢＥＴ表面積および細孔容積は、別に上記の通りである。
【0101】
本発明の別の態様は、水素化触媒組成物であって、当組成物中に９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で存在する多孔質担体と、元素質量ベースで計算して少なくとも０．０２重量％の範囲内の量で当組成物中に存在するパラジウムと、１０重量％までの総量で当組成物中に存在する１以上のイオン性液体とを含み、ここで水素化触媒組成物は、１０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積および少なくとも０．０５ｍＬ／ｇの細孔容積を有する。本発明者らは、比較的少量のイオン性液体での含浸が、当触媒中に残存する実質的な細孔容積を提供することを見出した。すなわち、水銀ポロシメトリーによって到達可能な細孔が、完全には充填されない。
【0102】
特定のそのような実施態様では、当水素化触媒は、少なくとも０．０３重量％、または少なくとも０．０４重量％、または少なくとも０．０５重量％、または少なくとも０．０６重量％、または少なくとも０．０７重量％、または少なくとも０．０８重量％、または少なくとも０．０９重量％、または少なくとも０．１重量％、または少なくとも０．１１重量％、または少なくとも０．１２重量％、または少なくとも０．１３重量％、または少なくとも０．１４重量％、または少なくとも０．１５重量％の量のパラジウムを含む。特定のそのような実施態様では、当水素化触媒組成物は、パラジウムを、０．５重量％以下（例えば、０．４重量％以下、または０．３重量％以下、または０．２重量％以下）の量で含む。例えば、様々な実施態様では、０．０２～０．５重量％、または０．０２～０．４５重量％、または０．０３重量％～０．４重量％、または０．０３～０．３５重量％、または０．０４～０．３重量％、または０．０４～０．２５重量％の範囲内の量のパラジウムを含む。
【0103】
このような水素化触媒は、有利には、本明書記載のように、促進剤を含むことができる。
【0104】
特定の望ましい実施形態では、このような水素化触媒は、２ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、例えば２ｍ２／ｇ～９ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～８ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～７ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～６ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～５ｍ２／ｇ、または３ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または４ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または５ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または６ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～６ｍ２／ｇ、または３ｍ２／ｇ～７ｍ２／ｇ、または４ｍ２／ｇ～８ｍ２／ｇ、または５ｍ２／ｇ～９ｍ２／ｇの範囲内のＢＥＴ表面積を有する。
【0105】
特定の望ましい実施形態では、このような水素化触媒は、０．０５ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば０．０５ｍＬ／ｇ～０．４ｍＬ／ｇの範囲の細孔容積を有する。特定のこのような実施形態では、当水素化触媒は、０．１０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば０．１０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．３０ｍＬ／ｇの範囲内、または０．２０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば０．２０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．２０ｍＬ／ｇ～０．３５ｍＬ／ｇの範囲内、または０．４０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば０．４０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．４０ｍＬ／ｇ～０．６０ｍＬ／ｇの範囲内の細孔容積を有する。
【0106】
望ましくは、本開示の触媒は、当担体の細孔容積を完全に満たさない量のイオン性液体を含む。例えば、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当担体の細孔容積および当触媒（すなわち、パラジウム、任意の促進剤およびイオン性液体を含む）の細孔容積との間の差異は、当担体の細孔容積の１０～９０％のである。特定のそのような実施態様では、当該差異は、当担体の細孔容積の２０～９０％、例えば、３０～９０％または４０～９０％である。特定のそのような実施態様では、当該差異は、当担体の細孔容積の１０～８０％、例えば、２０～８０％、または３０～８０％、または４０～８０％の範囲である。特定のそのような実施態様では、当該差異は、当担体の細孔容積の１０～７０％、例えば、２０～７０％、または３０～７０％、または４０～７０％の範囲である。特定のそのような実施態様では、当該差異は、当担体の細孔容積の１０～６０％、例えば、２０～６０％、または３０～６０％、または４０～６０％の範囲である。
【0107】
本開示の当触媒は、種々の量のイオン性液体を含むことができる。例えば、特定の実施態様において、本明細書に記載のように、当イオン性液体は、０．１重量％～１０重量％、例えば０．１重量％～８重量％、又は０．１重量％～６重量％、又は０．１重量％～４重量％、又は０．１～３重量％、又は０．１重量％～２重量％、又は０．１重量％～１重量％、例えば０．２～３重量％、又は０．５～４重量％の範囲の量で存在する。
【0108】
本開示のこれらの態様による当触媒は、本開示の方法において有用な触媒に関して上述したとおりであり得る。さらに、本発明のこの態様による触媒は、本明細書記載のようにな方法のいずれにおいても使用することができる。
【0109】
本明細書に記載されるプロセスおよび材料は、フロントエンド用途において特に有用であり得る。しかしながら、当業者であれば、それらは、様々な他の用途、特に暴走の危険性（例えば、高い水素濃度による）が問題である用途に使用できることを理解する。
【実施例】
【0110】
以下の実施例は、本発明の特定の実施形態、およびその様々な使用を例示するものである。それらは説明の目的のためだけに記載されていて本発明を限定するものとして解釈されるべきではない。
実施例１ 選択的水素化触媒の調製
実施例１ 選択的水素化触媒の調製
【0111】
５±２ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有するα―アルミナ多孔質担体（４ｍｍ錠剤）を、銀塩およびパラジウム塩の水溶液で含浸させ、空気中で最低２６０℃で２時間焼成した。銀塩水溶液中の銀含有量およびパラジウム塩水曜で期中のパラジウム含有量は、最終的な焼成された含浸担体が、０．０５０±０．００５重量％のパラジウムおよび０．０７０±０．００５重量％の銀を有するように、調整された。パラジウムは、多孔質担体の外側５００μｍ内に局在した。金属含浸担体の細孔容積は、０．２６ｍＬ／ｇであった。
【0112】
焼成した含浸担体を、当乾燥含浸担体上に約０．５重量％のイオン性液体（ＩＬ）の水溶液でさらに含浸させた。得られた物質を、最大１５０℃で、２時間乾燥させて、触媒Ａ１を得た。当触媒の細孔容積は、０．２３ｍＬ／ｇであった。
【0113】
触媒Ａ２は、触媒Ａ１と同様の方法で調製した。また、ＩＬを含まず、触媒Ａ１およびＡ２よりもさらに少ないＰｄ担持量を有する、比較触媒Ｃを提供した。
【0114】
【表1】
【0115】
実施例１に従って調製した触媒を、反応器管中の１５ｍＬ触媒床に入れた。フィードガス混合物を反応器に導入する前に、９４℃で１時間、＞５００ｈ―１のガス空間速度で、水素流中で還元した。２００ｐｐｍのＣＯ、１９モル％のＨ２、０．３５モル％のＣ２Ｈ２、３０モル％のＣ２Ｈ４、４５モル％のＣＨ４及び残りの窒素を含む混合気体を、全圧５００ｐｓｉｇ、７，０００ｈ―１のＧＨＳＶで、触媒床上に通した。当触媒床は、ウォータバスを用いて、４０℃から開始して、２～５℃の間隔で加熱された。アセチレンとエタンの濃度は、反応器出口でモニターされ、図１に示される。図１に示すように、反応器出口でのアセチレンの濃度が２５ｐｐｍに低下する温度（すなわち、活性の指標；Ｔ１）は、触媒Ａ１とＣで類似しているが、しかし、触媒Ａ１の操作ウィンドウ（すなわち、暴走温度、Ｔ２（反応器出口でのエタンの濃度が２モル％に達する温度）およびＴ１の差は、触媒Ｃよりも、それぞれ７１℃と２１℃と、有意に大きい。
実施例３ ＣＯスウィング試験
実施例３ ＣＯスウィング試験
【0116】
実施例１に従って調製した触媒を、反応器管中の１５ｍＬ触媒床に入れた。原料ガスを、反応器に導入する前に、９４℃で１時間、＞５００ｈ―１のガス空間速度で、水素流中で還元した。２００ｐｐｍのＣＯ、０．５モル％のＣ２Ｈ２、１９モル％のＨ２、２６モル％のＣ２Ｈ４、４０モル％のＣＨ４および残りの窒素を含む混合ガスを、７，０００ｈ―１のＧＨＳＶで、触媒床上に通した。当触媒床を、反応器出口で２０～３０ｐｐｍのアセチレン濃度を提供するのに十分な温度に加熱した。当プロセスのエチレン選択率を、反応器出口で連続的にモニターし、図２に示す。
【0117】
流れの２５時間および４５時間で、当ガス混合物のＣＯ濃度を、反応器床の温度を低下させることなく、６０ｐｐｍに低下させた。流れの２８５時間で、当ガス混合物のＣＯ濃度を３４０ｐｐｍまで増加させ、反応器床の温度は９５％アセチレン転化率を得られるよう調節された。その後、ＣＯ濃度を６０ｐｐｍに低下させ、次いで２００ｐｐｍに上昇させた。流れの３０８時間で、流れの２８５時間で行われたサイクルを繰り返した。図２に示される結果は、ＣＯ濃度の変動後の触媒Ａ１のエチレン選択率の回復が、触媒Ｃのそれよりも有意に良好であることを示す。さらに、当結果は、触媒Ａ１の選択率が、ＣＯの高濃度および低濃度の両方において、触媒Ｃのそれよりも高く維持されることを示す。
