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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-06-28
(54)【発明の名称】ナノ構造体
(51)【国際特許分類】
   C01B 32/15 20170101AFI20220621BHJP
【FI】
C01B32/15
【審査請求】有
【予備審査請求】有
(21)【出願番号】P 2021568912
(86)(22)【出願日】2019-05-17
(85)【翻訳文提出日】2022-01-17
(86)【国際出願番号】 US2019033009
(87)【国際公開番号】W WO2019222718
(87)【国際公開日】2019-11-21
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】521504809
【氏名又は名称】ゾルネス デイビッド アレン
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(74)【代理人】
【識別番号】100135079
【弁理士】
【氏名又は名称】宮崎 修
(72)【発明者】
【氏名】ゾルネス デイビッド アレン
【テーマコード(参考)】
4G146
【Fターム(参考)】
4G146AA01
4G146AA07
4G146AA11
4G146AB04
(57)【要約】
本発明は、1つの「共通の」電気力学的(電流と磁場又は他の電流との相互作用)サイクロイド曲線(Eサイクロイド)は、他の曲線からのランダムな経路を、3次元配列のEサイクロイド曲線の1つのテッセレートされた進行に、組織化し、統合しなければならず、エネルギー波が粒子とエネルギーとの間でそのように循環するかという絡み合った経路に環状リンクされる。微細構造定数「a」がこのモデルの単一パラメータであり、時空中に不対要素が存在しないため、2つの電子間の力の強度を測定する。原子の建設的干渉を回避するための分子スケールでは、グラフェンの第1スタックの正六角形の側面の少なくとも1つは、第2スタックの正六角形の中心点「穴」にその側面の中点を配置することによって配置され、互いに垂直に配置された2つのスタックを提供し、第2グラフェンシートスタック内で1つの平面2Dグラフェンシートスタックを懸架する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
サイクロイド電気力学的曲線は電流と磁場又は他の電流との相互作用であり、
a)
他の曲線からのランダムな経路を、電気力学的サイクロイド曲線の1つのテッセレーションされた進行に、組織化して統合し、電場と磁場とが相互作用し、時間の経過とともに空間内の粒子の実際の軌道を制御し、
b)
サイクロイド場の形状は、n個の電場で頂点を移動するすべての粒子が結合し、他の電荷に力を及ぼし、それらを引き付け又は反発する電荷を取り巻くベクトル場であり、
c)
エネルギー波が粒子とエネルギーの間をどのように循環するかという絡み合った経路にリングリンクされた、3次元配列内の電気力学的サイクロイド曲線の1つのテッセレーションされた進行である、
サイクロイド電気力学的曲線。
【請求項2】
微細構造定数「α」がこのモデルの単一パラメータであり、時空中に不対要素が存在しないため、2つの電子間の力の強度を測定する、
請求項1記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項3】
量子質量収集は、サイクロイド曲線の全ての中間点にあり、
a)
異なる距離でEサイクロイドの全曲線に沿って進行する全ての粒子は、一期間内に、粒子が開始した曲線の中点からの距離に関係なく、同時に電気力学的サイクロイドの中間点に到達し、完全な電気力学的サイクロイド曲線の中間点で量子質量収集を提供する、
b)
全ての非サイクロイド曲線は、接線頂点として、電気力学的サイクロイド曲線に電気力学的場を統合し、
一期間の下で、同時に電気力学的サイクロイド曲線の中間点に到達し、
c)
サイクロイド中間点は、量子電気力学的関数をどのように制御するかに関する情報を提供する量子質量収集点である、
請求項2記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項4】
開始から曲線中間点に到達するまでの共通の移動時間によって規定される一期間の下で、
目的地、粒子の距離及び電気力学的なサイクロイドカーブ上の中間点の目的地からの波は無関係である。その理由は、次のことにある。走時の1つの期間の間、全ては同時に電気力学的なサイクロイド-中間点に到着する。
請求項3記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項5】
全単射関数f、又は1対1の対応は、2組の粒子球の要素間の関数であり、
1組のうちの各要素は、他の組の1つの要素と正確に対になり、他の組の各要素は第1組の1つの要素と正確にペアになる、
請求項1記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項6】
数学的に、全単射関数f:X→Yは集合Xから集合Yへの1対1(入射)及び全射(全射)マッピングであり、
a)
全単射関数によってマッピングされた二つの電子のエネルギー球は、
球の2つの交点でミラーリングされた一定の寸法#137(定数α)を有する2つの完全にミラーリングされた電気力学的サイクロイド曲線を示し、
b)
定数αは数値的に1/137に近く、
c)
全過程は基本的な相互作用から生じる、
請求項5記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項7】
2つの電子の間の反発性の電気力は、光子を生成する反対方向において電気力学的サイクロイド曲線に沿って移動する2つの頂点として可視化することができ、
光子エネルギーは、電気力学的サイクロイド形の電気力学的場内で電子に戻ることができ、
2つの電子は光子を交換することができ、
これは、実際には、物理学者が非常に複雑な無限の和を解くことを意味するが、
この理論では、各追加の光子交換は、追加のパワー、より大きなEサイクロイド曲線の集合に、隆起(a raised)を含む項を加算する、
請求項6記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項8】
中間点を有する電気力学的サイクロイド形の電気力学的場のサブセットのみが保存される
請求項2記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項9】
グラフェンシート、ナノチューブ、及びC_60バックミンスターフラーレンサブセットは、変更され、C_60バックミンスターフラーレン、ナノチューブ、分子、及びベンゼンを前記曲線の中間点に回転させるためのサイクロイド曲線になる、
請求項1記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項10】
任意の材料は、物理的にサイクロイド曲線であるように成形されている、
請求項8記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項11】
高速度写真は、設計目標を測定することによって高速ナノテクノロジー製造(同一機器)と同期し、
人工知能を適用することによって同期し、変更されたエネルギー波、原子、分子、及びサブ原子粒子で製造を変更する、
請求項1記載のサイクロイド電気力学的曲線。
【請求項12】
六角形の平面に対して90°回転した2つの体心六角形の六角形リンクと、各六角形の中心点(ゼロ質量及びエネルギ)は1つの六角形の辺(質量)中間点周りに体心であって、
第1六角形及び第2六角形の6員(原子)炭素元素C1及びC2を備え、
2つの前記炭素元素C1及びC2は、それらの六角形平面に対して90°(角度)回転し、
各六角形中心点(既知の座標点)は、各六角形の1つの六角形の辺の中間点(既知の座標点)の周りに配置され、
相対的な90°平面に向けられた、2つのトラップされた、体心六角形(六角形のリンク)を提供する、
六角形リンク。
【請求項13】
請求項12記載の六角形リンクを備えるナノ構造体であって、
六角形の炭素C1は、グラフェンタイプの材料中の1つの六角形リングであり、
六角形のハニカム結晶格子に密に詰め込まれた、sp結合炭素原子の1原子の厚さの平面シートである、
ナノ構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
マッピングされた万物の理論(Theories of Everything Mapped )
量子電気力学(QED)理論は物質と光の相互作用を記述する。個々の粒子は、絡み合ったエネルギーのメッシュに溶け込むので、もはや区別することはできない。本発明は、1つの「共通の」電気力学的(電流と磁場又は他の電流との相互作用)サイクロイド曲線(Eサイクロイド)は、他の曲線からのランダムな経路を、3次元配列のEサイクロイド曲線の1つのテッセレートされた進行に、組織化し、統合しなければならず、エネルギー波が粒子とエネルギーとの間でそのように循環するかという絡み合った経路に環状リンクされる。微細構造定数「a」がこのモデルの単一パラメータであり、時空中に不対要素が存在しないため、2つの電子間の力の強度を測定する。
【0002】
「量子質量獲得(Quantum Mass Acquisition)」は、Eサイクロイド曲線の全ての中間点(midpoints)にある:
異なる距離でEサイクロイドの全曲線に沿って進行する全ての粒子は、一期間内に、粒子が開始した曲線の中点からの距離に関係なく、同時にEサイクロイドの中間点に到達し、完全なEサイクロイド曲線の中間点で「量子質量獲得」を提供する、Eサイクロイド中間点の教示は、QED関数をどのように制御するかに関する情報を提供する量子質量獲得点である。
すべての非サイクロイド曲線は、接線頂点としてEサイクロイド曲線の電気力学的場に統合され、一期間の下で、同時にEサイクロイド曲線の中間点に到達する。一期間の下で、Eサイクロイド曲線上の中間点の目的地からの粒子及び波の距離は無関係である。なぜなら、移動時間の1つの期間中に、すべてが同時にEサイクロイドの中間点に到達するからである。万物の統一理論に帰着する。元素の周期表は、さまざまなサイズのE-サイクロイド場として再定義できる。太陽系、銀河、セントラルブラックホール、そして宇宙は、さらに大きな異なるEサイクロイド場として再定義できる。
電場及び磁場は、自然界の4つの基礎力農地の1つである、電気力学的力を一緒に形成する。
【0003】
全単射関数f、又は1対1の対応は、2組の粒子球の要素間の関数であり、1組の各要素は、他の組の1つの要素と正確に対になり、他の組の各要素は第1組の1つの要素と対になっている。数学的に、全単射関数f:X→Yは組Xから組Yへの1対1(入射)及び全射(全射)マッピングであり、全単射関数によってマッピングされた二つの電子の「エネルギー」球は、球の2つの交点でミラーリングされた一定の寸法#137(定数α)を有する2つの完全にミラーリングされたEサイクロイド曲線を示す。定数αは数値的に1/137に近い。全過程は基本的な相互作用から生じる。2つの電子の間の反発性の電気力は、光子を生成する反対方向においてEサイクロイド曲線に沿って移動する2つの頂点として可視化することができ、光子エネルギーは、Eサイクロイド形の電気力学的場内で電子に戻ることができる。2つの電子は光子を交換することができ、これは、実際には、物理学者が非常に複雑な無限の和を解くことを意味する。しかしながら、この理論では、各追加の光子交換は、追加のパワー、より大きなEサイクロイド曲線の集合に、隆起(a raised)を含む項を加算する。従来技術では、この項は、「FUNTION」値に比べて無視される小さな寄与を提供する多くの交換を行った。
【0004】
物理学では、Geonは重力電磁気エンティティからJ.A.Wheelerによって造られました。Geonは、それ自体の場のエネルギーの重力引力によって閉じ込められた領域にまとめられた仮説の電磁波又は重力波である。電磁デバイスは電磁場に基づいて動作し、機械的コンポーネントがあったとしてもごくわずかしか含まれない。(例えばソレノイドである)。電磁場(物理学)は、帯電した物体の電気力と磁力の相互作用による力の場である。運動中の電荷に関連する力の場で、電気成分と磁気成分の両方を持ち、一定量の電磁エネルギーを含む。重力電場(物理学)は、電磁場の電気成分に類似した重力場の成分を表します。重力磁場(物理学)は、時空をねじるスピニング質量の特性であり、それが形式的にのみ関連している磁気との類推に由来する。
【0005】
本発明は、電場及び磁場における粒子運動の軌道が、本発明において全単射(bijective)として定義される宇宙時空場内又は母集団時空場内(within the universes spacetime field)にトラップされた電子及び陽子の軌道のようなサイクロイドであることを教示している。サイクロイド運動は、速度での均一な横方向の運動に重ね合わされた均一な円運動であるため、私たちが見る運動は、円運動に加えて、ドリフト速度vd=E/Bでの並進運動である。彼のフレームでは、我々の磁場は新しい磁場と下方向の電場に変換される。一定の速度で設計すると、総電界はゼロになることができ、電子は円を描くようになる。直角の均一な磁場Bと電場E。Bに対して垂直に始まる粒子は、図75のような曲線で移動する。
【0006】
粒子(正と仮定)がEの方向に移動すると、速度が上がり、磁場によって曲がることが少なくなる。電場に逆らうと、速度が低下し、磁場によって絶えず曲がっていく。正味の効果は、それがExBの方向に平均的な「ドリフト」をもつことである。
【背景技術】
【0007】
もつれ制御
量子もつれは、量子情報技術における最も重要な資源である。量子もつれを制御するために、いくつかの最適制御及びフィードバック制御アプローチが提案されている。(Yamamoto, N., Tsumura, K., and Hara, S.:’Feedback control of quantum entanglement in a two-spin system’, Automatica, 2007, 43, pp.981-992)(69 Mancini, S., and Wiseman, H.M.: Optimal control of entanglement via quantum feedback’, Phys. Rev. A, 2007, 75, p.012330),(Yanagisawa, M.:’Quantum feedback control for deterministic entangled photon generation,’ Phys. Rev. Lett., 2006, 97, p.190201),(Yamamoto, N, Nurdin, H.I., James, M.R., and Petersen, I.R.:’Avoiding entanglement sudden death via measurement feedback control in a quantum network,’ Phys. Rev. A, 2008, 78, p.042339),(Hill, C., and Ralph, J.:’Weak measurement and control of entanglement generation’, Phys. Rev. A, 2008, 77, p.014305),(Zhang, J., Wu, R.B., Li, C.W. and Tam, T.J.:’Protecting coherence and entanglement by quantum feedback controls,’ IEEE Trans. Autom. Control, 2010, 55, rr.619-633),(182 Cui, W., Xi, Z.R., and Pan, Y.:’Non- Markovian entanglement dynamic between two oscillators in the same environment’, J. Phys. A: Math. Theor., 2009, 42, p.155303).本発明は、サイクロイド曲線及び本発明で教示されるサイクロイド曲線の3次元ファインマン図の位置によって量子もつれを制御するための完全に新しい方法を開発することが望ましいことを教示している。先行技術は、量子もつれを効果的に特徴付けることができる適切な理論を欠いている。量子もつれに対する新しい制御理論の適用は、より困難である。もつれ制御の失敗の先行技術の結果は、本発明において教示されたサイクロイド曲線の位置決め及び制御の新しい理論の必要条件を検証する。量子もつれの特徴は、従来技術における制御に関連する古典物理学の対応物を有しない。
【0008】
自発的パラメトリック下方変換(SPDC、パラメトリック蛍光又はパラメトリック散乱としても知られる)は、量子光学において重要なプロセスであり、特に、もつれ光子対及び単一光子のソースとして使用される。
【0009】
非線形結晶を使用して、エネルギー保存の法則及び運動量保存の法則に従って、元の光子及び結晶格子のエネルギー及び運動量に等しいエネルギー及び運動量を結合し、周波数領域で位相整合し、相関偏光を有する光子対に光子ビームを分割する。結晶の状態は、プロセスによって変化しない。光子が同じ偏光を共有する場合は、それはタイプI相関と見なされ、垂直偏光を有する場合は、タイプIIと見なされる。連続する光子組間には偏光相関はない。
【0010】
SPDCの変換効率は、典型的には非常に低く、導波路中のPPLNに対する10入射光子当たり4対のオーダーである。しかし、対の半分(「シグナル」)が任意の時点で検出される場合、そのパートナー(「アイドラ」)が存在することが知られている。タイプI下方変換の出力は、均一な光子数項のみを含む圧縮真空である。タイプII下方変換の出力は2モード圧縮真空である。
【0011】
グラフェンは、ハニカム結晶格子に密に詰め込まれた、sp結合炭素原子の1原子の厚さの平面シートである。グラフェンは、炭素原子とその結合からなる原子スケールの「チキンワイヤ(chicken wire)」と見なすことができる。グラファイト自体は、多くのグラフェンシートが一緒になって積層してできている。本発明は、多くの改質された炭素元素、積層及び配列されたグラフェンシートを製造する幾何学的形状及び方法を教示する。
【0012】
本発明は、グラフェン又は物理学的要素を操作するために、ファインマン図の新しい配向を教示し、任意の相対位置からの三次元母集団(three-dimensional universe)(検証された場合、他の次元を含む)における物理的意味を解釈し、これは、量子物理学及びグラフェン型構造のすべての物理的性質を制御する能力を提供する。本発明は、標準モデルのための新たなファインマン規則を教示し、その拡張のいくつかは三次元であり、位置はすべて、従前の左右矢状規則ではなく、アレイを介して空間にわたってパルシングする光子「インスタンス」(波線、スパイラル、及びサイクロイド形状のスパイラル)に関連する。完全な円の周りに同じ方向に配向された矢印を有する新しい円弧線は(従来技術の直線ではなく)、任意の相対位置から空間-時間を制御するために本発明において重要である。3次元的には、本発明は、依然として、ファインマン図の頂点に入る正確に1つの矢印と、任意の「相対」光子インスタンス、観測の視点又は量子「制御」点、光子において現れる正確に1つの矢印とを有する。三次元図は、接続された部分のみを含み、円弧線はすべて、図の一部も切り離されることなく、少なくとも1つの頂点に接続する。矢印は、ファインマン図の原理の下にある他の要素と干渉しない限り、任意の方向を指している。円弧線は、単一の波状スパイラル線、光子に対向する矢印を持つ2つの線がある場合にのみ接続される。2種類の線が示されており、円弧線(中心点の周りに6つの円を均等に、同じ平面上に配置し、6つの方向すべてに配置するための参照「概略」線として6つの六角形の直線を用いる)と、矢印又はうねりのあるスパイラル線(光子)である。上述のルールを通過する本発明に示された図は、有効なファインマン図である。粒子が実際の空間を通過する経路は、相互作用(ファインマン図によって捉えられる)だけでなく、運動学(そうではない)によっても決まる。例えば、運動量やエネルギー保存の法則などを課す必要がある。ファインマン図の点は、空間内の粒子の実際の軌道ではなく、粒子の経路に沿った相互作用を理解することである。量子場理論の数学的枠組みは因果律の概念に基づいている。本発明は、サイクロイド曲線、又はサイクロイド曲線「位置」制御に統合された他の曲線を用いて、空間中の粒子の実際の軌跡を「制御」するために必要とされる。
【0013】
本発明は、矢印又はうねりスパイラル線を有する円弧線の描画のみを適用し、次に、本発明に例示された交点(頂点)のみを用いてそれらを結合する規則を用いて、三次元ファインマン図を描くことを教示する。矢印で示した線は電子(矢印が左から右に向かう場合)と陽電子(矢印が反対方向を向く場合)であり、波線は光子である。規則の選択は、我々が「粒子相互作用のモデル」と呼ぶものであり、特に、「電子と光子の理論」のための物理学-対話である量子電気力学と呼ばれるものを開発した。
【0014】
本発明は、本発明の図に示される形状に対してグラフェンが適用されるすべての場所で、
プランクスケーリング粒子関係が、本発明が教示するのと同じ新しい三次元場によって制御されるグラフェンの大きなナノスケール構造に置き換わることを教示する。原子の種類に応じて、原子は1~103個の電子を持つことができる。各電子は非常に小さい。電子の質量(重量)は、1個の電子と1個のプロトンをもつ水素原子の1/1836にほぼ等しく、したがって、電子は陽子の1/1836のサイズであり、e電子は素粒子であり、記号e-又はb-であり、その電荷は負の1つの電気素量です。電子は、レプトン粒子ファミリーの第一世代に属し、一般に、それらは既知の成分又はサブ構造を有しないため、素粒子であると考えられている。
【0015】
グラファンは、炭素と水素の2次元ポリマーであり、式単位(CH)n、nは大きい、を有する。グラフェンの炭素結合は、グラフェンのsp2結合の構造とは対照的に、sp3構造である。したがって、グラフェンは立方晶系ダイヤモンドの2-D類似体である。グラフェンは水素化グラフェンである。その生産は2009年に報告された。
【0016】
グラフェンシートの両面から完全に水素化すると、グラフェンが生成されるが[Sofo, Jorge O. et al. (2007). ”Graphane: A two-dimensional hydrocarbon”. Physical Review B 75 (15): 153401-4. doi: 10.1 l03/PhysRevB.75.153401]、部分水素化は水素化グラフェンにつながる[o-dimensional hydrocarbon”. Physical Review B 75 (15): 153401-4. doi: l0. H03/PhysRevB.75.153401]。
【0017】
グラフェンがシリカ表面にある場合、グラフェンの片側のみの水素化により、グラフェンの六角形の対称性が維持される。リップリングの存在により、グラフェンの片側水素化が可能になる。後者はランダムに分布しているため、両側グラフェン(two-sided graphane)とは対照的に、得られたグラファンは無秩序な物質であると予想される
[D. C. Elias et al. (2009). ”Control of Graphene’s Properties by Reversible Hydrogenation: Evidence for Graphane”. Science 323 (5914): 610. doi: 10. H26/science.1167130. PM ID 19179524.]。アニーリングは、水素を分散させ、グラフェンに戻らせる[Kostya Novoselov. ”Beyond the wonder material.” Physics World August 2009, 27-30.]。
【0018】
pドープグラファンは、Tcが90Kを超える高温BCS理論超伝導体であると仮定されている。[G. Savini et al.. Doped graphane: a prototype high-Tc electron-phonon superconductor. arXiv: l002.0653vl.]。
【0019】
炭化ケイ素基板上にグラフェン層を成長させると、それらの相互作用がグラフェンの副格子間の対称性を破壊する。対称性の破れは、運動量空間における副格子のバンドを分離し、グラフェンの原子価バンドと伝導バンドとの間のギャップを開く。バンドギャップは、電子デバイスにグラフェンを使用する可能性を高める。
【0020】
ドーピングを通して又は量子ドット若しくはナノリボンのような閉じ込められた幾何学的構造の作製を通して、このようなギャップを誘起するためのいくつかの有望な試みが進行中であるが、Lanzaraらは、炭化ケイ素基板上にエピタキシャルグラフェンを成長させることが、バルクグラフェンでも機能するはるかに簡単なアプローチであることを実証した。
【0021】
「私たちが知る限り、これは、ジオメトリをドーピング又は制限することなく、グラフェンに半導体バンドギャップを作成できることを示す最初のデモンストレーションである」と、Lanzaraの研究グループのメンバーであり、バークレーラボの材料科学部門とETCバークレーの物理学部門と共同で任命されている物理学者ShuynZhouは述べている。
【0022】
本発明は、3Dグラフェン内で互いに対向する懸架壁は、グラフェンとグラフェンを組み合わせて持つことができ、グラフェン層内及び層間の任意の切断開口を通るグラフェンの移動を含む、回路内の電子の経路を提供できることを教示する。
【0023】
http://en.wikipedia.org/wiki/Graphene#cite_note-59
による。
【0024】
グラフェンは、ハニカム結晶格子に密に詰め込まれた、sp結合炭素原子の1原子の厚さの平面シートである。それは世界で最も強い材料であることが知られている。これは、炭素原子とその結合からなる原子スケールのチキンワイヤと見なすことができる。名前はGRAPHITE+-ENEに由来し、グラファイト自体は、一緒に積み重なる多くのグラフェンシートから成る。
【0025】
グラフェンの炭素-炭素結合の長さは約1.42 Aである。
グラフェンは、グラファイト、カーボンナノチューブ及びフラーレンを含む他のすべてのグラファイト材料の基本的な構造要素である。
また、グラフェンと呼ばれる平坦な多環芳香族炭化水素のファミリーの限定的なケースである、無限に大きな芳香族分子と見なすこともできる。
【0026】
説明
完全なグラフェンは六角形セルのみから成り、五角形及び七角形セルは欠陥を構成する。
もし単離された五角形セルが存在すると、平面は円錐形に曲がり、12個の五角形が挿入されるとフラーレンが生じる。同様に、隔離されたヘプタゴンを挿入すると、シートは鞍状になる。五角形及び七角形の制御された付加により、例えばカーボンナノバッド(carbon NanoBuds)のような広範囲の複雑な形状を作ることができる。単層カーボンナノチューブは、グラフェンシリンダと考えられ、一部は、両端に半球状のグラフェンキャップ(6つの五角形を含む)を有する。
【0027】
IUPACの技術概要では、「以前は、グラファイト層、カーボン層、カーボンシートなどの説明がグラフェンという用語に使用されていた...3D構造を意味するグラファイトという用語を含む用語を単層に使用することは正しくない。グラフェンという用語は、個々の層の反応、構造関係、又はその他の特性について説明する場合にのみ使用されなければならない。」この点では、グラフェンは無限に変化する(6員カーボンリングのみの)多環芳香族炭化水素(PAH)と呼ばれている。このタイプの最大の分子は、222個の原子からなり、10個のベンゼン環を横切る。PAHと比較したグラフェンの特性の発現は不明である。
PAHの60、78、120 炭素原子は、UV吸収スペクトルが不連続なPAH電子構造を示すが、222個の炭素原子のPAHは、グラファイトに類似したラマンバンドを有する。
【0028】
したがって、結晶格子吸着体の強い静電界に浸透して吸着体(adsorbents)から吸着質(adsorbates)を物理的に脱着する偏光希ガスストリングに基づく電気的スイングパージガスストリッピングサイクル、及び、作用物質の量を吸着体の容量に一致させ、作用物質が流体状態であろうと固体状態であろうと、装置に損傷を与えることなく作用物質を吸着し続けることができる吸着装置がこの分野で必要とされている。吸着体又は吸着質の熱上昇を最小限に抑えて吸着体を脱着することが望ましく、本発明は、キセノンガスの電気的ストリングを教示し、最小の熱上昇で吸着質を急速に脱着する。この効率により、エネルギー消費を削減するベッドを介して処理される吸着質と比較して最小の吸着体ビーズサイズが提供される。本発明はこれらのニーズを満たすと共に、更に別の関連する利点を提供するものである。
【発明の概要】
【0029】
