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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-06-23
(54)【発明の名称】発光構造、表示パネル及び表示装置
(51)【国際特許分類】
H01L 51/50 20060101AFI20220616BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20220616BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20220616BHJP
H05B 33/26 20060101ALI20220616BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20220616BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220616BHJP
【ＦＩ】
H05B33/22 A
H05B33/14 Z
H05B33/14 A
H01L27/32
H05B33/26 Z
H05B33/12 B
G09F9/30 365
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2020572775
(86)(22)【出願日】2020-02-26
(85)【翻訳文提出日】2020-12-25
(86)【国際出願番号】 CN2020076750
(87)【国際公開番号】W WO2020215882
(87)【国際公開日】2020-10-29
(31)【優先権主張番号】201910343913.6
(32)【優先日】2019-04-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(71)【出願人】
【識別番号】519385216
【氏名又は名称】北京京▲東▼方技▲術▼▲開▼▲発▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＥＩＪＩＮＧ ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｒｏｏｍ ４０７，Ｂｕｉｌｄｉｎｇ １，Ｎｏ．９ Ｄｉｚｅ Ｒｏａｄ，ＢＤＡ，Ｂｅｉｊｉｎｇ，１００１７６，ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】李 ▲東▼
(72)【発明者】
【氏名】▲梅▼ 文▲海▼
(72)【発明者】
【氏名】ボリス・クリスタル
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA05
3K107BB01
3K107CC04
3K107CC21
3K107DD26
3K107DD57
3K107DD74
3K107DD85
3K107FF04
3K107FF13
3K107FF14
3K107FF19
5C094AA10
5C094AA37
5C094BA12
5C094BA27
5C094BA32
5C094CA24
5C094FA01
5C094FB02
5C094JA01
5C094JA03
(57)【要約】
発光構造、表示パネル及び表示装置であって、該発光構造（１００）は、第１発光層（１１１）と、第１電子輸送層（１１２）と、第１陰極（１１３）とを含む第１発光素子（１１０）を含み、第１陰極（１１３）は第１電子輸送層（１１２）に接触して設置され、第１電子輸送層（１１２）の伝導帯下端のエネルギー準位は第１陰極（１１３）のフェルミ準位よりも高く、第１電子輸送層（１１２）の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極（１１３）のフェルミ準位との差の範囲は０．３～０．６ｅＶである。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
発光構造であって、第１発光層と、第１電子輸送層と、第１陰極とを含む第１発光素子を含み、
前記第１陰極は前記第１電子輸送層に接触して設置され、前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第１陰極のフェルミ準位よりも高く、前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位と前記第１陰極のフェルミ準位との差の範囲は０．３～０．６ｅＶである、発光構造。
【請求項2】
前記第１発光層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、前記第１電子輸送層はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は１０％～２０％である、請求項１に記載の発光構造。
【請求項3】
前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は１３％～１６％である、請求項２に記載の発光構造。
【請求項4】
前記第１発光層の材料はカドミウムフリー赤色量子ドット材料を含む、請求項２又は３に記載の発光構造。
【請求項5】
前記第１発光層の材料はインジウムリンを含む、請求項４に記載の発光構造。
【請求項6】
第２発光層と、第２電子輸送層と、第２陰極とを含む第２発光素子をさらに含み、前記第２陰極は前記第２電子輸送層に接触して設置され、前記第１発光層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第２発光層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高い、請求項１～５のいずれか１項に記載の発光構造。
【請求項7】
前記第１陰極から前記第１電子輸送層への電子の障壁は前記第２陰極から前記第２電子輸送層への電子の障壁よりも大きい、請求項６に記載の発光構造。
【請求項8】
前記第１発光層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、前記第２発光層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、前記第２陰極のフェルミ準位は前記第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位とほぼ等しい、請求項６に記載の発光構造。
【請求項9】
前記第１電子輸送層はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第２電子輸送層はＺｎＯナノ粒子又はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は前記第２電子輸送層におけるＭｇのモル百分率よりも高い、請求項６～８のいずれか１項に記載の発光構造。
【請求項10】
前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は１０％～２０％であり、前記第２電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は５％未満である、請求項９に記載の発光構造。
【請求項11】
前記第１発光層及び前記第２発光層のうちの少なくとも１つは量子ドット発光層であり、前記第１陰極と第２陰極は同一導電層である、請求項６～１０のいずれか１項に記載の発光構造。
【請求項12】