実施例４ 選択的水素化
実施例４ 選択的水素化
【0118】
実施例１に従って調製した触媒を、反応器管中の１５ｍＬ触媒床に入れた。原料ガスを反応器に導入する前に、９４℃で１時間、＞５００ｈ―１のガス空間速度で、水素流中で還元した。３５０ｐｐｍのＣＯ、１７モル％のＨ２、０．６９モル％のＣ２Ｈ２、４７モル％のＣ２Ｈ４、１１モル％のＣＨ４、４モル％のプロピレン、０．０９８ｐｐｍのプロパジエン、０．１３ｐｐｍのメチルアセチレン、および１３０ｐｐｍの１，３―ブタジエンをを含む混合気体を、５００ｐｓｉｇの全圧で、４，５００ｈ―１または１３，０００ｈ―１のいずれかのＧＨＳＶで、触媒床上を通過させた。触媒床を、ウォーターバスを用いて、５℃ずつ加熱した。アセチレン転化率およびエチレン選択率は反応器出口で連続的にモニターされ、図３に示される。特に、４，５００ｈ―１に対して１３，０００ｈ―１のＧＨＳＶで所望のアセチレン転化率を維持するために必要な温度の上昇は、触媒Ｃでは１０～１２℃であるが、触媒Ａ１では８～１０℃に過ぎない。さらに、１３，０００ｈ－１では、アセチレン転化率が９５％と高い場合、触媒Ａ１のエチレン選択率は９５％を超えたままであり、アセチレン転化率が９９％を超えて維持された場合、触媒Ａ１のエチレン選択率は５０％を超えたままであった。
実施例５ 選択的水素化
実施例５ 選択的水素化
【0119】
実施例１に従って調製した触媒を、反応器管中の１５ｍＬ触媒床に入れた。フィードガス混合物を反応器に導入する前に、９４℃で１時間、＞５００ｈ―１のガス空間速度で、水素流中で還元した。２００ｐｐｍのＣＯ、１９モル％のＨ２、０．３５モル％のＣ２Ｈ２、３０モル％のＣ２Ｈ４、４５モル％のＣＨ４、および残りの窒素を含むガス混合物を、全圧５００ｐｓｉｇで、７，０００ｈ―１または２８，０００ｈ―１のいずれかのＧＨＳＶで、触媒床上に通した。当触媒床を、４０℃から開始して２～５℃ずつ、水浴を用いて加熱した。アセチレン転化率およびエチレン選択率は反応器出口で連続的にモニターされ、図４に示される。特に、２８，０００ｈ―１での触媒Ａ２のエチレン選択率は、わずか７，０００ｈ―１での触媒Ｃのそれと近く、すなわち、プロセス容量は、触媒Ａ２について約４倍高かった。
実施例６ ＣＯ前処理なしの反応器始動
実施例６ ＣＯ前処理なしの反応器始動
【0120】
市販のフロントエンド選択的水素化プラントは、典型的には、エチレンのエタンへの非選択的水素化であることから、プロセスガスが最初に反応器に導入されるときは、反応器温度が熱暴走するのを防止するために、始動時に触媒床をＣＯで前処理することを必要とする。
【0121】
一連の始動試験を、ＣＯ前処理なしで、触媒Ａ１を使用し、実験室規模の試験ユニットで、実施し、当触媒のＣＯガス前処理を伴うベースケースと比較した。当試験は、７０００ｈ―１のＧＨＳＶ値で行った。
【0122】
当実験室規模試験における比較用開始プロセスは、９４℃で１時間のＨ２還元を含み、続いて、全てのフィードガスを流す前のＣＯ前処理パージを含んでいた。この比較試験では、ＣＨ４ガス中の１％ＣＯを使用して、３０℃で２０分間、システムをパージし、反応器を３５バールに加圧し、次いで、０．０２％のＣＯ、２０％のＨ２、３５００ｐｐｍのＣ２Ｈ２、および２７％のＣ２Ｈ４を含有するフィードガスは、３５バールにて供給された。ウォーターバスの温度は３０℃として、触媒床の頂部および底部の温度を試験中モニターした。データは図５に示される。第一温度点は、ＣＯ／ＣＨ４ガスのみでの圧力上昇が始まった時点であった。ＣＯ／ＣＨ４での加圧は１～２分かかった。最初に、２～３℃の発熱が約５分間あった。３０℃および３５バールでのフィードガスの導入は、有意な発熱を引き起こさなかった。反応器出口ガス試料を、触媒床温度が安定してから１５分後、分析した。出口エタン濃度は、１２０ｐｐｍで安定であって、入口フィードからであった。
【0123】
次に、ＣＯ／ＣＨ４前処理をＮ２前処理に置き換えた以外は、実質的に同じ方法で始動試験を繰り返し、続いて、フィードガスを大気圧で導入し、フィードガスを用いて７０００ｈ―１ＧＨＳＶの流量で反応器を加圧した。ウォーターバス温度は３０℃として、頂部および底部温度を試験中モニターした。３５バールの目標圧力に達するのに約１０分かかった。データを図６に示す。
【0124】
１０分間の昇圧期間中に、２～３℃の発熱が観察され、反応器出口のガスサンプルを分析したところ、気体流が３５バールで安定化した後、頂部温度および底部温度の両方が３０℃未満に戻り、２％を超えるエタンを示した。この最初のエタン形成は、反応器が３５バールに達する前の加圧中に反応器からの流れがなかったことによるものであった。入口流および出口流が３５バールで安定化された後の出口試料の連続分析は、反応器出口でのエタン含量が約１２０ｐｐｍに低下したことを示し、反応器中でのエタンの持続的な形成がないことを示した。
【0125】
別の始動試験として、今回は、水素還元とフィードガス導入との間のＮ２パージを省略して行った。代わりに、当触媒を、０．０２％のＣＯ、２０％のＨ２、３５００ｐｐｍのＣ２Ｈ２、および２７％のＣ２Ｈ４ＣＯを含有するフィードガスで２０分間パージした後、フィードガスで３５バールまで加圧した。これは、プラント条件での始動前のガスの再循環をシミュレートするために行われた。加圧開始時に温度測定が開始され、データは図７に示される。２０分間のフィードパージ中に温度変化はなかったことが分かる。圧力上昇中に上部と下部の両方の温度が上昇し始め、上部の温度が下部の温度をわずかに超えた。この温度スパイク中のエタン形成は、約１０％であった。温度は、最終的に１０分後に正常に戻った。エタン形成は、１２０ｐｐｍで安定になるまで、試験を通して減少し続けた。
【0126】
最後に、上記のようにパージするためにフィードガスを使用する始動手順を触媒Ｃに適用した。図８は、始動試験中の触媒床温度変化およびエタン形成を示す。フィードが導入されると、温度測定が開始された。圧力上昇前に上部温度が上昇し始め、圧力上昇の開始時に底部温度を超えた。圧力上昇と連続ガス流が施された後、上部温度はわずかに低下したが、その後、３６°Ｃで安定するまで上昇を続けた。上部温度は、３０°未満に戻らなかった。この間のエタン生成は～１６％で安定であり、持続的な熱暴走を示した。
【0127】
従って、上記の始動実験は、イオン性液体を含む触媒は、ＣＯ前処理をしなくても、熱暴走の危険性が低くすることを示す。
実施例７ 一酸化炭素濃度に対する非感受性
実施例７ 一酸化炭素濃度に対する非感受性
【0128】
一酸化炭素濃度に対する感受性の試験を等温条件下で行った。注目すべきことに、触媒Ａ１の選択率は、一酸化炭素濃度に対して比較的鈍感であったが、触媒Ｃ感受性は、一酸化炭素濃度に対してはるかに敏感であった。断熱システムでは、より低いＣＯ濃度での増加したエチレン水素化からの発熱増加が、選択率をさらに低下させ、潜在的に発熱暴走を引き起こす。注目すべきことに、これらのデータは、本明細書中に記載される触媒は、低ＣＯ濃度においてさえ、多種多様な条件下で使用され得ることを示す。
【0129】
本明細書に示されている詳細は、例として、本発明の好ましい実施形態の例示的な議論の目的のためのみであり、本発明の様々な実施形態の原理および概念的態様の最も有用であり、容易に理解される説明であると考えられるものを提供する原因において提示される。この点に関して、本発明の基本的な理解のために必要である以上に詳細に、本発明の構造的詳細を示す試みはなされておらず、図面および／または例を用いてなされた説明は、本発明のいくつかの形態が実際にどのように具現化され得るかを当業者に明らかにする。したがって、開示されたプロセスおよびデバイスが説明される前に、本明細書で説明された態様は、特定の実施形態、装置、または構成に限定されず、したがって、もちろん、変更することができることが理解できる。本明細書で使用される用語は、特定の態様のみを説明する目的のためであり、本明細書で特に定義されない限り、限定することを意図しないことも理解されるべきである。
【0130】
用語「ａ」、「ａｎ」、「Ｔｈｅ」および本発明を説明する文脈において（特に以下の特許請求の範囲の文脈において）使用される同様の指示対象は本明細書において特に示されない限り、または文脈によって明らかに矛盾しない限り、単数形および複数形の両方を包含するように解釈されるべきである。本明細書における値の範囲の引用は単に、範囲内にあるそれぞれの別個の値を個々に参照する短縮方法としての役割を果たすことが意図される。本明細書において特に示されない限り、それぞれの個々の値は本明細書に個々に引用されるかのように組み込まれる。範囲が本明細書において、１つの特定の値「約」から、および／または別の特定の値「約」までとして表現され得る。このような範囲が表現される場合、別の態様は１つの特定の値および／または他の特定の値までを含む。同様に、値が近似として表現される場合、先行する「約」を使用することによって、特定の値が別の態様を形成することが理解される。範囲の始点及び終点はそれぞれ他方の点（終点及び始点）との関連において重要な意味を持ち、且つ、当該他方の点とは独立した意味を有している。
【0131】
本明細書に記載される全ての方法は本明細書に別段の指示がない限り、または文脈によって明らかに矛盾しない限り、任意の適切なステップの順序で実行することができる。本明細書で提供される任意のおよびすべての例、または例示的な言語（例えば、「そのような」）の使用は、単に本発明をより明確にすることを意図したものであり、そわなければ特許請求される本発明の範囲を限定するものではない。本明細書におけるいかなる言語も、本発明の実施に不可欠な請求項されていない要素を示すものと解釈されるべきではない。
【0132】
文脈が別途明確に要求しない限り、明細書および特許請求の範囲を通じて、「含む」、「含んでいる」などの語は、排他的または網羅的な意味ではなく、包括的な意味で解釈されるべきであり、すなわち、「含むがこれに限定されない」という意味で解釈されるべきである。単数または複数を使用する語は、それぞれ、複数および単数も含む。加えて、本明細書で使用される場合、「本明細書」、「上」および「下」という語、ならびに同様の意味の語は本出願で使用される場合、本出願全体を指し、本出願の任意の特定の部分を指すものではない。
【0133】
当業者によって理解されるように、本明細書に開示される各実施形態は、その特定の記載された要素、工程、成分または成分を含むか、それらから本質的になるか、またはそれらからなることができる。本明細書で使用されるように、遷移用語「含む」または「含む」は限定されるものではないが、主要な量であっても、特定されていない要素、工程、成分、または成分を含むことを可能にすることを意味する。遷移語句「からなる」は特定されていない任意の要素、工程、成分、または成分を除外する。遷移語句「から本質的になる」は実施形態の範囲を、特定された要素、工程、成分、または成分、および実施形態に実質的に影響を及ぼさないものに限定する。