本発明は、2つの体心六角形がそれらの六角面に対して90°回転され、各六角形の中心点が、90°回転された平面内の各隣接六角形の1つの六角形の辺側の中間点(one hexagon side midpoint)の周りに配置される、グラフェン6原子カーボン要素(graphene six-atom carbon elements)に関する。グラフェンの層(スタック)は、六角形平面に対して90°回転する対応するグラフェン層の層によって懸架される。本発明は、2つの体心六角形(図3C1及びC2)として表される6原子カーボン要素がそれらの六角形平面に対して90°回転され、各六角形の中心点「穴」が、隣接する平面において各六角形の1つの六角形の辺の中間点の周囲に配置され、互いに垂直な2つのグラフェン平面シートの積み重ねを提供する場合、グラフェン6原子カーボン要素が、原子の構成的干渉を回避することができることを教示する。第2のグラフェンシート積層体内に一つの平面2Dグラフェンシート積層体を懸架することにより、各スタックが同じ3次元(3D)スペースを占めることができる。なぜなら、6員カーボン穴は、十分に低いエネルギー変化状態で6員カーボン対カーボン側のためのスペースを提供するからである。ナノテクノロジーの限界は、原子の構造的干渉により、ナノチューブの長さ、2Dサイズグラフェン平面シート領域を制限し、従来技術において、互いに垂直に懸架された3D「リンク」層の欠如は、この懸架されたグラフェン積層体3D懸架によって持ち上げられ、これは、垂直グラフェンシートから形成された低エネルギー穴に6員カーボン六角形の辺を配置する。
【0030】
図108及び図109では、原子の構成的干渉が回避され、図106及び図107において、エネルギー電荷密度が正確に[0~0.8]整合され、六方体心グラフェンを六角形平面に対して90°回転させたグラフェンに織り込み、各六角形の中心点(ゼロ質量及び最小エネルギー)が1つの六角形の辺の(質量)中間点の周りを体心であるからである。図5は、sp2結合炭素原子からグラフェンに変換する化学的に結合された水素原子を有するsp3結合炭素原子中のグラフェンに水素を化学的に結合させたグラフェンである。図5において、水素原子は、グラファンシート(元はグラフェン)の両面から外側にほぼ90度の角度で伸びている。このグラフェンは、必要に応じてグラフェン層を間隔をあけ、3Dグラフェンを製造するための絶縁体であり、水素原子は、六角形の平面に対して90°回転させたグラフェンの中に1つの六方体心グラフェンの積層体を織り込む(weaving)ための電子の流れの制御を提供し、各六角形の中心点(質量ゼロ、最小エネルギー)は、環状結合原子トラップ3Dグラフェン材料を提供する六角形の辺の(質量)中心点の周りに体心されている。グラファンの表面にあるこれらの水素原子は、六角形の中心点(質量ゼロ、最小エネルギー)が、六角形の辺の(質量)中心点のまわりで体心になるように、順番に取り除かれる。六角形の中心点の周りのエネルギーを変更すると、6員炭素原子リングの1つの炭素原子が原子のリングのエネルギー電荷を貫通することができる。炭素質量挿入後の水素原子の除去は、90度の角度でグラフェン環リンクを提供する。D C EliasらScience, 2009, 323, 610 (DOI: 10.1 l26/science.l 167130)と彼のチームは、グラフェン(原子の単層の厚さのカーボンのシート)を水素化された等価のグラフェンに変換した。
【0031】
図5のグラファンは、また、本発明の図4の六角形ナノアイランドであることができ、各6員カーボン六角リングの中心点穴まで水素原子を整列させることによって、タイル状の六角形のオフセットアセンブリの絶縁又は増加した構成的原子結合を提供することができる。水素原子の付加と除去は、ナノ膜を通して気体又は空気を運ぶことができ、設計は、グラファン/グラフェンハイブリッドを任意の分子種(吸着質)を選択できる分子シーブに変換するグラフェン上の水素を除去することによって記述できる。グラファン上のこの水素パターンには、電気的スイング吸着/脱着サイクルを適用することができる。グラフェンは吸着のためにパターンに切断することができ、グラファン/グラフェンの両側を分子シーブ吸着を制御するために適用する。
【0032】
グラファンは絶縁特性を有し、グラフェンは導電性が高い。グラフェンを原子水素に曝露すると、グラフェンが生成され、これは、グラファンをグラフェンに戻す可逆的水素化である。
水素化は、高導電性グラフェンを、原子エネルギーの低いプラスチック絶縁体である新しい二次元結晶、グラファン、に改質する。グラフェンベースの化学誘導体は、水素のような化学物質をドープした化学作用(chemistry)によって改質される。この電子特性は、グラフェンのエネルギー特性を低下させるために化学作用を用いることによって改質することができ、このことは、炭素原子が2Dグラフェン内にその場移動することができる低エネルギー炭素を提供して、3Dグラフェンを作ることができる。グラファンは絶縁体であるところ、グラフェンウェーハは、相互接続が化学的に修飾されて半導体になり、トランジスタとして機能する。
【0033】
六方平面配列を形成するためにsp結合を形成する、シリコン、ホウ素、及び他の元素等の他の原子は、DNAナノ要素を含めて、本発明で教示された構成で製造することができる。
エネルギ及び戦略的材料をめぐる国間の軍事紛争及び競争により、グラフェン関連構造を作成するための新しい方法が、新しい材料吸着体、燃料貯蔵、真空気密フィルム、コンピュータ回路、及びナノサイズ材料の他の関連する用途を提供するために当技術分野で必要とされている。
【0034】
本発明のこれら及び他の態様は、以下の詳細な説明及び添付の図面を参照することにより明らかになる。
【0035】
したがって、本発明の分野には、全ての基本現象において、
変化する電気力学的場が、その起源から離れてE-サイクロイド曲線形状の波形の形で伝播し、(本発明においてはvと称される)同じ時間期間(SAME Time-Period)ごとに距離の「異なる」ユニット内の異なるスピード又は速度により、完全なEサイクロイド曲線の中間点において波と粒子を結合することによって通常は質量のない粒子に質量を与える新奇な量子効果「量子質量獲得」を定義することが教示されている。
完全なE-サイクロイド曲線の一部のみが必要とされ、これは、波及び粒子を捕捉するEサイクロイドの中間点からSAME時間の中間点までの2つの等しい又は等しくない曲線長に関連する。
【0036】
時間依存ベクトル場は、ベクトル計算の構造であり、時間の経過とともに移動するベクトル場を一般化する。時間のすべての瞬間において、ユークリッド空間又はマニホルドのすべての点にベクトルを関連付け、QEDを制御するための粒子の全単射マッピングを提供する。
【0037】
集合状態における粒子と波の全単射マッピングは、ボース=アインシュタイン凝縮(BEC)として知られる。
全単射関数は、BECの数学的モデルを提供し、先行技術の未知の量子質量獲得経路に適用することができる。
量子質量獲得は小さすぎて他の二次効果と区別することはできないが、
各状態に出入りする伝播波及び粒子の位相は、
波動伝搬スピード又は伝搬速度(VoP又はv)と呼ばれる電気力学的Eサイクロイド形の場に沿って伝播することが教示されており、
光子生成の真の速度は、同一の時間期間毎の電気力学的E-サイクロイド曲線上の任意の距離にわたる任意の速度に相対的であることを意味する。
【0038】
https://en.wikipedia.org/wiki/Velocity_factor
による。
【0039】
伝送媒体の波動伝搬スピード又は伝搬速度(VoP又はvP(以下、本明細書において「v_P」などのように下付き文字を「_」で、上付き文字を「^」で表すことがある。)とも呼ばれる速度係数(VF)は、
(電気力学的信号、無線信号、光ファイバ内の光パルス又は銅線上の電圧の変化の)波面が媒体を通過する速度と真空中の光速度の比である。
光信号の場合、速度係数は屈折率(v_P)の逆数である。
【0040】
伝搬速度及び波動伝搬速度v_Pという用語の使用は、速度の比を意味するものとして、コンピュータネットワーク及びケーブル産業に限定される。
一般的な科学・工学の文脈では、
これらの用語は、速度係数が比に使用されている間、時間当たりの距離のユニットでの真のスピード又は速度を意味すると理解されるであろう(”velocity of propagation” in Walker, P.M.B., Chambers Science and Technology Dictionary, Edinburgh, 1991, ISBN 1-85296-150-3)。
【0041】
これらの波は、真空中を光速で移動し、広いスペクトルのサイクロイド波長に存在する。
動電放射線の動的場の例(周波数の高い順)は、無線波、マイクロ波、光(赤外線、可視光線、紫外線)、X線、ガンマ線である。
素粒子物理学の分野では、この電気力学的放射は、荷電粒子間の電気力学的相互作用の出現であり、
頂点としてサイクロイドの湾曲した場に入る粒子は、各波のどこに粒子が入るかに関係なく、同時にベクトルに到達する。 。
サイクロイド場の形状は、n個の電場で頂点を移動するすべての粒子をまとめて結合し、他の電荷に力を及ぼし、それらを引き付け又は反発する電荷を取り巻くベクトル場である。
数学的には、電場は、空間内の各ポイントに、その点での微小なテスト電荷によって電荷ユニットごとに発生するクーロン力と呼ばれる力を関連付けるベクトル場である。
SI系の電場のユニットは、クーロン/ニュートン(N/C)又はボルト/メートル(V/m)である。
電場は電荷及び時変磁場によってつくられる。
電場は物理学の多くの分野で重要であり、電気技術で実用的に活用されている。
原子スケールでは、電場は、原子核と、原子を結びつける電子との間の引力、及び化学結合を引き起こす原子間の力の原因となる。
電場と磁場は共に、自然の4つの基本的な力の1つである電気力学的力を形成する。
【0042】
曲線に沿って移動する物体が頂点に向かって移動する(均一な重力で摩擦なしに滑る)ことによって得られる電気力学的サイクロイド曲線時間内では、その開始点とは無関係である。
曲線は、Eサイクロイドであり、時間は、移動する物体の加速にわたる(電気力学的サイクロイドを生成する円の)半径の平方根のp倍に等しい。
【0043】
互変異性(tautochrone)又は等時性曲線(isochrone)(同じ又は等、同一及び黒の時間を意味するギリシャ語の接頭語tauto-に由来する)は、物体が摩擦なく均一な重力において最低点までスライドするのにかかる時間が出発点に無関係である曲線である。
曲線はE-サイクロイドであり、時間は重力加速度に対して半径の平方根(サイクロイドを生成する円の平方根)のp倍に等しい。
タウトクロン曲線は、任意の開始点について上腕クロム曲線と同じである。
【0044】
この効果により、準Nambu-Goldstoneボソンと呼ばれる通常は質量のない素粒子が、微小な量子ゆらぎの結果として質量を獲得する。
【0045】
物質の状態は、理論的には存在が予測されているが、直接生成又は観察が困難な粒子を研究するための「量子シミュレータ」として有用である。
【0046】
量子シミュレータは非常に汎用性が高く、相互作用、粒子密度、温度を調整することができる。
【0047】
サイクロイドは、車輪が滑らずに直線に沿って回転するときに、円形車輪のリム上の点によってトレースされる曲線である。
サイクロイドはトロコイドの特殊な形であり、ルーレットの一例であり、別の曲線上で曲線がローリングすることによって生成される曲線である。
【0048】
このサイクロイドは、カスプが上を向いた状態で、
一定の重力下での最速降下の曲線であり、
曲線上でオブジェクトが降下する期間がオブジェクトの開始位置に依存しない曲線の形でもある。
【0049】
サイクロイド曲線の磁場エネルギー焦点の一例は、
太陽の表面放射のまわりの異なる距離から始まる粒子は太陽の大気中に移動するが、
放射温度とスピードを乗じてサイクロイド形の焦点に到達する。
国立太陽観測所(NSO)によれば、
太陽のコロナは、コロナと太陽表面との間の層である、太陽の表面、光圏(photosphere)、及びガス層(chromosphere)よりも数百倍の熱さであり、
コロナの温度範囲は170万°F(100万°C)から1700万°F(1000万°C)である。
太陽の本体は、高温のコロナに比べてはるかに低い温度であり、
なぜなら、プラズマがクラウン上の点のように外側に流れるときに、
天体物理学時空環境を提供するサイクロイド曲線であるからであり、
時間(T1)において、サイクロイド磁場曲線の「クラウン上の点」に入るすべての粒子を、時間T2において高温粒子の焦点に移動し、
粒子がどれだけ遠くから曲線に入るかに関係なく、粒子は同時にクラウンに到達する。
光圏では、太陽の放射は最初の可視光となり、約10,000-°F(5,500-°C)であり、ここで、太陽黒点は約7,300-°F(4,000-°C )である。
太陽の大気中で、太陽の中心点から半径方向の距離が大きくなると、
水素で満たされたガス層は約7,800°F(4,320°C)であり、さほど可視ではないが、
磁気的には集束コロナサイクロイド曲線に組織化されており、
そこでは、共通のサイクロイド曲線上で始まる粒子が、熱エネルギーと他のすべての波及び粒子を乗じて同時に集束点に到達する。
【0050】
ファインマン図規則の下で、時空中の粒子の軌道を制御することによってグラフェンの生成を修正すると、
六方ハニカム結晶格子に密に詰まったsp2結合炭素原子の1原子厚の平面シートを生成し、
2.13 Å(Side / 2 + Side = w4)の距離において配置された無限数の平行層の第1スタックと第2スタックとを並置することにより、まとめて織り込まれた無制限の3次元(3D)グラフェン層を提供し、
ここで、第2スタックは正六角形の中心点「穴」を中心に90度回転し、次に正六角形の第1スタックの正六角形の辺の中心点(1つの正六角形の6員側の中間点、つまりC-C結合の中間点)に位置合わせされます。
原子の構成的干渉を避けるため、
グラフェンの第1スタック内の正六角形の辺の少なくとも1つは、
その辺の中間点を第2スタックの正六角形の中心点「穴」に配置することによって配置され、
互いに垂直な2つのスタックを提供し、
第2グラフェンシートスタック内の1つの平面2D(2D)グラフェンシートスタックを懸架し、
各スタックは同じ3D空間を占めることができ、
なぜなら、6員カーボン穴は、十分低いエネルギー変化状態において6員カーボン対カーボン側のための空間を提供するからである。
【0051】
グラフェンは6原子炭素体心六角形セルでできている。
したがって、これは構造的歪みに対して安定しており、
分子とは異なり、環は座屈せず、安定しており、
従来技術は、「理論と実験の両方によれば、完全な2次元グラフェン結晶は自由状態で存在することはできない」と述べている。
本発明は、完全な2Dグラフェン結晶の層が磁気モーメント上で浮遊し、
互いに接触しないことを教示しており、
そのため、グラフェンが提供する可能性のある光学的、電気的、又はその他の材料特性にアクセスすることができる。
【0052】
グラフェンシートは、炭素原子からなる原子スケールの「チキンワイヤ」であり、グラファンは無数の炭素環を含み、二重結合をまったく含まない。
それは明らかに三次元の分子であり、水素が分子の平面から上下に突き出ている。
【0053】
ユークリッド空間は一連の公理によって定義されるが、これらの公理は点がどのように表現されるかを規定していない。
ユークリッド空間は、1つの可能な表現選択肢として、デカルト座標を用いてモデル化されることができる。
この場合、ユークリッド空間は同じ次元の実座標空間(R)によってモデル化される。
1次元では、これは実線であり、
2次元ではデカルト面であり、
高次元では、3つ以上の実数座標を有する座標空間である。
数学者は、そのユークリッドの性質を強調したい場合には、n次元ユークリッド空間をEで表すが、
Rnは、後者が標準ユークリッド構造をもつと仮定されているので、Rも同様に使用され、これらの2つの構造は必ずしも区別されない。
ユークリッド空間は有限次元を有する。
【0054】
https://en.wikipedia.org/wiki/Bijectionによれば、
数学では、全単射(bijection)、全単射関数(bijective function)又は1対1の対応は、2つの集合の要素間の関数であり、一方の集合の各要素は他方の集合の正確に1つの要素と対になり、他方の集合の各要素は最初の集合の正確に1つの要素と対になる。
不対要素は存在しない。
数学的に、全単射関数f:X→Yは集合Xから集合Yへの1対1(単射)(one-to-one (injective))及び全射(全射)(onto (surjective) )マッピングである。
集合Xから集合Yへの全単射はYからXへの逆関数である。
もしXとYが有限集合であるなら、全単射の存在はそれらの要素の数が同じであることを意味する。
無限集合の場合、画像はより複雑になり、無限集合のさまざまな大きさを区別する方法として、基数の概念が導かれる。
【0055】
集合からそれ自身への全単射関数は、置換とも呼ばれる。
【0056】
全単射関数は、同形(isomorphism)、位相同形(homeomorphism)、微分同形(diffeomorphism)、置換群(permutation group,)、投影マップ(projective map)の定義を含む数学の多くの分野に不可欠である。
【0057】
関数が、単射と全射の両方である場合、全単射である。
全単射関数は、(1対1の対応)の全単射である。
関数は、全ての可能な画像が正確に1つの引数によってマップされる場合にのみ、全単射である。
この等価条件は、次のように形式的に表される:
【0058】
この関数は、すべてにとって全単射であり、次のように固有であり、
【0059】
関数f:
X→Yは、それが可逆である場合にのみ、つまり、
g o f = Xの恒等関数及びfo g = Yの恒等関数であるような関数g:YXがある場合にのみ全単射である。
この関数は、各画像を固有のプリイメージにマッピングする。
【0060】
2つの全単射の合成もまた全単射であるが、g o fが全単射である場合、fは単射であり、gは全射であると結論付けることしかできない。
(右の図と、単射と全射に関する上記の注釈を参照されたい。)
【0061】
集合からそれ自体への全単射は、対称群と呼ばれる構成下の群を形成する。
【0062】
本発明は、全般的に、サイクロイド曲線を適用することに向けられており、材料の生産を制御し、量子システムを制御する。
【0063】
本発明のこれら及び他の態様は、以下の詳細な説明及び添付の図面を参照することで明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0064】
本発明の前述の態様及び付随する利点の多くは、添付の図面と併せて、以下の詳細な説明を参照することにより、本発明がよりよく理解されるにつれて、より容易に理解されるであろう:
図1は、aを示す。
本発明の前述の態様及び付随する利点の多くは、添付の図面と併せて、以下の詳細な説明を参照することにより、本発明がよりよく理解されるにつれて、より容易に理解されるであろう:
図1図1は、二次元ファインマン図規則を適用した粒子相互作用の三次元モデルを示しており、この規則は、それぞれが光子の波線に接続された電子又はポジトロンの矢印に円弧線のみを適用し、次に、カルテシアン平面(x、y平面)の正六角形ハニカム結晶格子に密に詰め込まれた3次元配列「チキンワイヤレイ」結晶格子の下で、電子及び光子の普遍的な理論を定義する交差した頂点を使用してそれらを結合するだけである。
図2図2は、図1、3及び17の3次元的に配列されたファインマン図を示している。
図3図3は、2つのファインマン図を示しており、六角形の平面に対して90°回転した2つの体心六角形の斜視図として6つの配列された円弧を提供し、図1、2、4、5、6及び17にも示すように、各六角形の中心点は、各六角形の1つの六角形の辺の中間点の周りに配置されている。
図4図4は、六角形の平面に対して90°回転した2つの体心六角形のx軸を中心に回転した図として、2つの6原子炭素要素を示し、図1、2、3、5及び6にも示すように、各六角形の中心点は、各六角形の1つの六角形の辺の中間点の周りに配置されている。
図5図5は、2つの6原子炭素要素を、それらの六角形平面に対して90°回転した2つの体心六角形のz軸の下の上面図として示しており、各六角形中心点は、各六角形の6つの六角形の辺の中間点のうちの1つの周りに配置されており 、図1、2、3、4、6及び19にも示すように、電子よりはるかに大きい原子の寸法を含む。
図6図6は、2つの6原子炭素元素を、それらの六角形平面に対して90°回転した2つの体心六角形のy軸の下の上面図として示し、原子寸法を含め図2乃至5にも示すように、各六角形中心点は、各六角形の1つの六角形の辺の中間点の周りに配置されている。
図7図7は、図2乃至6の6員炭素要素から生成されたグラフェンの2つの平面シートのx軸の上の端面図であり、幅3×長さ3×高さ3のユニット配列を示す。
図8図8は、図7のy軸の下の側面図を示す。
図9図9は、図7、8及び10のx、y及びz軸の斜視図を示す。
図10図10は、図7、8及び9のx軸まわりに回転された斜視図を示す。
図11図11は、図2乃至6の6員炭素要素から生成されたグラフェンの2つの平面シートの斜視端図であり、幅3×長さ3×高さ3のユニット配列を示す。
図12図12は、図2乃至6の1つの垂直6員炭素要素を有するグラフェンの1つの平面シートの、x軸を中心に回転した斜視図を示す。
図13図13は、図15及び16の3次元平面グラフェンシートの端面図を示している。
図14図14は、図2乃至6の3つの垂直6員炭素要素を有するグラフェンの1つの平面シートの、六角形平面に対して90°回転した斜視図を示す。
図15図15は、図13及び16の端面図及び2つの回転された端面図を示している。
図16図16は、図13及び15の端面図及び2つの回転された端面図を示している。
図17図17は、図1、2及び3のファインマン図の別の斜視図を示している。
図18図18は、弧、平面、三角形、C60バックミンスターフラーレンブーリアン和集合タイプ結合(C60 Buckminsterfullerene Boolean unions type linkage)及びオフセットレイヤリングの代替形状を示し、距離にわたって結合を提供し、これらはすべて、本発明で教示される同じ幾何学形状と共にまとめて結合されている。
図19図19は、六角穴、側面、鏡面側面距離として表される6員炭素原子の寸法を示すグラファイト構造の概略図であり、六角形の辺を2で割ったものと側面長さを加えたものがスタック間隔ギャップに等しい場合の3D層間隔距離を提供する。
図20図20は、図13、15、及び16の代替の斜視図を示し、図21の寸法測定線分を含む、改善された視覚補助としての小径の六角形の辺を備えている。
図21図21は、Phys. Chem. Chem. Phys., 1999, 1, 4113E4118からのグラフェン原子寸法測定を示す。
図22図22は、1つのC60バックミンスターフラーレン炭素要素を示す。
図23図23は、C60の中心点からのベクトルとして各五角形の中心点を位置付ける矢印を有する、正五角形の中心点の周りに配列され結合された5つの正六角形のC_60バックミンスターフラーレン(C60)誘導体を示す。
図24図24は、図23のC60 バックミンスターフラーレンのうちの2つを五角形の頂部に鏡映したものを示す。
図25図25は、図22のC_60バックミンスターフラーレンを示し、 両方のボウルを見るための中央のベクトルのわずかな回転を含む、12の等間隔のベクトルに矢印を有する。
図26図26は、下部ボウルにおいて同じ高さまで移動した図24の1つのボウルを備えたC_60バックミンスターフラーレンを示す。
図27図27は、五角形の中心点まわりに36度の角度で回転した図26の1つのボウルを備えたC_60バックミンスターフラーレンを示し、 同じボウル内の他の配列された6員炭素要素の穴内の6員炭素原子要素の1つを中心にする。
図28図28は、正六角形の辺が六角形穴に挿入される方法の斜視図のために軸周りに回転した図27の、2つのボウルのうちの1つと、第2ボウルの1つの六角形とからなる、2つの隣接する六角形を有するC_60バックミンスターフラーレンを示す。
図29図29は、正六角形側が六角形穴に挿入される方法の斜視図のために軸周りに回転した図28の、2つのボウルのうちの1つと、第2ボウルの1つの六角形とからなる、2つの隣接する六角形を有するC_60バックミンスターフラーレンを示す。
図30図30は、五角形の中心がそれぞれオフセットしているブーリアン和集合の2つのC_60バックミンスターフラーレンを示す。
図31図31は、図30内の2つのC_60バックミンスターフラーレン交差五角形の軸の下の回転した平面図を示す。
図32図32は、第1ブーリアンC60に対して120度回転した第3のC60バックミンスターフラーレンを有する図30及び31の2つのC_60バックミンスターフラーレンを示している。
図33図33は、第1のブールC60に対して120度回転した第4のC60バックミンスターフラーレンを有する図32の3つのC_60バックミンスターフラーレンの平面図を示しており、3つのC_60は中央のC_60の周りに120度で配列されている。
図34図34は、2つの単層ナノチューブが取り付けられた1つのC_60バックミンスターフラーレンを有する図32の平面図である。
図35図35は、グラフェン又はグラファンを製造するための斜視図製造テンプレートを示す。
図36図36は37の上面図を示している。
図37図37は、長手方向軸が互いに整列し、ブーリアン和集合の2つの単層管状フラーレンカーボンアームチェアタイプのナノチューブを示している。
図38図38は、中心軸に対して144度回転した端部にC_60バックミンスターフラーレン誘導体の周りに縦軸を有する3つの単層管状フラーレン、カーボンアームチェアタイプのナノチューブの、ブーリアン和集合を示す。
図39図39は、図38に図示される長方形の拡大された断面図を示す。
図42図42は、2つの平面ツール表面上の生産パターンを炭素六角形パターンで示す。
図45図45は、図44の縦軸を有する2つの単層管状フラーレン、カーボンアームチェアタイプのナノチューブを示しており、それらは、その側面に沿ってブーリアン和集合にあり、それらの縦軸に沿ってさらにオフセットされており、2つの単層管状フラーレンカーボンナノチューブの1つが2番目の中心軸の周りに144度と108度で配列されている。
図46図46は、図46の配列された和集合ユニオンブールナノチューブの高架斜視図を示している。
図47図47は、図35乃至46に示されるナノチューブとして巻き上げられる正六角形グラフェンとして表される2つの隣接する6員炭素原子の寸法を示す概略図である
図48図48は、真の(自立型)グラフェンを示しており、これは、浮遊グラフェンの3D生成のために垂直に回転して選択された原子の寸法に応じた、生成テンプレートリソグラフィーパターンにおけるsp^2結合炭素原子の2D1原子厚平面シートであり、チューブの六角形の辺の楕円形のリングをグラフェン平面の穴に合わせるために、グラフェンの平面にある角度で挿入された縦軸を有する1つの単層管状フラーレンカーボンアームチェアタイプのナノチューブを備えている。
図49図49は、図49の盛り上がった斜視図を示し、図35の3つのナノチューブのうちの1つの間の交差角を教示し、図17のsp2結合炭素原子の2D、1原子厚の平面シートである真の(自立型)グラフェンである。
図52図52は、真の(自立型)グラフェンを示しており、これは、sp^2結合炭素原子の2D、1原子厚の平面シートであり、隣接する六角形の辺のリングをグラフェン平面の穴に合わせるために、グラフェンの平面に90°(xy平面グラフェンシートに対して垂直)の角度で挿入された縦軸を有する1つの単層管状フラーレンカーボンジグザグタイプのナノチューブを備えている。
図53図53は、単一のグラフェンシートから切り出され、2つの浮遊層に接続され得る分子スイッチの盛り上がった回転斜視図を示している。
図54図54は、六角形の点で単一の炭素によって接続された図53の分子スイッチの斜視図における、図2乃至6の6員炭素要素から突出するグラフェンの1つの平面シートのx軸の上の端面図を示す。
図55図55は、同じサイズの平面グラフェンシート上の2つの図53の分子スイッチの回転側面図を示す。
図42図42は、7枚のグラフェンシートに対して及びわたって90°の角度でドレープされた1枚のグラフェンシートを有する図70及び71の制作テンプレートの回転端面図を示しており、互いに平行に配置され、HBC位置で終了する生産成長テンプレートが設けられ、炭素の両方の平面がテンプレートを提供し、HBC構造で互いに垂直に成長する。
図43図43は、図69の回転端面図を示している。
図44図44は、図70の回転上面図を示している。
図45図45は、中央オフセットされた六角形のグラフェンシートの2つのセットのブーリアン和集合を伴う側面図を示しており、第2六角形点はダイヤモンド形の構造線でマークされた正六角形面の中央に位置し、真空気密フィルム又は電子部品を組み立てるための配向アレイを示す力ベクトル矢印と電磁的に整列している。
図46図46は、フラップバルブ機能の剥離工具によって湾曲した左側の六角形を含む、辺が互いに隣接してタイル状になっている図72の六角形の斜視側面図を示す。
図47図47は、図72の平面図を示している。六角形の一部を有する中央の六角形の周りに6回配列された72個の六角形、単一の炭素原子分子の上の可能な限り最小の構成の六角形であり、図1のツールテンプレートであると理解される。この図の中心の中心にある73個の左六角形。
図48図48は、図48の斜視図を示している。
図49図49は、図73乃至76の六角形構造要素の内面の斜視分解図を示しており、フラップバルブを通って浮くことができる2つの小さな六角形の構造を含み、同じシートの小さな開口部よりも大きい形状に剥離又は成長したグラフェン突起のツール構成を示している。
図50図50は、円弧形状の共通の半径からサイクロイド曲線に引っ張ることができる材料曲線を提供する側面図を示し、電磁気を含むサイクロイド曲線上の任意の要素を制御するための調整可能なサイクロイド曲線である。