第３発光層と、第３電子輸送層と、第３陰極とを含む第３発光素子をさらに含み、前記第３陰極は前記第３電子輸送層に接触して設置され、前記第３発光層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第１発光層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、前記第２発光層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、前記第３電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、前記第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高い、請求項６～１１のいずれか１項に記載の発光構造。
【請求項13】
前記第３陰極から前記第３電子輸送層への電子の障壁は前記第２陰極から前記第２電子輸送層への電子の障壁よりも大きく、且つ前記第１陰極から前記第１電子輸送層への電子の障壁よりも小さい、請求項１２に記載の発光構造。
【請求項14】
前記第１電子輸送層はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第２電子輸送層はＺｎＯナノ粒子又はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第３電子輸送層はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第３電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率よりも低く、且つ前記第２電子輸送層におけるＭｇのモル百分率よりも高い、請求項１２に記載の発光構造。
【請求項15】
前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は１０％～２０％であり、前記第２電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は５％未満であり、前記第３電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は５％～１０％である、請求項１４に記載の発光構造。
【請求項16】
前記第１電子輸送層の電子移動度は前記第２電子輸送層の電子移動度よりも低い、請求項６～１５のいずれか１項に記載の発光構造。
【請求項17】
前記第３電子輸送層の電子移動度は前記第２電子輸送層の電子移動度よりも高く、且つ前記第２電子輸送層の電子移動度よりも低い、請求項１２に記載の発光構造。
【請求項18】
前記第１発光層は赤色光を発光するように配置され、前記第２発光層は青色光を発光するように配置される、請求項６～１７のいずれか１項に記載の発光構造。
【請求項19】
アレイ状に設置された複数の発光構造を含む表示パネルであって、各前記発光構造は請求項１～１８のいずれか１項に記載の発光構造である、表示パネル。
【請求項20】
請求項１９に記載の表示パネルを含む表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、２０１９年０４月２６日に提出された中国特許出願第２０１９１０３４３９１３．６号の優先権を主張し、ここで、上記中国特許出願に開示されている全内容が本願の一部として援用されている。
【0002】
本開示の実施例は発光構造、表示パネル及び表示装置に関する。
【背景技術】
【0003】
表示技術の継続的な発展に伴い、表示装置の種類はますます多くなる。発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）表示装置は、自己発光、高輝度、低作動電圧、低消費電力、長耐用年数、耐衝撃性、及び性能安定等の利点を有するため、業界で幅広く注目されている。また、発光ダイオード表示装置は、バックライトモジュールを付加的に設置する必要がないため、軽量であり、表示装置の軽量化・薄型化に役立ち、従って、市場での将来性が期待できる。
【0004】
量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ、ＱＤ）は、新型発光材料であり、光色純度が高く、発光量子効率が高く、発光色が調整可能であり、耐用年数が長い等の利点を有し、現在の新型ＬＥＤ発光材料の研究ホットスポットとなっている。従って、量子ドット材料を発光層とする量子ドット発光ダイオード（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＱＬＥＤ）は、現在の新型表示デバイスの研究の主な方向となっている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の実施例は発光構造、表示パネル及び表示装置を提供する。該発光構造は、第１発光層と、第１電子輸送層と、第１陰極とを含む第１発光素子を含み、第１陰極は第１電子輸送層に接触して設置され、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位は第１陰極のフェルミ準位よりも高く、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極のフェルミ準位との差の範囲は０．３～０．６ｅＶである。該発光構造において、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位が第１陰極のフェルミ準位よりも高いため、電子が第１陰極から第１電子輸送層へ障壁を越える必要があり、また、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極のフェルミ準位との差の範囲が０．３～０．６ｅＶであり、それにより第１発光素子の電子注入効率を適切に低下させて第１発光素子の正孔注入効率とマッチングすることができ、さらに第１発光素子の発光効率及び安定性を向上させる。
【0006】
本開示の少なくとも１つの実施例は発光構造を提供し、第１発光層と、第１電子輸送層と、第１陰極とを含む第１発光素子を含み、前記第１陰極は前記第１電子輸送層に接触して設置され、前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第１陰極のフェルミ準位よりも高く、前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位と前記第１陰極のフェルミ準位との差の範囲は０．３～０．６ｅＶである。
【0007】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１発光層の材料はカドミウムフリー量子ドット材料を含み、前記第１電子輸送層はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は１０％～２０％である。
【0008】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１発光層の材料はインジウムリンを含む。
【0009】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は１３％～１６％である。
【0010】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造は、第２発光層と、第２電子輸送層と、第２陰極とを含む第２発光素子をさらに含み、前記第２陰極は前記第２電子輸送層に接触して設置され、前記第１発光層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第２発光層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高い。
【0011】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１陰極から前記第１電子輸送層への電子の障壁は前記第２陰極から前記第２電子輸送層への電子の障壁よりも大きい。