【0134】
特に断らない限り、本明細書および特許請求の範囲で使用される成分の量、分子量、反応条件などの特性を表すすべての数字はすべての場合において「約」という用語によって修飾されるものと理解されるべきである。したがって、反対に示されない限り、本明細書および添付の特許請求の範囲に記載される数値パラメータは、本発明によって得られるように求められる所望の特性に応じて変化そのような近似である。最低限でも、特許請求の範囲への均等論の適用を限定する試みとしてではなく、各数値パラメータは、少なくとも、報告された有効数字の数を考慮して、通常の丸め技法を適用することによって解釈されるべきである。さらなる明確性が必要とされる場合、用語「約」は記載された数値または範囲と併せて使用される場合、すなわち、記載された値または範囲よりもいくらか多いかまたはいくらか少ないことを、当該技術分野における不確実性および不正確性の通常の範囲内で示す場合、当業者によって合理的に帰属される意味を有する。
【0135】
本発明の広い範囲を記載する数値範囲およびパラメータは近似値であるにもかかわらず、特定の実施例に記載される数値は、可能な限り正確に報告される。しかしながら、任意の数値は、それらのそれぞれの試験測定において見出される標準偏差から必然的に生じる特定の誤差を本質的に含む。
【0136】
本明細書に開示される本発明の代替要素または実施形態のグループ化は、限定として解釈されるべきではない。各グループメンバーは個々に、またはグループの他のメンバーまたは本明細書中に見出される他の要素との任意の組み合わせで、言及され、そして特許請求され得る。グループの１以上のメンバーは便利さおよび／または特許性の理由から、グループに含まれてもよく、またはグループから削除されてもよいことが予想される。
【0137】
本発明を実施するための本発明者らに知られている最良の形態を含めて、本発明のいくつかの実施形態を本明細書に記載する。もちろん、これらの説明された実施形態の変形は、前述の説明を読めば当業者には明らかである。本発明者らは、当業者がそのような変形を適切に使用することを期待し、本発明者らは、本明細書に具体的に記載されている以外の方法で本発明を実施することを意図している。従って本発明は準拠法で許されているように、本明細書に添付された請求項に記載の内容の修正および均等物をすべて含む。更に、上述の要素のあらゆる可能な変形でのあらゆる組み合わせが、本明細書に別段の指示がない限り、または明らかに文脈に矛盾しない限り、本発明に包含される。
【0138】
さらに、本明細書全体を通して、特許および印刷された刊行物について、多くの参照がなされている。引用された参考文献および印刷された刊行物の各々は、その全体が参照により本明細書に個々に組み込まれる。
【0139】
最後に、本明細書に開示される本発明の実施形態は、本発明の原理の例示である。採用され得る他の修正は、本発明の範囲内である。したがって、限定ではなく例として、本発明の代替構成を、本明細書の教示に従って利用することができる。したがって、本発明は、正確に図示され説明されたものに限定されるものではない。
【0140】
本開示のさらなる実施形態は、以下に列挙される実施形態によって提供され、これらは任意の数で、論理的および技術的に一貫性のある任意の様式で組み合わせることができる。
【0141】
実施形態１ アセチレンを選択的に水素化するための方法であって、当該方法は、多孔質担体、パラジウム、および少なくとも１のイオン性液体を含む触媒組成物を、
少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；
少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；
プロセスガス中に少なくとも５モル％存在する水素、及び
０ｐｐｍ～１９０ｐｐｍの一酸化炭素を含むプロセスガスと接触させることを含む、
ここで、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの総量の１モル％以下がエタンに変換される。
少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；
少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；
プロセスガス中に少なくとも５モル％存在する水素、及び
０ｐｐｍ～１９０ｐｐｍの一酸化炭素を含むプロセスガスと接触させることを含む、
ここで、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの総量の１モル％以下がエタンに変換される。
【0142】
実施形態２ アセチレンを選択的に水素化するための方法であって、当該方法は、多孔質担体、パラジウム、および少なくとも１のイオン性液体を含む触媒組成物を、
少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；
少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；
プロセスガス中に少なくとも５モル％存在する水素、及び
少なくとも６００ｐｐｍの一酸化炭素を含むプロセスガスと接触させること、を含む、
ここで、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの総量の１モル％以下がエタンに変換される。
少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；
少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；
プロセスガス中に少なくとも５モル％存在する水素、及び
少なくとも６００ｐｐｍの一酸化炭素を含むプロセスガスと接触させること、を含む、
ここで、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの総量の１モル％以下がエタンに変換される。
【0143】
実施形態３ プロセスガスが、２，０００ｈ－１から４０，０００ｈ－１の範囲内のガス空間速度（ＧＨＳＶ）で触媒と接触される、実施形態１または２に記載の方法。
【0144】
実施形態４ アセチレンを選択的に水素化するための方法であって、当該方法は、多孔質担体、パラジウム、および１以上のイオン性液体を含む触媒組成物を、
少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；
少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；および、
プロセスガス中に少なくとも５モル％存在する水素、を含むプロセスガスと接触させることを含む、
ここで、プロセスガスは、少なくとも７，１００ｈ－１（例えば、７，５００ｈ－１から４０，０００ｈ－１）の触媒床総体積（すなわち、１の床または複数の床）に基づくガス空間速度（ＧＨＳＶ）で当触媒と接触され；および、
ここで、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの合計の１モル％以下がエタンに変換される。
少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在するエチレン；
少なくとも１ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在するアセチレン；および、
プロセスガス中に少なくとも５モル％存在する水素、を含むプロセスガスと接触させることを含む、
ここで、プロセスガスは、少なくとも７，１００ｈ－１（例えば、７，５００ｈ－１から４０，０００ｈ－１）の触媒床総体積（すなわち、１の床または複数の床）に基づくガス空間速度（ＧＨＳＶ）で当触媒と接触され；および、
ここで、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９０％が水素化され、プロセスガス中に存在するアセチレンおよびエチレンの合計の１モル％以下がエタンに変換される。
【0145】
実施形態５ 一酸化炭素は、最大２０，０００ｐｐｍ、例えば、最大１０，０００ｐｐｍ、または最大５，０００ｐｐｍ、または最大２，５００ｐｐｍ、または最大１，２００ｐｐｍ、または最大１，０００ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在する、請求項４に記載の方法。
【0146】
実施形態６ 一酸化炭素は、１００ｐｐｍまで、または５００ｐｐｍまで、または１，０００ｐｐｍまで、または５，０００ｐｐｍまで、または１０ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍの範囲、または１０ｐｐｍ～１，２００ｐｐｍの範囲、または１０ｐｐｍ～５００ｐｐｍの範囲、または５０ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍの範囲、または５０ｐｐｍ～１，２００ｐｐｍの範囲、または５０ｐｐｍ～５００ｐｐｍの範囲、または７５ｐｐｍ～１，２００ｐｐｍの範囲、または７５ｐｐｍ～５００ｐｐｍの範囲でプロセスガス中に存在する、請求項４に記載の方法。
【0147】
実施形態７ 一酸化炭素は、１９０ｐｐｍまで、例えば１７５ｐｐｍまで、または１ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１９０ｐｐｍ、または１ｐｐｍ～１７５ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～１７５ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１７５ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１７５ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１７５ｐｐｍ、または１００ｐｐｍ～１７５ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１、３、および４のいずれかに記載の方法。
【0148】