図51図51は、図82で形成された六角形ロッドの図89のブーリアンのベアリングレース電気発生器ハブを有する図82の6角形対から形成されたバッキーボール・ボウルの斜視図を示す。
図52図52は、トーラス表面上でスパイラル状に回転するボール61(湾曲したスパイラル状60)の斜視図を示し、中央円を有する六角形の6つの辺(隠線の点)のそれぞれの周りを矢印63及び64の方向に完全に旋回し、半径は、六角形の中心から六角形の点までであり、スパイラル60の6つの完全な回転を提供する。トーラスの中央線は、トーラスの表面のまわりの螺旋の中央線でもある。トーラス螺旋はトーラス表面と関連して同一角度でそのルート上を移動する目的と関連するサイクロイド曲線である。なぜなら、図80のスパイラルサイクロイド曲線のどこから要素が始まったかは関係なく、軌道曲線及びサイクロイド曲線の挙動は同一であり、六角形の各点において等しい到着時間を提供するからである。ポジトロン及び電子が一緒にトーラスの周りを移動するとき、第2スパイラル上で反対方向に要素を輸送する第2スパイラルが追加された。図95及び96では、トーラスフィールドを水平位置C1から垂直位置C2にモーフィングできるサイクロイド「フィールド」を検証するためのボールが示されている。同じタイプのプランクサイズの粒子は、トーラススパイラルに沿って潜在的に同じ速度で移動し、トーラスの周りに均等にスーパーポジショニングを提供する。6つの粒子が回転円に対して同期され、6つの円の平面リンクがトーラスの中心線の周りに配置される。トーラスから球体に段階的に移行する場合、6つの球体が、平らな線上の六角形の6つの点の概略図に対して点で交差する中央の球体の周りに配置される。6つの同じサイズの円が、同じサイズの第7中心円の中心点の周りに配置され、時空で粒子の同期軌道を提供する。サイクロイド曲線は、時空における粒子のすべての動きに焦点を合わせる。図1、2、3及び17のファインマンの波線「スパイラル」は、図89乃至92のサイクロイドフィールドになり、粒子をベクトルの矢印に焦点を合わせて頂点に交差させる。物理的なサイクロイド曲線では、ナノスケールの粒子又はグラフェン構造がサイクロイド曲線の磁場を下に移動するか、物理的にサイクロイド曲線にロールダウンすることができる。時空場でのサイクロイド曲線の位置決めは、量子粒子と4次元物理学を制御するための鍵である。地球の太陽系の太陽は表面上で6,000度であるが、太陽の表面から放射状に離れた太陽の宇宙空間では、サイクロイド曲線が宇宙空間で磁気的に形作られ、太陽のエネルギーを数百万度に集中させる。
図53図53は、2つの積層された平行層からの光子の投影と、他の層に対する1つの6角形リングリンク位置との図を示すために時計回りに回転された図77を示し、6角形チキンワイヤタイプの階層の垂直層間のゼロ干渉の図である。
図54図54は、2つの積層された平行層からの光子の投影と、他の層に対する1つの6角形リングリンク位置との図を示すために時計回りに回転された図76の図であり、6角形チキンワイヤタイプの階層の垂直層間のゼロ干渉の図である。
図55図55は、他の2つの層を見る、光子が付着した点の周りに3つの六角形の側面が配列された2つの層からの光子の投影を示すために時計回りに回転された図77を示し、6角形チキンワイヤタイプの階層の垂直層間のゼロ干渉の図である。
図56図56は、他の図における他の層に対する位置における2つの6角形リングリンクの斜視図を示し、それは、6角形チキンワイヤタイプの階層の垂直層間のゼロ干渉の図である。
図57図57は、1つの六角形の周りに配列された6つの球体の上面図を示し、球体の深さは、他の六角形のリングリンク位置の他の層に対するテセレーションアレイ(tessellating array)に制限され、6角形チキンワイヤタイプの階層の垂直層間のゼロ干渉の図である。
図58図58は、リング状に連結され、配列された球体交差部の図85のレンズの斜視図を示す。
図59図59は、第2トーラスと交差する図80のトーラスの斜視図を示し、次に、2つの内側の中心円の点で交差する同一のトーラスからの1つのトーラスのグラフィカルな地金減算(bullion subtraction)を提供し、幾何学的断面図を提供する。
図60図60は、円の円周長に等しい長さの線に沿って分割された図87又は任意の他のサイクロイド経路の上面図を示し、2つのサイクロイドカスプ(アーチ)と、円の直径寸法が経路ラインの両側で転がりながら形成する外側経路とを提供する。
図61図61は、図1図2図3及び図17におけるファインマン図の螺旋状の波動ラインに代わる光子のサイクロイド曲線である、図90の回転斜視図を図示する。
図62図62は、図1図2図3及び図17におけるファインマン図の螺旋波動ラインに代わる光子のサイクロイド曲線である、図89の側面図を示す。
図63図63は、六角形の中心点の周りに配列された図89の回転側面図を示しており、図1、2、3及び17のファインマン図の螺旋波動ラインを置き換える光子のサイクロイド曲線の配置であり、ストリング理論が予測するように、ランダムな線で満たされた光子の表面の図を含む。
図64図64は、図1、2、3及び17におけるファインマン図の螺旋状のウィグリーラインに代わる光子のサイクロイド曲線であり、2つのファインマン矢印の六角形の点(頂点)の中及び外に分割された正及び負の光子を含む、図89及び90の回転側面図を示す。
図65図65は、六角形の中心から六角形の6つの辺のうちの1つの中点までの半径方向の距離で、電子とポジトロンを光子放出頂点に集束させるサイクロイド曲線を備えた新しいファインマン図の概略図を示す。
図66図66は、サイクロイド側面図のボールA、B及びC及びボールの反対側のサイクロイド曲線のオプションのオフセット図の上面図を示す。
図67図67は、図96の開始位置と停止位置で見たトーラスの7つの斜視図を示しており、2つの体心六角形(トーラス)が六角形の平面に対して90°回転し、各六角形の中心点が1つの六角形の周りに配置されている様子を示している、トーラス内の各六角形の側面の中点は、サブアトミック要素(を含む)エネルギー、粒子、及び光子を提供する水平トーラスのジオメトリの「周り」を移動しながら成長する電磁サイクロイド形状のフィールドに沿ってエネルギーを集中させるサイクロイド湾曲穴を開くことによって、水平位置から垂直位置に変換できる。
図68図68は、図95の2つのトーラスの斜視図を示しており、2つの体心六角形(トーラス)の斜視図として、体心六角形平面シートの垂直層、2つの6原子炭素要素がどのように回転したかを示しており、六角形の平面及び各六角形の中心点は、図95にも示されている各六角形の1つの六角形側の中点の周りに配置されている。
図69図69は、グラフェンに垂直な平面にベンゼン(C6H6)を追加した図19のグラフェンシートの斜視図を示しており、ベンゼンの水素原子は平面六角形の中心にあり、グラフェンの六角形の体心位置の炭素要素の端に配置されたベンゼンの六角形の中心の図が含まれ、水平ベンゼン元素はグラフェンに平行である。
図70図70は、サイクロイド電磁場が球からの距離で形成され得るエネルギーを増大させるサイクロイドカスプボウル集束エネルギーを示し、これは、カスプボウルの配列及びテッセレーションが、サイクロイド形状の谷で平坦、重複、又は破壊されることができ、マクロスケール又は量子スケールでエネルギーを操作する。
【発明を実施するための形態】
【0065】
図1は、例示する。図1、2、3、及び17は、ファインマン図の新しい方向を示しており、任意の相対的な光子位置、「波動する(wiggle)」スパイラル状ライン、からの3次元宇宙におけるそれらの物理的意味を解釈し、グラフェンタイプの構造を含む、量子物理学、標準物理学、又は化学のすべての物理的特性を制御する機能を提供する。標準モデルのファインマンルールとその拡張機能のいくつかは、各六角形の中心点の周りに配列された6つの円(量子状態の球)を提供する六角形配列の中心の周りに6つの円弧を配列するための概略参照点として、六角形のチキンワイヤタイプの六角形の配列に基づいて3次元の図に変更される。従来の直線ではなく、正/負の円弧線(circle-arc lines)の対はすべて、同じ方向を向いた完全な円の矢印である。本発明で最も重要な要素。三次元的には、本発明は、ファインマン図の頂点に入る正確に1つの矢印と、任意の3D視点の任意の「相対的」インスタンスに出る正確に1つの矢印を依然として有し、6つの完全な円が互いに交差し、量子物理学のファインマン規則を満たす正と負の円と円弧のベクトルのペアを提供するためです。
【0066】
本発明は、互いに垂直に回転し、同じ3D空間を占める2つのグラフェン層スタックによって提供されるグラフェン層浮遊、画期的な従来技術のサイズ制限を教示する。図1乃至6は、2つの6原子炭素要素C_1とC_2を、六角形の平面に対して90°回転した2つの体心六角形C_1とC_2、及び各六角形の中心点(既知の座標点であるため表示されていない)のビューとして示していおり、各六角形の6つの六角形側の中点(既知の座標点)の1つの周りに配置される。図4乃至16において、すべてのsp^2炭素結合位置s及びpは、6員炭素原子間の3D関係をより明確にするために、x、y、z軸ビューに対して回転する6つのsp^2炭素結合位置の1つである。
【0067】
図3は、図3乃至6にも示されている、x軸の下の上面図として、2つの6原子炭素元素Cl及びC2を示す。図3は、図1、2、3、5及び6にも示されているように、斜視図として、2つの6原子炭素元素C_1及びC_2を示す。図4は、図1、2、3、5及び6にも示されているように、x軸の周りを回転する図として、2つの6原子炭素素子C_1及びC_2を示す。図5は、図1、2、3、4及び6にも示されているように、z軸の下方の上面図として、2つの6原子炭素元素Cl及びC2を示す:図5乃至6の1つの正六角形6員の辺長は、1.42Åwlであり、これはC-C結合の中点であり、正六角形の6員炭素原子の2つの対向する鏡面辺管の距離は2.46Åw2であり、六角形の点対点の寸法は、図5乃至6において2.84Åw3である。図6は、正六角形の点対点間距離に対する原子寸法を含む、図1乃至5にも示されているy軸の下の上面図としての2つの6原子の炭素要素を示す。図1乃至16において、すべてのs及びpの位置は、より明確にするために、x、y、z軸のビューに対して回転する。
【0068】
素粒子物理学と物理宇宙論では、プランク単位は、これらのプランク単位のファインマン図で表現されたときに、これらの5つの物理定数が1の数値をとるように、5つの普遍的な物理定数によってのみ定義される測定単位の集合である。本発明は、上述のグラフェン3D配列において、電子、ポジトロン、及び光子と同じパターンで構成された、光子螺旋「揺動(wiggle)」線を形成する電子又はポジトロンの円弧矢印の概略図を示す新たな三次元六角形アレイに記載されたグラフェン寸法をより大きく有する。三次元六方体中心型(3D-HBC)ファインマン図は、第1の六角形Clを第2の六角形C2平面に対して90度回転させることにより、C1とC2の「環状に連結された(ring-linked)」二つの六角形で構成され、次に、図4の各六角形H1とH2の側面の1つの中間点に対して、各六角形を各六角形C1とC2の中央に配置する。六角形の中心点の周囲に円を描き、図3のV1とV2で示す6つの独立した円弧矢印を六角形の6つの端点すべてと交差させる。スパイラル状のファインマン「揺動」線は、図3に示す各六角形の平面に対して垂直に示され、六角形の頂部に3つの円弧点が「+」でマークされ、三つのスパイラルが三つの空の位置に六角形の底部に配置される。従って、上のスパイラル配列の間には、分子や原子とは異なり、光子スパイラルを中心とした、空間と時間のすべての方向の三次元配列が存在する。この3D-HBCファインマン図は、空間と時間のすべての要素の基本運動図であり、素粒子の操作、原子制御、分子の作製又は制御など、あらゆる用途のために、空間と時間のあらゆる粒子を操作する能力を提供する。この発明は、空間と時間を定義し、宇宙のすべてのものを基本的に操作する方法を定義する。図2は、3つの配列された図1を示す。完成したファインマン3D-HBCダイアグラムにおいて、互いに交差又は干渉しないスパイラル状光子素子の位置を寸法的に提供する。図3は、六角平面の頂部における正の螺旋と六角平面の底部における負の螺旋の位置を示しており、これは、円周の周りで互いに交互に交替する3つの正の螺旋と3つの負の螺旋を与えるために6回交差する円弧矢印を必要とする。円弧V1とV2の各対は、六角形の中心点のまわりに6回配列されているが、時計回りに「右」又は反時計回りに「左」に動くと、正の螺旋が形成され、その後、負の螺旋が六角形の平面の下に伸びる。6つの円弧が交差するため、6組の円弧が形成される。円の中心線を有するトーラス図は、円弧の代わりに、円弧のまわりにスパイラルを形成し、6つの完全なスパイラルを形成し、6つの円弧として機能する。太陽系で太陽のまわりをスパイラル状に巻いている地球のようなトーラススパイラルは、六角形の平面のまわりの6つのトーラスの配列とまだ交差しているエネルギー経路であろう。トーラススパイラル経路上の粒子又は波の挙動は、太陽の周りの地球の経路と同じ数式に従う。
【0069】
属g表面:
表面の理論には、別のオブジェクト、「属」g表面がある。n個の円の積の代わりに、属gの表面はg2トーリの連結和である。2つの表面の連結和を形成するには、ディスクの各内部から取り外し、境界円に沿って表面を「接着」する。2つ以上の表面の連結和を形成するには、すべてが接続されるまで、一度に2つを合計する。この意味で、属g表面は、g個のドーナツを並べて貼り合わせた表面、又はg個のハンドルが取り付けられた2つの球の表面に似ている。
【0070】
例として、属ゼロ表面(境界なし)は2球であり、属1表面(境界なし)は通常のトーラスである。高等な属の表面は、n-ホールドトーリ(又はまれにn-ホールドトーリ)と呼ばれることがある。ダブルトーラスとトリプルトーラスという用語もまた、しばしば使用される。
【0071】
表面に対する分類定理は、すべてのコンパクトに接続された表面は、球体又はいくつかのトーリ、ディスク、及び実際の投影面の接続合計のいずれかと位相的に等価(topologically equivalent)であると述べている。
【0072】
代数トーラス、Angenentトーラス、環状(Annulus)(数学)、Cliffordトーラス、Complexトーラス、Dupin cyclide、楕円曲線、トーラス上の不合理なケーブル、Kleinボトル、Loewnerのトーラス不等式、最大トーラス、周期格子、実射投影面、球、スパイラスセクション 、表面、トーラスレンズ、トーラスセクション、トーラス品種、トロイド、トロイダル及びポロイダル、トーラスベースの暗号化、トーラスノット、アンビリックトーラス、及びビラルソーサークル。
【0073】
一方向の円形
交差する2つの円:
2つの円の交点の決定は、
【数1】
は、線と円を交差させる従前の場合に減らすことができる。2つの所与の方程式を減算することにより、線形方程式が得られる:
【数2】
2つのディスクの交点(2つの円の内側)はレンズとよばれる形をしている。
【0074】
幾何学的には、多面体の外接球は多面体を含み、多面体の頂点のそれぞれに接触する球である。円周という言葉は、時には同じことを意味するために使われる。二次元の外接円の場合と同様に、多面体Pの周囲に外接する球の半径をPの周半径といい、この球の中心点をPの周中心という。
【0075】
存在と最適性
それが存在する場合、外接球は多面体を含む最小の球である必要はない。たとえば、立方体の頂点とその3つの隣接する頂点によって形成される四面体は、立方体自体と同じ外接球を持つが、赤道上に3つの隣接する頂点を持つ小さな球内に含めることができる。しかしながら、所与の多面体を含む最小の球体は、常に多面体の頂点のサブセットの凸状の殻の周縁である。
【0076】
外接球は、外接円の三次元アナログである。すべての正多面体には外接球があるが、一般にすべての頂点が共通の球上にあるわけではないため、ほとんどの正多面体には外接球がない。外接球(存在する場合)は、所定の形状を含む外接球の例である。任意の多面体に対して最小の境界球を定義し、線形時間でそれを計算することが可能である。
【0077】
すべての多面体ではないが、いくつかの多面体に対して定義される他の球には、中球、多面体の全縁に接する球、及び多面体の全面に接する内接球が含まれる。正多面体では、内接球、中間球、外接球がすべて存在し、同心円状である。
【0078】
電気的に分極されたナノチューブは、ナノチューブの製造を特定の長さに終わらせると、コバルト末端又はニッケル末端で製造することができる。これらの分極ナノチューブに印加された電流は、ナノチューブの位置に対して正及び負の制御を提供する。異なる長さのチューブを設けることができ、このチューブはまた、各長さを位置決めするための電磁気的制御を提供し、異なる位置に移動するために異なるエネルギーを必要とする。グラフェンシートには、曲線の先端が上を向いているサイクロイド曲線を設けることができ、これは、一定の重力又は磁場の下で最も速く降下する曲線であり、曲線上でオブジェクトが降下する期間がオブジェクトの開始位置に依存しない曲線の形式でもある。すべてのオブジェクトが同時にエンドポイントに到着する。本発明は、物理的形状又は電磁的形状のサイクロイド曲線を適用することにより、プランクのサイズの粒子、粒子、原子、分子、及び構造を制御することを教示する。
所与の実施例:
グラフェンの頂部に浮遊させた設計された経路を有する電磁サイクロイド曲線のセットは、グラフェン上の粒子経路を導くことができる。
【0079】
2つの丸いナノチューブを2つのグラフェンシートの間に挟むことで、グラフェンシートの振り子を形成することができ、グラフェンシートは、どこから出発しても、すべてのグラフェンシートが同時に中心点を越えて揺動する。これは、回路論理プログラミングのための要素整合を提供する。本発明は、これが粒子のプラクスケールでもあり得ることを教示する。
グラフェンナノチューブ及びグラフェンシートは、伝導率又は光子移動の経路を改変するためにドープすることができ、これにより、グラフェンに沿って移動する元素の経路をより制御し、あらゆる種類の化学物質を生成することができる。グラフェンを横切る電荷は、サイクロイドに変えることができる。原子スケールの原子又は分子は、磁場がサイクロイド形状であるサイクロイド曲線下でナノチューブ中に移動することができる。グラフェンバッキーボールは、グラフェン上のどこかにロールを有する。合成した物質は、ケージ内に2個の炭素原子と2個のイットリウム原子を有する84個の炭素原子から成る特定のメタロフラーレンであった。このプロセスにより、約100マイクログラムが生成された。
【0080】
等しいサイズの6つの球体が、球体内に六角形のデータ参照ポリゴンを提供する第7中心球の中心点の周りに等しく配列される。6つのポリゴン点の各々は、球が交差する渦である。C_60、C_70、C_76、C_82及びC_84分子の形態のフラーレンの微量は、自然界で生成され、すすに隠され、大気中の雷放電によって形成される。
【0081】
バッキーボールクラスタ:
最小の部材はC_20(ドデカヘドランの不飽和バージョン)で、最も一般的な部材はC60である。
【0082】
ナノチューブ:
非常に小さな寸法の中空のチューブで、単層又は多層の壁を有し、エレクトロニクス産業への応用の可能性がある。
【0083】
メガチューブ:
ナノチューブよりも直径が大きく、厚さの異なる壁で調製したもので、サイズの異なる様々な分子の輸送に使用される可能性がある。
【0084】
ポリマー:
鎖、二次元及び三次元のポリマーは、高圧高温条件下で形成される、
一本鎖ポリマーは、原子移動ラジカル付加重合(ATRAP)ルートを使用して形成される。
【0085】
ナノ「オニオン」:
潤滑剤として提案されたバッキーボールコアを取り囲む複数の炭素層に基づく球状粒子。
【0086】
「ボール・アンド・チェーン」二量体が結合したもの:
炭素鎖のフラーレン環で結合した二つのバッキーボール。
【0087】
サイクロイド曲線:
トロコイド(ギリシャ語の”trochois”からの語)は、直線に沿って回転する円の固定点で表される曲線である。
サイクロイドはトロコイドファミリーの注目すべきメンバーである。
図66及び図70では、円形ホイール66のリム上の点88、Cによってサイクロイド曲線がトレースされており、ホイールは滑ることなく直線65に沿って回転する。
サイクロイドは、トロコイドの特定の形態であり、ルーレット、曲線86及び87の一例であり、曲線86が別の曲線86又は87上をローリングすることによって生成される点88上の焦点要素である。
サイクロイドは、図94においてカスプ86及び87が上向きであり、一定の重力(又は磁場)下で最も速い降下の曲線であり、また、図94の周期T1からT2が 異なる場所に配置され、カーブ上で降下しているオブジェクトAとBは、オブジェクトの開始位置A又はBに依存ない。これは、両方が同時に場所Cに到着するからである。
この曲線は、物理的又は電気力学的に(電磁的に)時空の要素を重ね合わせる最適な方法である。
【0088】
原点を通るサイクロイド。水平ベースは線y=0で与えられ、この線は、x軸とも呼ばれ、ベースの「正」側を転がる半径rの円によって生成され、(y>0)、点(x、y)で構成され、x=r(t-sint)、y=r(1-cost)であり、
ここで、tは回転円が回転した角度に対応する実数パラメータである。
所与のtに対して、円の中心はx=rt,y=rである。
【0089】
tを解いて置き換えると、デカルト方程式は次のようになる:
【数3】
【0090】
y = f(x) という形のサイクロイドの式は、右辺が閉じた形の式では得られない。
【0091】
yをxの関数とみなすと、サイクロイドは、x軸に当たるカスプを除いて、どこでも微分可能であり、デリバティブは、カスプに近づくにつれて∞又はー∞に近づく傾向がある。
tから(x, y)までのマップは、クラスC^∞の微分可能な曲線又はパラメトリックな曲線であり、微分係数が0である特異点は通常のカスプである。
【0092】
あるカプスから次のカプスまでのサイクロイドセグメントは、サイクロイドのアーチと呼ばれる。
サイクロイドの最初のアーチは、0≦t≦2pのようなポイントで構成される。
【0093】
サイクロイドは微分方程式
【数4】
を満たす。
【0094】
サイクロイドの縮閉線は、それが由来するサイクロイドとまったく同じであるという特性を有する。
これは、サイクロイドの半弧上に最初に横たわっているワイヤーの先端から見ることができ、これは、ラップを解いたときに横たわっていたものと等しいサイクロイド弧(サイクロイド振り子と弧長も)を表す。
【0095】
縮閉線の特性を考慮してサイクロイドの長さを計算するもう1つの直接的な方法は、縮閉線を表すワイヤーが完全に解かれると、4rの長さの2つの直径に沿って伸びることに留意されたい。
解く間に(during the unwrapping)ワイヤーの長さは変わらないため、サイクロイドの弧の半分の長さは4rであり、完全な弧の長さは8rである。
【0096】
単純振り子が、倒立サイクロイドのカスプから吊り下げられ、「ストリング」がサイクロイドの隣接する弧の間に拘束され、振り子の長さLがサイクロイドのアーク長の半分(すなわち、生成サークルの直径の2倍、L=4r)に等しい場合、振り子のボブもサイクロイド経路をトレースする。
このようなサイクロイド振り子は、振幅に関係なく等時性である。
【0097】
カスプの位置を中心とした座標系を導入すると、運動方程式は以下のようになる:
【0098】
いくつかの曲線は、サイクロイドに関連がある。
【0099】
短縮サイクロイド(Curtate cycloid):
ここで、曲線をトレースするポイントは、線上を転がる円の内側にある。
【0100】
扁長サイクロイド:
ここで、曲線をトレースするポイントは、線上を転がる円の外側にある。
【0101】
トロコイド:
サイクロイド、短縮サイクロイド及び扁長サイクロイドのいずれかに関連する。
【0102】
内サイクロイド(Hypocycloid):
点は円の端にあり、線上ではなく、別の円の内側に回転します。
【0103】
外サイクロイド(Epicycloid):
点は円の端にあり、線上ではなく、別の円の外側に向かって回転する。
【0104】
内転トロコイド(Hypotrochoid):
位置の必要性以外の内サイクロイドとして、その円の端にある必要はない。
【0105】
エピトロコイド:
エピサイクロイドと同じであるが、ポイントはその円の端にある必要はありません。
【0106】
これらの曲線はすべて、均一な曲率に沿って円が巻かれたルーレットである。
サイクロイド、外サイクロイド、及び内サイクロイドには、それぞれが縮閉線に類似しているという特性がる。
qがその曲率と円の半径の積であり、epi-の場合は正、hypo-の場合は負の符号が付いている場合、曲線は次のようになる。
縮閉線のイミリチュード比(imilitude ratio)は1+2qである。
【0107】
古典的なスピログラフトイは、トロコイドとエピトロコイドの曲線を描いている。
【0108】
すべての図1乃至70は、空間及び時間の物理学の最小の要素、グラフェンのような材料の配列、及び他のあらゆる材料に関連して図示されているので、グラフェンを図示する際には、同じ幾何学的形状が、空間時間制御、原子、光子、電子、及び発見されたか未発見の最も基本的な要素に適用される。
3D-HBCファインマンは、空間と時間を移動する要素の新しい定義である。
新しいフィールド。
【0109】
図1、2、3、及び17は、ファインマン図の規則に基づく接続のみを含む三次元図である。
すべての螺旋光子「インスタンス」において、電子及び陽電子の2つの円弧線は、螺旋光子が位置する少なくとも1つの頂点に接続され、図の切断された部分がなく、収束する。
矢印は、ファインマン図の原理の下にある他の要素と干渉しない限り、任意の方向を指している。
円弧線(Circle-arc lines)は、矢印が1本の波状螺旋線(wiggly spiral line)と交わる2本の線がある場合にのみ接続される。
2種類の線が示されており、円弧線(中心点の周りに6つの円を均等に、同じ平面上に配置し、6つの方向すべてに配置するための参照「概略」線としてのみ6つの六角形の直線を用いる)と、矢印又は波状線である。
これらの上記の規則を通過する本発明に示される任意の図は、光子が頂点で形成するインスタンスに関連する有効なファインマン図である。
粒子が実際の空間を通過する経路は、相互作用(ファインマン図によって捉えられる)だけでなく、運動学(そうではない)によっても決まる。
例えば、運動量やエネルギー保存の法則などを課す必要がある。
ファインマン図の点は、空間内の粒子の実際の軌道ではなく、粒子の経路に沿った相互作用を理解することである。
量子場理論の数学的枠組みは因果律の概念に基づいている。
【0110】
本発明は、矢印又は波状線を有する円弧線の描画のみを適用し、次に、本発明に例示された交点(頂点)のみを用いてそれらを結合する規則を用いて、三次元ファインマン図を描くことを教示する。
矢印で示した線は電子(矢印が左から右に向かう場合)と陽電子(矢印が反対方向を向く場合)であり、波線は光子である。
規則の選択は、我々が「粒子相互作用のモデル」と呼ぶものであり、特に、「電子と光子の理論」のための物理学-対話である量子電気力学と呼ばれるものを開発した。
【0111】
本発明は、グラフェンが、一定の振動及び原子メンバーの長さの歪みの下にある炭素原子に対して、どこでも適用されることを教示しており、従って、本発明は、理想的な幾何学的位置を教示するが、環境からの原子のエネルギー電荷及びエネルギーが、炭素元素の長さ及び角度の歪みによって、炭素リングの孔内の寸法及び中心点を常に変化させることを予期している。
バックミンスターフラーレン(buckminsterfllerene)(「バッキーボール」(buckyball))は60個の炭素原子(C60)からなる閉鎖ケージ分子である。
より大きなフラーレン及びより小さなフラーレンもまた、本発明の範囲に含まれる。
このC60分子が振動し、それぞれの原子が同じ周波数で動くようにする方法は174通りある。
これらはノーマルモードとして知られている。
60個の炭素原子が静止しているときには、C60球に対応するその他の歪みが生じる。
見た目上のガイドとして、本発明では、炭素原子間の表面をポリゴン(歪んでいない分子の場合は五角形及び六角形)で満たすことを知っている均一な幾何学的形状の炭素元素を例示すること、あるいは、環境的に開放された系において炭素原子が無制限の周波数で生じる球の歪みを教示することが有用である。
グラフェンシート及びナノチューブも振動及び歪曲するが、本発明の理想的な幾何学的位置では、「浮動する」グラフェン要素を教示することにより、分子の穴に物質を挿入することにより、同じ3次元空間に統合することが示されている。
以下に述べる2つの出版物は、C60の原子長変化を実証している:
【0112】
“C60: Buckminsterfullerene” (Nature 318, 162 - 163 (14 November 1985); doi:10.1038/318162a0) authors: H. W. Kroto*, J. R. Heath, S. C. O’Brien, R. F. Curl & R. E. Smalley of Rice Quantum Institute and Departments of Chemistry and Electrical Engineering, Rice University, Houston, Texas 77251, USA (*Permanent address: School of Chemistry and Molecular Sciences, University of Sussex, Brighton 30 BNl 9QJ, UK.)