【0012】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１発光層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、前記第２発光層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、前記第２陰極のフェルミ準位は前記第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位とほぼ等しい。
【0013】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１電子輸送層はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第２電子輸送層はＺｎＯナノ粒子又はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は前記第２電子輸送層におけるＭｇのモル百分率よりも高い。
【0014】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は１０％～２０％であり、前記第２電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は５％未満である。
【0015】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１発光層及び前記第２発光層のうちの少なくとも１つは量子ドット発光層であり、前記第１陰極と第２陰極は同一導電層である。
【0016】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造は、第３発光層と、第３電子輸送層と、第３陰極とを含む第３発光素子をさらに含み、前記第３陰極は前記第３電子輸送層に接触して設置され、前記第３発光層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第１発光層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、前記第２発光層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、前記第３電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位は前記第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、前記第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高い。
【0017】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第３陰極から前記第３電子輸送層への電子の障壁は前記第２陰極から前記第２電子輸送層への電子の障壁よりも大きく、且つ前記第１陰極から前記第１電子輸送層への電子の障壁よりも小さい。
【0018】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１電子輸送層はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第２電子輸送層はＺｎＯナノ粒子又はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第３電子輸送層はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、前記第３電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率よりも低く、且つ前記第２電子輸送層におけるＭｇのモル百分率よりも高い。
【0019】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は１０％～２０％であり、前記第２電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は５％未満であり、前記第３電子輸送層におけるＭｇのモル百分率は５％～１０％である。
【0020】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１電子輸送層の電子移動度は前記第２電子輸送層の電子移動度よりも低い。
【0021】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第３電子輸送層の電子移動度は前記第２電子輸送層の電子移動度よりも高く、且つ前記第２電子輸送層の電子移動度よりも低い。
【0022】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１発光層は赤色光を発光するように配置され、前記第２発光層は青色光を発光するように配置される。
【0023】
例えば、本開示の一実施例に係る発光構造において、前記第１発光層は赤色光を発光するように配置され、前記第２発光層は青色光を発光するように配置され、前記第３発光層は緑色光を発光するように配置される。
【0024】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示パネルをさらに提供し、アレイ状に設置された複数の発光構造を含み、各前記発光構造は上記発光構造である。
【0025】
本開示の少なくとも１つの実施例は、上記表示パネルを含む表示装置をさらに提供する。
【図面の簡単な説明】
【0026】
本開示の実施例の技術案をより明確に説明するために、以下、実施例の図面を簡単に説明し、明らかに、以下に説明される図面は、本開示を制限するものではなく、本開示の一部の実施例に関するものに過ぎない。
【0027】
【発明を実施するための形態】
【0028】
本開示の実施例の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下、本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案を明確、かつ完全に説明する。明らかに、説明される実施例は本開示の実施例の一部であり、実施例の全てではない。説明される本開示の実施例に基づき、当業者が進歩性のある労働を必要とせずに得る全ての他の実施例は、本開示の保護範囲に属する。
【0029】
特に定義されない限り、本開示で使用される技術用語又は科学用語は、当業者が理解できる一般的な意味を有する。本開示で使用される「第１」、「第２」及び類似する用語は、何らかの順序、数又は重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためのものに過ぎない。「備える」又は「含む」等の類似する用語は、該用語の前に記載された素子又は部材が、該用語の後に列挙される素子又は部材、及びそれらの同等物を含むことを指し、他の素子又は部材を排除しない。「接続」又は「結合」等の類似する用語は、物理的又は機械的接続に限定されず、直接接続されるか間接的に接続されるかに関わらず、電気的接続を含んでもよい。
【0030】
一般的なＱＬＥＤデバイスでは、量子ドット材料のエネルギー準位の位置等により、赤色及び緑色量子ドット発光層の電子注入効率が一般的に正孔注入効率よりも高く、その結果、赤色及び緑色量子ドット発光層のキャリアにおける電子の数は正孔の数よりも大きく、逆に、青色量子ドット発光層の電子注入効率が正孔注入効率よりも低く、その結果、青色量子ドット発光層のキャリアにおける正孔の数は電子の数よりも大きい。従って、ＱＬＥＤデバイスにおける量子ドット発光層の電子と正孔が不均一になり、電子－正孔の不均一により、注入された電荷が励起子に転化される能力を低下させるだけでなく、ＱＬＥＤデバイス内の電荷の蓄積をもたらし、帯電励起子の非放射遷移を増加し、効率を低下させ、耐用年数を短くし、それにより、ＱＬＥＤデバイスの効率及び安定性の更なる向上を制限するボトルネックとなる。
【0031】