実施形態８ 一酸化炭素は、１５０ｐｐｍまで、例えば、１４０ｐｐｍまで、例えば、１ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または１ｐｐｍ～１４０ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～１４０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１４０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１４０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１４０ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１４０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１、３、および４のいずれかに記載の方法。
【0149】
実施形態９ 一酸化炭素は、プロセスガス中に、１２５ｐｐｍまで、例えば、１１５ｐｐｍまで、例えば、１ｐｐｍ～１２５ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～１２５ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１２５ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１２５ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１２５ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１２５ｐｐｍ、または１ｐｐｍ～１１５ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～１１５ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１１５ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１１５ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１１５ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１１５ｐｐｍの範囲内で存在する、実施形態１、３および４のいずれかに記載の方法。
【0150】
実施形態１０ 一酸化炭素は、１１０ｐｐｍまで、例えば、１００ｐｐｍまで、例えば、１ｐｐｍ～１１０ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～１１０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１１０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１１０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１１０ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１１０ｐｐｍ、または１ｐｐｍ～１００ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～１００ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～１００ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１００ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１、３、および４のいずれかに記載の方法。
【0151】
実施形態１１ 一酸化炭素は、９５ｐｐｍまで、例えば、９０ｐｐｍまで、例えば、１ｐｐｍ～９５ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～９５ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～９５ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～９５ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～９５ｐｐｍ、または１ｐｐｍ～９０ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～９０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～９０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～９０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～９０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１、３、および４のいずれかに記載の方法。
実施形態１２ 一酸化炭素は、８５ｐｐｍまで、例えば、８０ｐｐｍまで、例えば、１ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または１ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～８０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１、３、および４のいずれかに記載の方法。
実施形態１２ 一酸化炭素は、８５ｐｐｍまで、例えば、８０ｐｐｍまで、例えば、１ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～８５ｐｐｍ、または１ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または５ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または２５ｐｐｍ～８０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～８０ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１、３、および４のいずれかに記載の方法。
【0152】
実施形態１３ プロセスガスを供給するためにフィードガス流に一酸化炭素を添加しない、実施形態１～１２のいずれかに記載の方法。
【0153】
実施形態１４ 一酸化炭素は、６００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または６００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または６００ｐｐｍ～１２，５００ｐｐｍ、または７００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～７，５００ｐｐｍ、または９００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍ、または７００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態２～４のいずれかに記載の方法。
【0154】
実施形態１５ 一酸化炭素は、８００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～２，５００ｐｐｍ、または８００ｐｐｍ～１，５００ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態２～４のいずれかに記載の方法。
【0155】
実施形態１６ 一酸化炭素は、１，０００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または１，０００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または１，０００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または１，０００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍ、または１，０００ｐｐｍ～２，５００ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態２～４のいずれかに記載の方法。
【0156】
実施形態１７ 一酸化炭素は、１，５００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または１，５００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または１，５００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または１，５００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態２～４のいずれかに記載の方法。
【0157】
実施形態１８ 一酸化炭素は、２，０００ｐｐｍ～２０，０００ｐｐｍ、または２，０００ｐｐｍ～１５，０００ｐｐｍ、または２，０００ｐｐｍ～１０，０００ｐｐｍ、または２，０００ｐｐｍ～５，０００ｐｐｍの範囲内の量でプロセスガス中に存在する、実施形態２～４のいずれかに記載の方法。
【0158】
実施形態１９ プロセスガスが少なくとも７，１００ｈ―１、例えば、７，１００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または７，１００ｈ―１～３０，０００ｈ―１、または７，１００ｈ―１～２０，０００ｈ―１の範囲内のＧＨＳＶで触媒と接触される、実施形態１、２、および４～１８のいずれかに記載の方法。
【0159】
実施形態２０ 少なくとも７，５００ｈ―１、例えば、７，５００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または７，５００ｈ―１～３０，０００ｈ―１、または７，５００ｈ―１～２０，０００ｈ―１の範囲内のＧＨＳＶでプロセスガスを触媒と接触させる、実施形態１、２および４～１８のいずれかに記載の方法。
【0160】