要約:星間空間及び星間殻内で長鎖炭素分子が形成されるメカニズムを理解することを目的とした実験中に、グラファイトがレーザー照射により蒸発し、60個の炭素原子からなる非常に安定なクラスターを生成した。どのような種類の炭素‐原子構造が超安定な化学種を生じさせるかの疑問に関し、筆者らは、頂点60と面32を有する多角形、そのうちの12は五角形であり、20は六角形である、切断された正二十面体を提案した。このオブジェクトは、図1に示すフットボール[この特許出願には示されていない]として一般的に遭遇する。炭素原子がこの構造の各頂点に置かれたときに生じるC_60分子は、2つの単結合と1つの二重結合で満たされるすべての原子価をもち、多くの共鳴構造をもち、芳香族的であるように見える。Science 18 October 1991: Vol. 254. no. 5030, pp. 410 - 412, DOI: 10.1126/science.254.5030.410, Articles ”Bond Lengths in Free Molecules of Buckminsterfullerene, C60, from Gas-Phase Electron Diffraction”, KENNETH HEDBERG^1, LISE HEDBERG^1, DONALD S. BETHUNE^ 2, C. A BROWN^2, H. C. DORN2, ROBERT D. JOHNSON^2, and M. DE VRIES^3, ^1 Department of Chemistry, Oregon State University, Corvallis, OR 20 97331. ^2 IBM Research Division, Almaden Research Center, 650 Harry Road, San Jose, CA 95120-6099. ^3Department of Chemistry, Virginia Polytechnic Institute, Blacksburg, VA 24061.
【0113】
新しく設計したオーブンノズルから730℃で気体状態のフラーレンC_60の電子回折パターンを揮発させた。
散乱強度から計算した実験的半径方向分布曲線の多くのピークは、自由分子の正二十面体対称性と完全に一致した。
この対称性の仮定に基づいて、すべての可能な原子間距離を組み込んだモデルの最小二乗精密化により、5員環(すなわち、5員環と6員環を融合する結合について)内の熱的平均結合長rg (C_1-C_2)=1.458(6)オングストローム(Å)及び5員環(6員環を融合する結合について)を結ぶ結合長rg (C_1-C_6)=1.401(10)Åの値が得られた。
それぞれ、2つの結合長の加重平均及びそれらの違いは、値1.439(2)A及び0.057の(6)Aである。
二十面体の球体の直径は7.113の(10)Åである。括弧の不確定度は約2σの値である。
【0114】
図1は、真の(自立型)グラフェンの先行技術を示しており、これは、正六角形のハニカム結晶格子に密に詰まった「チキンワイヤレイ」結晶内のsp^2結合炭素原子の2D、1原子厚の平面シートである。
正六角形(すべての辺とすべての角度が等しいもの)の内角はすべて120°で、六角形は720度である。
これは、6つの回転対称性と6つの反射対称性を持ち、二面体群D6を構成する。
正六角形の最も長い対角線は、正反対の頂点を接続しており、その辺の長さは2倍である。
正方形や正三角形のように、正六角形はギャップなしで互いにフィットして平面をタイル状にする(すべての頂点で3つの六角形が交わる)ので、テッセレーション(tessellations)を構築するのに役立つ。
蜂の巣のハニカムセルは、この理由と、形状がスペースと建築材料を効率的に利用するため、六角形になっている。
規則的な三角格子のボロノイ図は、六角形のハニカムテッセレーションである。
【0115】
辺の長さがtの正六角形の面積は
【数5】
で与えられる。
【0116】
もちろん、辺の長さがtの正六角形の周囲長は6tであり、最大直径は2t、最小直径はtである。
【0117】
正六角形でできた正多面体はない。
いくつかの六角形の面を持つ半正多面体は、切頂四面体、切頂八面体、切頂二十面体(サッカーボールとフラーレンの名声)、切頂四面体、及び切頂二十面体である
【0118】
図1は、真の(自立型)グラフェンの先行技術を示しており、これは、デカルト(x-y)平面において正六角形ハニカム結晶格子に密に詰まった「チキンワイヤレイ」結晶中のsp結合炭素原子の2D、1原子厚の平面シートである。
理論的には、グラフェンはx-y平面方向に対して任意のサイズのテッセレーション配列を生成する際に境界を持たないはずであるが、従来技術では、6員原子を生成できる領域の大きさの限界が観察されている。
【0119】
図1、2、3、及び17は、ファインマン図の新しい方向を示しており、任意の相対的な光子位置、「波状」スパイラル線からの3次元宇宙における物理的意味を解釈し、これは、 これは、グラフェンタイプの構造を含む、量子物理学、通常の物理学、又は化学のすべての物理特性を制御する機能を提供する。
標準モデルのファインマンルールとその拡張機能のいくつかは、各六角形の中心点の周りに配列された6つの円を提供する六角形配列の中心の周りに6つの円弧を配列するための概略参照点として、六角形のチキンワイヤタイプの六角形の配列に基づいて3次元の図に変更される。
従来技術の直線ではなく、完全な円の周りに同じ方向に配向された矢印を有する新しい円弧線は、本発明において重要である。
3次元的には、本発明は、依然として、ファインマン図の頂点に入る正確に1つの矢印と、任意の「相対的な」視点のインスタンスとを有する。
【0120】
本発明は、互いに垂直に回転し、同じ3D空間を占める2つのグラフェン層スタックによって提供されるグラフェン層浮遊、画期的な従来技術のサイズ制限を教示する。
図1乃至6は、2つの6原子炭素要素C_1とC_2を、六角形の平面に対して90°回転した2つの体心六角形C_1とC_2、及び各六角形の中心点(既知の座標点であるため表示されていない)のビューとして示しており、 各六角形の6つの六角形側の中点(既知の座標点)の1つの周りに配置される。
図2乃至16において、すべてのsp炭素結合位置s及びpは、6員炭素原子間の3D関係をより明確にするために、x、y、z軸ビューに対して回転する6つのsp炭素結合位置の1つである。
【0121】
図3は、図3乃至6にも示されている、x軸の下の上面図として、2つの6原子炭素元素Cl及びC2を示す。
図3は、図2、4、5及び6にも示されているように、斜視図として、2つの6原子炭素元素Cl及びC2を示す。
図4は、図2、3、5及び6にも示されているように、x軸の周りを回転する図として、2つの6原子炭素素子C_1及びC_2を示す。
図5は、図2、3、4及び6にも示されているように、z軸の下方の上面図として、2つの6原子炭素元素C_1及びC_2を示す:
図5乃至6の1つの正六角形6員の辺長は、1.42Åwlであり、これはC-C結合の中点であり、
正六角形の6員炭素原子の2つの対向する鏡面辺管の距離は2.46Å w2であり、六角形の点対点の寸法は、図5乃至6において2.84Åw3である。
図6は、正六角形の点対点間距離に対する原子寸法を含む、図2乃至5にも示されているy軸の下の上面図としての2つの6原子の炭素要素を示す。
図2乃至16において、すべてのs及びpの位置は、より明確にするために、x、y、z軸のビューに対して回転する。
【0122】
三次元六方体中心型(3D-HBC) ファインマン図は、第1の六角形Clを第2の六角形C2平面に対して90度回転させることにより、C1とC2の「環状に連結された(ring-linked)」二つの六角形で構成され、次に、図4の各六角形H1とH2の側面の1つの中間点に対して、各六角形を各六角形C1とC2の中央に配置する。
六角形の中心点の周囲に円を描き、図3のV1とV2で示す6つの独立した円弧矢印を六角形の6つの端点すべてと交差させる。
ファインマン「揺動又は波状」線(Feynman”wiggle” line)であるスパイラルは、図3に示す各六角形の平面に対して垂直に示され、六角形の頂部に3つの円弧点が「+」でマークされ、三つのスパイラルが三つの「空」の位置に六角形の底部に配置される。
従って、分子や原子とは異なり、光子スパイラルを中心とした、空間と時間のすべての方向の三次元配列が存在する。
この3D-HBCファインマン図は、空間と時間のすべての要素の基本運動図であり、素粒子の操作、原子制御、分子の作製又は制御など、あらゆる用途のために、空間と時間のあらゆる粒子を操作する能力を提供する。
この発明は、空間と時間を定義し、宇宙のすべてのものを基本的に操作する方法を定義する。
図2は、3つの配列された図1を示す。 完成したファインマン3D-HBCダイアグラムにおいて、互いに交差又は干渉しないスパイラル状光子素子の位置を寸法的に提供する。
図3は、六角平面の頂部における正の螺旋と六角平面の底部における負の螺旋の位置を示しており、これは、円周の周りで互いに交互に交替する3つの正の螺旋と3つの負の螺旋を与えるために6回交差する円弧矢印を必要とする。
円弧V1とV2の各対は、六角形の中心点のまわりに6回配列されているが、時計回りに「右」又は反時計回りに「左」に動くと、正の螺旋が形成され、その後、負の螺旋が六角形の平面の下に伸びる。
円の中心線を有するトーラス図は、円弧の代わりに、円弧のまわりにスパイラルを形成し、6つの完全なスパイラルを形成し、6つの円弧として機能する。
太陽系で太陽のまわりをスパイラル状に巻いている地球のようなトーラススパイラルは、六角形の平面のまわりの6つのトーラスの配列とまだ交差しているエネルギー経路であろう。
トーラススパイラル経路上の粒子又は波の振る舞いは次のようになる。
【0123】
すべての図1乃至70は、空間及び時間の物理学の最小の要素、グラフェンのような材料の配列、及び他のあらゆる材料に関連して図示されているので、グラフェンを図示する際には、同じ幾何学的形状が、空間時間制御、原子、光子、電子、及び発見されたか未発見の最も基本的な要素に適用される。
3D-HBC ファインマンは、空間と時間を移動する要素の新しい定義である。
【0124】
図1、2、3、及び17は、ファインマン図の規則に基づいて接続された部分のみを含む3次元図であり、すべての円弧線は、図の切断された部分なしで、少なくとも1つの頂点に接続される。
矢印は、ファインマン図の原理の下にある他の要素と干渉しない限り、任意の方向を指している。
円弧線は、矢印が1本の波状線(wiggly line)と交わる2本の線がある場合にのみ接続される。
2種類の線が示されており、円弧線(中心点の周りに6つの円を均等に、同じ平面上に配置し、6つの方向すべてに配置するための参照「概略」線としてのみ6つの六角形の直線を用いる)と、矢印又は波状線である。
上述のルールを通過する本発明に示された図は、有効なファインマン図である。
粒子が実際の空間を通過する経路は、相互作用(ファインマン図によって捉えられる)だけでなく、運動学(そうではない)によっても決まる。
例えば、運動量やエネルギー保存の法則などを課す必要がある。
ファインマン図の点は、空間内の粒子の実際の軌道ではなく、粒子の経路に沿った相互作用を理解することである。
量子場理論の数学的枠組みは因果律の概念に基づいている。
【0125】
本発明は、矢印又は波状線を有する円弧線の描画のみを適用し、次に、本発明に例示された交点(頂点)のみを用いてそれらを結合する規則を用いて、三次元ファインマン図を描くことを教示する。
矢印で示した線は電子(矢印が左から右に向かう場合)と陽電子(矢印が反対方向を向く場合)であり、波線は光子である。
規則の選択は、我々が「粒子相互作用のモデル」と呼ぶものであり、特に、「電子と光子の理論」のための物理学-対話である量子電気力学と呼ばれるものを開発した。
【0126】
本発明は、本発明の図に示される形状に対してグラフェンが適用されるすべての場所で、グラフェンをグラフェンの代わりに使用できることを教示している。
【0127】
本発明は、互いに垂直に回転し、同じ3D空間を占める2つのグラフェン層スタックによって提供されるグラフェン層浮遊、画期的な従来技術のサイズ制限を教示する。
図1乃至6は、2つの6原子炭素要素C_1とC_2を、六角形の平面に対して90°回転した2つの体心六角形C_1とC_2、及び各六角形の中心点(既知の座標点であるため表示されていない)のビューとして示しており、 各六角形の6つの六角形側の中点(既知の座標点)の1つの周りに配置される。
図2乃至16において、すべてのsp炭素結合位置s及びpは、6員炭素原子間の3D関係をより明確にするために、x、y、z軸ビューに対して回転する6つのsp炭素結合位置の1つである。
【0128】
図2は、図3乃至6にも示されている、x軸の下の上面図として、2つの6原子炭素元素C1及びC2を示す。
図3は、図2、4、5及び6にも示されているように、斜視図として、2つの6原子炭素元素Cl及びC2を示す。
図4は、図2、3、5及び6にも示されているように、x軸の周りを回転する図として、2つの6原子炭素素子C_1及びC_2を示す。
図5は、図2、3、4及び6にも示されているように、z軸の下方の上面図として、2つの6原子炭素元素C_1及びC_2を示す:
図5乃至6の1つの正六角形6員の辺長は、1.42Åwlであり、これはC-C結合の中点であり、
正六角形の6員炭素原子の2つの対向する鏡面辺管の距離は2.46Å w2であり、六角形の点対点の寸法は、図5乃至6において2.84Åw3である。
図6は、正六角形の点対点間距離に対する原子寸法を含む、図2乃至5にも示されているy軸の下の上面図としての2つの6原子の炭素要素を示す。
図2乃至16において、すべてのs及びpの位置は、より明確にするために、x、y、z軸のビューに対して回転する。
【0129】
グラフェンは、6原子の炭素六角形体中心(HBC)セルでできている。
したがって、構造的歪みに対して安定であり、環は分子と異なり、座屈せず、また、仮想モードを示さない安定である。
【0130】
図7は、直交する(x-y)平面グラフェンシートxY 1内の面積を形成する長さy-軸3行の、図2図6の6員炭素要素から生成されたグラフェンの2つの平面シートxZl及びxY 1のx軸を、直交する配向でxY 1シートを回転させて、第1の垂直六角形として図12に示された3列の高さのシートxZlとなるようにした、X軸横3行のグラフェンシートxY 1を上端から示す。
図8は、図7のグラフェンの2つの平面シートxZl及びxYlのy軸下方の側面図を示す。
図9は、図7、8及び10のx、y及びz軸の斜視図を示す。
図10は、図7、8及び9のx軸まわりに回転された斜視図を示す。
【0131】
図11は、図2乃至6の6個の構成要素の炭素素子から生成された3個の平面グラフェンシートxZ 1、xZ2、及びxZ3を、3幅×3列長×3列高配列で吊るした、デカルト(x-y)平面グラフェンシートxYlのデカルト(x-y)平面平面シートの斜視端図を示し、ここで、xY 1シートは、垂直に配向され、3列高さのシートxZ 1に回転される。
【0132】
図12は、図2乃至6のz軸に沿って垂直に配向された、平面内に1つの水平な6員六角形C1、p、及び1つの6員炭素要素C2を有するグラフェンxYlの1つのx-y平面シートの斜視図を示している。
図14は、グラフェンの1つの平面シートの斜視図を示し、3つの垂直及び隣接する6要素の炭素素子C2がx軸を等しく下に配列されている。
図2乃至6の相対的な幾何学的形状では、六角形はすべて、六角形面に対して90°回転される。
【0133】
図13は、図15及び16の三次元平面グラフェンシートの端面図、図2乃至6の六つの構成要素炭素素子から生成された3つの平面グラフェンシートxZ1、xZ2及びxZ3を、3横×3本の長さ×3本のユニットアレイで懸架されるグラフェンxY1、xY2及びxY3のデカルト(x-y)平面シートの図を示す。
図15は、図13及び16の端面図及び2つの回転された端面図を示している。
図16は、図13及び15の端面図及び2つの回転された端面図を示している。
sp2結合炭素原子の1原子厚の平面シートは、六角形のハニカム結晶格子に密に詰め込まれており、
図5乃至6において2.13Å w4の距離で間隔を置いて配置された(Side/2 + Side = w4)無限の数の平行層の第1及び第2のスタックを並置することによって一緒に織り込まれた無制限の3次元グラフェン層を提供し、
ここで、第2スタックは正六角形の中心点「穴」を中心に90度回転し、次に正六角形の第1スタックの正六角形の辺の中心点に位置合わせされます(1つの正六角形の6員側の距離の中点は、図5乃至6及び19、1.42Åにあります。 正六角形のCC結合の中点であるwl)。
六角形の点対点の寸法は、図5乃至6において2.84 Å w3である。
図19において、層の間隔は、2.13Å、w4(Side/2+Side=w4)及びグラフェンxY1、xY2及び3つの平面グラフェンシートxZ1、xZ2及び6による図2乃至6の、6員炭素要素から作り出されるxZ3を懸架しているxY3の図20平面シートである。
原子の建設的干渉を回避するための分子スケールでは、グラフェンの第1スタックの正六角形の側面の少なくとも1つは、第2スタックの正六角形の中心点「穴」にその側面の中点を配置することによって配置され、互いに垂直に配置された2つのスタックを提供し、第2グラフェンシートスタック内で1つの平面2Dグラフェンシートスタックを懸架する。
なぜなら、6員炭素穴は、十分低いエネルギー変化状態で6員の炭素から炭素への側面にスペースを提供するため、各スタックが同じ3次元空間を占めることができる。
図20は、図13、15、及び16の代替の斜視図を示し、改善された視覚補助としての小径の六角形の辺を備えている。
デカルト(x-y)平面グラフェンシート上の電荷エネルギー線12である6原子の炭素孔11は、グラフェンが測定される場所であり、層の間隔は、2.13 Å、w4、及びグラフェンxY1、xZ2、及びxY3の平面シートであり、3つの平面グラフェンシートxZ1、xZ2、及びxZ3は、図2乃至6の6つの構成要素の炭素要素から生成される。
六角形六原子炭素(グラフェン)のエネルギー:原子分解能走査トンネル顕微鏡(STM)画像は、六角形の六つの炭素原子のすべてが可視であるグラファイトから得られる。
横断面を走査すると、二つの隣接する炭素原子(d=1.42Å)に対応する二つの顕著な極大が六角形で現れ、その間に谷が現れ、隣接する二つの炭素原子間の電荷密度の変化が示される。
最深点間の距離は2.46Åであり、これは六角形の穴に相当する。
ダイヤマ(diamers)と比較して、これは、ダイヤリジブル(dirigible)用途のための真空密性超薄膜である。
【0134】
図21は、Phys. Chem. Chem. Phys., 1999, 1, 4113E4118からのグラフェン写真であり:
図21は、6員炭素グラフェン「穴」(谷のz軸エネルギーがゼロに近い)及び測定されたx軸距離「質量」(最大のz軸エネルギーが0.8に近い)の6つの六角形の側面のそれぞれに沿ったグラフェン写真の実際の測定値を示す。
エネルギー電荷密度が、六角形の平面に対して90°回転した2つの体心六角形、及び各六角形中心点(ゼロ質量及びエネルギー)を1つの六角形の辺(質量)の中点の周りに体心にする本発明のステップに一致するため、原子の構造的干渉が回避される[0~0.8]。
【0135】
電子的に等価なsp2の6員炭素六方原子環の存在は、1枚のシートを垂直に回転させ、オフセットさせると、3D構造を与える。
図1のグラフェン構造に配列されたこれらの6員の炭素環のエネルギー論は、従来技術であるが、正六角形の内部角度(1つは、すべての側面及びすべての角度が等しい)によって表され、関連しており、すべてが120°であり、六角形は720°を有する。
それは六つの回転対称性と六つの反射対称性を有し、二面体基D6を構成する。
正六角形の最も長い対角線は、直径方向に反対の頂点を結んでおり、その側面の長さが2倍であり、六角形の6員環の中心点でエネルギー的に電荷を失っている。
正方形や正三角形と同様に、正六角形は面をタイル状にするためにギャップなしで互いに嵌合するので(すべての頂点で三つの六角形が出会う)、テセレーションの構築に有用である。
このため、また、形状が空間を効率的に利用するため、6員の炭素環ハニカムは六角形である。
規則的な三角格子のボロノイ図は、六角形のハニカムテッセレーションである。
正六角形のプラトン状の固体は存在しない。
いくつかの六角形の面を持つ半正多面体は、切頂四面体、切頂八面体、切頂二十面体(サッカーボールとフラーレンの名声)、切頂四面体、及び切頂二十面体である。
【0136】
図2乃至16は、3D空間を3つの平面グラフェンシートxZ1、xZ2、xZ3が積み重ねられた2Dグラフェンシート、xYl、xY2、xY3で満たすx、y、zとラベル付けされた軸の周囲の図を示す。
これらの軸に対して、任意の2つの結合した六方炭素(六角形のCl及びC2)の位置は、それらの中心点の周りで90度回転され、6つの側面のうちの1つの中間点をその結合した六角形の六角形の中心点へとオフセットし、等距離でオフセットされる。
【0137】
図7乃至10において、グラフェンシートxYl及びxZlは、すべての所定の層について同一であり、各番号は、所定の軸に沿って測定された原点からのその点の距離を与え、これは、他の2つの軸によって決定された面からのその点の距離に等しい。
3次元は幅、長さ、深さである。
【0138】
異なる3D形状の製造において、ドーピング、エネルギー入力、C-C結合の寸法、及び分子の原子角は、エネルギー電荷状態に比例して変化し得る。
原子のエレクトロニクスは、本発明で教示された幾何学的形状に一緒に適合する分子上へのガスの吸着によって最小化される。
【0139】
従来技術では、ナノグラファイトは、ジグザグ型及びアームチェア型のような開放エッジを有する有限平坦グラフェンシートの積層を特徴とする。
局在エッジ状態はFermi準位近傍の非結合性軌道を通して生じ、エッジ形状がナノグラファイトの電子状態を支配する。
非結合性のジグザグエッジ状態はフェルミ準位で高度に縮退しているため[4]、fee C60zsolidの高圧、高温を用いることにより、一次元(1D)鎖で重合したC60、 2D菱面体晶又は正方晶、及び 3Dポリマー構造を生成することができる。
これらの構造の各C60は、sp2からsp3への結合からの再ハイブリダイゼーションによって形成される。
C60ポリマーの磁性は、エッジ炭素原子の不対電子と、フラーレン間結合で誘発された欠陥に現れる炭素空孔の存在に起因する[8]。
本発明は、本発明で教示されている浮遊グラフェンを製造するために、従来技術と同じ製造方法のいくつかを適用することを教示している。
エッジの挙動は従来技術と同じであるが、本発明は、エッジのエネルギーポテンシャルが、各平面において原子精度で指定された6個の炭素原子の数によって、本発明で教示された3D物体の周りを移動することを教示し、これは、ホウ素ドーピングパターンのように、グラフェン平面を曲げるために、素子の周りを中心とするコンピュータ回路を作るのに有用である。
ホウ素のドーピングは炭素六角形の平面に挿入することができる。
シリコン及び他の元素を適用することができる。
原子は、選択された各分子種を引きつけるように設計された3Dグラフェン構成に対して吸着性を有することができる。
ヘリウム及びキセノン(これらに限定されない)は、例えば、分子エレクトロニクスを増加又は減少させる3Dグラフェン層の電位を変化させる要素であり得る。
【0140】
図17は、真の(自立型)グラフェンを示しており、
これは、選択した原子の寸法に応じた、sp2結合炭素原子生成テンプレートリソグラフィーパターンの2D1原子厚平面シートですある。
ジグザグオープンエッジ5とアームチェアオープンエッジ4は、グラフェンの製造から形成されるタイプである。
軸1、2、及び3は、元のx-y平面に垂直な製造中に堆積されるsp2結合炭素原子のグラフェン平面シートの任意の場所である。
グラフェンでは、sp2結合炭素原子が垂直面でテッセレーションされた構成要素であり、数を増減できるため、これらの角度のすべて又は対で部分的なグラフェン生成を行い、無限の構成の3Dオブジェクトを提供できる。
3D平面は、例えば、2つ又は3つ以上の垂直平面1、2、及び3における生産のための鋳型パターンを有する硝酸珪素であり得、本発明において、e1及びe2は、サーマルゲート、レーザポート、リソグラフィー位置、ガスゲート(例えば、過冷却ヘリウム、キセノン)であり、3D浮遊(浮遊)グラフェンを提供するための、生産ツールのための荷電、...、及び材料シード位置であり得る。
【0141】
グラフェンテンプレート製造ツール及び電子部品を製造するための切断グラフェンには、x、y、z軸の切断制御を含むグラフェンの原子的に精密なマクロな長さのリボンが必要である:
【0142】
2008年7月30日、ペンシルベニア大学A.T. Charlie Johnson校物理・天文学科の教授と彼のPennチームは、
「鉄の超加熱ナノサイズ粒子を用いた機能的ナノリボンの焼き付け」と題した研究において、触媒金属粒子を用いてグラフェンを正確な原子方向にエッチングする新しいエッチングプロセスを実証した。 電荷を担持する電子がほぼ2Dに閉じ込められた原子レベルで精密なグラフェンナノリボンの構築を研究し、リボンの横面と電子特性を材料の幅と特定の結晶方位によって制御する。
これらの構造はナノスケールデバイスとして非常に有望であり、グラフェンの二次元性が平面形状に基づく既存のデバイス構造に役立つという利点がある。
しかし、リソグラフィーやプラズマエッチングのような現在のナノ加工標準を用いた試みは、ナノリボンの性能に影響を与える粗いエッジを残している。
現在の最先端のナノリソグラフィー技術に起因するグラフェンの粗い非結晶エッジが、ナノスケールのグラフェンデバイスから有用な性能を達成するための制限要因と考えられているため、これまでこれらの構造を実現することは不可能であった。
原子スケールの欠陥でさえ、グラフェントランジスタの電気伝導率を低下させる。
グラフェンシートにパターンを刻むために熱鉄ナノ粒子を使用するジョンソンの技術は、そのような正確な製造の最初の詳細な例であるように思われる。
【0143】
図18は、図7の方向から見られる他の形状を例示する:
平面に交差する弧に曲がった平面6、2つの交差する弧7、2つの交差するC60バッキーボールl(又はナノチューブ)8ここで、六角形の平面は、その平面に垂直な五角形の中心点軸を中心に72°回転することによって体の中心にあり(単層ナノチューブにフラーレンエンドキャップも結合する)、曲面と交差する三角形の平面9、交差する三角形の平面10、及びオフセットグラフェン平面シート11は、任意のサイズの3Dオブジェクトを生成するための小さな領域のシートのリンクを提供する。
これらの形状はすべて、本発明で教示される図2乃至16に示される2つの6原子の炭素元素の関係と一緒にリンクされている。
これらの3D形状のサイズを大きくするために、任意の数の層を積み重ねることができる。
C-C結合の寸法は、エネルギーの変化状態に応じて変化する可能性がある。
これらの形状は、図1の寸法を超える事前成形された基板ツールから成形又は製造することができる 。
【0144】
図19は、六角孔11、辺1.42 Å、wl、鏡面距離2.46Å、w2、及び3D層間隔2.13Å、w4(辺1.42Å、wlで除した値を辺1.42Å、wl)として表される6つの部材の炭素原子の寸法を示すグラファイト構造のグラフェン要素の概略図であり、辺1.42Åが2.13Å、w4に等しいことを示す。
図20は、図13、15、及び16の代替の斜視図を示し、改善された視覚補助としての小径の六角形の辺を備えている。
層は、製造中にエンジニアリングすることで取り除くことができる。