それに対して、本開示の実施例は発光構造、表示パネル及び表示装置を提供する。該発光構造は、第１発光層と、第１電子輸送層と、第１陰極とを含む第１発光素子を含み、第１陰極は第１電子輸送層に接触して設置され、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位は第１陰極のフェルミ準位よりも高く、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極のフェルミ準位との差の範囲は０．３～０．６ｅＶである。該発光構造において、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位が第１陰極のフェルミ準位よりも高いため、電子が第１陰極から第１電子輸送層へ障壁を越える必要があり、また、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極のフェルミ準位との差の範囲が０．３～０．６ｅＶであり、それにより第１発光素子の電子注入効率を適切に低下させて第１発光素子の正孔注入効率とマッチングすることができ、さらに第１発光素子の発光効率及び安定性を向上させる。
【0032】
以下、図面を参照しながら本開示の実施例に係る発光構造、表示パネル及び表示装置を説明する。
【0033】
図１は本開示の一実施例に係る発光構造の構造模式図である。図１に示すように、該発光構造１００は、第１発光層１１１と、第１電子輸送層１１２と、第１陰極１１３とを含む第１発光素子１１０を含み、第１陰極１１３は第１電子輸送層１１２に接触して設置され、第１発光素子１１０が発光する時、第１陰極１１３は電子を提供することに用いられる。第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位は第１陰極１１３のフェルミ準位よりも高く、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極１１３のフェルミ準位との差の範囲は０．３～０．６ｅＶである。なお、上記「接触して設置される」ことは、直接接触の状況を指し、第１陰極と第１電子輸送層との間に他の膜層構造が設置されていない。
【0034】
本開示の実施例に係る発光構造において、第１発光層の電子注入効率が正孔注入効率よりも高い場合、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位が第１陰極のフェルミ準位よりも高いため、電子が第１陰極から第１電子輸送層へ障壁を越える必要があり、また、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極のフェルミ準位との差の範囲が０．３～０．６ｅＶであり、それにより第１発光素子の電子注入効率を適切に低下させて第１発光素子の正孔注入効率とマッチングすることができ、さらに第１発光素子の発光効率及び安定性を向上させる。
【0035】
例えば、いくつかの例では、図１に示すように、第１発光層１１１は第１電子輸送層１１２に接触して設置され、つまり、第１発光素子１１０に電子注入層が設置されておらず、それにより、第１発光素子１１０の電子注入効率を低下させるとともに、第１発光素子１１０の厚さを薄くし、軽くて薄い発光構造を提供することができる。
【0036】
例えば、いくつかの例では、第１発光層１１１は赤色量子ドット発光層であってもよい。一般的な赤色量子ドット発光層の電子注入効率が一般的に正孔注入効率よりも高いため、赤色量子ドット発光層のキャリアにおける正孔と電子は非常に不均一になり、本開示の実施例に係る発光構造は、適切な材料を選択することにより、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位が第１陰極のフェルミ準位よりも高く、第１電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極のフェルミ準位との差の範囲が０．３～０．６ｅＶであり、第１発光素子の電子注入効率が正孔注入効率とマッチングし、それにより、第１発光素子の発光効率及び安定性を向上させることができる。
【0037】
例えば、いくつかの例では、第１発光層１１１の材料は、カドミウムフリー量子ドット材料を含んでもよく、それにより、環境に対する汚染を減らす。第１電子輸送層１１２は、ＺｎＭｇＯナノ粒子、すなわち、ＭｇがドーピングされたＺｎＯナノ粒子を含み、第１電子輸送層１１２におけるＭｇのモル百分率は１０％～２０％であり、それにより、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極１１３のフェルミ準位との差の範囲を０．３～０．６ｅＶにすることができる。
【0038】
例えば、いくつかの例では、第１陰極１１３の材料は銀又はアルミニウムであってもよい。それにより、第１陰極１１３のフェルミ準位は－４．３～－４．２ｅＶの範囲になり得る。
【0039】
例えば、いくつかの例では、第１発光層１１１の材料は、インジウムリン（ＩｎＰ）を含んでもよく、第１電子輸送層１１２におけるＭｇのモル百分率は１３％～１６％である。この時、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位がほぼ－３．８３ｅＶであり、第１陰極１１３のフェルミ準位の範囲が－４．３～－４．２ｅＶであり、それにより、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極１１３のフェルミ準位との差はほぼ０．３７～０．４７ｅＶである。この時、第１発光素子１１０の発光効率及び安定性を大幅に向上させることができる。
【0040】
図２は本開示の一実施例に係る発光構造の第１発光素子が異なる電子輸送層を用いた場合の電子注入効率と正孔注入効率の比較図であり、図３は本開示の一実施例に係る発光構造の第１発光素子が異なる電子輸送層を用いた場合の電流効率の比較図である。図２及び図３の第１発光素子は赤色量子ドット発光素子であり、第１発光層はインジウムリン（ＩｎＰ）で製造される。
【0041】
図２に示すように、曲線１は第１発光素子の正孔注入効率であり、曲線２は電子輸送層にＭｇのモル百分率が１５％のＺｎＭｇＯナノ粒子を用いる第１発光素子の電子注入効率であり、曲線３は電子輸送層にＭｇのモル百分率が５％のＺｎＭｇＯナノ粒子を用いる第１発光素子の電子注入効率であり、曲線４は電子輸送層にＺｎＯナノ粒子又はＭｇのモル百分率が０％のＺｎＭｇＯナノ粒子、すなわち、ＺｎＯナノ粒子を用いる第１発光素子の電子注入効率である。実験結果によれば、曲線２に示される電子注入効率は曲線１に示される正孔注入効率とよりマッチングし、第１発光素子の発光効率及び安定性を向上させることに役立つ。なお、曲線１の正孔注入効率は第１発光素子が発光層及び正孔輸送層のみを含む場合で測定された曲線であり、曲線２の電子注入効率は第１発光素子が発光層及び電子輸送層のみを含む場合で測定された曲線であり、曲線３の電子注入効率は第１発光素子が発光層及び電子輸送層のみを含む場合で測定された曲線であり、曲線４の電子注入効率は第１発光素子が発光層及び電子輸送層のみを含む場合で測定された曲線である。
【0042】
図３に示すように、曲線５は電子輸送層にＭｇのモル百分率が１５％のＺｎＭｇＯナノ粒子を用いる第１発光素子の電流効率であり、曲線６は電子輸送層にＭｇのモル百分率が５％のＺｎＭｇＯナノ粒子を用いる第１発光素子の電流効率であり、曲線７は電子輸送層にＺｎＯナノ粒子又はＭｇのモル百分率が０％のＺｎＭｇＯナノ粒子、すなわち、ＺｎＯナノ粒子を用いる第１発光素子の電流効率である。実験結果によれば、明らかに、曲線５に示される第１発光素子の電流効率は曲線６及び曲線７よりも高く、また、Ｍｇのモル百分率が向上することに伴って、曲線５に示される第１発光素子の電流効率は線形に向上することではなく、突然変化し、曲線６及び曲線７よりも大幅に高い。それにより、電子輸送層にＭｇのモル百分率が１５％のＺｎＭｇＯナノ粒子を用いる場合、第１発光素子は高い電流効率を有する。なお、曲線５、曲線６及び曲線７に示される第１発光素子の他の膜層（例えば、正孔輸送層等）はいずれも同じ材料及び構造を用いる。