実施形態２１ プロセスガスが、少なくとも１０，０００ｈ―１、例えば、１０，０００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または１０，０００ｈ―１～３０，０００ｈ―１、または１０，０００ｈ―１～２０，０００ｈ―１の範囲内のＧＨＳＶでプロセスガスを触媒と接触させる、実施形態１、２および４～１８のいずれかに記載の方法。
【0161】
実施形態２２ 少なくとも１２，５００ｈ―１、例えば１２，５００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または１２，５００ｈ―１～３０，０００ｈ―１、または１２，５００ｈ―１～２０，０００ｈ―１の範囲内のＧＨＳＶでプロセスガスを触媒と接触させる、実施形態１、２および４～１８のいずれかに記載の方法。
【0162】
実施形態２３ 少なくとも１５，０００ｈ―１、例えば、１５，０００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または１５，０００ｈ―１～３０，０００ｈ―１、または１５，０００ｈ―１～２０，０００ｈ―１の範囲内のＧＨＳＶで、当プロセスガスを当触媒と接触させる、実施形態１、２および４～１８のいずれかに記載の方法。
【0163】
実施形態２４ 少なくとも２０，０００ｈ―１、例えば、２０，０００ｈ―１～４０，０００ｈ―１、または２０，０００ｈ―１～３０，０００ｈ―１の範囲内のＧＨＳＶで、当プロセスガスを当触媒と接触させる、実施形態１、２、および４～１８のいずれかに記載の方法。
【0164】
実施形態２５ 選択的水素化が、２０℃～１４０℃の範囲内の温度で行われる、実施形態１～２４のいずれかに記載の方法。
【0165】
実施形態２６ 選択的水素化が、４０℃～１００℃の範囲内の温度で行われる、実施形態１～２４のいずれかに記載の方法。
【0166】
実施形態２７ 選択的水素化が、４０℃～９０℃の範囲内の温度で行われる、実施形態１～２４のいずれかに記載の方法。
【0167】
実施形態２８ 選択的水素化が、５０℃～９０℃の範囲内の温度で行われる、実施形態１～２４のいずれかに記載の方法。
【0168】
実施形態２９ 選択的水素化が、５０℃～１００℃の範囲内の温度で行われる、実施形態１～２４のいずれかに記載の方法。
【0169】
実施形態３０ 選択的水素化が、２０℃～１３０℃の範囲内、例えば、２０℃～１２０℃、または２０℃～１１０℃、または２０℃～１００℃、または２０℃～９０℃の範囲内の温度で行われる、実施形態１～２４のいずれかに記載の方法。
【0170】
実施形態３１ 選択的水素化が、４０℃～１４０℃、例えば、４０℃～１３０℃、または４０℃～１２０℃、または４０℃～１１０℃の範囲内の温度で行われる、実施形態１～２４のいずれかに記載の方法。
【0171】
実施形態３２ 選択的水素化が、５０℃～１４０℃、例えば５０℃～１３０℃、または５０℃～１２０℃、または５０℃～１１０℃の範囲内の温度で行われる、実施形態１～２４のいずれかに記載の方法。
【0172】
実施形態３３ 選択的水素化が、６０℃～１４０℃、例えば、６０℃～１３０℃、または６０℃～１２０℃、または６０℃～１１０℃、または６０℃～１００℃、または６０℃～９０℃の範囲内の温度で行われる、実施形態１～２４のいずれかに記載の方法。
【0173】
実施形態３４ プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９５％、例えば、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９６％、または少なくとも９７％、または少なくとも９７．５％が水素化される、実施形態１～３３のいずれかに記載の方法。
【0174】
実施形態３５ プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９８％、例えば、プロセスガス中に存在するアセチレンの少なくとも９８．５％、または少なくとも９９％が水素化される、実施形態１～３３のいずれかに記載の方法。
【0175】
実施形態３６ プロセスガス中に存在するアセチレンの実質的に全てが水素化される、実施形態１～３３のいずれかに記載の方法。
【0176】
実施形態３７ 選択的水素化の生成物中のエタンの量が、プロセスガス中のエタンの量の１モル％以下である、実施形態１～３６のいずれかに記載の方法。
【0177】
実施形態３８ 選択的水素化の生成物中のエタンの量が、プロセスガス中のエタンの量の０．９モル％以下、例えば０．８モル％以下である、実施形態１～３６のいずれかに記載の方法。
【0178】
実施形態３９ 選択的水素化の生成物中のエタンの量が、プロセスガス中のエタンの量の０．７モル％以下、例えば０．６モル％以下である、実施形態１～３６のいずれかに記載の方法。
【0179】
実施形態４０ 選択的水素化の生成物中のエタンの量が、プロセスガス中のエタンの量の０．５モル％以下である、実施形態１～３６のいずれかに記載の方法。
【0180】
実施形態４１ 選択的水素化の生成物中のエタンの量が、プロセスガス中のエタンの量の０．２モル％以下で実施形態１～３６のいずれかに記載の一方法。
【0181】
実施形態４２ 選択的水素化の生成物中のエタンの量が、プロセスガス中のエタンの量の０．１モル％以下で実施形態１～３６のいずれかに記載の一方法。
【0182】
実施形態４３ 選択的水素化の生成物中のエタンの量が、プロセスガス中のエタンの量の０．０５モル％以下で実施形態１～３６のいずれかに記載の一方法。
【0183】
実施形態４４ エチレンが、１０モル％～７０モル％、または１５モル％～６０モル％、または１５モル％～５０モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４４のいずれかに記載の方法。
【0184】
実施形態４５ エチレンが、少なくとも２０モル％、例えば、２０モル％～７０モル％、または２０モル％～６０モル％、または２０モル％～５０モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４４のいずれかに記載の方法。
【0185】
実施形態４６ エチレンが、少なくとも３０モル％、例えば、３０モル％～７０モル％、または３０モル％～６０モル％、または３０モル％～５０モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４４のいずれかに記載の方法。
【0186】
実施形態４７ アセチレンが、少なくとも１０ｐｐｍ、例えば、少なくとも５０ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４７のいずれかに記載の方法。
【0187】
実施形態４８ アセチレンが、少なくとも１００ｐｐｍ、例えば、少なくとも５００ｐｐｍの量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４７のいずれかに記載の方法。
【0188】
実施形態４９ アセチレンが、１０ｐｐｍ～２モル％、例えば、１０ｐｐｍ～１モル％、または１０ｐｐｍ～０．５モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４７のいずれかに記載の方法。
【0189】
実施形態５０ アセチレンが、５０ｐｐｍ～２モル％、例えば５０ｐｐｍ～１モル％、または５０ｐｐｍ～０．５モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４７のいずれかに記載の方法。
【0190】
実施形態５１ アセチレンが１００ｐｐｍ～２モル％、例えば、１００ｐｐｍ～１モル％、または１００ｐｐｍ～０．５モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４７のいずれかに記載の方法。
【0191】
実施形態５２ アセチレンが、５００ｐｐｍ～２モル％、または５００ｐｐｍ～１モル％、または５００ｐｐｍ～０．５モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４７のいずれかに記載の方法。
【0192】
実施形態５３ アセチレンが、少なくとも０．１モル％、例えば、少なくとも０．５モル％、または少なくとも１モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４７のいずれかに記載の一方法。
【0193】
実施形態５４ アセチレンは、０．１モル％～２モル％、例えば、０．５モル％～２モル％、または１モル％～２モル％、または０．１モル％～１．５モル％、または０．５モル％～１．５モル％、または１モル％～１．５モル％、または０．１モル％～１モル％、または０．５モル％～１モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～４７のいずれかに記載の方法。
【0194】
実施形態５５ 水素は、少なくとも６モル％、または少なくとも７モル％、または少なくとも８モル％、または少なくとも９モル％、または少なくとも１０モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～５４のいずれかに記載の方法。
【0195】
実施形態５６ 水素は、５モル％～５０モル％、例えば、５モル％～３５モル％、または５モル％～２０モル％、または５モル％～１５モル％、または８モル％～５０モル％、または８モル％～３５モル％、または８モル％～２０モル％、または８モル％～１５モル％、または１０モル％～５０モル％、または１０モル％～３５モル％、または１０モル％～２０モル％、または１０モル％～１５モル％の量でプロセスガス中に存在する、実施形態１～５４のいずれかに記載の方法。
【0196】
実施形態５７ プロセスガスは、分解プロセスの流出物から、脱プロパン装置のオーバーヘッド流から、脱エタン装置のオーバーヘッド流から、またはリファイナーオフガス流から供給される、実施形態１～５６のいずれかに記載の方法。
【0197】
実施形態５８ プロセスガスは、Ｃ１成分（例えば、メタン、一酸化炭素、および二酸化炭素）、Ｃ２成分（例えば、エチレン、エタン、およびアセチレン）およびＣ３成分（例えば、プロパン、プロピレン、プロパン、メチルアセチレン、およびプロパジエン）以外の炭素含有成分を、１０モル％以下（例えば、５モル％以下、または２モル％以下、または１モル％以下）含有する、実施形態１～５７のいずれかに記載の方法。
実施形態５９ プロセスガスは、エチレン、エタン、アセチレン、一酸化炭素、二酸化炭素、およびメタン以外の炭素含有成分を２０モル％以下（例えば、１５モル％以下、１０モル％以下、または５モル％以下）含有する、実施形態１～５７のいずれかに記載の方法。