【0145】
Takeshi Kawase及びHiroyuki Kurataによれば(Title: Ball-, Bowl-, and Belt-Shaped Conjugated Systems and Their Complexing, Abilities: Exploration of the Concave- Convex - Interaction, Author: Takeshi Kawase, and Hiroyuki Kurata, Chem. Rev., 2006, 106 (12), 5250-5273? DOI: l0.l02l/cr0509657 ? Publication Date (Web): 29 September 2006)
フラーレンなどの湾曲したpシステムは、p軌道の非対称性により、凸面と凹面に関して分極化されるため、凹凸のp-p相互作用は平坦なグラフェンシート間の相互作用とは異なる必要がある。
Takeshi Kawase及びHiroyuki Kurataは、以下の実施例を提供する:
ハロゲン原子とフラーレン表面との相互作用の重要性、フラーレンのカプセル化、官能化されたフラーレン誘導体はフラーレンのホストとして機能し、樹枝状置換基の世代数が増加し、テーラーメードのホストとなり、 カーボンナノチューブはフラーレンのものと似ており;
ポルフィリン197、198及びピレン199,200誘導体は、カーボンナノチューブの凸面に結合しますが、カーボンナノチューブはp系で5:6の融合がほとんどない。
炭素環共役系間の非共有相互作用は、以下の3つの要因、すなわちファンデルワールス(VDW)相互作用、静電(ES)相互作用、及び電荷移動(CT)相互作用に基づいて考察することができる。
図147では、フェニルアセチレン大環状化合物によるカーボンナノリングの合成が示されている。
一連の環状[njmeta-フェニレンアセチレン][njCMPAsは主に分子内又は分子間のSonogashiraカップリングとSonogashira反応を経由している]の合成の鍵となる段階であり、Es[n] = EHFM - EHF[6]×n/6式から歪みエネルギー”ES M”を評価する。ここで、”EHFM”は対応するn-yneの生成熱を表す。 環状メタフェニレンアセチレン([6])のため CMP A)は、フレームワークに歪みがなく、「EHF[6]」値は、フェニルアセチレン配列を含む全ての他の潜在的炭素環式共役系を種々のフレームワークを作るための標準として使用される。
図3の幾何学的形状は、6個のフェニレン-エチニレン単位からなる図147で6個の炭素原子環を置換することができる。
正方形、三角形、五角形、及び他の構造が、好ましい六角形のホスト3D構造の修正された幾何学的形状になることが予想される。
【0146】
IBMの研究者によると、大面積の単層及び多層グラフェンシートのグラフェン製造技術は、高配向性熱分解グラファイト(HOPG)の剥離と、6H及び4H SiC表面の黒鉛化(エピタキシャル成長)である。
HOPGでのグラフェン層の成長は、メチルラジカルへの曝露によって発生する。
剥離したグラフェンに対するエピタキシャルの利点は、非常に高品質で連続的な層である。
【0147】
表面の高さの変動の比較: 剥離したグラフェンは200X 200 A°の領域で約8~15 A°、エピタキシャルグラフェンは3000 X 3000A°の領域で<0.05A°である。
【0148】
エピタキシャル成長させたグラフェンは、極めて高品質で真の2Dである。
エピタキシャル成長は、剥離したグラフェンと比較して、欠陥がなく、汚染もない。
直接比較すると、剥離したグラフェンは、クランプ紙の顕著な特性を有している。
エピタキシャルグラフェン2Dフィルムは、全炭素ポストCMOS電子工学革命の実行可能な候補である。
グラフェンは、本質的に、HOPG又はエピタキシャル成長(他の基板上にメチルプレカーソルを有する炭素蒸着(CVD)によるSiC基板上の熱成長:
TaC、TiC、HfC、In、Pd、Re、Ru、Ni、及びPt前駆体(エタン、メタン、ベンゼンなど)である)を剥離することによって得ることができる。
グラフェンの超薄エピタキシャル層は、適切な反応温度でのCVDによるグラフェンのエピタキシャルエピタキシャル化によって達成される。
【0149】
AMO GmbH, Otto-Blumenthal-Strasse 25, Germany (www.amo.de)は、Si / Si02基板上に剥離法を使用して製造されたグラフェン微結晶の単層、二層スタック、及び複数層スタックを提供する。
結晶子の位置を簡単に特定できるように、位置合わせグリッドが事前にパターン化されている。
必要に応じて、電気接点を定義できる。
AMO GmbHは、2Dグラフェンを製造するためのナノインプリントリソグラフィー、干渉リソグラフィー、電子ビームリソグラフィー、及びナノ電子ファウンドリサービスも提供する。
本発明は、既存の製造方法を適用して、3Dグラフェンの進歩性を製造することができることを教示し、ここで、層状スタックは、図1乃至17において90度の角度の回転面で互いに織り込まれる。
【0150】
図22乃至29は、5つの正六角形のC60バックミンスターフラーレン(C60)派生ボウルが、各五角形の中心点を示す矢印で、正五角形の中心点の周りに配列及び結合されていることを示し、これはC60の中心点からベクトル化され、カーボンサイドメンバーを六角形の穴に取り付けることで緩い結合(半導体バンドギャップ)を形成する。
図22は、1つのC60バックミンスターフラーレン炭素要素を示す。
図23は、C60の中心点からのベクトルとして各五角形の中心点を位置付ける矢印を有する、正五角形の中心点の周りに配列され結合された5つの正六角形のC_60バックミンスターフラーレン誘導体を示す。
図24は、図23のC60 バックミンスターフラーレンのうちの2つを五角形の頂部に鏡映したものを示す。
図25は、図22のC_60バックミンスターフラーレンを示し、 両方のボウルを見るための中央のベクトルのわずかな回転を含む、12の等間隔のベクトルに矢印を有する。
図26は、下部ボウルにおいて同じ高さまで移動した図24の1つのボウルを備えたC_60バックミンスターフラーレンを示す。
図27は、五角形の中心点まわりに36度の角度で回転した図26の1つのボウルを備えたC_60バックミンスターフラーレンを示し、 同じボウル内の他の配列された6員炭素要素の穴内の6員炭素原子要素の1つを中心にする。
これらのC60バックミンスターフラーレンは、必要に応じて体心六角形の辺に合うように変形させることができる。
図28は、正六角形の辺が六角形穴に挿入される方法の斜視図のために軸周りに回転した図27の、2つのボウルのうちの1つと、第2ボウルの1つの六角形とからなる、2つの隣接する六角形を有するC_60バックミンスターフラーレンを示す。
図29は、正六角形側が六角形穴に挿入される方法の斜視図のために軸周りに回転した図28の、2つのボウルのうちの1つと、第2ボウルの1つの六角形とからなる、2つの隣接する六角形を有するC_60バックミンスターフラーレンを示す。
【0151】
図30乃至33は、2つの五角形の中心軸に沿ったC60バックミンスターフラーレンブール和集合を示しており、各C60から1つの五角形を平面に対して平行に向け、中心点を揃え、1つの五角形の中心点を中心に36度回転させている。
図30は、五角形の中心がそれぞれオフセットしている2つのC_60バックミンスターフラーレンブーリアンを示す。
図31は、図30内の2つのC_60バックミンスターフラーレン交差五角形の軸の下の回転した平面図を示す。
図32は、第1ブーリアンC60に対して144度回転した第3のC60バックミンスターフラーレンを有する図30及び31の2つのC_60バックミンスターフラーレンを示している。
図33は、図32の3つのC60バックミンスターフラーレンの上面平面図を示しており、第4のC60バックミンスターフラーレンは第1の2つのC60のそれぞれに対して144度回転し、3つのC60は中央のC60の周りに144度で配列されている。
【0152】
図35は、炭素六角形パターンxY1及びxZ1のパターンを備えた2つの平面工具表面上の製造パターンを示している。
グラフェンをグラファンに水素化することにより、炭素6原子の炭素環のエネルギーを低下させ、炭素e1、e2、e4、及びe5を炭素グラフェン環内にその場配置することができる。
水素1HはFUG149に示されており、グラフェンを作るためにグラフェンカーボン1Cを反転させた。
レーザー出力、化学は、水素結合を切断するためにエネルギーを与えられた鉄、コバルト、及び他の金属を含む。
グラフェンは、層状になってから、六角形のリングの穴の中にその場で炭素原子を提供して浮遊グラフェンを構築する化学的イベントとしてグラフェンに変換できる絶縁プラスチックのようなものである。
【0153】
図36は、図37の縦軸を有する2つの単層管状フラーレン、カーボンアームチェアタイプのナノチューブを示しており、それらは、その側面に沿ってブーリアン和集合にあり、それらの縦軸に沿ってさらにオフセットされており、2つの単層管状フラーレンカーボンナノチューブの1つが第2の中心軸の周りに144度と108度で配列されている。
図37は、図36の配列されたユニオンブールナノチューブの立面図を示している。
図36及び37は、集積回路に配線できる理想的なトランジスタコンポーネントである。
【0154】
ガスは、C60バックミンスターフラーレン及び単層管状フラーレンアームチェアタイプのカーボンナノチューブ(この特許では両方ともフラーレンと呼ばれます)内に配置して、電子機器の効率を高めることができる。
ガス:ヘリウム、水素、酸素など...電子機器の電位と機能を変化させる。
本発明の電子部品の環境における純粋な作動ガスはまた、回路の機能を機能のために選択されたものに変形することを含み、操作された部品の機能を最適化することができる。
図33及び34において、3つのC60バックミンスターフラーレンt2、t3、及びt4は、120度の角度離れた1つのC60バックミンスターフラーレンt1六角形中心軸の周りに極性配列されており、図36及び37単層管状フラーレンアームチェアタイプのカーボンナノチューブt2、t3、及びt4は、1つの中心ナノチューブtlの周りに極性配列されている(図33及び34のC60バックミンスターフラーレンtlのように、144、108、及び108度において、五角形のバッキーフラーレン軸は角度を分割するように配列されている)。
これらのフラーレン炭素構造から分子スイッチを提供することができる。
ここでは、3つの類似したフラーレンt2、t3、及びt4がブールユニオン半導体バンドギャップ3D HBCによって側面に懸架されており、それぞれがHBC3Dグラフェン構造を介して接続されている中央フラーレンt1である。
GATEを追加して電子を制御し、回路を通る電荷の流れを制御することができる。
3D HBCブールユニオンによって接続されたフラーレンの周りに配列されたフラーレンは、潜在的なトランジスタを形成する。
図は、電極t4、「ソースt2」及び「ドレインt3」が導電性フラーレン材料の「島tl」によってどのように接続され、3DHBCフラーレン1lによってt4を介して浮遊することによって構造的に懸架されるかを概略的に示している。
島t1は、一度に1つ以上の電子を収容し、第2の(又は追加の)電子は、GATEt4の静電反発力によって遠ざけられる。
ソースt2からの電子は、量子を機械的に島tlにトンネリングし、次にドレインt3にトンネリングすることによって離れる。
GATE t4と呼ばれる第3の電極t4に印加される電圧は、単一の電子(又はそれ以上)が島t1に出入りできるかどうかを制御し、それによって1又は0のいずれかを登録する
多くの場合、2つ以上の補完的な材料を組み合わせて、両方の望ましい特性を得ることができる。
通常、バルクマトリックスと補強材が使用される。
グラフェンのドーピングは、エンジニアが望む回路ロジックによって呼び出される回路値を微調整するのに役立つ。
本発明のすべての図は、3D HBC材料が回路及びモーフィング回路に設計され得ることを教示している。
さらに、図 48、49、及び52は、構造のエネルギーポテンシャルを変更するために適用されるガスを分割できる。
C60バックミンスターフラーレンの半分は、平面グラフェンリボン(グラフェンシート)にHBCを挿入して、グラフェンリボンの両側にC60バックミンスターフラーレン又はナノチューブを成長させるためのテンプレートとして提供できる。
ガスは、グラフェンリボンによる分離を含め、単一又は複数のガス種として、これらの閉じた構造に挿入できる。
ゼオライト(吸着剤又は他のモレキュラーシーブ)とそれに対応する吸着物)をナノチューブの一方の端に挿入し、その対応する気体又は液体をもう一方の端に挿入すると、エネルギー(すべての形態のエネルギー)は、回路のエネルギーポテンシャルを管理するために吸着質を脱着することができる。
吸着質が吸着剤に再び吸着されると、吸着熱が放出される。
【0155】
単層カーボンナノチューブは、他の寸法に適合するようにチューブ壁に押しつけることができる。
二重壁ナノチューブは圧搾され、壁間の結合を損傷し、電子部品の可能性を提供する。
図48は、真の(自立型)グラフェンを示しており、これは、選択された原子の寸法に従ってテンプレートリソグラフィーパターンを生成する、sp2結合炭素原子の2Dの1原子の厚さの平坦なシートであり、懸架グラフェンの3Dの生成のために垂直に回転され、1つの単層管状フラーレン炭素アームチェア型ナノチューブは、グラフェンの平面内に、グラフェン平面内の孔とチューブの六角形の楕円環を整列させる角度で挿入された長手方向の軸を有する。
図39は、図34の3つのナノチューブのうちの1つと、図17のsp2結合炭素原子の1原子厚の2D平面シートである真(自立型)グラフェンとの間の交差角を教示するための立面斜視図を示す。
【0156】
カーボンナノチューブの物理的性質:
図47は、図34及び35に示されるナノチューブとして巻き上げられた正六角形のグラフェンとして表される2つの隣接する6員炭素原子の寸法を示す概略図である。
以下は世界中の科学者の研究成果をまとめたものである。
全ての値は、特に明記しない限り、単層カーボンナノチューブ(SWNT)についてのものである。
【0157】
平衡構造
SWNTsの平均直径
1.2 -1.4 nm
反対側の炭素原子からの距離(Line 1, nl) 2.83Å
類似の炭素原子分離(Line 2 n2) 2.456Å
並列炭素結合分離(Line 3 n3) 2.45Å
炭素結合長(Line 4 n4) 1.42Å
C-Cタイト結合オーバーラップエネルギー ~2.5eV
グループ対称(10、10)C5V
格子:ナノチューブ三角格子のロープの束(2D)
格子定数 17A
格子パラメータ
(10, 10) アームチェア 16.78 Å
(17, 0) ジグザグ 16.52 Å
(12, 6) キラル 16.52 Å
密度:
(10, 10) アームチェア 1.33g/cm
(17, 0) ジグザグ 1.34g/cm
(12, 6) キラル 1.40g/cm
中間層スペーシング:
(10, 10) アームチェア 3.38Å
(17, 0) ジグザグ 3.41Å
(12, 6) キラル 3.39Å
光学特性
基本的なギャップ:
(n, m)について:n-mは3 [Metallic] 0 eV For (n,m)で割り切れる
n-mは 3 [Semi-Conducting]~0.5 eV で割り切れない
電気伝送
導電率の量子化 (12.9k)ー1
抵抗 10ー4-cm
最大電流密度 1013 A/m2
熱伝送
熱伝導率 ~ 2000 W/m/K
フォノン平均自由行程 ~ 100 nm
緩和時間 ~ 10-11 s
弾性挙動
ヤング率 (SWNT) ~ 1 TPa
ヤング率 (MWNT) 1.28 TPa
最大引張強度 ~ 1C GPa
グラフェントランジスタ
グラフェンは、トランジスタやその他の電子デバイスに組み込むことができる。
【0158】
従来技術では、2Dグラフェンシートは、同じ2Dシートに設計された半導体型バンドギャップなしではエレクトロニクス技術では使用できない。
グラフェンは、その価電子バンドと、バンドギャップによって半導体を規定する伝導電子-エネルギーバンドとの間にバンドギャップがない。
半導体バンドは、電子が自由に物質を通過できるエネルギー(伝導帯)か、あるいはそのホスト原子にしっかりと結合できるエネルギー(価電子帯)である。
【0159】
従来の技術では、グラフェンをトランジスタやその他の電子デバイスにエンジニアリングするためには、ギャップが2D結晶の電子バンド構造に導入されなければならない。
ドーピング、量子ドットやナノリボンなどの閉じ込められた幾何学的構造の製造、又は炭化ケイ素基板上でのエピタキシャルグラフェンの成長。これにより、ドーピングや形状の閉じ込めなしに、グラフェンに半導体バンドギャップが提供される。
Title:”Substrate-induced bandgap opening in epitaxial graphene,” by Shuyn Zhou and Alessandra Lanzara of Berkeley Lab and ETC Berkeley, Gey-Hong Gweon and Dung-Hai Lee of UC Berkeley, Alexei Fedorov of Berkeley Lab, Phillip First and Walter de Heer of Georgia Tech, Francisco Guinea of the University of Madrid, and Antonio Castro Neto of Boston University, which appeared in the November, 2007 issue of Nature Materials Insight.
グラフェンの2D結晶の電子バンド構造には、バークレー研究所及びカリフォルニア大学バークレー校の研究者のリーダーシップの下での多施設共同研究によってギャップが導入されている。
Alessandra Lanzaraと彼女のグループは、炭化ケイ素基板上にグラフェンのエピタキシャル膜を成長させて、0.26電子ボルト(eV)の大きなエネルギーバンドギャップを作成することに関する論文を発表した。
「このギャップは、グラフェンと基板の相互作用の結果としてグラフェン格子の対称性が崩れたときに生じることを提案する。これらの結果は、グラフェンのバンドギャップエンジニアリングの有望な方向性を浮き彫りにしていると考えている。
電子は室温でもグラフェンを弾道的に移動できる。つまり、電子は真空中の光子のようにシートを飛ぶことができ、熱を発生させてシリコンベースのデバイスの速度とサイズを制限する原子との衝突はない。
また、炭素はどの元素よりも融点が高く、グラフェンは熱伝導率が最も高いため、グラフェンから作られた電子デバイスは、シリコンベースのデバイスよりもはるかに高い温度で動作できるはずである。
バンドギャップは、サンプルの厚さが増加するにつれて減少し、グラフェン膜層の数が4つのバンドギャップ基板エンジニアリングを超えると、最終的にはゼロに近づく。
異なる基板は異なる電位を持ち、グラフェンと基板の間の相互作用の強さは異なるバンドギャップサイズにつながるはずである。
同様のメカニズムが窒化ホウ素基板上のグラフェンのバンドギャップを開く可能性があるという予測はすでにある。」
プローブ技術を使用して、グラフェンで最初に報告された半導体バンドギャップを明らかにした。
エピタキシャルグラフェンデバイスは、原則として、既存のシリコンベースの技術を使用して製造できる。
マイクロエレクトロニクス技術のホスト材料としてのエピタキシャルグラフェンの使用はまだ数マイル先にあるが、バルクグラフェンで電子バンドギャップを作成できるというデモンストレーションが公開された。
【0160】
本発明は、図2乃至6に示すように、グラフェンリボンがいくつ層状にされていても、2つの六角形C1とC2の間に半導体タイプのバンドギャップが提供され;
図4及び5に示される中心点穴H1及びH2は、製造中のHBCであり、六角形の平面に対して90°(度の角度)で回転した六角形の辺(H1とH2も)の中点の周りにある。
図7から図16に示されるように、本発明は、グラフェンの第1の平面シートxY 1の各六角形中心点穴HBCの間に半導体タイプのバンドギャップが提供されることを教示しており、 これは、最初の六角形の平面に対して90°の角度で回転した2番目の平面シートxZlofグラフェンの各六角形側の中点の周りの体心HBCである。
図11、13、15及び16のグラフェンの原子的に正確な巨視的な長さのリボン(グラフェンの平面シート)はすべて、本発明の垂直平面グラフェンシート間に固有のHBC半導体タイプのバンドギャップを提供し、ここで、電子は、グラフェン材料のリボン(伝導帯)を通って自由に移動する。
HBCバンドギャップは、価電子帯と伝導帯の電子エネルギーバンドを提供します。ここで、電子のエネルギーは、グラフェン原子のリボン内のホスト原子にしっかりと結合できる(価電子帯)。
これらのエネルギーの流れを制御するためのゲートは、これらのエネルギーを制御するためにバンドギャップに隣接するように選択することができる。
【0161】
トランジスタ:
www.sciencemag.orgによると、Science、Vol。 306 2004年10月22日(”Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films,” K. S. Novoselov, A. K. Geim, et.al)、グラフェンは金属トランジスタの用途に最適な金属である可能性がある。
グラフェンは、金属トランジスタで想定されている真のナノメートルサイズへの拡張性に加えて、弾道輸送、線形電流-電圧(I-V)特性、及び巨大な持続可能な電流(9108 A / cm2)を提供する(15)。
グラフェントランジスタは、かなり控えめなオンオフ抵抗比を示す(300 KでE30未満、熱励起されたキャリアのために制限されます)が、これは、kBTを超えるバンドギャップのない材料の基本的な制限である。
【0162】
これらのオンオフ比は、本発明のHBC図の論理回路にとって十分であると考えられ、例えば、p-n接合、ローカルゲート、又は点接触形状を使用することによって、比をさらに増加させることが可能である。
【0163】
図53において、分子スイッチは、単一のグラフェンシートから切り出すことができる。
ここで、4ベンゼン量子DOT 28は、狭いくびれを介してグラフェン電極に接続された2枚のグラフェンシートxY1とxY4の間の側面にぶら下がっている(シートxY1とxY4への接続)。
コプレーナグラフェンサイドゲート27(xZ1又はxZ4、あるいはその両方をGATEとして適用でき、電子を制御するためにDOT 28の近くに追加のGATEを追加できます)は、回路を通る電荷の流れを制御する。
ナノスケールのグラフェン面は、単一電子(又は量子ドット)トランジスタ25に形成することができる。
この図は、2つの電極xY1とxY4、「ソースxY4」と「ドレインxY1」が導電性材料の「アイランド28」又は量子DOT 28によってどのように接続されているかを概略的に示し、これは、直径がわずか100ナノメートルで、フローティンググラフェンスタックxZ1からxZ4(グループ27)によって構造的に吊り下げられていいる。
この種の装置の島28は、一度に複数の新規な電子に適合するにはあまりに小さい;
第2電子は、グループ27(xZ1、xZ2、xZ3、及び/又はxZ4)の静電反発力によって遠ざけられる。
ソースxY4からの電子は、量子を機械的にアイランドDOT 28にトンネリングし、次にドレインxY1にトンネリングすることによって離れる。
垂直xZ1からxZ4(27)であり、製造中にDOT28の近くに移動することができる(視覚的な概略図の明確さのために距離でのみ示されている)、ゲートグループ27と呼ばれる第3の電極に印加される電圧、単一の電子がアイランド28に出入りできるかどうかを制御し、それによって1又は0のいずれかを登録する。
多くの場合、2つ以上の補完的な材料を組み合わせて、両方の望ましい特性を得ることができる。
通常、バルクマトリックスと補強材が使用される。
グラフェンのドーピングは、エンジニアが望む回路ロジックによって呼び出される回路値を微調整するのに役立つ。
【0164】
図40は、真の(自立型)グラフェンを示しており、これは、sp2結合炭素原子の2D 1原子厚平面シートであり、90度(x-y平面グラフェンシートに垂直)の角度で、隣接する六角形の側面のリングをグラフェン平面の穴に合わせて、グラフェンの平面に挿入された縦軸を持つ1つの単層管状フラーレンカーボンジグザグタイプのナノチューブである。
これらの構造は、トランジスタコンポーネント又はコネクタとして適用できる。
ナノチューブは、その自然な柔軟性から、壁の六角形のHBCからグラフェンの六角形に変形する。
【0165】
図53は、単一のグラフェンシートから切り出され、2つの浮遊層に接続され得る分子スイッチの盛り上がった回転斜視図を示している。
図53は、単一のグラフェンシートから切り出され、2つの浮遊層に接続され得る分子スイッチの盛り上がった回転斜視図を示している。
図53は、単一のグラフェンシートから切り出され、2つの浮遊層に接続され得る分子スイッチの盛り上がった回転斜視図を示している。
【0166】
HBC成長の生産テンプレート:
図42は、図43及び44の回転端面図を示しており、製造テンプレートは、互いに平行に配置された7つの真の(自立型)グラフェンシートxZ1からxZ7に対して、90度の角度でドレープされた1つのグラフェンシートxY1を含み、 生産成長テンプレートはHBC位置で終了し、グラフェンxY 1の平面に挿入されて、炭素の両方の平面が互いに垂直に成長するためのテンプレートを提供し、HBC構造で6メンバーの六角形の側面e1からe7(行)の1つのメンバーが提供される。
各グラフェンシートは、sp2結合炭素原子「チキンワイヤレイ」結晶の2D 1原子厚平面シートであり、通常の六角形のハニカム結晶格子に密に詰められて「形にカット」され(又はソートによって選択され)、 HBC構造では、互いに約90度の角度で平面内に均一に成長する。
図42に示されるように、矢印29は、デカルト(x、y)平面にあるグラフェンシートxY1を指し、これは、図44に示されるグラフェンシートxY1の上面平面図である(図44のビューと図42の端面ビューに対して約90度の角度で回転したビュー)。
矢印29は、グラフェンシートxZ1からxZ7を介して、xY1に対して約90度の角度でドレープされたグラフェンシートxY1の方向を指している。
図17は、行e1及びe2テンプレートの代替ビューを示している。
温度勾配は、六角形の炭素分子が最初に形成される場所を制御して、各平面に多かれ少なかれエネルギーが提供されるようにし、それらが互いに約90度の角度で成長し、本発明による3D空間を炭素で満たすようにする。
レーザー、流体の冷却又は加熱、ソリッドステートヒートシンク、又はその他の手段により、必要に応じて温度勾配を制御できる。
レーザー光は、6員の六角形炭素原子の電子機器、原子の近くの位置、エネルギーを変更し、3D浮遊グラフェンを均一に保つため、又は最終用途の機能のために設計された欠陥を成形するための最も正確なナノスケールツールを提供する。
キセノン及び他の希ガスを適用して、グラフェン3Dの成長を維持する場所にキセノンを凝集させることができる(図1乃至7に示す同じ空間内に積み重ねられた2つの90度の角度平面)。
【0167】
図35は、2枚のグラフェンシートxZ1及びxY1が互いに90度の角度で回転し、図5、6、19、20、及び21にリストされた原子位置及び寸法の電子機器に寸法位置決めを提供するテンプレートを示す。