【0043】
例えば、いくつかの例では、図１に示すように、第１発光素子１１０は第１正孔輸送層１１４、第１正孔注入層１１５、及び第１陽極１１６をさらに含む。第１正孔輸送層１１４は第１電子輸送層１１２から離れた第１発光層１１１の一方側に設置され、第１正孔注入層１１５は第１発光層１１１から離れた第１正孔輸送層１１４の一方側に設置され、第１陽極１１６は第１正孔輸送層１１４から離れた第１正孔注入層１１５の一方側に設置される。
【0044】
例えば、第１陽極１１６は、透明な導電性酸化物又は導電性ポリマーを用いてもよく、透明な導電性酸化物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ＦＴＯ（ＳｎＯ２）等であってもよい。また、第１正孔輸送層１１４及び第１正孔注入層１１５の材料は実際の状況に応じて選択でき、本開示の実施例はこれを制限しない。
【0045】
例えば、いくつかの例では、図１に示すように、該発光構造は上記第１発光素子１１０を載せるためのベース基板１０１をさらに含む。例えば、ベース基板１０１は透明基板、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等であってもよい。ベース基板１０１はフレキシブル透明基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板であってもよい。
【0046】
例えば、いくつかの例では、図１に示すように、該発光構造１００は第２発光素子１２０をさらに含み、第１発光素子１１０及び第２発光素子１２０は異なる色の光を発光することに用いられる。第２発光素子１２０は第２発光層１２１と、第２電子輸送層１２２と、第２陰極１２３とを含む。第２陰極１２３は第２電子輸送層１２２に接触して設置され、第１発光層１１１の伝導帯下端のエネルギー準位は第２発光層１２１の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位は第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高い。
【0047】
この例に係る発光構造において、異なる発光素子（例えば第１発光素子及び第２発光素子）は異なる材料で製造された電子輸送層を用いる。第１発光層１１１の伝導帯下端のエネルギー準位が第２発光層１２１の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低いため、第１電子輸送層１１２から第１発光層１１１への電子移動難度は、第２電子輸送層１２２から第２発光層１２１への電子移動難度よりも低く、この時、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位が第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高いため、第１陰極１１３と第２陰極１２３のフェルミ準位がほぼ同じである場合、第１陰極１１３から第１輸送層１１２への電子の障壁は第２陰極１２３から第２電子輸送層１２２への電子の障壁よりも大きく、それにより、第１発光層１１１への電子注入効率をある程度低下させて、第１発光層１１１における正孔注入効率と均一になり、また、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位が第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高いため、この例に係る発光構造はさらに、第２陰極１２３から第２電子輸送層１２２への電子の障壁を小さくし、第２発光層１２１への電子注入効率をある程度向上させ、それにより、第２発光層１２１における正孔注入効率と均一になり、さらに第１発光素子１１０及び第２発光素子１２０の発光効率及び安定性を向上させる。
【0048】
例えば、いくつかの例では、第１陰極１１３及び第２陰極１２３は同一導電層であり、すなわち、第１発光素子１１０と第２発光素子１２０は陰極層を共有する。この時、第１陰極１１３から第１電子輸送層１１２への電子の障壁は第２陰極１２３から第２電子輸送層１２２への電子の障壁よりも大きい。
【0049】
図４は本開示の一実施例に係る発光構造の異なる発光層及び異なる電子輸送層のエネルギー準位の模式図である。図４に示すように、第１発光層１１１の伝導帯下端のエネルギー準位は第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、第２発光層１２１の伝導帯下端のエネルギー準位は第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、つまり、第１電子輸送層１１２から第１発光層１１１への電子の障壁は存在しないか、又はほとんど存在しないが、電子が第２電子輸送層１２２から第２発光層１２１へ障壁を越える必要がある。この時、第２陰極１２３のフェルミ準位は第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位とほぼ等しく、つまり、第２陰極１２３から第２電子輸送層１２２への電子の障壁は存在しないか、又はほとんど存在しない。それにより、該発光構造は第２陰極１２３から第２発光層１２１への電子注入効率をある程度向上させることができ、第２発光層１２１における正孔注入効率と均一になり、さらに第２発光素子１２０の発光効率及び安定性を向上させる。なお、上記第２陰極のフェルミ準位が第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位とほぼ等しいことは、第２陰極のフェルミ準位と第２電子輸送層の伝導帯下端のエネルギー準位との差と、第２陰極のフェルミ準位の絶対値との比率範囲が４％以内にあることを指す。
【0050】
例えば、いくつかの例では、第１電子輸送層１１２はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、第２電子輸送層１２２はＺｎＯナノ粒子又はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、第１電子輸送層１１２におけるＭｇのモル百分率は第２電子輸送層１２２におけるＭｇのモル百分率よりも高い。
【0051】
例えば、いくつかの例では、第１電子輸送層１１２におけるＭｇのモル百分率は１０％～２０％であり、第２電子輸送層１２２におけるＭｇのモル百分率は５％未満である。なお、第２電子輸送層１２２がＺｎＯナノ粒子である場合、第２電子輸送層１２２はＭｇのモル百分率が０のＺｎＭｇＯナノ粒子であると見なされる。
【0052】
表１は本開示の一実施例に係る電子輸送層のエネルギー準位のデータテーブルである。表１では、第１電子輸送層１１２はＭｇのモル百分率が１５％のＺｎＭｇＯナノ粒子であり、第２電子輸送層１２２はＭｇのモル百分率が０％のＺｎＭｇＯナノ粒子である。これで分かるように、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位は第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高い。第１陰極１１３及び第２陰極１２３のフェルミ準位範囲が－４．３～－４．２ｅＶである場合、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極１１３のフェルミ準位との差はほぼ０．３７～０．４７ｅＶであり、第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位と第２陰極１２３のフェルミ準位との差は０．１ｅＶ未満である。それにより、該発光構造は第１発光層１１１への電子注入効率をある程度低下させることができ、第１発光層１１１における正孔注入効率と均一になり、さらに、第２発光層１２１への電子注入効率をある程度向上させ、第２発光層１２１における正孔注入効率と均一になる。
