特表 2022-516968 アモルファスストリップマスター合金およびその作製方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2022-03-03

(54)【発明の名称】アモルファスストリップマスター合金およびその作製方法

(51)【国際特許分類】

   C22C 33/04 20060101AFI20220224BHJP

   C22C 45/02 20060101ALI20220224BHJP

   C22C 1/00 20060101ALI20220224BHJP

   C22C 1/03 20060101ALI20220224BHJP

【ＦＩ】

C22C33/04 A

C22C45/02 A

C22C1/00 A

C22C1/03

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2021539919

(86)(22)【出願日】2020-01-09

(85)【翻訳文提出日】2021-08-13

(86)【国際出願番号】 CN2020071117

(87)【国際公開番号】W WO2020143703

(87)【国際公開日】2020-07-16

(31)【優先権主張番号】201910020121.5

(32)【優先日】2019-01-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】521206176

【氏名又は名称】王静然

【氏名又は名称原語表記】ＷＡＮＧ， Ｊｉｎｇｒａｎ

【住所又は居所原語表記】Ｒｏｏｍ １０２， Ｕｎｉｔ ２， Ｂｕｉｌｄｉｎｇ １８，Ｗｅｓｔ ｏｆ Ｂａｉｗａｎｇｊｉａｙｕａｎ， Ｈａｉｄｉａｎ Ｂｅｉｊｉｎｇ １００１９３ ＣＮ

(71)【出願人】

【識別番号】521206187

【氏名又は名称】王佳皓

【氏名又は名称原語表記】ＷＡＮＧ， Ｊｉａｈａｏ

【住所又は居所原語表記】Ｒｏｏｍ １０２， Ｕｎｉｔ ２， Ｂｕｉｌｄｉｎｇ １８，Ｗｅｓｔ ｏｆ Ｂａｉｗａｎｇｊｉａｙｕａｎ， Ｈａｉｄｉａｎ Ｂｅｉｊｉｎｇ １００１９３ ＣＮ

(71)【出願人】

【識別番号】521206198

【氏名又は名称】王佳▲フイ▼

【氏名又は名称原語表記】ＷＡＮＧ， Ｊｉａｈｕｉ

【住所又は居所原語表記】Ｒｏｏｍ １０２， Ｕｎｉｔ ２， Ｂｕｉｌｄｉｎｇ １８，Ｗｅｓｔ ｏｆ Ｂａｉｗａｎｇｊｉａｙｕａｎ， Ｈａｉｄｉａｎ Ｂｅｉｊｉｎｇ １００１９３ ＣＮ

(74)【代理人】

【識別番号】100169904

【弁理士】

【氏名又は名称】村井 康司

(74)【代理人】

【識別番号】100132698

【弁理士】

【氏名又は名称】川分 康博

(72)【発明者】

【氏名】王静然

(57)【要約】

アモルファス材料の分野に属するアモルファスストリップマスター合金およびその作製方法を提供する。当該作製方法は、アモルファス合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを準備するステップと、前記アモルファス合金と前記セメンタイトＦｅ_３Ｃを製錬炉に置いて製錬処理を行うことにより、前記アモルファスストリップマスター合金を得るステップと、を含む。ここで、前記アモルファス合金を構成する元素は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、およびＢ元素を含む。原料としてアモルファス合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを使用して製錬することにより、アモルファス合金にセメンタイトＦｅ_３Ｃを添加し、本発明の実施例の望ましいアモルファスストリップマスター合金を形成することができ、セメンタイトが磁性を有するため、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度を著しく向上させることができる。当該アモルファスストリップマスター合金がアモルファスストリップの作製に用いられる場合、同様にアモルファスストリップの磁気誘導強度を著しく向上させることができる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

アモルファス合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを準備するステップと、
前記アモルファス合金と前記セメンタイトＦｅ_３Ｃを製錬炉に置いて製錬処理を行うことにより、アモルファスストリップマスター合金を得るステップと、
を含み、
ここで、前記アモルファス合金を構成する元素は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、およびＢ元素を含む、
アモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項2】

前記方法は、さらに、
窒化物Ｆｅ_３Ｎを準備するステップと、
前記アモルファス合金、前記セメンタイトＦｅ_３Ｃおよび前記窒化物Ｆｅ_３Ｎを製錬炉に置いて製錬処理を行うステップと、
含む、
請求項１に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項3】

前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金である、
請求項１または２に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項4】