実施形態６０ 触媒組成物は、触媒組成物中に９０重量％～９９．９重量％、例えば９２．５重量％～９９．９重量％、または９５重量％～９９．９重量％、または９７．５重量％～９９．９重量％の範囲の量で存在する、アルミナ、シリカ、チタニア、およびそれらの混合物から選択される多孔質担体を含む、実施形態１～５９のいずれかに記載の方法。
実施形態５９ プロセスガスは、エチレン、エタン、アセチレン、一酸化炭素、二酸化炭素、およびメタン以外の炭素含有成分を２０モル％以下（例えば、１５モル％以下、１０モル％以下、または５モル％以下）含有する、実施形態１～５７のいずれかに記載の方法。
実施形態６０ 触媒組成物は、触媒組成物中に９０重量％～９９．９重量％、例えば９２．５重量％～９９．９重量％、または９５重量％～９９．９重量％、または９７．５重量％～９９．９重量％の範囲の量で存在する、アルミナ、シリカ、チタニア、およびそれらの混合物から選択される多孔質担体を含む、実施形態１～５９のいずれかに記載の方法。
【0198】
実施形態６１ 多孔質担体は多孔質アルミナ担体、例えば多孔質アルファ―アルミナ担体である、実施形態６０に記載の方法。
【0199】
実施形態６２ 触媒組成物は、少なくとも０．０２重量％、例えば０．０２重量％～０．５重量％、または０．０３重量％～０．４重量％、または０．０４重量％～０．３重量％の量のパラジウムを含む、実施形態１～６１のいずれかに記載の方法。
【0200】
実施形態６３ 触媒組成物は、少なくとも１つのイオン性液を、１０重量％までの総量で含む、実施形態１～６２のいずれかに記載の方法。
【0201】
実施形態６４ 触媒組成物は、少なくとも１のイオン性液体を、０．５重量％～４重量％、又は０．５重量％～３重量％、又は０．５重量％～２の範囲の量で含む、実施形態１～６２のいずれかに記載の方法。
【0202】
実施形態６５ 触媒の外表面におけるイオン性液体のシェル厚さは、１０～２０００μｍ、例えば、１００～１０００μｍ、または１００～８００μｍの範囲である、実施形態１～６４のいずれかに記載の方法。
【0203】
実施形態６６ 少なくとも１のイオン性液体は、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリフラート、１－エチル－３－メチルピリジニウムエチルサルフェート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムトリフラート、１－ブチル－２，３－ジメチルイミダゾリウムトリフラート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリシアノメタン、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムメチルサルフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムオクチルサルフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムエチルサルフェート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムメチルホスホネート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムトリフラート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムテトラシアノボレート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリシアノメタン、１－エチル－３－メチルピリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムテトラシアノボレート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、１－メチル－３－オクチルイミダゾリウムトリフラート、エチルジメチル－（２－メトキシエチル）アンモニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、トリブチルメチルアンモニウムジシアンアミド、トリシクロヘキシルテトラデシルホスホニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、および１－エチル－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、から選択される、実施形態１～６５のいずれかに記載の方法。
【0204】
実施形態６７ 選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、各触媒床を第一温度以下で提供すること、当該触媒床の触媒は、第一ガスと接触し、第一ガスは第一温度で当触媒の存在下で非反応性である；第一ガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は、第一の温度より少なくとも２０度高く、第一ガスは、第二温度で当触媒の存在下で非反応性であり、次いで、当触媒床が少なくとも第二温度である間に、当触媒と接触するガスの組成を第一ガスからプロセスガスの流れに変化させ、反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、プロセスガスを触媒床に流すことを含む。
【0205】
実施形態６８ 反応器の出口におけるアセチレン濃度は、プロセスガスを１以上の触媒床に導入する６時間以内（例えば、４時間以内、または２時間以内）、１ｐｐｍ未満である、実施形態６７に記載の方法。
【0206】
実施形態６９ 各触媒床の触媒が、１００ｐｐｍを超える量の一酸化炭素と反応器中で接触されておらず、当該方法が、プロセスガスに一酸化炭素を添加しないことを含む、実施形態６７または実施形態６８に記載の方法。
【0207】
実施形態７０ 選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、各触媒床を第一温度以下で提供すること、当該触媒床の触媒は、プロセスガスと接触している；
当プロセスガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は、第一温度より少なくとも２０度高く、各触媒床の加熱は少なくとも３℃／時間の範囲の速度で行われる、反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、当プロセスガスを当触媒床に流すこと、を含む。
当プロセスガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度に加熱すること、第二温度は、第一温度より少なくとも２０度高く、各触媒床の加熱は少なくとも３℃／時間の範囲の速度で行われる、反応器の出口でのアセチレンの濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、当プロセスガスを当触媒床に流すこと、を含む。
【0208】
実施形態７１ 当速度は３～２０℃／時間、例えば３～１５℃／時間または３～１２℃／時間の範囲である、実施形態７０に記載の方法。
【0209】
実施形態７２ 当速度は６～２０℃／時、例えば、６～１５℃／時または６～１２℃／時の範囲である、実施形態７０に記載の方法。
【0210】
実施形態７３ 当速度は９～２０℃／時、例えば、９～１５℃／時の範囲である、実施形態７０に記載の方法。
【0211】
実施形態７４：選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、反応器に、第一ガスと接触する触媒を持つ触媒床を供給し、第一ガスは触媒の存在下で第一温度において触媒の存在下で非反応性であり、ここで、当触媒は、２０００ｐｐｍを超える一酸化炭素濃度を有する一酸化炭素含有ガスと反応器中で接触されていない、
プロセスガスの流れを１以上の触媒床に導入すること、および、一酸化炭素をプロセスガスに添加しないこと、を含む。
プロセスガスの流れを１以上の触媒床に導入すること、および、一酸化炭素をプロセスガスに添加しないこと、を含む。
【0212】
実施形態７５ 各々の触媒床の触媒床温を第一温度以下から少なくとも第二温度まで上昇させることをさらに含む、実施形態７４に記載の方法。
【0213】
実施形態７６ プロセスガスが導入される前に、触媒床温度を上昇させる、実施形態７５に記載の方法。
【0214】
実施形態７７ プロセスガスが導入された後に、触媒床温度を上昇させる、請求項７５に記載の方法。
【0215】
実施形態７８ 触媒床温度を上昇させながらプロセスガスを導入する、請求項７５に記載の方法。
【0216】
実施形態７９ 少なくとも第二温度まで昇温した後、反応器流出物が１ｐｐｍ未満（例えば、０．５ｐｐｍ未満）のアセチレンを有するまで、１以上の触媒床にプロセスガスを流すことをさらに含む、実施形態７５～７８のいずれかに記載の方法。
【0217】
実施形態８０ 第一温度が５０℃以下、例えば、３１～５０℃、または３５～５０℃、または４０～５０℃、または４５～５０℃の範囲である、実施形態６７～７９のいずれかに記載の方法。
【0218】
実施形態８１ 第一温度が４５℃以下、例えば３１～４５℃、または３５～４５℃、または４０～４５℃の範囲である、実施形態６７～７９のいずれかに記載の方法。
【0219】
実施形態８２ 第一温度が４０℃以下、例えば３１～４０℃、または３５～４０℃の範囲である、実施形態６７～７９のいずれかに記載の方法。
【0220】
実施形態８３ 第一温度が３０℃以下、または２５℃以下である、実施形態６７～７９のいずれかに記載の方法。
【0221】
実施形態８４ 選択的水素化反応器を始動させる方法であって、当該反応器は、少なくとも１０モル％のエチレン、少なくとも１ｐｐｍのアセチレン、および、少なくとも５モル％の水素を含むプロセスガス中でアセチレンを選択的に水素化するのに適した触媒をそれぞれ含有する１以上の触媒床を収容し、当該方法は、少なくとも５０℃の温度で１以上の触媒床を乾燥させること、次いで、各乾燥触媒床を３１～５０℃の範囲の第一温度まで冷却すること、および、各触媒の触媒を、第一温度でプロセスガスと接触させること；次いで、プロセスガスの存在下で、各触媒床を少なくとも第二温度まで加熱すること、第二温度は第一温度より少なくとも２０度大きく；および、反応器出口でのアセチレン濃度が１ｐｐｍ未満になるまで、プロセスガスを触媒床に流すことを含む。