【0053】
【表1】
【0054】
例えば、いくつかの例では、第１電子輸送層１１２の電子移動度は第２電子輸送層１２２の電子移動度よりも小さく、それにより、第１発光層１１１への電子注入効率をある程度低下させ、第１発光層１１１における正孔注入効率と均一になり、さらに第２発光層１２１への電子注入効率をある程度向上させ、第２発光層１２１における正孔注入効率と均一になる。例えば、第１電子輸送層１１２はＭｇのモル百分率が１５％のＺｎＭｇＯナノ粒子であり、第２電子輸送層１２２はＭｇのモル百分率が０％のＺｎＭｇＯナノ粒子である場合、第１電子輸送層１１２の電子移動度は第２電子輸送層１２２の電子移動度よりも小さい。
【0055】
例えば、いくつかの例では、第１発光層及び第２発光層のうちの少なくとも１つは量子ドット発光層である。例えば、第１発光層は赤色量子ドット発光層であってもよく、第２発光層は青色量子ドット発光層であってもよく、第１発光層はカドミウムフリー赤色量子ドット発光材料、例えば、インジウムリン（ＩｎＰ）、例えばＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型量子ドット材料を用いてもよく、第２発光層は青色量子ドット発光材料、例えば、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、例えばＣｄＳｅ／ＺｎＳコアシェル型量子ドット材料を用いてもよい。
【0056】
例えば、いくつかの例では、図１に示すように、第２発光素子１２０は第２正孔輸送層１２４、第２正孔注入層１２５、及び第２陽極１１６をさらに含む。第２正孔輸送層１２４は第２電子輸送層１２２から離れた第２発光層１２１の一方側に設置され、第２正孔注入層１２５は第２発光層１２１から離れた第２正孔輸送層１２４の一方側に設置され、第２陽極１２６は第２正孔輸送層１２４から離れた第２正孔注入層１２５の一方側に設置される。
【0057】
例えば、第２陽極１２６は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ＦＴＯ（ＳｎＯ２）等であってもよい透明な導電性酸化物又は導電性ポリマーを用いてもよい。また、第２正孔輸送層１２４及び第２正孔注入層１２５の材料は実際の状況に応じて選択でき、本開示の実施例はこれを制限しない。
【0058】
例えば、いくつかの例では、図１に示すように、第１発光素子１１０及び第２発光素子１２０はベース基板１０１上の同じ層に設置される。つまり、第１発光素子１１０の第１陽極１１６と第２発光素子１２０の第２陽極１２６は同じ層に設置されてもよく、第１発光素子１１０の第１正孔注入層１１５と第２発光素子１２０の第２正孔注入層１２５は同じ層に設置されてもよく、第１発光素子１１０の第１正孔輸送層１１４と第２発光素子１２０の第２正孔輸送層１２４は同じ層に設置されてもよく、第１発光素子１１０の第１発光層１１１と第２発光素子１２０の第２発光層１２１は同じ層に設置されてもよく、第１発光素子１１０の第１電子輸送層１１２と第２発光素子１２０の第２電子輸送層１２２は同じ層に設置されてもよい。なお、第１正孔注入層１１５及び第２正孔注入層１２５は実際の状況に応じて異なる厚さを選択でき、第１正孔輸送層１１４及び第２正孔輸送層１２４は実際の状況に応じて異なる厚さを選択できる。
【0059】
例えば、第１陽極１１６及び第２陽極１２６は同じ材料で製造されてもよく、従って、第１陽極１１６及び第２陽極１２６は同一導電層を用いてパターン化して形成されてもよい。
【0060】
例えば、ベース基板１０１は透明基板、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等であってもよい。ベース基板１０１はフレキシブル透明基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板であってもよい。
【0061】
例えば、いくつかの例では、図１に示すように、該発光構造１００は、第３発光層１３１と、第３電子輸送層１３２と、第３陰極１３３とを含む第３発光素子１３０をさらに含む。第３陰極１３３は第３電子輸送層１３２に接触して設置され、第３発光層１３１の伝導帯下端のエネルギー準位は第１発光層１１１の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、第２発光層１２１の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、第３電子輸送層１３２の伝導帯下端のエネルギー準位は第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高い。
【0062】
この例に係る発光構造において、異なる発光素子（例えば第１発光素子及び第２発光素子）は、異なる材料の電子輸送層を用いる。第３発光層１３１の伝導帯下端のエネルギー準位が第１発光層１１１の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、第２発光層１２１の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、すなわち、第３発光層１３１の伝導帯下端のエネルギー準位が第１発光層１１１と第２発光層１２１との間にあるため、第３電子輸送層１３２から第３発光層１３１への電子移動難度も第１電子輸送層１１２から第１発光層１１１への電子移動難度と第２電子輸送層１２２から第２発光層１２１への電子移動難度との間にあり、この時、第３電子輸送層１３２の伝導帯下端のエネルギー準位が第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、且つ第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高いため、第１陰極１１３、第２陰極１２３及び第３陰極１３３のフェルミ準位がほぼ同じである場合、第３陰極１３３から第３輸送層１３２への電子の障壁は第１陰極１１３から第１電子輸送層１１２への電子の障壁よりも小さく、且つ第２陰極１２３から第２電子輸送層１２２への電子の障壁よりも大きく、それにより、第３発光層１３１への電子注入効率をある程度低下させ、第３発光層１３１における正孔注入効率と均一になり、さらに、第１発光素子１１０、第２発光素子１２０、及び第３発光素子１３０の発光効率及び安定性を向上させることができる。
【0063】
例えば、いくつかの例では、第１陰極１１３、第２陰極１２３及び第３陰極１３３は同一導電層であり、すなわち、第１発光素子１１０、第２発光素子１２０及び第３発光素子１３０は陰極層を共有する。第３陰極１３３から第３電子輸送層１３２への電子の障壁は第２陰極１２３から第２電子輸送層１２２への電子の障壁よりも大きく、且つ第１陰極１１３から第１電子輸送層１１２への電子の障壁よりも小さい。
【0064】
図５は本開示の一実施例に係る他の発光構造の異なる発光層及び異なる電子輸送層のエネルギー準位の模式図である。図５に示すように、第１発光層１１１の伝導帯下端のエネルギー準位は第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、第２発光層１２１の伝導帯下端のエネルギー準位は第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、第３発光層１３１の伝導帯下端のエネルギー準位は第３電子輸送層１３２の伝導帯下端のエネルギー準位よりもやや高い。つまり、第１電子輸送層１１２から第１発光層１１１への電子の障壁は存在しないか、又はほとんど存在せず、電子が第２電子輸送層１２２から第２発光層１２１へ大きな障壁（第３発光素子に対して）を越える必要があり、電子が第３電子輸送層１３２から第３発光層１３１へ小さな障壁を越える必要がある。この時、第１陰極１１３から第１電子輸送層１１２への電子の障壁は大きく、第２陰極１２３から第２電子輸送層１２２への電子の障壁は存在しないか、又はほとんど存在せず、第３陰極１３３から第３電子輸送層１３２への電子の障壁は小さい。それにより、該発光構造は第１陰極１１３から第１発光層１１１への電子注入効率を大幅に低下させ、第３陰極１３３から第３発光層１３１への電子注入効率をわずかに低下させるとともに、第２陰極１２３から第２発光層１２１への電子注入効率を向上させ、また、第１発光層１１１、第２発光層１２１及び第３発光層１３１における正孔－電子注入効率を均一にし、該発光構造の発光効率及び安定性を向上させる。