前記アモルファス合金を構成する元素は、さらに、Ｃｕ元素、Ｎｂ元素、Ｎｉ元素のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１または２に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項5】

前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｂ合金である、
請求項４に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項6】

前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｂ合金である、
請求項４に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項7】

前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｃｕ-Ｎｂ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｉ合金である、
請求項４に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項8】

前記アモルファス合金と前記セメンタイトＦｅ_３Ｃとの質量比は、１：０.００５～０.５である、
請求項４に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項9】

前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金と前記セメンタイトＦｅ_３Ｃとの質量比は、１：０.００５～０.５である、
請求項３に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項10】

前記製錬処理の間の製錬温度は、１３００℃～１５００℃である、
請求項１に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項11】

セメンタイトＦｅ_３Ｃ完成品または白鉄を使用することにより、前記セメンタイトＦｅ_３Ｃを準備する、
請求項１に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項12】

白鉄とセメンタイトＦｅ_３Ｃ完成品を同時に使用することにより、前記セメンタイトＦｅ_３Ｃを準備する、
請求項１に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項13】

前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金において、各元素の原子百分率は、それぞれ次のとおりであり、即ち、Ｓｉは６ａｔ％～１２ａｔ％であり、Ｂは３ａｔ％～１４ａｔ％であり、残りはＦｅである、
請求項３に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項14】

前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金において、各元素の原子百分率は、それぞれ、Ｓｉは６ａｔ％～１２ａｔ％であり、Ｂは８ａｔ％～１４ａｔ％であり、残りはＦｅである、
請求項１３に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項15】

前記アモルファス合金、前記セメンタイトＦｅ_３Ｃ、および前記窒化物Ｆｅ_３Ｎは、粉末または塊状の形態である、
請求項２に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項16】

前記粉末の粒径は、ナノスケールである、
請求項１５に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項17】

前記粉末の粒径は、５ナノメートル～５０ナノメートルである、
請求項１６に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項18】

前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金である、
請求項１５に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項19】

前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金の粉末は、次のステップで得られ、即ち、
鉄基アモルファス合金ストリップに対して、脆化、熱処理、機械的破砕、気流破砕を順次に行うことにより、前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金の粉末を得る、
請求項１８に記載のアモルファスストリップマスター合金の作製方法。

【請求項20】

請求項１～１９のいずれか一項に記載の作製方法により作製される、アモルファスストリップマスター合金。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本出願は、２０１９年０１月０９日に提出された出願番号２０１９１００２０１２１.５、発明の名称「アモルファスストリップマスター合金およびその作製方法」の中国特許出願の優先権を主張し、その全ての内容は参照により本開示に援用する。

【0002】

本出願は、アモルファス材料の分野に関し、特にアモルファスストリップマスター合金およびその作製方法に関するものである。

【背景技術】

【0003】

金属材料は、一般的に、結晶性材料とアモルファス材料を含み、アモルファス材料で作製された薄いリボン材料は、アモルファスストリップと呼ばれ、高強度、高硬度、高可塑性などの利点がある。アモルファスストリップを作製する際に使用されるアモルファス原料は、一般にアモルファスストリップマスター合金と呼ばれる。

【0004】

アモルファスストリップは、モーター、変圧器などの電気機器などの多くの分野で使用されることができる。しかし、アモルファスストリップの磁気誘導強度（Ｂ値とも呼ばれる）が高くなく、電気機器への適用が制限され、例えば、アモルファスストリップの使用量が多くなり、コストの増加に繋がる。

【0005】

従って、アモルファスストリップの磁気誘導強度を高めることは非常に重要であるが、アモルファスストリップの磁気誘導強度をどのように高めるかについては、これまで効果的な解決策が見つからなかった。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0006】

本出願の実施例では、アモルファスストリップの磁気誘導強度が低いという問題を解決するために使用できるアモルファスストリップマスター合金およびその作製方法を提供する。かかる技術案は、次のとおりである。

【0007】

具体的には、以下の技術案が含まれる。

【0008】

一側面によると、アモルファス合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを準備するステップと、

【0009】

前記アモルファス合金と前記セメンタイトＦｅ_３Ｃを製錬炉に置いて製錬処理を行うことにより、前記アモルファスストリップマスター合金を得るステップと、
を含み、

【0010】

ここで、前記アモルファス合金を構成する元素は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、およびＢ元素を含む、
アモルファスストリップマスター合金の作製方法に関する。