【0222】
実施形態８５ 第一温度が３５℃～５０℃、例えば４０℃～５０℃、または４５℃～５０℃の範囲内である、実施形態８４に記載の方法。
【0223】
実施形態８６ 第一温度が３１℃～４５℃、例えば３５℃～４５℃、または４０℃～４５℃の範囲内である、実施形態８４に記載の方法。
【0224】
実施形態８７ 第一温度が３１℃～４０℃、例えば３５℃～４０℃の範囲内である、実施形態８４に記載の方法。
【0225】
実施形態８８ 第二温度が４０℃～１４０℃の範囲内である、実施形態６７～８７のいずれかに記載の方法。
【0226】
実施形態８９ 第二温度が４０℃～１００℃の範囲内である、実施形態６７～８７のいずれかに記載の方法。
【0227】
実施形態９０ 第二温度が４０℃～９０℃の範囲内である、実施形態６７～８７のいずれかに記載の方法。
【0228】
実施形態９１ 第二温度が５０℃～９０℃の範囲内である、実施形態６７～８７のいずれかに記載の方法。
【0229】
実施形態９２ 第二温度が５０℃～１００℃の範囲内である、実施形態ｖのいずれかに記載の方法。
【0230】
実施形態９３ 第二温度が２０℃～１３０℃の範囲内、例えば２０℃～１２０℃、または２０℃～１１０℃、または２０℃～１００℃、または２０℃～９０℃の範囲内である、実施形態６７～８７のいずれかに記載の方法。
【0231】
実施形態９４ 第二温度が４０℃～１４０℃、例えば、４０℃～１３０℃、または４０℃～１２０℃、または４０℃～１１０℃の範囲内である、実施形態６７～８７のいずれかに記載の方法。
【0232】
実施形態９５ 第二温度が５０℃～１４０℃、例えば、５０℃～１３０℃、または５０℃～１２０℃、または５０℃～１１０℃の範囲内である、実施形態６７～８７のいずれかに記載の方法。
【0233】
実施形態９６ 第二温度が６０℃～１４０℃、例えば６０℃～１３０℃、または６０℃～１２０℃、または６０℃～１１０℃、または６０℃～１００℃、または６０℃～９０℃の範囲内である、実施形態６７～８７のいずれかに記載の方法。
【0234】
実施形態９７ 第二温度が第一温度よりも少なくとも３０℃高い（例えば、少なくとも４０℃高い）、実施形態６７～９６のいずれかに記載の方法。
【0235】
実施形態９８ 第二温度が第一温度よりも少なくとも５０℃高い（例えば、少なくとも６０℃高い）、実施形態６７～９６のいずれかに記載の方法。
【0236】
実施形態９９ 各々の触媒床の温度を、１０時間以下、例えば６時間以下の時間にわたって、第一温度以下から少なくとも第二温度まで上昇させる、実施形態６７～９８のいずれかに記載の方法。
【0237】
実施形態１００ 第一ガスが、１ｐｐｍ以下（例えば、０５ｐｐｍ以下）のアセチレンを含む、実施形態６７～６９、７４～８３および８８～９９のいずれかに記載の方法。
【0238】
実施形態１０１ プロセスガスが、少なくとも１０ｐｐｍのＣＯを含む、実施形態６７～１００のいずれかに記載の方法。
【0239】
実施形態１０２ プロセスガスが、実施形態１～６６の記載された１以上のものである、実施形態６７～１００のいずれかに記載の一方法。
【0240】
実施形態１０３ 各々の触媒床が、１０時間以下、例えば、６時間以下、例えば、２～１０時間、４～１０時間、または３～６時間の時間にわたって、第一ガスと接触することから、プロセスガスに接触することへと変化する、実施形態６７～６９、７４～８３、および８８～１０２のいずれかに記載の方法。
【0241】
実施形態１０４ 触媒は、実施形態１～６６に記載された１以上のものである、実施形態６７～１０４のいずれかに触媒の方法。
【0242】
実施形態１０５ 床にプロセスガスを導入する前、または、触媒組成物をプロセスガスと接触させる前に、触媒を還元すること（例えば、水素含有ガスの流れで）をさらに含む、実施形態１～１０４のいずれかに記載の方法。
【0243】
実施形態１０６ ９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で組成物中に存在する多孔質担体；元素質量ベースで計算して、０．０２重量％～０．５重量％（例えば、０．０３重量％～０．４重量％、又は０．０４重量％～０．３重量％）の範囲内の量で、組成物中に存在するパラジウム；及び１０重量％までの総量で組成物中に存在する１以上のイオン性液体、を含む水素化触媒組成物。
【0244】
実施形態１０７ パラジウムは、０．０２重量％～０．５重量％、例えば、０．０２重量％～０．４重量％、または０．０２重量％～０．３重量％、または０．０２重量％～０．２重量％、または０．０２重量％～０．１５重量％の範囲内の量で組成物中に存在する、実施形態１０６に記載の触媒組成物。
【0245】
実施形態１０８ パラジウムは、０．０４重量％～０．５重量％、例えば、０．０４重量％～０．４重量％、または０．０４重量％～０．３重量％、または０．０４重量％～０．２重量％、または０．０４重量％～０．１５重量％の範囲内の量で組成物中に存在する、実施形態１０６に記載の触媒組成物。
【0246】
実施形態１０９ パラジウムは、０．０５重量％～０．５重量％、例えば０．０５重量％～０．４重量％、または０．０５重量％～０．３重量％、または０．０５重量％～０．２重量％、または０．０５重量％～０．１５重量％の範囲内の量で組成物中に存在する、実施形態１０６に記載の触媒組成物。
【0247】
実施形態１１０ パラジウムは、０．０６重量％～０．５重量％、例えば、０．０６重量％～０．４重量、または０．０６重量％～０．３重量、または０．０６重量％～０．２重量％、または０．０６重量％～０．１５重量％の範囲内の量で組成物中に存在する、実施形態１０６に記載の触媒組成物。
【0248】
実施形態１１１ パラジウムは、０．０８重量％～０．５重量％、例えば、０．０８重量％～０．４重量％、または０．０８重量％～０．３重量％、または０．０７重量％～０．２重量％、または０．０７重量％～０．１５重量％の範囲内の量で組成物中に存在する、実施形態１０６に記載の触媒組成物。
【0249】
実施形態１１２ ９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で組成物中に存在し、１０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積および少なくとも０．１ｍＬ／ｇの細孔容積を有する多孔質担体；
元素質量ベースで計算して、少なくとも０．０２重量％の範囲内の量で組成物中に存在するパラジウム；および、１０重量％までの総量で組成物中に存在する１以上のイオン性液体、を含む水素化触媒組成物。
元素質量ベースで計算して、少なくとも０．０２重量％の範囲内の量で組成物中に存在するパラジウム；および、１０重量％までの総量で組成物中に存在する１以上のイオン性液体、を含む水素化触媒組成物。
【0250】
実施形態１１３ 少なくとも０．０３重量％、または少なくとも０．０４重量％、または少なくとも０．０５重量％、または少なくとも０．０６重量％、または少なくとも０．０７重量％、または少なくとも０．０８重量％、または少なくとも０．０９重量％、または少なくとも０．１重量％、または少なくとも０．１１重量％、または少なくとも０．１２重量％、または少なくとも０．１３重量％、または少なくとも０．１４重量％、または少なくとも０．１５重量％の量のパラジウムを含む、実施形態１１２に記載の水素化触媒。
【0251】
実施形態１１４ ０．５重量％以下（例えば、０．４重量％以下、または０．３重量％以下、または０．２重量％以下）の量のパラジウムを含む、実施形態１１２に記載の水素化触媒。
【0252】
実施形態１１５ ０．０２～０．５重量％、または０．０２～０．４５重量％、または０．０３重量％～０．４重量％、または０．０３～０．３５重量％、または０．０４～０．３重量％、または０．０４～０．２５重量％の範囲内の量のパラジウムを含む、実施形態１１２に記載の水素化触媒。
【0253】
実施形態１１６ 元素質量ベースで計算して、０．０５重量％～０．２５重量％、例えば０．０８重量％～０．２５重量％、または０．１重量％～０．２５重量％の範囲内の量で組成物中に存在する、少なくとも１つの促進剤（例えば、銀、金、亜鉛、スズ、鉛、ガリウム、カドミウム、銅、ビスマス、ナトリウム、セシウム、またはカリウム）をさらに含む、実施形態１０６～１１５のいずれかに記載の触媒組成物。
【0254】
実施形態１１７ 多孔質担体は、２ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇの範囲内のＢＥＴ表面積を有する、実施形態１０６～１１６のいずれかに記載の水素化触媒。
【0255】
実施形態１１８ 多孔質担体は、２ｍ２／ｇ～９ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～８ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～７ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～６ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～５ｍ２／ｇ、または３ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または４ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または５ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または６ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～６ｍ２／ｇ、または３ｍ２／ｇ～７ｍ２／ｇ、または４ｍ２／ｇ～８ｍ２／ｇ、または５ｍ２／ｇ～９ｍ２／ｇの範囲内のＢＥＴ表面積を有する、実施形態１０６～１１６のいずれかの水素化触媒。
【0256】
実施形態１１９ 多孔質担体は、０．１０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇの範囲内の細孔容積を有する、実施形態１０６～１１８のいずれかに記載の水素化触媒。
【0257】
実施形態１２０ 多孔質担体は、０．１０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．２０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．３０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．２０ｍＬ／ｇ～０．７０ｍＬ／ｇ、または０．３０ｍＬ／ｇ～０．７０ｍＬ／ｇの範囲内の細孔容積を有する、実施形態１０６～１１８のいずれかに記載の水素化触媒。