【0065】
例えば、いくつかの例では、第１電子輸送層１１２はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、第２電子輸送層１２２はＺｎＯナノ粒子又はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、第３電子輸送層１３２はＺｎＭｇＯナノ粒子を含み、第３電子輸送層１３２におけるＭｇのモル百分率は第１電子輸送層１１２におけるＭｇのモル百分率よりも低く、且つ第２電子輸送層１２２におけるＭｇのモル百分率よりも高い。
【0066】
例えば、いくつかの例では、第１電子輸送層１１２におけるＭｇのモル百分率は１０％～２０％であり、第２電子輸送層１２２におけるＭｇのモル百分率は５％未満であり、第３電子輸送層１３２におけるＭｇのモル百分率は５％～１０％である。なお、第２電子輸送層１２２がＺｎＯナノ粒子である場合、第２電子輸送層１２２はＭｇのモル百分率が０のＺｎＭｇＯナノ粒子であると見なされる。
【0067】
表２は本開示の一実施例に係る他の電子輸送層のエネルギー準位のデータテーブルである。表２では、第１電子輸送層１１２はＭｇのモル百分率が１５％のＺｎＭｇＯナノ粒子であり、第２電子輸送層１２２はＭｇのモル百分率が０％のＺｎＭｇＯナノ粒子であり、第３電子輸送層１３２はＭｇのモル百分率が５％のＺｎＭｇＯナノ粒子である。それで分かるように、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位は第３電子輸送層１３２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、第３電子輸送層１３２の伝導帯下端のエネルギー準位は第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高い。第１陰極１１３、第２陰極１２３及び第３陰極１３３のフェルミ準位範囲が－４．３～－４．２ｅＶである場合、第１電子輸送層１１２の伝導帯下端のエネルギー準位と第１陰極１１３のフェルミ準位との差はほぼ０．３７～０．４７ｅＶであり、第２電子輸送層１２２の伝導帯下端のエネルギー準位と第２陰極１２３のフェルミ準位との差は０．１ｅＶ未満であり、第３電子輸送層１３２の伝導帯下端のエネルギー準位と第３陰極１３３のフェルミ準位との差は０．２ｅＶ未満である。それにより、該発光構造は第１発光層１１１への電子注入効率をある程度低下させることができ、第１発光層１１１における正孔注入効率と均一になり、第２発光層１２１への電子注入効率をある程度向上させ、第２発光層１２１における正孔注入効率と均一になり、また、第３発光層１３１への電子注入効率をある程度低下させ、第３発光層１３１における正孔注入効率と均一になる。
【0068】
【表2】
【0069】
例えば、いくつかの例では、第３電子輸送層１３２の電子移動度は第２電子輸送層１２２の電子移動度よりも大きく、且つ第２電子輸送層１１２の電子移動度よりも小さい。それにより、該発光構造はさらに、第１陰極１１３から第１発光層１１１への電子注入効率を大幅に低下させ、第３陰極１３３から第３発光層１３１への電子注入効率をわずかに低下させるとともに、第２陰極１２３から第２発光層１２１への電子注入効率を向上させ、また、第１発光層１１１、第２発光層１２１及び第３発光層１３１における正孔－電子注入効率を均一にし、該発光構造の発光効率及び安定性を向上させる。
【0070】
例えば、第１電子輸送層１１２はＭｇのモル百分率が１５％のＺｎＭｇＯナノ粒子であり、第２電子輸送層１２２はＭｇのモル百分率が０％のＺｎＭｇＯナノ粒子であり、第３電子輸送層１３２はＭｇのモル百分率が５％のＺｎＭｇＯナノ粒子である場合、第３電子輸送層１３２の電子移動度は第２電子輸送層１２２の電子移動度よりも大きく、且つ第２電子輸送層１１２の電子移動度よりも小さい。
【0071】
例えば、いくつかの例では、第１発光層は赤色量子ドット発光層であってもよく、第２発光層は青色量子ドット発光層であってもよく、第３発光層は緑色量子ドット発光層であってもよく、第１発光層はカドミウムフリー赤色量子ドット発光材料、例えば、インジウムリン（ＩｎＰ）、例えばＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型量子ドット材料を用いてもよく、第２発光層は青色量子ドット発光材料、例えば、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、例えばＣｄＳｅ／ＺｎＳコアシェル型量子ドット材料を用いてもよく、第３発光層はカドミウムフリー緑色量子ドット発光材料、例えば、インジウムリン（ＩｎＰ）、例えばＩｎＰ／ＺｎＳコアシェル型量子ドット材料を用いてもよい。
【0072】
例えば、いくつかの例では、図１に示すように、第３発光素子１３０は第３正孔輸送層１３４、第３正孔注入層１３５及び第３陽極１３６をさらに含む。第３正孔輸送層１３４は第３電子輸送層１３２から離れた第３発光層１３１の一方側に設置され、第３正孔注入層１３５は第３発光層１３１から離れた第３正孔輸送層１３４の一方側に設置され、第３陽極１３６は第３正孔輸送層１３４から離れた第３正孔注入層１３５の一方側に設置される。
【0073】
例えば、第３陽極１３６は、透明な導電性酸化物又は導電性ポリマーを用いてもよく、透明な導電性酸化物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ＦＴＯ（ＳｎＯ２）等であってもよい。また、第３正孔輸送層１３４及び第３正孔注入層１３５の材料は実際の状況に応じて選択でき、本開示の実施例はこれを制限しない。
【0074】
例えば、いくつかの例では、図１に示すように、第１発光素子１１０、第２発光素子１２０及び第３発光素子１３０はベース基板１０１の同じ層に設置されてもよい。つまり、第１発光素子１１０の第１陽極１１６、第２発光素子１２０の第２陽極１２６及び第３発光素子１３０の第３陽極１３６は同じ層に設置されてもよく、第１発光素子１１０の第１正孔注入層１１５、第２発光素子１２０の第２正孔注入層１２５及び第３発光素子１３０の第３正孔注入層１３５は同じ層に設置されてもよく、第１発光素子１１０の第１正孔輸送層１１４、第２発光素子１２０の第２正孔輸送層１２４及び第３発光素子１３０の第３正孔輸送層１３４は同じ層に設置されてもよく、第１発光素子１１０の第１発光層１１１、第２発光素子１２０の第２発光層１２１及び第３発光素子１３０の第３発光層１３１は同じ層に設置されてもよく、第１発光素子１１０の第１電子輸送層１１２、第２発光素子１２０の第２電子輸送層１２２及び第３発光素子１３０の第３電子輸送層１３２は同じ層に設置されてもよい。なお、第１正孔注入層１１５、第２正孔注入層１２５及び第３正孔注入層１３５は実際の状況に応じて異なる厚さを選択でき、第１正孔輸送層１１４、第２正孔輸送層１２４及び第３正孔輸送層１３４は実際の状況に応じて異なる厚さを選択できる。
【0075】
例えば、第１陽極１１６、第２陽極１２６及び第３陽極１２７は同じ材料で製造されてもよく、従って、第１陽極１１６、第２陽極１２６及び第３陽極１３７は同一導電層を用いてパターン化して形成されてもよい。
【0076】