【0011】

一実現可能な実施形態において、前記作製方法は、

【0012】

窒化物Ｆｅ_３Ｎを準備するステップと、

【0013】

前記アモルファス合金、前記セメンタイトＦｅ_３Ｃおよび前記窒化物Ｆｅ_３Ｎを製錬炉に置いて製錬処理を行うことと、
をさらに含む。

【0014】

一実現可能な実施形態において、前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金である。

【0015】

一実現可能な実施形態において、前記アモルファス合金を構成する元素は、Ｃｕ元素、Ｎｂ元素、Ｎｉ元素のうちの少なくとも１つをさらに含む。

【0016】

一実現可能な実施形態において、前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｂ合金である。

【0017】

一実現可能な実施形態において、前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｂ合金である。

【0018】

一実現可能な実施形態において、前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｃｕ-Ｎｂ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｉ合金である。

【0019】

一実現可能な実施形態において、前記アモルファス合金と前記セメンタイトＦｅ_３Ｃとの質量比は、１：０.００５～０.５である。

【0020】

一実現可能な実施形態において、前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金と前記セメンタイトＦｅ_３Ｃとの質量比は、１：０.００５～０.５である。

【0021】

一実現可能な実施形態において、前記製錬処理を行う場合、製錬温度は、１３００℃～１５００℃である。

【0022】

一実現可能な実施形態において、セメンタイトＦｅ_３Ｃ完成品または白鉄を使用することにより、前記セメンタイトＦｅ_３Ｃを準備する。

【0023】

一実現可能な実施形態において、白鉄とセメンタイトＦｅ_３Ｃ完成品を同時に使用することにより、前記セメンタイトＦｅ_３Ｃを準備する。

【0024】

一実現可能な実施形態において、前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金において、各元素の原子百分率は、それぞれ次のとおりであり、即ち、

【0025】

Ｓｉは６ａｔ％～１２ａｔ％であり、Ｂは３ａｔ％～１４ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0026】

一実現可能な実施形態において、前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金において、各元素の原子百分率は、それぞれ次のとおりであり、即ち、

【0027】

Ｓｉは６ａｔ％～１２ａｔ％であり、Ｂは８ａｔ％～１４ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0028】

一実現可能な実施形態において、前記アモルファス合金、前記セメンタイトＦｅ_３Ｃ、および前記窒化物Ｆｅ_３Ｎは、粉末または塊状の形態である。

【0029】

一実現可能な実施形態において、前記粉末の粒径は、ナノスケールである。

【0030】

一実現可能な実施形態において、前記粉末の粒径は、５ナノメートル～５０ナノメートルである。

【0031】

一実現可能な実施形態において、前記アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金である。

【0032】

一実現可能な実施形態において、前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金の粉末は、以下の方法で得られ、即ち、

【0033】

鉄基アモルファス合金ストリップに対して、熱処理、機械的破砕、気流破砕を順次に行うことにより、前記Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金の粉末を得る。

【0034】

別の側面によると、本発明の実施例では、上記のいずれかの作製方法により作製されるアモルファスストリップマスター合金をさらに提供する。

【0035】

本出願の実施例に係る技術案による有益な効果は、少なくとも以下のことを含む。

【0036】

本出願の実施例によるアモルファスストリップマスター合金の作製方法では、アモルファス合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを原料として共同で製錬し、製錬プロセスにおいて、アモルファス合金にセメンタイトＦｅ_３Ｃを添加して、本出願の実施例の望ましいアモルファスストリップマスター合金を形成することができ、セメンタイトＦｅ_３Ｃが磁性を有するため、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度（磁束密度またはＢ値とも呼ばれる）を著しく向上させることができる。当該アモルファスストリップマスター合金がアモルファスストリップの作製に用いられる場合、同様にアモルファスストリップの磁気誘導強度を著しく向上させることができる。

【発明を実施するための形態】

【0037】

本発明の技術的な態様と利点をより明確にするために、本発明の実施形態についてさらに詳細に説明する。

【0038】

一側面によると、本出願の実施例では、アモルファスストリップマスター合金の作製方法を提供し、当該作製方法は、アモルファス合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを提供することと、アモルファス合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを製錬炉に置いて製錬処理を行うことにより、アモルファスストリップマスター合金を得ることと、を含む。ここで、アモルファス合金を構成する元素は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、およびＢ元素を含む。