図35は、Nature Nanotechnology 3, 563 - 568 (2008), published online: 10 August 2008 | doi: l0. l038/nnano.2008.2l5, Title: High-yield production of graphene by liquid-phase exfoliation of graphite, Authors: Yenny Hernandez, Valeria Nicolosiからのものである。
要約によると、「グラフェンの特性を十分に活用するには、この注目に値する材料を大量生産する方法が必要になる。
2つの主要なルートが可能である。
大規模な成長又は大規模な剥離。
ここでは、N-メチルピロリドンなどの有機溶媒中でのグラファイトの分散と剥離によって生成された、最大約0.01 mgml-lの濃度のグラフェン分散液を示す。
これが可能なのは、グラフェンを剥離するために必要なエネルギーが、表面エネルギーがグラフェンの表面エネルギーと一致する溶媒の溶媒とグラフェンの相互作用によってバランスが取れているためである。
ラマン分光法、透過型電子顕微鏡法、電子線回折法により、個々のグラフェンシートの存在を確認する。
私たちの方法では、単分子層の収率が約1 wt%になります。これは、さらに処理することで7~12 wt%に向上する可能性がある。
欠陥や酸化物がないことは、X線光電子、赤外線、ラマン分光法によって確認される。
半透明の導電性フィルムと導電性複合材料を製造することができる。
グラフェンの溶液処理は、デバイスやセンサーの製造から液相化学まで、潜在的な大面積アプリケーションの範囲を開く。」
【0168】
図42乃至44は、図42のテンプレート平面xYlor xZ1の背後にある詳細のより正確な図であり、 ここで、図69乃至71は、図35のxYlor xZ1のいずれかである1つの平面側のみを表す。
図35において、グラフェン層xY1は、炭化ケイ素基板上に成長させることができ、炭素六方晶と炭化ケイ素基板との間の相互作用を提供し、グラフェンの副格子間の対称性を破壊する。
対称性の破れは、バンドの副格子を分離し、グラフェンの価電子帯と伝導帯の間にギャップを開く。
バンドギャップは、電子デバイスにグラフェンを使用する可能性を高める。
グラフェン層xZ1は、窒化ホウ素基板上で層xY 1に対して90度の角度で成長し、異なる電子電位でグラフェンにオープンバンドギャップを提供する。
90度の角度の炭化ケイ素基板と窒化ホウ素基板は、同じ3D空間内でHBCグラフェンを成長させることができる2つのテンプレートを提供するのに十分に異なる原子エレクトロニクスを持っている。
グラフェンの配向と単一シートの粗い不均一なエッジにより、グラフェンは導体又は半導体になり、生産パラメータを増減するのに十分なほど異なるHBCグラフェンの生産に必要な物理的差異と相対的な熱、電気、及びその他のエネルギーを提供する。
例えば、図42乃至44において、xZ3がxZ1、xZ2、xZ4からxZ7を超える温度に加熱された場合、成長は行e3に沿って発生しない(成長を引き付ける可能性は、グラフェンの成長が壁と環境のレベルに向かって減少します) 2D又は3DHBCタイプのグラフェンの行e1、e2、e4-e7で発生する。
これらのシートへのキセノンの吸着(吸着)は、キセノンの供給源とキセノン又はそのエネルギーを排出するための電気経路を提供することによってグラフェンシートの電位を変えることによって選択することができる。
選択したシートを通る分極キセノンの弧は、グラフェンの成長パターンを選択する方法になる。
上記のペンシルベニア州立鉄結晶グラフェン切断技術は、キセノン「アークポジショニング」を使用して、鉄結晶切断機能を直線、30度、及び60度の角度で合成することにより、この選択された成長技術を強化する (キセノンアークのx、y、z軸の移動/位置を変更する)こともでき、2D及び3Dグラフェンの成長又は生産における切断を原子的に正確に制御する。
図15及び20のHBC 3Dグラフェン面は、成長のためのテンプレートを提供するために、HBC 3Dグラフェンの両方の90度の角度要素を含む。
キセノン吸着は、6原子の六角形炭素分子を取り巻く電子機器を減らし、HBC3Dグラフェンの成長に対する抵抗を減らすこともできる。
任意のグラフェンリボンを任意の形状又は長さに切断又は延長して、さまざまな機能をグラフェンに組み込むことができる。
【0169】
3Dグラフェンの機能:
本発明は、空気又はガス(水を含む)に対して構造の浮力を提供するために真空容器で空気を置換する、可撓性フィルム又は布、又は剛性(構造複合体)形状を含む任意の3Dフレームの周りの真空気密布を教示する。
モノリシックミクロスフェア及びその他のナノ構造は、真空気密で空気又は水の浮力を提供する分子構造を形成することもできる。
ヘリウム、水素、同位体、及びその他の小分子は、真空フィルムを通過するのに十分小さい場合がありますが、これらの原子及び分子は、相対的な大気条件でも浮力があるため、本発明には、浮力のある分子に対して開いているフィルムが含まれる。
これらの薄い真空気密膜のいくつかは多孔性であり(たとえば、カーボングラフェンは選択されたモレキュラーシーブ種に一致するように切断できる)、吸着物の一方向の分子吸着と電気スイング脱着を提供できる。
【0170】
ヘリウムはグラフェンから漏れることはなく、このことは、Leenaerts他で公開されている:”Graphene: A perfect nanoballoon.” Applied Physics Letters, 2008; 93 (19): 193107 DOI: 10.1063/1.3021413
【0171】
真空飛行船又は他の装置(流体パドル)を作るための候補である13の半正多面体があります。これは空気変位形状のいくつかの例である。
部分的な真空で空気を置換する任意の形状又はハイブリッドの組み合わせの誘導体は、本発明の範囲内にある。
以下では、頂点構成は、任意の頂点で交わる正多角形のタイプを示している。
たとえば、(4,6,8)の頂点構成は、正方形、六角形、及び八角形が頂点で交わる(頂点の周りを時計回りに回る順序で)ことを意味する。
頂点の数は720°を頂点角度の欠陥で割ったものです。
13半正多面体:
切頂四十面体(3.6.6)、立方八面体(3.4.3.4)、切頂立方体又は切頂六面体(3.8.8)、斜方立方八面体(4.6.6)、斜方立方八面体又は小さな斜方立方八面体(3.4.4.4)、切頂立方八面体又は大斜方立方八面体( 4.6.8)、スナブキューブ又はスナブヘキサヘドロン又はスナブ立方八面体(2つのキラル形態)(3.3.3.3.4)、イコシドデカヘドロン(3.5.3.5)、トランケートされたドデカヘドロン(3.10.10)、トランケートされたイコサヘドロン又はバッキーボール又はフットボール/サッカーボール (5.6.6)、斜方二十面体又は小さな斜方二十面体(3.4.5.4)、切頂六面体又は大斜方立方八面体(4.6.10)、NDスナブ12面体又はスナブイコシドデカヘドロン(2つのキラル形態)(3.3.3.3.5)。
【0172】
トーラス:
幾何学では、トーラス(複数のトーラス)は、円と同一平面上にある軸を中心に3次元空間で円を回転させることによって生成される回転面である。
回転軸が円に接していない場合、表面はリング状になり、回転トーラスと呼ばれる。
【0173】
トーラスは、軸を中心に円ではなくディスクを回転させることによって形成されるソリッドトーラスと混同されるべきではない。固体のトーラスは、トーラス内部の量を加えたトーラスである。
【0174】
トポロジーでは、リングトーラスは2つの円のデカルト積に同相である。S×Sであり、後者はそのコンテキストでの定義と見なされる。属1のコンパクトな2多様体である。リングトーラスは、この空間を3次元ユークリッド空間に埋め込む1つの方法ですが、これを行う別の方法は、S1をそれ自体と一緒に平面に埋め込んだデカルト積である。これにより、4空間のサーフェスであるクリフォードトーラスと呼ばれる幾何学的オブジェクトが生成される。
【0175】
図67と68は、トポロジーのフィールドがどのように機能するかを示しており、トーラスは、トポロジー的にトーラスと同等の位相空間である。
[小さい(赤)円と大きい(マゼンタ)円の積としてのアスペクト比3のトーラス。]トーラスは、次のようにパラメトリックに定義できる:
【数6】
【0176】
ここで、q、fは完全な円を描く角度であり、それらの値は同じ点で開始及び終了し、Rはチューブの中心からトーラスの中心までの距離、rはチューブの半径である。
【0177】
Rは「主半径(major radius)」として公知である、そして、rは「副半径(minor radius)」として公知である。
【0178】
比率Rをrで割ったものを「アスペクト比」と呼びます。
典型的なドーナツのアスペクト比は約3対2です。
【0179】
z軸に関して放射状に対称なトーラスのデカルト座標の陰的方程式は。
【数7】
であるか、又は、f(x,y,z)=0の解であり、ここで
【数8】
である。
平方根を代数的に削除すると、四次方程式が得られる。
【数9】
【0180】
標準トーラスの3つの異なるクラスは、Rとrの間の3つの可能なアスペクト比に対応する。
R>rの場合、表面はおなじみのリングトーラスになる。
R=rはホーントーラスに対応し、実際には「穴」のないトーラスである。
R<rは、自己交差するスピンドルトーラスを表す。
R=0の場合、トーラスは球に縮退する。
R>rの場合、このトーラスの内部
【数10】
は、ユークリッドの開いた円盤と円の積に対して微分同相写像(したがって同相写像)である。
この固体タムの体積とそのタムの表面積は、パップスのセントロイド定理を使用して簡単に計算され、
【数11】
が得られる。
これらの式は、長さ2 R、半径rの円柱の場合と同じで、小さな円の平面に沿ってチューブを切断し、チューブの中心の周りの線をまっすぐにする(修正する)ことによって展開する。
チューブの内側の表面積と体積の損失は、外側のゲインを正確に相殺する。
【0181】
トーラスの表面の最も外側の点から中心までの距離pと最も内側の点の距離qで表面積と体積を表す(したがって
【数12】
及び
【数13】
であり、
【数14】
が得られる。
【0182】
トーラスは2つの円の積であるため、球面座標系の修正バージョンが使用されることがある。
従来の球面座標には、座標系の中心からの距離であるRと、中心点から測定された角度であるQとcpの3つの測定値がある。
【0183】
トーラスには事実上2つの中心点があるため、角度の中心点が移動する。
fは、球系の場合と同じ角度を測定するが、「トロイダル」方向として知られている。
Qの中心点はrの中心に移動し、「ポロイダル」方向として知られている。
これらの用語は、地球の磁場の議論で最初に使用され、ここで、「ポロイダル」は「極に向かう方向」を表すために使用された。
【0184】
現代の使用では、これらの用語は、磁場閉じ込め核融合装置を議論するためにより一般的に使用される。
【0185】
トポロジー的に、パンクしたトーラスを裏返しにするトーラスは、2つの円の積S_1×S_1として定義される閉じた表面である。
これはC2にあると見なすことができ、半径
(外1)

の3球Sのサブセットである。
このトポロジカルトーラスは、クリフォードトーラスとも呼ばれる。
実際、S3は、このようにネストされたトーラスのファミリーによって満たされ(2つの縮退した円を使用)、これは、S2上のファイバーバンドル(Hopfバンドル)としてのS3の研究で重要な事実である。
【0186】
R3からの相対トポロジーを考えると、上記のサーフェスは、それ自体の軸と交差しない限り、トポロジートーラスに対して同相である。特定の同相写像は、位相幾何学的トーラスをS3の北極からR3に立体的に投影することによって与えられる。
【0187】
トーラスは、識別の下でデカルト平面の指数として説明することもでき、
【数15】
又は、同等に、反対側のエッジを一緒に貼り付けることによる単位正方形の商として、基本ポリゴンABA―1―1として記述される。
トーラスの基本群は、円の基本群とそれ自体の直接積である:
【数16】
【0188】
直感的に言えば、これは、トーラスの「穴」(たとえば、特定の緯度をトレースする円)を一周し、次にトーラスの「本体」(たとえば、特定の経度をトレースする円)を一周する閉じたパスを意味します。ボディと穴を一周するパスに変形できる。
したがって、厳密に「緯度」及び厳密に「縦」のパスが行き来する(commute)。
同等のステートメントは、2つの靴紐が互いに通過し、巻き戻し、巻き戻しを行うと想像できる。
【0189】
トーラスに穴を開けて裏返しにすると、別のトーラスが最初のトーラスに対して垂直な90度の角度を形成し、緯度と経度の線が入れ替わる。
これは、2つの異なる方法で、円形の端を結合することにより、円柱からトーラスを構築することと同じである。
庭のホースの両端をつなぐように外側を回ったり、靴下を転がすように内側を通り抜けたりする(つま先を切り落とす)。
さらに、長方形の2つの反対側を接着して円柱を作成した場合、代わりに他の2つの辺を選択すると、同じ向きが反転する。
【0190】
トーラスの最初のホモロジー群は、基本群と同型である(これは、基本群がisabelianであるため、フレヴィッツの定理に従う)。
【0191】
2枚のカバー:
2トーラスは、2つの球を二重にカバーし、4つの分岐点がある。
2トーラス上のすべての共形構造は、2球の2枚のシートのカバーとして表すことができる。
。 分岐点に対応するトーラス上の点は、ワイエルシュトラス点である。
実際、トーラスの共形タイプは、4点の複比によって決定される。
【0192】
n次元トーラスは、xz平面を介して単純な回転を実行する4次元のクリフォードトーラスの立体投影である可能性がある。
トーラスは、より高次元の一般化されたn次元トーラスであり、略してnトーラス又はハイパートーラスと呼ばれることがよくある。
(これは、「n-トーラス」という用語の2つの異なる意味の1つです。)トーラスは2つの円の積空間であることを思い出して、3次元トーラスはn個の円の積である。
つまり、1-トーラスは単なる円であり:T1=S1。
上記のトーラスは2ートーラス、T2である。
また、2トーラス、nトーラスと同様に、Tnは、任意の座標での積分シフトの下でのRnの商として説明できる。
つまり、nトーラスは、整数格子Znの作用を法とするRnである(作用はベクトル加算として実行される)。
同様に、nトーラスは、反対側の面を接着することにより、n次元の超立方体から取得される。
【0193】
この意味でのnトーラスは、n次元のコンパクト多様体の例あるす。
これは、コンパクトなアーベル群の例でもある。
これは、単位円がコンパクトなアーベルリー群であるという事実に由来する(乗算を伴う単位複素数で識別される場合)。
次に、トーラスでのグループ乗算は、座標単位の乗算によって定義される。
【0194】
トロイダル群は、コンパクトリー群の理論において重要な役割を果たす。
これは、コンパクトリー群Gでは常に最大トーラスを見つけることができるという事実に一部起因する。
つまり、可能な限り最大の次元のトーラスである閉部分群である。
このような最大トーラスTは、接続されたGの理論で果たす制御の役割を果たし、トロイダルグループは、(トーラスのように)コンパクトに接続されたアーベル群であり、アニフォールドである必要はない。
【0195】
Tの自己同型は、格子Znの自己同型から簡単に構築できます。これは、サイズnの可逆積分行列と積分逆行列によって分類される。
これらは、行列式が±1の積分行列にすぎない。
それらを通常の方法でRnに作用させると、商に典型的なトーラル自己同型が生じる。
【0196】
nトーラスの基本群は、ランクnの自由アーベル群である。
n-トーラスのk番目のホモロジー群は、ランクnの自由アーベル群であり、kを選択する。
したがって、nトーラスのオイラー標数はすべてのnに対して0である。
コホモロジー環
(外2)

は、ZモジュールZn上の外積代数で識別でき、そのジェネレーターは、当時の自明でないサイクルの双対である。
【0197】
トーラスは、より高次元の一般化されたn次元トーラスであり、略してnトーラス又はハイパートーラスと呼ばれることがよくある。(これは、「n-トーラス」という用語の2つの異なる意味の1つであり。)トーラスは2つの円の積空間であることを思い出して、n次元トーラスはn個の円の積である。
つまり、
【数17】
である。
【0198】
1-トーラスは単なる円である:T=S
上記のトーラスは2トーラス、T2である。
また、2トーラス、nトーラスと同様に、Tnは、任意の座標での積分シフトの下でのRnの商として説明である。
つまり、nトーラスは、整数格子Znの作用を法とするRnである(作用はベクトル加算として実行されます)。
同様に、nトーラスは、反対側の面を接着することにより、n次元の超立方体から取得される。
【0199】
この意味でのnトーラスは、n次元のコンパクト多様体の例である。
これは、コンパクトなアーベル群の例でもある。
これは、単位円がコンパクトなアーベルリー群であるという事実に由来する(乗算を伴う単位複素数で識別される場合)。
次に、トーラスでのグループ乗算は、座標単位の乗算によって定義される。
【0200】
トロイダル群は、コンパクトリー群の理論において重要な役割を果たす。
これは、コンパクトリー群Gでは常に最大トーラスを見つけることができるという事実に一部起因する。
つまり、可能な限り最大の次元のトーラスである閉部分群である。
このような最大トーラスTは、接続されたGの理論で果たす制御の役割を果たす。
トロイダルグループは、(トーラスのように)多様体である必要のないコンパクトな接続されたアーベル群であるプロトリの例である。
【0201】
Tの自己同型は、格子Znの自己同型から簡単に構築でき、これは、サイズnの可逆積分行列と積分逆行列によって分類される。
これらは、行列式が±1の積分行列にすぎない。
それらを通常の方法でRnに作用させると、商に典型的なトーラル自己同型が生じる。
【0202】
nトーラスの基本群は、ランクnの自由アーベル群である。
n-トーラスのk番目のホモロジー群は、ランクnの自由アーベル群であり、kを選択する。
したがって、nトーラスのオイラー標数はすべてのnに対して0である。
コホモロジー環H ”(Tn、Z)は、生成元がn個の自明でないサイクルの双対であるZモジュールZn上の外積代数で識別できる。
【0203】
構成スペース
属g表面:
表面の理論には、別のオブジェクト、「属」g表面がある。
n個の円の積の代わりに、属gの表面はg2トーリの連結和である。
2つの表面の連結和を形成するには、ディスクの各内部から取り外し、境界円に沿って表面を「接着」する。
3つ以上のサーフェスの連結和を形成するには、すべてが接続されるまで、一度に2つを合計する。
この意味で、g属の表面は、g個のドーナツを並べて貼り合わせた表面、又はg個のハンドルが取り付けられた2つの球の表面に似ている。
【0204】
例として、属0の表面(境界なし)は2球であり、属1の表面(境界なし)は通常のトーラスである。
高属の表面は、n穴のトーラス(又は、まれに、n倍のトーラス)と呼ばれることもある。
ダブルトーラス及びトリプルトーラスという用語も時々使用される。
【0205】
表面の分類定理は、すべてのコンパクトな接続された表面は、球体、又はいくつかのトーラス、ディスク、及び実射影平面の連結和のいずれかとトポロジー的に同等であると述べている。
【0206】
代数トーラス、Angenentトーラス、Annulus(数学)、Cliffordトーラス、Complexトーラス、Dupin cyclide、楕円曲線、トーラス上の不合理なケーブル、Kleinボトル、Loewnerのトーラス不等式、最大トーラス、周期格子、実射投影面、球、スパイラスセクション 、表面、トーラスレンズ、トーラスセクション、トーラス品種、トロイド、トロイダル及びポロイダル、トーラスベースの暗号化、トーラスノット、アンビリックトーラス、及びビラルソーサークル。
【0207】
一方向の円形、交差する2つの円:
2つの円の交点の決定は、球に関連するエネルギーに関連して選択されたときにサイクロイド曲線を提供する。
本発明は、すべての要素の形状に対して適切なテッセレーション交差位置でサイクロイド曲線を提供することに関して、スーパーポジショニングを最適化することを教示する。
【数18】
線と円を交差させる前のケースに減らすことができる。
与えられた2つの方程式を引くことにより、直線方程式が得られる。
【数19】
【0208】
2つの円盤(2つの円の内部)の交点は、レンズと呼ばれる形状を形成する。
【0209】
ジオメトリでは、多面体の外接球は、多面体を含み、多面体の各頂点に接する球である。
外接球という言葉は、同じことを意味するために使用されることがある。
二次元外接円の場合と同様に、多面体Pに外接する球の半径をPの外接円半径と呼び、この球の中心点をPの外接円と呼ぶ。
【0210】
存在と最適性:
それが存在する場合、外接球は多面体を含む最小の球である必要はない。
たとえば、立方体の頂点とその3つの隣接する頂点によって形成される四面体は、立方体自体と同じ外接球を持つが、赤道上に3つの隣接する頂点を持つ小さな球内に含めることができる。
ただし、特定の多面体を含む最小の球は、常に多面体の頂点のサブセットの凸包の外接球である。
【0211】
外接球は、外接円の3次元アナログである。
すべての正多面体には外接球がありますが、一般にすべての頂点が共通の球上にあるわけではないため、ほとんどの正多面体には外接球がない。
外接球(存在する場合)は、特定の形状を含む球である境界球の例である。
任意の多面体の最小の境界球を定義し、線形時間で計算することができる。
【0212】
すべてではないが一部の多面体に対して定義された他の球には、多面体のすべてのエッジに接する中点球、及び多面体のすべての面に接する内接球が含まれる。
正多面体では、内接球、中点球、外接球がすべて存在し、同心である。
【0213】
電気的に分極したナノチューブは、指定された長さのナノチューブの製造を終了するときに、コバルト又はニッケルの端で製造できる。
これらの分極したナノチューブに印加される電流は、ナノチューブの位置を正及び負に制御する。
異なる長さのチューブを提供することができ、これはまた、各長さを配置するための電磁制御を提供し、異なる位置に移動するために異なるエネルギーを必要とする。
グラフェンシートには、曲線の先端が上を向いているサイクロイド曲線を設けることができ、これは、一定の重力又は磁場の下で最も速く降下する曲線であり、降下中の物体の周期が曲線の形でもあり、カーブは、オブジェクトの開始位置に依存せず、すべてのオブジェクトが同時にエンドポイントに到着する。
本発明は、物理的形態又は電磁的形状のサイクロイド曲線を適用することによって、プランクサイズの粒子、粒子、原子、分子、及び構造の制御を教示する。
所与の例:
グラフェンの上に吊り下げられた設計された経路を持つ一連の電磁サイクロイド曲線は、グラフェン上の粒子経路を導くことができる。
【0214】
2つの丸いナノチューブを2つのグラフェンシートの間に挟んで、グラフェンシートの振り子を作成でき、この振り子では、どこから始めても、すべてのグラフェンシートが同時に中心点を超えてスイングする。
これにより、回路論理プログラミングの要素の調整が可能になる。
本発明は、これがプランクスケールの粒子でもあり得ることを教示している。
グラフェンナノチューブとグラフェンシートをドープして、導電率又は光子移動の経路を変更でき、これにより、グラフェンに沿って移動する元素の経路をより細かく制御して、あらゆるタイプの化学物質を生成できる。
グラフェンを横切る電荷は、サイクロイドに変換することができる。
原子スケールの原子又は分子は、磁場がサイクロイド形状であるサイクロイド曲線の下でナノチューブに移動することができる。
グラフェンのどこにでもロールするグラフェンバッキーボール。
合成された物質は、ケージ内に2つの追加の炭素原子と2つのイットリウム原子を含む84個の炭素原子からなる特定の金属フラーレンであった。
このプロセスにより、約100マイクログラムが生成された。
【0215】
同じサイズの6つの球が、7番目の中心球の中心点の周りに均等に配置され、これにより、球内に六角形のデータ参照ポリゴンが提供される。
6つのポリゴンポイントのそれぞれは、球が交差する渦である。
C60、C70、C76、C82及びC84の形のフラーレンの4分子は自然界で生成され、煤に隠され、大気中の雷放電によって形成される。
バッキーボールクラスター:
最小のメンバーはC20(ドデカヘドランの不飽和バージョン)であり、最も一般的なのはC60である。
【0216】
ナノチューブ:
単一又は複数の壁を有する、非常に小さい寸法の中空チューブ;エレクトロニクス産業における潜在的なアプリケーション 。
【0217】
メガチューブ:
ナノチューブよりも直径が大きく、異なる厚さの壁で準備されている。
【0218】
異なるサイズのポリマーのさまざまな分子の輸送に使用される可能性がある。
鎖、二次元及び三次元のポリマーは、高圧高温条件下で形成される。
一本鎖ポリマーは、原子移動ラジカル付加重合(ATRAP)ルートナノ「タマネギ」を使用して形成される。
潤滑剤として提案されているバッキーボールコアを取り巻く複数の炭素層に基づく球状粒子;
リンクされた「ボールアンドチェーン」ダイマー:
炭素鎖フラーレン環で連結された2つのバッキーボール
【0219】
サイクロイド曲線
トロコイド(ギリシャ語でホイールを意味する「トロコイド」)は、直線に沿って転がるときの円の固定点によって表される曲線である。
サイクロイドはトロコイドファミリーの注目すべきメンバーである。
【0220】
サイクロイドは、ホイールが滑ることなく直線に沿って回転するときに、円形ホイールのリム上の点によってトレースされる曲線である。
【0221】
サイクロイドはトロコイドの特定の形態であり、ルーレットの例であり、別の曲線上を転がる曲線によって生成される曲線である。
尖点が上を向いているサイクロイドは、一定の重力の下で最も速く降下する曲線であり、曲線上の降下中のオブジェクトの周期がオブジェクトの開始位置に依存しない曲線の形式でもある。
【0222】
原点を通るサイクロイド、水平ベースは線y = 0で与えられ、この線は、x軸とも呼ばれ、ベースの「正」側を転がる半径rの円によって生成される(y> 0 )、点(x、y)で構成され、x = r(t- sin t)、y = r(l- cos t)であり、
ここで、tは実パラメータであり、回転する円が回転した角度に対応する。
ここで、tは実パラメータであり、回転する円が回転した角度に対応する。
【0223】
tを解いて置き換えると、デカルト方程式は次のようになる:
【数20】
【0224】
右辺の閉形式の式を使用したy = f(x)の形式のサイクロイドの方程式は使用できない。
【0225】
yをxの関数として見ると、サイクロイドはx軸に当たる尖点を除いてどこでも微分可能であり、導関数は尖点に近づくにつれて∞又は-∞に向かう傾向がある。
tから(x、y)へのマップは、クラスCの微分曲線又はパラメトリック曲線であり、導関数が0である特異点は通常の尖点(cusp)である。
【0226】
ある尖頭から次の尖頭までのサイクロイドセグメントは、サイクロイドのアーチと呼ばれる。
サイクロイドの最初のアーチは、0 <t <2pのようなポイントで構成されている。
【0227】
サイクロイドは微分方程式を満たす:
【数21】
【0228】
サイクロイドの縮閉線は、それが由来するサイクロイドとまったく同じであるという特性を持つ。
これは、サイクロイドの半弧上に最初に横たわっているワイヤーの先端から見ることができ、これは、ラップを解いたときに横たわっていたものと等しいサイクロイド弧を表す(サイクロイド振り子と弧長も参照)。