【0258】
実施形態１２１ ９０重量％～９９．９重量％の範囲内の量で組成物中に存在する多孔質担体；元素質量ベースで計算して、少なくとも０．０２重量％の範囲内の量で組成物中に存在するパラジウム；および、１０重量％までの総量で組成物中に存在する１以上のイオン性液体、を含む水素化触媒、ここで、当水素化触媒は、１０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積、および、少なくとも０．０５ｍＬ／ｇの細孔容積を有する。
【0259】
実施形態１２２ 少なくとも０．０３重量％、または少なくとも０．０４重量％、または少なくとも０．０５重量％、または少なくとも０．０６重量％、または少なくとも０．０７重量％、または少なくとも０．０８重量％、または少なくとも０．０９重量％、または少なくとも０．１重量％、または少なくとも０．１１重量％、または少なくとも０．１２重量％、または少なくとも０．１３重量％、または少なくとも０．１４重量％、または少なくとも０．１５重量％の量のパラジウムを含む、実施形態１２１の水素化触媒。
【0260】
実施形態１２３ ０．５重量％以下（例えば、０．４重量％以下、０．３重量％以下、０．２重量％以下）のパラジウムを含む、実施形態１２１または実施形態１２２に記載の水素化触媒。
【0261】
実施形態１２４ ０．０２重量％～０．５重量％、または０．０２重量％～０．４５重量％、または０．０３重量％～０．４重量％、または０．０３重量％～０．３５重量％、または０．０４重量％～０．３重量％、または０．０４重量％～０．２５重量％の範囲内の量のパラジウムを含む、実施形態１２１に記載の水素化触媒。
【0262】
実施形態１２５ 元素質量ベースで計算して、０．０５重量％～０．２５重量％、例えば０．０８重量００００％～０．２５重量％、または０．１重量％～０．２５重量％の範囲内の量で組成物中に存在する、少なくとも１つの促進剤（例えば、銀、金、亜鉛、錫、鉛、ガリウム、カドミウム、銅、ビスマス、ナトリウム、セシウム、またはカリウム）を、さらに含む、実施形態１２１～１２４のいずれかに記載の水素化触媒。
【0263】
実施形態１２６ ２ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇの範囲内のＢＥＴ表面積を有する、実施形態１２１～１２５のいずれかに記載の水素化触媒。
【0264】
実施形態１２７ ２ｍ２／ｇ～９ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～８ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～７ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～６ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～５ｍ２／ｇ、または３ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または４ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または５ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または６ｍ２／ｇ～１０ｍ２／ｇ、または２ｍ２／ｇ～６ｍ２／ｇ、または３ｍ２／ｇ～７ｍ２／ｇ、または４ｍ２／ｇ～８ｍ２／ｇ、または５ｍ２／ｇ～９ｍ２／ｇの範囲内のＢＥＴ表面積を有する、実施形態１２１～１２５のいずれかに記載の水素化触媒。
【0265】
実施形態１２８ ０．０５ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇの範囲内の細孔容積を有する、実施形態１２１～１２７のいずれかに記載の水素化触媒。
【0266】
実施形態１２９ ０．０５ｍＬ／ｇ～０．４ｍＬ／ｇの範囲内の細孔容積を有する、実施形態１２１～１２７のいずれかに記載の水素化触媒。
【0267】
実施形態１３０ ０．１０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば０．１０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．１０～０．３０ｍＬ／ｇの範囲内の細孔容積を有する、実施形態１２１～１２９のいずれかに記載の水素化触媒。
【0268】
実施形態１３１ ０．２０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．２０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．６０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．４０ｍＬ／ｇ、または０．２０～０．３５ｍＬ／ｇの範囲内の細孔容積を有する、実施形態１２１～１２９のいずれかに記載の水素化触媒。
【0269】
実施形態１３２ ０．４０ｍＬ／ｇ～１．０ｍＬ／ｇ、例えば、０．４０ｍＬ／ｇ～０．８０ｍＬ／ｇ、または０．４０～０．６０ｍＬ／ｇの範囲内の細孔容積を有する、実施形態１２１～１２９のいずれかに記載の水素化触媒。
【0270】
実施形態１３３ 担体の細孔容積と触媒（すなわち、パラジウム、任意の促進剤、およびイオン性液体を含む）の細孔容積との間の差が、担体の細孔容積の１０～９０％の範囲である、実施形態１２１～１３２のいずれかに記載の水素化触媒。
【0271】
実施形態１３４ 担体の細孔容積と触媒（すなわち、パラジウム、任意の促進剤、およびイオン性液体を含む）の細孔容積との間の差が、担体の細孔容積の１０～８０％、例えば、担体の細孔容積の２０～８０％、または３０～８０％、または４０～８０％の範囲である、実施形態１２１～１３２のいずれかに記載の水素化触媒。
【0272】
実施形態１３５ 担体の細孔容積と触媒（すなわち、パラジウム、任意の促進剤およびイオン性液体を含む）の細孔容積との間の差が、担体の細孔容積の１０～７０％、例えば２０～７０％、または３０～７０％、または４０～７０％の範囲；または担体の細孔容積の１０～６０％、例えば２０～６０％、または３０～６０％、または４０～６０％の範囲である、実施形態１２１～１３２のいずれかの水素化触媒。
【0273】
実施形態１３６ イオン性液体は、０．１重量％～１０重量％、例えば、０．１重量％～８重量％、または０．１重量％～６重量％、または０．１重量％～４重量％、または０．１重量％～３重量％、または０．１重量％～２重量％、または０．１重量％～１重量％の量で存在する、請求項１０６～１３５のいずれかに記載の水素化触媒。
【0274】
実施形態１３７ イオン性液体は、０．２～３重量％の量で存在する、実施形態１０６～１３５のいずれかに記載の水素化触媒。
【0275】
実施形態１３８ イオン性液体は、０．５～４重量％の量で存在する、実施形態１０６～１３５のいずれかに記載の水素化触媒。
【0276】
実施形態１３９ 促進剤として銀を有する、実施形態１０６～１３８のいずれかに記載の水素化触媒。
【0277】
実施形態１４０ 多孔質担体は、多孔質アルミナ担体、例えば多孔質アルファアルミナ担体である、実施形態１０６～１３９のいずれかに記載の水素化触媒。
【0278】
実施形態１４１ 触媒の外表面におけるイオン性液体のシェル厚さは、１０～２０００μｍ、例えば、１００～１０００μｍ、または１００～８００μｍの範囲である、実施形態１０６～１４０のいずれかに記載の水素化触媒。
【0279】
実施形態１４２ 少なくとも１のイオン性液体は、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリフラート、１－エチル－３－メチルピリジニウムエチルサルフェート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムトリフラート、１－ブチル－２，３－ジメチルイミダゾリウムトリフラート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリシアノメタン、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムメチルサルフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムオクチルサルフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムエチルサルフェート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムメチルホスホネート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムトリフラート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムテトラシアノボレート、１－ブチル－１－メチルピロリジニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリシアノメタン、１－エチル－３－メチルピリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムテトラシアノボレート、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、１－メチル－３－オクチルイミダゾリウムトリフラート、エチルジメチル－（２－メトキシエチル）アンモニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、トリブチルメチルアンモニウムジシアンアミド、トリシクロヘキシルテトラデシルホスホニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、および１－エチル－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、から選択される、実施形態１０６～１３８のいずれかに記載の水素化触媒。
【0280】
実施形態１４３ 実施形態１０６－１４２のいずれか記載の触媒を使用する、実施形態１～５９および６７～１０５のいずれかに記載のプロセス。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【国際調査報告】