【0039】

本出願の実施例によるアモルファスストリップマスター合金の作製方法では、アモルファス合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを原料として共同で製錬し、製錬プロセスにおいて、アモルファス合金にセメンタイトＦｅ_３Ｃを添加して、本出願の実施例の望ましいアモルファスストリップマスター合金を形成することができ、セメンタイトＦｅ_３Ｃが磁性を有するため、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度（磁束密度またはＢ値とも呼ばれる）を著しく向上させることができる。当該アモルファスストリップマスター合金がアモルファスストリップの作製に用いられる場合、同様にアモルファスストリップの磁気誘導強度を著しく向上させることができる。

【0040】

さらに、当該作製方法では、アモルファス合金、セメンタイトＦｅ_３Ｃおよび窒化物Ｆｅ_３Ｎを製錬炉に置いて製錬処理を行うことをさらに含む。

【0041】

セメンタイトＦｅ_３Ｃと窒化物Ｆｅ_３Ｎを併用することにより、アモルファス合金にセメンタイトＦｅ_３Ｃと窒化物Ｆｅ_３Ｎを同時に添加することができ、作製されたアモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度をさらに向上させることができる。

【0042】

応用する場合に、アモルファス合金、セメンタイトＦｅ_３Ｃ、窒化物Ｆｅ_３Ｎの質量比は、１：０.００５～０.５：０.００５～０.５であってもよい。

【0043】

一例として、当該アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金であってもよく、即ち、本出願の実施例によるアモルファスストリップマスター合金の作製方法は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを提供することと、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを製錬炉に置いて製錬処理を行うことにより、アモルファスストリップマスター合金を得ることと、を含むことができる。

【0044】

原料としてＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを使用して共同で製錬し、製錬プロセスにおいて、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金に磁性を有するセメンタイトＦｅ_３Ｃを添加することができ、製錬されたアモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度を著しく向上させることができる。当該アモルファスストリップマスター合金がアモルファスストリップの作製に用いられる場合、同様にアモルファスストリップの磁気誘導強度を著しく向上させることができる。

【0045】

アモルファス合金がＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金である場合、上記の作製方法で作製されたアモルファスストリップマスター合金の化学式は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ-Ｆｅ_３Ｃであってもよいことが理解できる。

【0046】

本出願の実施例では、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度を高める前提で、当該当該アモルファスストリップマスター合金によって作製されたアモルファスストリップが高強度、高硬度、高可塑性などの性能を有することを保証するために、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃとの質量比を１：０.００５～０.５とし、例を挙げると、１：０.００５、１：０.０１、１：０.０５、１：０.１、１：０.１５、１：０.２、１：０.２５、１：０.３、１：０.３５、１：０.４、１：０.４５、１：０５等であってもよい。

【0047】

ここで、使用されたＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金とセメンタイトＦｅ３Ｃは、いずれも本分野で一般的なものであり、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金については、各元素の原子百分率をそれぞれ以下のようにすることができ、即ち、Ｓｉは６ａｔ％～１２ａｔ％であり、Ｂは３ａｔ％～１４ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0048】

さらに、当該Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金において、各元素の原子百分率は、それぞれ次のとおりであってもよく、即ち、Ｓｉは６ａｔ％～１２ａｔ％であり、Ｂは８ａｔ％～１４ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0049】

例を挙げると、本出願の実施例では、以下の原子百分率の各元素を含むＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金を提供することができ、即ち、Ｓｉは７ａｔ％であり、Ｂは８ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0050】

本出願の実施例では、以下の原子百分率の各元素を含むＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金をさらに提供することができ、即ち、Ｓｉは７ａｔ％であり、Ｂは９ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0051】

別の例では、アモルファス合金は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素およびＢ元素を含む以外に、当該アモルファス合金を構成する元素は、Ｃｕ元素、Ｎｂ元素、Ｎｉ元素のうちの少なくとも１つをさらに含む。

【0052】

例を挙げると、当該アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｂ合金、Ｆｅ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｂ合金、またはＦｅ-Ｃｕ-Ｎｂ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｉ合金を含むが、これらに限定されない。

【0053】

当該例におけるアモルファス合金については、アモルファス合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃとの質量比を１：０.００５～０.５とすることにより、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度を高める前提で、当該アモルファスストリップマスター合金によって作製されたアモルファスストリップが高強度、高硬度、高可塑性などの性能を有することが保証される。例を挙げると、アモルファス合金とセメンタイトＦｅ３Ｃとの質量比は、１：０.００５、１：０.０１、１：０.０５、１：０.１、１：０.１５、１：０.２、１：０.２５、１：０.３、１：０.３５、１：０.４、１：０.４５、１：０５等であってもよい。