【0229】
縮閉線の特性を考慮してサイクロイドの長さを計算するもう1つの直接的な方法は、縮閉線を表すワイヤーが完全に開梱されると、4rの長さの2つの直径に沿って伸びることに注意することである。
開梱時にワイヤーの長さは変わらないため、サイクロイドの弧の半分の長さは4rであり、完全な弧の長さは8rである。
【0230】
単純な振り子が逆サイクロイドの先端から吊り下げられている場合、「ストリング」はサイクロイドの隣接する弧の間に拘束され、振り子の長さLはサイクロイドの弧の長さの半分に等しくなります(つまり、 生成円の直径の2倍(L = 4r)で、振り子のボブもサイクロイド経路をトレースする。
このようなサイクロイド振り子は、振幅に関係なく等時性である。
【0231】
尖点の位置を中心とする座標系を導入すると、運動方程式は次のように与えられる。
いくつかの曲線はサイクロイドに関連している。
短縮サイクロイド:
ここで、曲線をトレースするポイントは、線上を転がる円の内側にある。。
扁長サイクロイド:
ここで、曲線をトレースするポイントは、線上を転がる円の外側にあります。
トロコイド:
サイクロイド、短縮サイクロイド及び扁長サイクロイドのいずれかに関連する。
内サイクロイド(Hypocycloid):
点は円の端にあり、線上ではなく、別の円の内側に回転します。
外サイクロイド(Epicycloid):
点は円の端にあり、線上ではなく、別の円の外側に向かって回転する。
内転トロコイド(Hypotrochoid):
位置の必要性以外の内サイクロイドとして、その円の端にある必要はない。
エピトロコイド:
エピサイクロイドと同じであるが、ポイントはその円の端にある必要はありません。
【0232】
これらの曲線はすべて、均一な曲率に沿って円が巻かれたルーレットである。
サイクロイド、外サイクロイド、及び内サイクロイドには、それぞれが縮閉線に類似しているという特性がる。
qがその曲率と円の半径の積であり、epi-の場合は正、hypo-の場合は負の符号が付いている場合、曲線は次のようになる。
縮閉線のイミリチュード比(imilitude ratio)は1 + 2qである。
【0233】
古典的なスピログラフトイは、トロコイドとエピトロコイドの曲線を描いている。
【0234】
属g表面:
表面の理論には、別のオブジェクト、「属」g表面がある。
n個の円の積の代わりに、属gの表面はg2トリの連結和である。
2つの表面の連結和を形成するには、ディスクの各内部から取り外し、境界円に沿って表面を「接着」する。
2つ以上の表面の連結和を形成するには、すべてが接続されるまで、一度に2つを合計する。
この意味で、属g表面は、g個のドーナツを並べて貼り合わせた表面、又はg個のハンドルが取り付けられた2つの球の表面に似ている。
【0235】
例として、属ゼロ表面(境界なし)は2球であり、属1表面(境界なし)は通常のトーラスである。
高等な属の表面は、n-ホールド・トーリ(又はまれにn-フォールド・トーリ)と呼ばれることがある。
ダブルトーラスとトリプルトーラスという用語もまた、しばしば使用される。
【0236】
表面に対する分類定理は、すべてのコンパクトに接続された表面は、球体又はいくつかのトーリ、ディスク、及び実際の投影面の接続合計のいずれかと位相的に等価(topologically equivalent )であると述べている。
【0237】
代数トーラス、Angenentトーラス、環状(Annulus)(数学)、Cliffordトーラス、Complexトーラス、Dupin cyclide、楕円曲線、トーラス上の不合理なケーブル、Kleinボトル、Loewnerのトーラス不等式、最大トーラス、周期格子、実射投影面、球、スパイラスセクション 、表面、トーラスレンズ、トーラスセクション、トーラス品種、トロイド、トロイダル及びポロイダル、トーラスベースの暗号化、トーラスノット、アンビリックトーラス、及びビラルソーサークル。
【0238】
交差している一方向の円形の2つの円:
2つの円の交点の決定は、
【数22】
【数23】
は、線と円を交差させる従前の場合に減らすことができる。
2つの所与の方程式を減算するくことにより、線形方程式が得られる:
【数24】
【0239】
2つのディスクの交点(2つの円の内側)はレンズとよばれる形をしている。
【0240】
幾何学的には、多面体の外接球は多面体を含み、多面体の頂点のそれぞれに接触する球である。
円周という言葉は、時には同じことを意味するために使われます。
二次元の外接円の場合と同様に、多面体Pの周囲に外接する球の半径をPの周半径といい、この球の中心点をPの周中心という。
【0241】
存在と最適性
それが存在する場合、外接球は多面体を含む最小の球である必要はない。
たとえば、立方体の頂点とその3つの隣接する頂点によって形成される四面体は、立方体自体と同じ外接球を持つが、赤道上に3つの隣接する頂点を持つ小さな球内に含めることができる。
しかしながら、所与の多面体を含む最小の球体は、常に多面体の頂点のサブセットの凸状の殻の周縁である。
【0242】
外接球は、外接円の三次元アナログである。
すべての正多面体には外接球があるが、一般にすべての頂点が共通の球上にあるわけではないため、ほとんどの正多面体には外接球がない。
外接球(存在する場合)は、所定の形状を含む外接球の例である。
任意の多面体に対して最小の境界球を定義し、線形時間でそれを計算することが可能である。
【0243】
すべての多面体ではないが、いくつかの多面体に対して定義される他の球には、中球、多面体の全縁に接する球、及び多面体の全面に接する内接球が含まれる。
正多面体では、内接球、中間球、外接球がすべて存在し、同心円状である。
【0244】
新規:
電気偏光ナノチューブは、ナノチューブの生産が所定の長さで終了された場合、コバルト又はニッケルの端部を備えるように製造することができる。それらの偏光ナノチューブに電流を流すと、ナノチューブの位置にわたる正及び負の制御を提供することができる。種々の長さのチューブを提供することができ、それによって、各長さの位置についての電磁制御も提供され、この電磁制御は、異なる位置に移動するために異なるエネルギーを必要とする。グラフェンシートには、曲線の尖端が上を向いているサイクロイド曲線を設けることができ、この曲線は、一定の重力下又は磁場下で最速降下の曲線であり、また曲線上で降下するある物体の周期がその物体の開始位置に依存しない曲線の形でもある。全ての物体は、同時に端点に到達する。本発明は、物理的な形又は電磁的な形状としてサイクロイド曲線を適用することによる、プランクサイズ粒子、粒子、原子、分子、及び構造の制御を教示する。所定の実施例:設計された経路がグラフェンの上で浮遊している電磁サイクロイド曲線のセットは、グラフェン上で粒子経路を誘導することができる。
【0245】
2つのグラフェンシートの間に2つの丸いナノチューブを挟むことによって、グラフェンシート振り子(pendulum)を提供することができ、このグラフェンシート振り子では、全てのグラフェンシートが、どこからスタートしても、同時に中心点を通過する。これにより、回路論理プログラミングのための元素配向が提供される。本発明は、これがプランクスケールの粒子においても可能であることを教示する。グラフェンナノチューブ及びグラフェンシートをドープすることで、導電性又は光子の移動経路を変更することができ、これは、グラフェンに沿って移動する元素の経路がより制御され、あらゆる種類の化学物質が作られる。グラフェンにわたる電荷をサイクロイドに変化させることができる。原子スケールの原子又は分子は、磁場がサイクロイド形状であるサイクロイド曲線の下で、ナノチューブに移動することができる。グラフェンバッキーボールは、グラフェン上のどこでも転がる。合成された物質は、84個の炭素原子から成り、また籠の内部に更に2つの炭素原子と2つのイットリウム原子を含む、特定の金属フラーレンであった。このプロセスでは、約100マイクログラムが生成された。
【0246】
同じサイズの6つの球が、7つ目の球の中心点を中心にして均等に配列されており、これは、球内の六角形のデータ参照ポリゴンを提供する。ポリゴンの6つの点のそれぞれは、球が交差する場所のところにある渦(vortex)である。微量のフラーレンは、C60、C70、C76、C82及びC84分子の形態で、自然に生成されるか、煤に隠れているか、又は大気中の雷放電で形成される。バッキーボールクラスタ:最小のメンバは、C20(ドデカヘドランの不飽和版)であり、最も一般的なのはC60である。
【0247】
ナノチューブ:単一又は複数の壁を有する、非常に小さい次元の中空のチューブ;潜在的な用途は、電子産業である。
【0248】
メガチューブ:ナノチューブよりも直径が大きく、異なる厚さの壁が作成されている;潜在的には、異なるサイズの種々の分子の伝達に使用される。
【0249】
ポリマー:二次元及び三次元の鎖状ポリマーは、高圧高温下で形成される;単条ポリマーは、原子移動ラジカル重合(ATRAP:Atom Transfer Radical Addition Polymerization)ルートを使用して形成される。
【0250】
ナノ「オニオン」:バッキーボールコアを包囲する複数の炭素層に基づいた粒子が、滑剤のために提案された。
【0251】
結合された「ボール・アンド・チェーン」二量体:2つのバッキーボールが、炭素鎖フラーレンリングによって結合される。
【0252】
リンク:式*がどのようにして得られたか、またそこから生じる結果の一部の詳細は、下記のウェブサイト参照:http://www.fine-structure-constant.org/
【0253】
この数は、電子の電荷(q)を、プランク定数(h)と光速(c)との積で二乗したものとして定義される微細構造定数の値である(実際の値は、1/137)。この数は、実際に、電子が光子を吸収する確率を表す。しかしながら、この数は、電子の電荷としての電磁気学、光の速さとしての相対性理論、及びプランク定数としての量子力学という、物理学の非常に重要な3つの領域に関係しているという点で、より重要性を持つ。1900年代初頭から、物理学者たちは、この数字が電磁気学、量子力学、またとりわけ重力の理論を関連付けることができるかもしれない大統一理論(GUT:Grand Unified Theory)の核心ではないかと考えてきた。しかしながら、物理学者たちは、137という数と、世界中の他のあらゆる物理法則との間の相互関連性を未だ見出せていない。そのような重要な方程式が1又はπなどの重要な数をもたらすのではないかと期待されたが、そうではなかった。実際のところ、この数が関係しているのは、偉大な物理学者ヴォルフガング・パウリが亡くなった部屋、137号室だけである。科学がついに全てのことを発見したと思ったときには、リチャード・ファインマンと137という数を思い出してください。
【0254】
ビル・リーマー博士は、次のように記述している。古典物理学では、周期表の137番元素(未発見でまだ名前のない元素)によって捕獲された電子は、光速で移動すると言われている。この着想は、その説明に数学を用いなければ、極めて単純である。137は、電子が単一の光子を吸収するであろうという見込みである。陽子及び電子は、光子との相互作用によって結合されるので、137個の陽子を得て、137個の格子を得ると、100%の吸収の可能性が得られる。基底状態にある電子は、光の速さで周回する。これは、電磁的には、ブラックホールに相当する。重力ブラックホールの場合、光速以上の速度での惑星の周回を阻止するために、一般相対論が助けとなる。電磁ブラックホールの場合、一般相対性理論が助けとなり、また137番元素が光速よりも速く移動する電子を持つことを防ぐ。しかしながら、一般相対性理論によっても、依然として139番元素は、光よりも速く移動する電子を持つことになる。アインシュタインによれば、これは不可能なことである。従って、依然として137について理解されていないことが証明された。
【0255】
ジェームズ・G・ギルソン博士は、20世紀の謎:α、微細構造定数と、nとの関係のファインマンの予想により多く寄稿した。
【0256】
ファインマンの予想:量子結合定数とpの一般的な関係は、ファインマンの著書の内の1つにおいて、R.P.ファインマンによって予想された。
【0257】
観測された結合定数eは、実在の光子を放出又は吸収するための実在の電子についての振幅である。これは単純な数で、実験により-0.08542455に近い値が求められた。その2乗の逆数は、約137.03597±0.00000002である。本発明は、結合についての数が、円の周りと、それぞれが六角形を描く2つの多角形を垂直に環状にリンクさせたものの周りとを回転する数1/137に由来することを教示する:これはpに関するか、又はおそらく自然対数の底に関する。
図93において:
【0258】
解決手段:ここでは、この問題が、ファインマンの予想を立証する非常に簡潔な解決手段を有することが示されることになる。
【0259】
P(n)を、n個の辺を有する多角形の周囲の長さとし、またr(n)を、多角形の中心から、ある一辺の中点までの距離とする。三角形は最も単純な多角形であり、その次に単純な多角形は四角形であり、本発明は、六角形が同じ定数を中心とした3次元を提供し、その六角形の中心は、「環状にリンクされている」。p=C/2rの定義と同様に、pの整数依存一般化であるp(n)を、p(n)=P(n)/(2r(n))=n tan(p/n)と定義することができる。整数n1n2に依存する定数{a(n1,n2)}の集合を、a(<n1,n2)=a(n1,∞)p(n1xn2)/p、 *但し、a(n1,∞)=cos(p/n1)/n1、と定義する。
【0260】
微細構造定数であるaの数値は、n1=137、n2=29の特別な場合によって与えられる。従って、a=a(137,29)=0.0072973525318...となる。aについての実験値は、aexp=0.007297352533(27)であり、(27)は、下2桁の実験的不確かさの±である。
【0261】
本発明は、双対モデル(dual model)と呼ばれるQEDの補完的な説明と、それらの双対モデル間の関係、双射「サイクロイド波」関数を共有する双対性を教示する。双対性は、ハイゼンベルグによって発見された著名な粒子と波動の二重性(particle-wave duality)の主要な一般化である。現代の量子物理学のモデルは相互に関連付けられているので、それらのモデルは、相互接続された一つの巨大な空間の一部であり、電磁石のサイクロイド波の、空間内の共通のフィールド形状によって関連付けられている。先行技術では、M理論は、万物の理論(Theory of Everything)の最有力候補と考えられている。2つの理論は、同一の現象の数学的に異なる説明であると考えられる。1919年には、テオドール・カルーザによる研究により、5次元時空に移行することによって、重力と電磁力を単一の力に統一できることが証明された。この着想は、物理学者オスカー・クラインによって改良され、オスカー・クラインは、カルーザによって提唱された追加次元が、10-30cm程の半径を有する円の形を取るのではないかと示唆した。モデルは、電磁力、強い核力、弱い核力及び重力の自然界の4つの基本的な力の統一的な説明を提供するのではないかとされている。この理論の粒子が相互作用する強さは、結合定数#137と呼ばれる数によって測定される。結合定数gは、結合定数l/gを用いる同一の理論と等価である。つまり、強く相互作用する粒子の系(大きい結合定数、図93における大きい三角形89は、それぞれ30-30cmの3つの辺を有する)は、弱く相互作用する粒子の系(小さい結合定数、図93における六角形の各点の周りのより小さい六角形、三角形を基準として、六角形は、それぞれが10-30cmの6個の辺を有する)と同等の説明になり、またその逆についても当てはまる。#137は、六角形の定数a(又は定数g”=”aを有するより大きい三角形)を定義する図93における三角形と六角形との間の同一の結合定数(距離83)である。六角形の球体が交差している電気力学的な場は、多角形としての三角形の端点における、より大きい相対的な円の定数gによって結合されており、この定数gは、より小さい円形の場及びより大きい円形の場と同一の定数a及びg長さ#137である。
【0262】
図65は、六角形の中心から六角形の6つの各辺のうちの一辺の中点までの半径距離#137を持つ光子放出渦に電子及び陽電子を収束させるためのサイクロイド曲線86及び87を有する新たなファインマン図持つ新しいファインマンダイアグラムの概略図である。それらの対となる要素(電子と陽電子)の多角形のサイクロイド経路がマッピングされた双射関数fは、Eサイクロイド曲線を提供し、このEサイクロイド曲線では、頂点を矢印で結んだ、Eサイクロイド曲線の「弓形部分」86及び87に入る全ての要素、6辺の六角形における6つの頂点を結ぶ矢印86及び87は、六角形における6つの頂点に到達し、電気力学的なサイクロイド曲線の数学的なパラメータ内では、移動する要素がサイクロイド曲線86及び87上で頂点から異なる距離から出発しても、それらの移動する要素は、重力に依存せずに、同時に一緒に頂点88に到達する。要素、電子及び陽電子は、渦から異なる距離で同時にサイクロイド曲線に入るが、最終的には、同時に頂点に到達し、光の投影を「生み出し」、「交差しない」方向に投影される一連の光子は、時空のすべての要素の不可逆的な「エントロピー」の環境を提供する。
【0263】
図65では、物理学における問題が、ファインマンの予想を立証する非常に簡潔な解決手段を有する。P(n)85を、n個の辺(6つの辺)を有する多角形(六角形)の周囲の長さ85とし、またr(n)83を、多角形の中心81から、六角形のある一辺82の中点までの距離83とする。p=C/2rの定義と同様に、pの整数依存一般化であるp(n)を、p(n)=P(n)/(2r(n))=n tan(p/n)と定義することができる。整数n1n2に依存する定数{a(n1,n2)}の集合を、a(<n1,n2)=a(n1,∞)p(n1xn2)/p、*但し、a(n1,∞)=cos(p/n1)/n1、と定義する。微細構造定数であるaの数値は、n1=137、n2=29の特別な場合によって与えられる。従って、a=a(137,29)=0.0072973525318...となる。aについての実験値は、aexp=0.007297352533(27)であり、(27)は、下2桁の実験的不確かさの±である。
【0264】
ファインマンの予想:量子結合定数とpの一般的な関係は、ファインマンの著書の内の1つにおいて、R.P.ファインマンによって予想された。
【0265】
観測された結合定数eは、実在の光子を放出又は吸収するための実在の電子についての振幅である。これは単純な数で、実験により-0.08542455に近い値が求められた。その2乗の逆数は、約137.03597±0.00000002である。本発明は、結合についての数が、円の周りを同一方向において回転し、また2つの六角形が描かれた多角形を垂直に環状にリンクさせたものの周りを回転する1/137の数に由来することを教示する:これはpに関するか、又はおそらく自然対数の底に関する?
【0266】
微細構造定数であるaと、p及びp(n)との間の非常に単純な関係*は、ファインマンの予測と、彼の驚くべき直観力を証明するものである。
【0267】
電子の速度は、約c/3(光の速度を3除算したもの)であるが、電子の速度は、電子の信号の速度とは同じではない。電子は、環境に対して速度を有する。ドリフト速度は、直径2mmの銅線に10アンペアの電流を流した場合、約0.024cm/秒に過ぎない。200万m/秒は、ボーアの水素原子モデルの原子核の周りを回転する結合電子の速度である。約3億m/秒という光速に近い速度で移動する電子は、ベータ粒子を放出する放射性物質の一部であり、ウラニウムのような大きい原子番号を有する元素の原子の最内殻電子である。[http://newton.dep.anl.gov/askasci/phy99/phy99092.htmより。電荷キャリアの動きは、重要ではない。ある体積における情報処理は、体積間の情報の流れを上回る。光コンピューティングの利点は、信号伝搬がより高速であることや、より高速な切り替えではなく、帯域幅、コンポーネントの密度、及び光学コンポーネントの(クロストークのない)固有の大規模な並列性にある。
【0268】
図65において、正三角形89(端点E1、E2、E3)は、光速に対する円(図示せず)を有し、同じ大きさの第2の三角形が60度回転されて、同じ距離#137に六角形を提供し、また距離83(#137)についての三角形の基準点は、それぞれ異なる多角形の中点に対して一定である。つまり、これらの2つの場は、図67において交差する円環体(また図81においては球)間において相互作用し、図68に図示された場を提供する。これは、電気力学的なサイクロイド曲線91から94が、円環体の電気力学的な場の写像された双射関数fの要素を含むことを必要とする)。図65においては、中心から各点までの三角形の周縁では、六角形の点H1の周りの点線の円よりもはるかに大きいが、中点82から六角形又は三角形の中心81までの距離と、六角形又は三角形の中心81までの距離83と、は同じ距離83である。三角形89の円の半径は83+(距離84-距離83)であり、六角形の円(六角形の各点)の半径長84よりも大きい。これは、多角形、つまり六角形及び「より大きい」正三角形の一例であり、同一の#137、ファインマン数1/137を有するが、三角形の各点においてより大きい円を有する。本発明は、対になった2つの要素が、より小さい6つの正三角形から成る六角形の寸法内の三角形の配列に写像された、同一の双射関数fの数137を有することを教示する。図65において、電子の矢印86と陽電子の矢印87は、図94におけるEサイクロイド曲線の半分であり、サイクロイド曲線に沿って点88に向かって移動する全ての要素は、それらがサイクロイド曲線状の矢印86又は87のどこから出発しても、六角形又は三角形の端点の渦交点88に同時に到達するという同一の物理学を提供する。図65においては、他のすべての渦交点が、光子に対して負であり、続いて正になる。三角形89の点E2には、図61から図62に関するEサイクロイド曲線が存在する。図64は、同一の収束ポイント88における光子の正78のサイクロイド86と、負79のサイクロイド87とを示す。図63において、左側の光子79は、サイクロイド曲線が収束ポイント88によってリンクされたその電気力学的な場内にサイクロイド曲線を含む「ランダムな」ストリングで満たされている。図64は、頂点の矢印86及び87が六角形の点に向けられている渦点88に追加され、またその渦点88から解放される、量子レベルでのエネルギー及び粒子を、サイクロイド場がどのように収集できるかを示す。図1図2図3図17図53図54図55及び図56は、2次元平面を埋め尽くして、その後、双射関数fによって統合されたサイクロイド曲線に基づいて、量子時空の場の3次元構造へと編み込まれる要素の配列に、量子場のモデルが干渉しないことを実証する種々の観点である。多角形としての六角形又は三角形(他の多数の多角形は図示せず)は、多角形の辺の中点と、多角形の中心点との間の距離に対して、ファインマン#137に結合される。等辺多角形の周りの球、円環及び他の交差する物体は、円が線65の両側を辿ると、図60のようなEサイクロイド曲線を形成し、円66における点88(右側)は、線65に沿って回転すると、サイクロイド曲線86及び87を提供する。交差する曲面の応力は、図95のように、曲面に孔が生じても、双射関数fによって写像された新形態のサイクロイド曲線を提供する。図98は、粒子及びエネルギーの場の収束ポイント88を提供する地球の太陽系における太陽の周りのEサイクロイド場を示し、これは、太陽の表面温度を100倍以上にする。何故ならば、エネルギー及び粒子が、投影経路100からEサイクロイド曲線へと緩慢に移動し、全てのエネルギーが点88に収束して、温度が100倍以上になるからである。曲線86と87は、100本の線の周りに配列されており、Eサイクロイド形状の「尖点ボウル(cusp-bowl)」を提供し、これは、全てのエネルギー及び粒子が空間内で自由であって尖点ボウルを形成する距離において、エネルギーを捕捉する3次元球の中心を示す。
【0269】
#137:微細構造定数であるaと、p及びp(n)との間の非常に単純な関係*は、ファインマンの予測と、彼の驚くべき直観力を証明するものである。この数は、電子の電荷(q)を、プランク定数(h)と光速(c)との積で二乗したものとして定義される微細構造定数の値である(実際の値は、1/137)。この数は、電子が光子を吸収する確率を表す。しかしながら、この数は、電子の電荷としての電磁気学、光の速さとしての相対性理論、及びプランク定数としての量子力学という、物理学の非常に重要な3つの領域に関係しているという点で、より重要性を持つ。1900年代初頭から、物理学者たちは、この数字が電磁気学、量子力学、またとりわけ重力の理論を関連付けることができるかもしれない大統一理論(GUT:Grand Unified Theory)の核心ではないかと考えてきた。しかしながら、先代の物理学者たちは、137という数と、世界中の他のあらゆる物理法則との間の相互関連性を未だ見出せていない。そのような重要な方程式が1又はπなどの重要な数をもたらすのではないかと期待されたが、そうではなかった。実際のところ、この数が関係しているのは、偉大な物理学者ヴォルフガング・パウリが亡くなった部屋、137号室だけである。科学がついに全てのことを発見したと思ったときには、リチャード・ファインマンと137という数を思い出してください。本発明は、双射関数fが、電気力学的なサイクロイド曲線によって最適化された電子のような対になった要素に#137を写像することを教示する。
【0270】
ビル・リーマー博士は、次のように記述している。古典物理学では、周期表の137番元素(未発見でまだ名前のない元素)によって捕獲された電子は、光速で移動すると言われている。この着想は、その説明に数学を用いなければ、極めて単純である。137は、電子が単一の光子を吸収するであろうという見込みである。陽子及び電子は、光子との相互作用によって結合されるので、137個の陽子を得て、137個の格子を得ると、100%の吸収の可能性が得られる。基底状態にある電子は、光の速さで周回する。これは、電気力学的には、ブラックホールに相当する。重力ブラックホールの場合、光速以上の速度での惑星の周回を阻止するために、一般相対論が助けとなる。電気力学的ブラックホールの場合、一般相対性理論が助けとなり、また137番元素が光速よりも速く移動する電子を持つことを防ぐ。しかしながら、一般相対性理論によっても、依然として139番元素は、光よりも速く移動する電子を持つことになる。アインシュタインによれば、これは不可能なことである。従って、従来技術の検証では、六角形の平面が図67及び図68における垂直の平面に変形する場合であっても、本発明が光子生成の幾何学的な「概略的」構造を教示するまでは、依然として#137は理解できない。
【0271】
ジェームズ・G・ギルソン博士は、20世紀の謎:a、微細構造定数と、nとの関係のファインマンの予想により多く寄稿した。
【0272】
光子は、電磁気学のゲージ粒子であり、従って、光子の他のいずれの量子数(レプトン数、バリオン数及びフレーバー量子数など)もゼロである。また、光子は、パウリの排他原理に従わない。
【0273】
光子は、多くの自然過程において放出される。例えば、電荷が加速されると、電荷は放射光を放出する。分子、原子又は核が低エネルギーレベルに遷移している間に、様々なエネルギーの光子が、電波からガンマ線までの範囲で放出される。光子は、粒子及び対応する反粒子が消滅された際(例えば、電子-陽電子消滅Wikipedia site:ja.isecosmetic.com)にも放出され得る。本発明は、電荷間の放射光がサイクロイド曲線であることを教示する。