例えば、ベース基板１０１は透明基板、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等であってもよい。ベース基板１０１はフレキシブル透明基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板であってもよい。
【0077】
例えば、図１に示すように、該発光構造１００は異なる発光素子の間（例えば、第１発光素子１１０と第２発光素子１２０の間、第２発光素子１２０と第３発光素子１３０の間、第３発光素子１３０と第１発光素子１１０の間）に位置する画素定義層１８０をさらに含む。
【0078】
本開示の少なくとも１つの実施例は発光構造の製造方法を提供する。該製造方法は以下のステップＳ２０１～Ｓ２０５を含む。
【0079】
ステップＳ２０１：
ベース基板上に第１陽極、第２陽極及び第３陽極を形成する。
ベース基板上に第１陽極、第２陽極及び第３陽極を形成する。
【0080】
例えば、堆積方法でベース基板上に陽極層を形成し、そして陽極層をパターン化して第１陽極、第２陽極及び第３陽極を形成し、ベース基板は透明基板、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等であってもよく、陽極層は、透明な導電性酸化物又は導電性ポリマーを用いてもよく、透明な導電性酸化物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ＦＴＯ（ＳｎＯ２）等であってもよい。
【0081】
ステップＳ２０２：
ベース基板から離れた第１陽極、第２陽極及び第３陽極の一方側にそれぞれ第１正孔注入層、第２正孔注入層及び第３正孔注入層を形成する。
ベース基板から離れた第１陽極、第２陽極及び第３陽極の一方側にそれぞれ第１正孔注入層、第２正孔注入層及び第３正孔注入層を形成する。
【0082】
例えば、インクジェット印刷又はナノインプリントの方法を用いて、ベース基板から離れた第１陽極、第２陽極及び第３陽極の一方側にそれぞれ第１正孔注入層、第２正孔注入層及び第３正孔注入層を形成する。第１正孔注入層、第２正孔注入層及び第３正孔注入層の材料は有機正孔注入材料、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリスチレンスルホン酸）、又は無機酸化物、例えば酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）であってもよい。
【0083】
ステップＳ２０３：
ベース基板から離れた第１正孔注入層、第２正孔注入層及び第３正孔注入層の一方側にそれぞれ第１正孔輸送層、第２正孔輸送層及び第３正孔輸送層を形成する。
ベース基板から離れた第１正孔注入層、第２正孔注入層及び第３正孔注入層の一方側にそれぞれ第１正孔輸送層、第２正孔輸送層及び第３正孔輸送層を形成する。
【0084】
例えば、第１正孔輸送層、第２正孔輸送層及び第３正孔輸送層は有機正孔輸送材料、例えば、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、ＴＦＢ（ポリ（９，９－ジオクチルフルオレン－ＣＯ－Ｎ－（４－ブチルフェニル）ジフェニルアミン））、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－Ｎ、Ｎ’－ｂｉｓ（３－ｍｅｔｈｙｌｌｐｈｅｎｙｌ）－（１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）－４，４’－ｄｉａｍｉｎｅ）及びその誘導体、又は無機正孔輸送材料、例えば酸化ニッケル（ＮｉＯｘ）及び酸化バナジウム（ＶＯｘ）であってもよい。
【0085】
ステップＳ２０４：
ベース基板から離れた第１正孔輸送層、第２正孔輸送層及び第３正孔輸送層の一方側にそれぞれ第１発光層、第２発光層及び第３発光層を形成する。
ベース基板から離れた第１正孔輸送層、第２正孔輸送層及び第３正孔輸送層の一方側にそれぞれ第１発光層、第２発光層及び第３発光層を形成する。
【0086】
ステップＳ２０５：
ベース基板から離れた第１発光層、第２発光層及び第３発光層の一方側にそれぞれ第１電子輸送層、第２電子輸送層及び第３電子輸送層を形成する。
ベース基板から離れた第１発光層、第２発光層及び第３発光層の一方側にそれぞれ第１電子輸送層、第２電子輸送層及び第３電子輸送層を形成する。
【0087】
例えば、第１電子輸送層はＭｇのモル百分率が１０％～２０％のＺｎＭｇＯナノ粒子であり、第２電子輸送層はＭｇのモル百分率が５％未満のＺｎＭｇＯナノ粒子であり、第３電子輸送層はＭｇのモル百分率が５％～１０％のＺｎＭｇＯナノ粒子である。
【0088】
ステップＳ２０６：
ベース基板から離れた第１電子輸送層、第２電子輸送層及び第３電子輸送層の一方側に陰極層を形成する。
ベース基板から離れた第１電子輸送層、第２電子輸送層及び第３電子輸送層の一方側に陰極層を形成する。
【0089】
例えば、蒸着の方法を用いて、ベース基板から離れた第１電子輸送層、第２電子輸送層及び第３電子輸送層の一方側に陰極層を形成し、陰極層は、材料がアルミニウム又は銀であってもよく、厚さの範囲が１００～１５０ナノであってもよい。
【0090】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示パネルをさらに提供する。該表示パネルはアレイ状に設置された複数の発光構造１００を含み、該発光構造は上記実施例に係る発光構造である。それにより、該表示パネルは第１発光素子の電子注入効率を適切に低下させて第１発光素子の正孔注入効率とマッチングすることができ、さらに第１発光素子の発光効率及び安定性を向上させる。また、該表示パネルは上記実施例の異なる発光素子が異なる電子輸送層を用いる発光構造を用いる場合、該表示パネルは第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の発光効率及び安定性を同時に向上させることができ、具体的に発光構造の実施例についての具体的な説明を参照できる。
【0091】
本開示の少なくとも１つの実施例は、上記実施例に係る表示パネルを含む表示装置をさらに提供する。それにより、該表示パネルは第１発光素子の電子注入効率を適切に低下させて第１発光素子の正孔注入効率とマッチングすることができ、さらに第１発光素子の発光効率及び安定性を向上させる。また、該表示パネルは上記実施例の異なる発光素子が異なる電子輸送層を用いる発光構造を用いる場合、該表示パネルは第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の発光効率及び安定性を同時に向上させることができ、具体的に発光構造の実施例についての具体的な説明を参照できる。
【0092】
例えば、いくつかの例では、該表示装置はスマートフォン、タブレットパソコン、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ等の、表示機能を有する任意の製品又は部材であってもよい。
【0093】
（１）本開示の実施例の図面は、本開示の実施例に係る構造のみに関し、他の構造は通常の設計を参照すればよい。
【0094】
（２）矛盾がない限り、本開示の同一実施例及び異なる実施例の特徴を互いに組み合わせることができる。
【0095】
以上は、本開示の具体的な実施形態に過ぎないが、本開示の保護範囲はこれに限定されるものではなく、当業者は本開示に開示される技術範囲内の変更又は置換を容易に想到でき、この変更又は置換は本開示の保護範囲内に属すべきである。従って、本開示の保護範囲は特許請求の範囲の保護範囲を基準とするべきである。
【符号の説明】
【0096】
１００ 発光構造
１１０ 第１発光素子
１１１ 第１発光層
１１２ 第１電子輸送層
１１３ 第１陰極
１１０ 第１発光素子
１１１ 第１発光層
１１２ 第１電子輸送層
１１３ 第１陰極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【国際調査報告】