【0054】

セメンタイトＦｅ_３Ｃ完成品を使用することにより、セメンタイトＦｅ_３Ｃを提供してもよく、また白鉄を使用することにより、セメンタイトＦｅ_３Ｃを提供してもよく、白鉄には大量のセメンタイトＦｅ_３Ｃが含まれ、コストも低いので、優れた選択肢として使用できる。もちろん、白鉄とセメンタイトＦｅ_３Ｃ完成品を同時に使用することにより、セメンタイトＦｅ_３Ｃを提供してもよい。応用する場合に、白鉄および/またはセメンタイトＦｅ_３Ｃ完成品とＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金を製錬炉に置いて製錬する。

【0055】

本出願の実施例では、再溶融プロセスにおいて、セメンタイトＦｅ_３Ｃを添加することができ、例えば、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金が投入された製錬炉にセメンタイトＦｅ_３Ｃを添加する。

【0056】

アモルファス合金については、既製品（例えば、従来のＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金完成品、または鉄基アモルファスストリップ）を使用してもよく、製錬の時に作製してもよい。Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金を例に挙げると、結晶シリコン、ホウ素、鉄を製錬炉で直接溶融することにより、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金を得ることができる。

【0057】

結晶シリコン、ホウ素、鉄を直接溶融することによりＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金を作製するプロセスにおいて、セメンタイトＦｅ_３Ｃを添加することにより、アモルファスストリップマスター合金を作製することができる。

【0058】

ここで、上記の例で添加されたセメンタイトＦｅ_３Ｃについては、セメンタイトＦｅ_３Ｃ完成品および/または白鋳鉄を含むことができる。

【0059】

製錬プロセスにおいて、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金、セメンタイトＦｅ_３Ｃおよび選択可能な窒化物Ｆｅ_３Ｎは、粉末状の形態であってもよく、塊状の形態であってもよい。

【0060】

形成されたアモルファスストリップマスター合金の成分をより均一にするために、本出願の実施例では、例えばＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金およびセメンタイトＦｅ_３Ｃのようなアモルファス合金を粉末の形態とすることができる。そして、当該粉末の粒径をナノスケールに制御でき、例えば５ナノメートルから５０ナノメートルの間に制御でき、例を挙げると、１０ナノメートル、１５ナノメートル、２０ナノメートル、２５ナノメートル、３０ナノメートル、３５ナノメートル、４０ナノメートル、４５ナノメートル等であってもよい。

【0061】

Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金の粉末は、超微結晶合金粉末またはナノ結晶粉末とも呼ばれ、セメンタイトＦｅ_３Ｃの粉末とともに本分野で一般的な破砕方法によって得られることができる。

【0062】

Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金の粉末を例に挙げると、以下の方法で得られ、即ち、

【0063】

鉄基アモルファス合金ストリップに対して、脆化、熱処理、機械的破砕、気流破砕を順次に行うことにより、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金の粉末を得る。

【0064】

製錬処理プロセスにおいて、上記アモルファス合金に対してより良い製錬効果を得るために、製錬温度を１３００℃～１５００℃（例えば１３００℃、１３５０℃、１４００℃、１４５０℃、１５００℃など）に制御する。

【0065】

製錬時間は、アモルファス合金およびセメンタイトの量に応じて決定され、１２時間から２４時間などであってもよい。

【0066】

別の側面によると、本出願の実施例では、アモルファスストリップマスター合金を提供し、当該アモルファスストリップマスター合金は、上記のいずれかの作製方法で作製される。

【0067】

本出願の実施例によるアモルファスストリップマスター合金は、アモルファス合金へのセメンタイトＦｅ_３Ｃの添加に基づいて得られ、セメンタイトＦｅ_３Ｃが磁性を有するため、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度（磁束密度またはＢ値とも呼ばれる）を著しく向上させることができる。当該アモルファスストリップマスター合金がアモルファスストリップの作製に用いられる場合、同様にアモルファスストリップの磁気誘導強度を著しく向上させることができる。

【0068】

一例として、当該アモルファス合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｂ合金、Ｆｅ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｂ合金、Ｆｅ-Ｃｕ-Ｎｂ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｉ合金等を含むが、これらに限定されない。

【0069】

本出願の実施例によるアモルファスストリップマスター合金は、磁気誘導強度の高いアモルファスストリップを作製するために使用されることができる。

【0070】

本出願の実施例によるアモルファスストリップマスター合金を用いてアモルファスストリップを作製する場合に、ストリップを吹き付ける前に一定の量のセメンタイトＦｅ_３Ｃを添加して再溶融することも可能であり、且つ再溶融温度を１３００℃～１４００℃の間に制御することで、アモルファスストリップの磁気誘導強度の向上により有利である。

【0071】

本出願の実施例に係る方法では、アモルファス合金は、鉄基アモルファス合金であってもよく、同様に鉄ニッケル基アモルファス合金、コバルト基アモルファス合金にも適し、即ち、鉄ニッケル基アモルファス合金またはコバルト基アモルファス合金を一定の割合のセメンタイトＦｅ_３Ｃ、および選択可能な窒化物Ｆｅ_３Ｎとともに製錬し、対応するマスター合金を得ることができる。

【0072】

以下では、本出願について具体的な例によってさらに説明することができる。

【0073】

一例では、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを質量比１：０.０５で製錬炉に置いて製錬処理を行い、製錬温度を１４００℃とすることにより、アモルファスストリップマスター合金を得る。ここで、使用されたＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金は、以下の原子百分率の元素を含み、即ち、Ｓｉは９ａｔ％であり、Ｂは１３ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0074】

米国ｌａｋｅｓｈｏｒｅ社が販売している磁束計を用いて、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度を測定し、測定結果から、当該アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度が１.７４Ｔであることが示された。

【0075】

別の例では、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを質量比１：０.０６で製錬炉に置いて製錬処理を行い、製錬温度を１４５０℃とすることにより、アモルファスストリップマスター合金を得る。ここで、使用されたＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金は、以下の原子百分率の元素を含み、即ち、Ｓｉは１０ａｔ％であり、Ｂは１０ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0076】

米国ｌａｋｅｓｈｏｒｅ社が販売している磁束計を用いて、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度を測定し、測定結果から、当該アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度が１.７８Ｔであることが示された。

【0077】

さらに別の例では、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂ合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを質量比１：０.０８で製錬炉に置いて製錬処理を行い、製錬温度を１５００℃とすることにより、アモルファスストリップマスター合金を得る。ここで、使用されたＦｅ-Ｓｉ-Ｂ合金は、以下の原子百分率の元素を含み、即ち、Ｓｉは９ａｔ％であり、Ｂは１３ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0078】

米国ｌａｋｅｓｈｏｒｅ社が販売している磁束計を用いて、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度を測定し、測定結果から、当該アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度が１.８２Ｔであることが示された。

【0079】

さらに別の例では、Ｆｅ-Ｃｕ-Ｎｂ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｉ合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを質量比１：０.１で製錬炉に置いて製錬処理を行い、製錬温度を１５００℃とすることにより、アモルファスストリップマスター合金を得る。ここで、使用されたＦｅ-Ｃｕ-Ｎｂ-Ｓｉ-Ｂ-Ｎｉ合金は、以下の原子百分率の元素を含み、即ち、Ｓｉは９ａｔ％であり、Ｂは１３ａｔ％であり、Ｃｕは３ａｔ％であり、Ｎｂは２ａｔ％であり、Ｎｉは１ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0080】

米国ｌａｋｅｓｈｏｒｅ社が販売している磁束計を用いて、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度を測定し、測定結果から、当該アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度が１.８０Ｔであることが示された。

【0081】

さらに別の例では、Ｆｅ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｂ合金とセメンタイトＦｅ_３Ｃを質量比１：０.１で製錬炉に置いて製錬処理を行い、製錬温度を１５００℃とすることにより、アモルファスストリップマスター合金を得る。ここで、使用されたＦｅ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｂ合金は、以下の原子百分率の元素を含み、即ち、Ｓｉは９ａｔ％であり、Ｂは１３ａｔ％であり、Ｎｉは５ａｔ％であり、残りはＦｅである。

【0082】

米国ｌａｋｅｓｈｏｒｅ社が販売している磁束計を用いて、アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度を測定し、測定結果から、当該アモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度が１.８１Ｔであることが示された。

【0083】

上記の具体的な例から分かるように、本出願の実施例による作製方法で作製されたアモルファスストリップマスター合金の磁気誘導強度が著しく向上する。

【0084】

上記は、本出願の好ましい実施例にすぎず、本出願を限定するものではなく、本出願の精神および原則の範囲内で行われたいかなる修正、均等置換、改善などは、本出願の保護範囲内に含まれるべきである。

【国際調査報告】