【0274】
何もない空間では、光子がc(光速)で移動し、そのエネルギー及び運動量がE=pcによって関連付けられる。ただし、pは運動量ベクトルpの大きさである。図63及び図64において示されたサイクロイド形状の円錐は、光子の4元波数ベクトルの可能な値を示す。「時間」軸は、角周波数(rad.s-1)を与え、「空間」軸は、角波数(rad.m-1)を与える。緑色及び藍色は、左右の偏光を表す(上向きの矢印は時間であり、水平方向の両向き矢印は空間である)。光子は質量を持たず、電荷を有さず、また安定した粒子である。光子は、考えられる2つの偏光状態を有する。場の量子論において好まれる光子の運動量表現では、光子が波数ベクトルによって説明され、波数ベクトルは、その波長l及び伝播方向78及び79を決定する。光子の波数ベクトルはゼロになり得ず、3次元の空間ベクトルとしても、(相対論的な)4元ベクトルとしても表すことができ、後者の場合には、光サイクロイド円錐(図61~64)に属する。4元ベクトルの異なる符号は、異なる円偏光を表すが、3元ベクトル表現においては、偏光状態を別個に考慮する必要がある。つまり、これはスピン量子数である。図63及び64のいずれの場合にも、可能な波数ベクトル88の空間は3次元である。
【0275】
1990年代に入ると、一部の理論家が、モントネン・オリーブ双対性(Montonen-Olive duality)を、異なる弦理論を紐付けるS双対性関係に一般化した。アショク・センは、4次元のヘテロティック弦の文脈でS双対性を研究した。クリス・ハル及びポール・タウンゼントは、大きい結合定数を用いるタイプIIB超弦理論が、S双対性を介して、小さい結合定数を用いる同一の理論と等価であることを示した。理論家は、異なる弦理論がT双対性によって関連付けられてもよいことも発見した。このT双対性は、全く異なる時空の幾何学において伝搬する弦が物理的に等価であってよいことを暗示する。膜が円形の次元を包むと想像すると、今のところ、それらのモデルのいずれも、自然の正確な基本的記述であることを明確に示す実験的証拠はない。ストロミンジャー・ヤウ・ザスロフ予想(Strominger-Yau-Zaslow conjecture)
【0276】
主項目:SYZ予想
【0277】
円環は、図の中の赤色の円のように、無限個の多数の円の結合体と見なすことができる。
ピンク色の円における各点にそのような円が1つ存在する。
≪p.85, l.3から≫
便宜上、段落番号を付けています。
【0278】
1996年に、ミラー対称性を理解する別の取り組みが、アンドリュー・ストロミンガー、シン=トゥン・ヤウ及びエリック・ザスロフにより提唱された。現在はSYZ予想として知られる彼らの予想によれば、カラビ・ヤウ多様体をより単純なピースに分割し、変形させてカラビ・ヤウ多様体のミラー多様体を得ることにより、ミラー対称性を理解することができる。
【0279】
カラビ・ヤウ多様体の最も単純な例は、2次元のトーラスすなわちドーナツ型である。この表面上に、ドーナツの穴を一回通る円を想像する。一例を赤い円として図面に示す。トーラス上にはこのような円が無数にあり、実際、表面全体がこのような円の集合体である。
【0280】
トーラスを分解する無数の円それぞれがBの点を通るように、補助円B(図面のピンクの円)を決定してもよい。この補助円は分解円をパラメトライズすると言われ、これらの円とBの点とに相関性があることを意味する。しかし、円Bは単なる表示ではなく、これらの円のトーラス上の配列も決定する。この補助空間は、SYZ予想において重要な役割を持つ。
【0281】
トーラスをピースに分割して補助空間によりパラメトライズする考えは、一般化することができる。2次元から実4次元へ高次元化すると、カラビ・ヤウ多様体はK3曲面となる。トーラスを円に分解したのと同様に、4次元のK3曲面は2次元のトーラスに分解できる。この場合、空間Bは普通の球面である。球面上の各点は、「つままれた」又は特異なトーラスに対応する24か所の「悪い」点以外は、2次元の各トーラスに対応する。
【0282】
弦理論における主な関心事であるカラビ・ヤウ多様体は6次元である。この多様体を、3次元トーラス(トーラスの概念を一般化した3次元体)に分割し、3次元球面B(球面を一般化した3次元体)によってパラメタライズすることができる。Bの各点は、カラビ・ヤウ多様体上に格子状パターンの領域を形成して特異なトーラスに対応する無数の「悪い」点以外は、3次元トーラスに対応する。
【0283】
カラビ・ヤウ多様体をより単純なパーツに分解すると、ミラー対称性を直観的な幾何学で理解することができる。一例として、上記のトーラスを考える。このトーラスが、物理理論の「時空」を表すと想像する。この理論の基本的な対象は、量子力学の法則に従って時空中を伝播する弦である。弦理論における基礎的な双対性の一つにT-双対があり、これは、一方の記述における観測可能な量は、双対する記述における量と同一視されるという意味から、半径Rの円の周りを伝播している弦は、半径1/Rの円の周りを伝播している弦と等価であるという理論である。例えば、1つの弦は、円の周りを伝播すると運動量を持ち、その円の周りに1周以上巻き付くことができる。弦が円周に巻き付く回数は、巻き数と呼ばれる。一方の記述において、弦が運動量P及び巻き数Nを持つ時、その弦は、双対する記述において、運動量n及び巻き数pを持つ。同様に、T-双対を、トーラスを分解する全ての円に適用することにより、これらの円の半径は反転し、元のトーラスよりも「太った」あるいは「やせた」新たなトーラスができる。このトーラスは、元のカラビ・ヤウ多様体のミラー多様体である。
【0284】
T-双対は、円から、K3曲面の分解で現れる2次元トーラス、又は6次元カラビ・ヤウ多様体の分解で現れる3次元トーラスへ拡張できる。一般的に、SYZ予測では、T-双対をこれらのトーラスへ同様に適用することと、ミラー対称性は同じであるとされる。それぞれの場合において、空間Bは、これらのトーラスをカラビ・ヤウ多様体にどのように配列するかを説明する一種の設計図となる。
【0285】
さらに印象的な結論は、基礎物理に関する伝統的な説明を全て放棄しなければならないということである。粒子、場、力、対称性-これらは全て、奥の深い複雑性という広大な風景の先端にある、単純な存在の人工物に過ぎない。物理学を初歩的な建築ブロックとして考えることは誤りであると思われる。
【0286】
本発明は、概して、相対的な光子位置である「小刻みな」螺旋を基に3次元領域における物理的意味を理解するための、ファインマンダイアグラムの新たな方向付けを対象としており、それによりグラフェンタイプ構造体を含む、量子物理学、通常の物理学又は化学の全ての物理特性を制御することができる。ファインマンダイアグラムの要点は、粒子の空間内における実際の軌道ではなく、粒子の経路に沿った相互作用を理解することである。場の量子理論の数学的枠組みは、因果律の考えを基に構築されている。本発明では、最小のプランクサイズスケールの粒子の、時空内における実際の軌道を「制御」することが必要とされている。ユーザは、地球全体を含む、単一の物体を囲む力の場を操作することができる。磁場、電場、重力場及び力場でさえをも含む場を操作することができる。ユーザは、天然(天体、太陽、月、星、磁気圏、磁性材料、強磁性物質など)、有機的(生物の電流から生成されるもの)、又は人工的(電気を生成、使用するもの)なあらゆる形の磁気を生成、制御及び操作することができる。ユーザは、磁力を持つあらゆる物質(鉄、ニッケル、コバルト及びそれらの合金、希土類金属、天然磁石などの鉱産物)を用いることができ、それらを操作及び制御するか、それらを間接的に用いて他の物質を操作する。この力は金属の操作ではなく、磁気を制御できる力であることに留意すべきであるが、この力を利用することで磁気操作者は金属をある程度制御できる。しかし、それは電磁気操作ほど強力ではない。
【0287】
光子、原子及び原子スケールの物質内の量子物理を操作できる力。物理操作の次の力。多様なエネルギー操作。量子操作物理学は、物理学の分岐であり、原子及び亜原子粒子スケールにおける物質の振る舞い及びエネルギーとの相互作用を説明する。
【0288】
量子操作を用いることにより、ユーザは、並行宇宙、泡宇宙、多元宇宙及び代替現実に入り、渦、余剰次元、次元空間への入口を開き、ワームホールを開き、ブラックホールを生き延びることができる。また、異なる時間軸/現実/次元に入ることもできる。
http://powerlisting.wikia.com/wiki/Quantum_Manipulation
【0289】
トーラスの中心線は、トーラス表面の周りの螺旋の中心線でもある。トーラスの螺旋は、トーラス表面に対して同角の経路上を移動する物体に関するサイクロイド曲線である(図80)。
【0290】
同じ種類のプランクサイズ粒子はトーラス螺旋に沿って潜在的に同じ速度で移動し、トーラスの周囲に同じように重なる:6つの粒子は、回転円と、トーラスの中心線の周りに配列された6つの円の平面リンクに対して同期される。トーラスから球面へ位相を移行する際には、6つの球面が中心球面の周囲に配列され、模式的な平坦線上の六角形の6つの点に対応する各点で交差する。
【0291】
6つの同じ大きさの円は、同じ大きさの7つ目の中心円の中心点の周りに配列され、時空内に粒子の同期軌道をもたらす。
【0292】
サイクロイド曲線は、時空内の粒子の全ての運動を集中させる。図1、2、3、及び17に示すファインマンの「小刻みな」螺旋は、図61から図64のように、頂上に交差したベクトルの矢印に粒子を集中させるサイクロイド場になる。
【0293】
物理的なサイクロイド曲線上において、ナノスケールの粒子又はグラフェン構造体は、サイクロイド曲線の磁場を下降するか、サイクロイド曲線へ物理的に転がり落ちる。
【0294】
時空の場におけるサイクロイド曲線の配置は、量子粒子及び4次元物理を制御する鍵である。地球の太陽系の太陽は、表面温度が6000度であるが、太陽の宇宙空間の外側、すなわち太陽面からの放射距離では、宇宙空間においてサイクロイド曲線が磁気的に形成され、太陽エネルギーを数百万度まで集中させる。
【0295】
微細構造定数pとp(n)との非常に単純な関係により、ファインマンの予測と彼の素晴らしい直観力を確認することができる。
【0296】
円錐は、光子の4次元波数ベクトルの可能値を示す。「時間」軸は、角振動数(rad・s-1)を表し、「空間」軸は角波数(rad・m-1)を表す。緑及び藍色は、左右の偏光(上向き矢印は時間、水平二重矢印は空間)を示す。光子は、質量が無く電荷を持たない安定した粒子である。光子は2つの偏光状態をとり得る。場の量子論で好まれる光子の運動量表現において、光子は、波長λとその伝播方向を決定する波数ベクトルにより説明される。光子の波数ベクトルはゼロでは有り得ず、空間3次元ベクトル又は(相対論的な)4次元ベクトルとして表され、後者の場合は、光円錐(図示する)に属する。4次元ベクトルの異なる符号は異なる円偏光を示すが、3次元ベクトル表現では、偏光状態を別々に説明する必要がある;実際にそれはスピン量子数である。いずれの場合にも、可能な波数ベクトルの空間は3次元である。
【0297】
光子は電磁気のゲージ粒子であるため、光子の他の量子数(レプトン数、バリオン数及びフレーバー量子数)は全てゼロである。さらに、光子はパウリの排他原理に従わない。
【0298】
光子は、多くの自然過程で放出される。例えば、電荷が加速される際に、シンクロトロン放射光を放出する。下位のエネルギー準位への分子遷移、原子遷移又は核遷移の間には、電磁波からガンマ線までの各種エネルギーを持った光子が放出される。さらに、粒子及びそれに対応する反粒子の対消滅(例えば、電子と陽電子の対消滅)の際にも、光子は放出される。
【0299】
空隙において、光子はc(光速)で移動し、そのエネルギーと運動量の関係はE=pcとなり、ここで、pは運動量の大きさベクトルpである。これは、m=0の場合の下記の相対論的関係から派生している。
【0300】
図52は、トーラス表面の周囲を螺旋状に進み、六角形の6辺それぞれの周囲を完全に回る球体の透視図であり、中心円の半径は、六角形の中心から六角形の頂点までと一致しており、螺旋は完全に6回転している。
【0301】
図53は、平行に積み重ねられた2つの層と、他の層と相対する位置にある1つの六角形環状リンクとからの光子の放射を示すために図77を時計回りに回転させたものであり、六角形の金網状の直交層間の干渉はゼロである。
【0302】
図54は、平行に積み重ねられた2つの層と、他の層と相対する位置にある1つの六角形環状リンクとからの光子の放射を示すために図76を時計回りに回転させたものであり、六角形の金網状の直交層間の干渉はゼロである。
【0303】
図55は、光子が付された点の周りに配列された、2つの層の六角形の3辺からの光子の放射を示すために図77を時計回りに回転させたものであり、2つの他の層を示し、六角形の金網状の直交層間の干渉はゼロである。
【0304】
図56は、他の図面の、他の層と相対する位置にある2つの六角形環状リンクの透視図であり、六角形の金網状の直交層間の干渉はゼロである。
【0305】
図57は、1つの六角形の周囲に配列された6つの球体の上面図であり、球体が他の球体と交差する深さは、他の六角形環状リンク位置を他の層に対してテッセレーションする配列に限定されており、六角形の金網状の直交層間の干渉はゼロである。
【0306】
図58は、環状リンクされて配列された、球体の交差によって生じるレンズを示す、図85の透視図である。
【0307】
図59は、第2のトーラスと交差したトーラスを示す、図80の透視図であり、1つのトーラスが、2つの内部中心円の位置で交差した同じトーラスからブール演算で引かれる様子をグラフィカルに示し、それにより幾何学的な部分切り取り図が得られる。
【0308】
図60は、切断された図59を示し、円の円周長と同じ長さの線に沿い、2つのサイクロイドカスプ(弧)を有するサイクロイド経路と、円が経路線の両側を回転する際に直径の寸法が作り出す外側経路の上面図を示す。

32. 図61は、図90の回転透視図であり、図1、2、3及び17のファインマンダイアグラムの小刻みな螺旋に代わる、光子のサイクロイド曲線を示す。
【0309】
図62は、図61の側面図であり、図1、2、3及び17のファインマンダイアグラムの小刻みな螺旋に代わる、光子のサイクロイド曲線を示す。
【0310】
図63は、六角形の中心点の周りに配列された、図61の回転側面図であり、これは、図1、2、3及び17のファインマンダイアグラムの小刻みな螺旋に代わる、光子のサイクロイド曲線の配置であり、弦理論予測のように、全体にランダムな線が入った1つの光子表面を含む。
【0311】
図64は、図61及び62の回転側面図であり、これは、図1、2、3及び17のファインマンダイアグラムの小刻みな螺旋に代わる、光子のサイクロイド曲線であり、六角形の点(頂点)を確実に出入りする2本のファインマンの矢印の正及び負の光子を含む。
【0312】
図66は、球体A、B及びCのサイクロイドの側面図と、球体の両側のサイクロイド曲線の選択的なオフセットを示す上面図である。
【0313】
図67は、トーラスの7つの透視図であり、C1、T1のサイクロイド開始点90、88から開始し、図68の垂直位置C2のT7でサイクロイド穴が閉じて終了するまでの各静止ポジションを示す。2つの体心六角形(トーラス)は六角形の平面に対して90°回転し、各六角形の中心点は、トーラス内の各六角形の1辺の中間点の周りに配置され、トーラスは、サイクロイド曲線状の穴を開き、水平トーラスの「周り」を幾何学的に移動する際に生じるサイクロイド型の電磁場に沿ってエネルギーを集中させ、エネルギー、粒子及びサブ原子要素(を含む)光子を生じさせることにより、水平位置から垂直位置へ変形できる。サイクロイドの焦点88は、穴の大小に関わらず、穴の両側に対称に配置される:T2の穴91、T3の穴92、T4の穴93、T5の穴94、及びT6の穴95は全て、図88の中心線65の周りでミラーリングされる、図66のサイクロイド曲線86、87及び焦点88を有する。磁場、電磁場及び光場は、重力から独立したサイクロイド曲線をもたらすが、元素は引き続き重力のように振る舞い、全ての元素が点88に集中することが、これらのサイクロイド曲線によって示される。図57及び58において、球体70により図58のC1及びC2の配置で六角形状に配列されたレンズ71が生じるのと同様に、2つの球面が交差すると同じサイクロイド曲線が生じる。図60のサイクロイド曲線の2つのカスプ86、87の点88を終点とする円66の円弧61と同様に、トーラス60はサイクロイド曲線範囲を有し、図66と同じ重力の振る舞いにより、全ての粒子とエネルギーを点88に集中させる。
【0314】
図68は、図95体心六角形平面シートの直交した層すなわち2つの6原子炭素元素を示す2つのトーラスC1及びC2の透視図を示す。六角形の平面に対して90°回転され、各六角形の中心点が各六角形の一辺の中間点の周りに配置される、2つの環状リンクされた体心六角形と同様に、水平なC1から垂直なC2へ変形するトーラスの透視図として図67にも示される。
【0315】
図67は、図19の斜視図であり、グラフェンシートと、グラフェンに直交する平面に添加されたベンゼン(C6H6)とを示し、ベンゼンは平面六角形の内側に水素原子を含む。ベンゼンの六角形中心は、炭素元素666c、666d及び666fの端部に配置され、グラフェンシートの角点に沿って回転するが、なお各々の回転に電磁的に干渉している。これらのベンゼン要素をカーボングラフェン又は他の物質の2つの開口端で挟み、ベンゼンの自由な回転を抑制することにより、量子コンピュータ回路内のエネルギー又は粒子の経路において、素子の制御を行うことができる。これらのベンゼン要素により、メモリ又はコンピュータ処理を設計することができる:666a(回転して2つの水素原子が2つの六角形の上にある)及び666b(回転して1つの水素原子が1つの六角形の中心にある)は物理的にサイクロイド曲線を生成することができ、回転することによって電磁的サイクロイド場を生成することができる。666c、666d及び666eは、ベンゼンを挟んだグラフェンシート(もう1枚のグラフェンシートは図示していない)の端部で回転し、グラフェン又はグラフェンシート上に水平に配置されたベンゼンは、層を「制御」してグラフェンの振る舞い又はグラフェンの体心六角形の位置を安定させることができ、水平のベンゼン要素はグラフェンと平行である。図51と同様の、又はそれより大きな炭素のブッキーボール、回転するナノチューブ及びベンゼンは、その内径を金属、ガス又はその他の分子の独立した元素で満たすか、ベンゼンの水素をすず又は金などの他の原子又は分子と置換することによって化学的に改変することで、量子回路を制御できるようになり、それによりグラフェン又は他の六角形材料構造の目的及び設計を最適化できる。図51の球体はどのような元素で満たしてもよく、それにより位置、粒子回転又は電流経路の制御を行う。グラフェン又は他の材料は、互いに屈曲してEサイクロイド場になると超電導特性を持つと教示されている。ベンゼンは、地表上で利用される自動運転車のように、グラフェン又は他の材料上を回転移動して回路及び粒子位置を制御するようにプログラムでき、その中には、原子、分子及びサブ原子粒子を結合させて、回路又は生物工学の量子電気力学的制御を行うことも含まれる。ベンゼンは、水素分子を除去することによって改変され、回転距離を制御できる。
【0316】
図68は、図67の体心六角形平面シートの直交した層すなわち2つの6原子炭素元素を示す2つのトーラスの透視図を示す。六角形の平面に対して90°回転され、各六角形の中心点が各六角形の一辺の中間点の周りに配置される、2つの環状リンクされた体心六角形と同様に、水平なC1から垂直なC2へ変形するトーラスの透視図として図69にも示される。
【0317】
図71では、オブザーバは、サイクロイド円弧曲線700の中を一定の速度で右へ移動する。オブザーバの枠組みでは、磁場は新たな磁場と下方向の電場に変形される。正しい速度を保つと全体の電場はゼロとなり、電子が円状に進み、円運動が観測され、さらに移動速度vd=E/Bの並進運動691が加わる。交差した電場及び磁場における電子の運動は、例えば、マイクロ波エネルギーの生成に使われる発振器などのマグネトロン管の原理である。図71は、円弧694を有する2つのサイクロイド曲線700と、サイクロイド曲線(700のような円弧694ではない)を有するサイクロイド曲線701を示す。曲線700では、一定の磁場B693と電場E692が垂直に存在する。Bに垂直に出発した粒子は、図71のように曲線状(螺旋状ではない)に移動する。粒子690(正とする)がE692方向に移動する場合は、加速するため、磁場によって曲げられにくい。電場E693と反対方向に移動する場合は、減速するため、磁場によって連続的により深く曲がる。結果として、粒子690はExB曲線700方向の平均「ドリフト」を有する。この運動は、速度vd=E/Bの一定の横方向運動と重ね合わせた一定の円運動である。図71の軌道700は、円弧694を有するものの、以前ファインマンが発表したサイクロイドである。本発明の教示するサイクロイド曲線軌道701では、ドリフト速度696により、質量収集の中点を有するサイクロイド曲線699が得られ、これは中点を持たない上記の円弧694とは対照的である。サイクロイド曲線700は、六角形パターンで交差するエネルギー球体と関連した二機能性から生じる。なぜなら、図57、58に記載した球体は、エネルギーのテッセレート場であるためである。v0はベクトルの起点690及び695である。本発明の教示する二機能性に対応して、粒子(正とする)がE692(700)及び697(701)方向へ高速又は低速で移動するため、ドリフト速度vd691と、対する696でのエネルギーレベルは変動する。曲線700は、円弧694の中点において質量及びエネルギーを収集しないが、サイクロイド曲線の中点699では、図66の中点88で合流する曲線86,87がQED制御を行うのと同様に、質量及びエネルギーを収集する。
【0318】
学術雑誌「Light:Science & Applications」によれば、本出願の質量及びエネルギー機能の制御は全て、5-10兆フレーム/秒(fps)のハイスピード撮影により測定しながら行われる。この方法により、中点を有する全てのサイクロイド曲線が、エネルギー又は粒子をあらゆる大きさの正しい経路へ導くことを、光パルスの形状、強度、傾斜角として、これまでにないスローモーションで記録できる。カリフォルニア工科大学及びINRSの研究者らにより開発された世界最速のカメラは、光及び物質のナノスケールの相互作用を探るのに十分な速さであり、サイクロイド曲線の周囲のエネルギー及び物質をナノスケール操作によって生成する方法を本発明にもたらすと同時に、生成ツール及び証明ツールとして何兆fpsもの撮影を可能にした。他のいかなる物理的曲線も、曲線の中点上の量子質量収集によって、信頼性のある設計目標を作製したり撮影することはできない。全ての物質及びエネルギーを集中させる中点を有するサイクロイド曲線による集中に基づき、あらゆるエネルギー波、原子及びサブ原子粒子がもたらされ、物質及びエネルギーを加除することにより操作して目標物が得られる。さらに、先行技術よりも密度の高い、高密度メモリも提供することができる。かつてなく短い事象を観測するために人工知能が必要となり、それによって、10兆fps又はそれ以上で観測される物理学及び生物学の超高速な世界での新たな作製方法に同期することができる。
【0319】
本発明を、好適な実施形態及びいくつかの代替的な実施形態に関連付けて説明してきた。当業者であれば、上記の明細書を読み、開示された概念から逸脱することなく、様々な他の修正、改変及び代替又はそれらと同等のことを行うことができる可能性がある。したがって、本発明に付与される特許証の範囲は、添付のクレーム及びそれと同等のものに含まれる定義によってのみ限定されることを意図する。
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【手続補正書】
【提出日】2022-05-17
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
個々の粒子が絡み合ったエネルギーメッシュに溶解する物質と光の間の相互作用が量子電磁力学(QED)の理論によって記載されているため、エネルギー波、粒子、原子、分子、及び装置の塊状の集合体の異なる要素のサイズを区別又は制御することができなくなる、ナノ構造体であって、
a)サイクロイド電気力学(Eサイクロイド)力場曲線(サイクロイド曲線)は、電流と磁場又は他の電流との相互作用であり、
b)始点からサイクロイド中点に到達することに関する一期間内に、完全なEサイクロイド曲線に沿って伝播する全ての粒子及び波が、粒子が開始した曲線の中点からの距離に関係なく、全てが同時に動電サイクロイドの中点に到達する、
ように改質されている、ナノ構造体。
【請求項2】
前記サイクロイド曲線では、微細構造定数「α」は、このモデルの単一パラメーターであり、時空内に対になっていない要素が存在しないため、2つの電子間の力の強さを測定する、
請求項1記載のナノ構造体。
【請求項3】
量子質量獲得は、サイクロイド曲線の全ての中点において:
a)異なる距離でEサイクロイドの全曲線に沿って進行する全ての粒子は、一期間内に、粒子が開始した曲線の中点からの距離に関係なく、同時に電気力学サイクロイドの中間点に到達し、完全なEサイクロイド曲線の中間点で「量子質量獲得」を提供し;
b)全ての非サイクロイド曲線は、接線頂点としてEサイクロイド曲線の電気力学的場に統合され、一期間の下で、同時にEサイクロイド曲線の中間点に到達し
c)サイクロイド中間点は、量子電磁力学関数をどのように制御するかに関する情報を提供する量子質量獲得点である
請求項2記載のナノ構造体。
【請求項4】
開始から曲線中間点に到達するまでの共通の移動時間によって規定される一期間の下で、
移動時間の1つの期間中に、全てが同時に電気力学的サイクロイド曲線の中点に到達するので、目的地、粒子間の距離、及び、電気力学的なサイクロイド曲線上の曲線中間点からの波は、無関係である、
求項3記載のナノ構造体。
【請求項5】
全単射関数f、又は1対1の対応は、2組の粒子球の要素間の関数であり、1組の各要素は、他の組の1つの要素と正確に対になっており、他の組の各要素は第1組の1つの要素と対になっている
請求項1記載のナノ構造体。
【請求項6】
数学的に、全単射関数f:X→Yは組Xから組Yへの1対1(入射)及び全射(全射)マッピングであり、
a)全単射関数によってマッピングされた二つの電子のエネルギー球は、球の2つの交点でミラーリングされた一定の寸法#137(定数「α」)を有する2つの完全にミラーリングされた電気力学的サイクロイド曲線を示し、
b)定数「α」は数値的に1/137に近く、
c)全過程は基本的な相互作用から生じる、
請求項5記載のナノ構造体。
【請求項7】
2つの電子の間の反発性の電気力は、光子を生成する反対方向において電気力学的サイクロイド曲線に沿って移動する2つの頂点として可視化することができ、
光子エネルギーは、電気力学的サイクロイド形の電気力学的場内で電子に戻ることができ、
2つの電子は光子を交換することができ、
これは、実際には、物理学者が非常に複雑な無限の和を解くことを意味するが、この理論では、各追加の光子交換は、追加のパワー、より大きなEサイクロイド曲線の集合に、上昇した「α」を含む項を加算する、
請求6記載のナノ構造体。
【請求項8】
エネルギー波が粒子とエネルギーの間をどのように循環するかという絡み合った経路にリングリンクされた、3次元配列内の電気力学的サイクロイド曲線の1つのテッセレーションされた進行である、
請求項5記載のナノ構造体。
【請求項9】
粒子と波の合流点を提供するために中点を有する電気力学的サイクロイド形の電気力学的場のサブセットのみが保存される、
請求項2記載のナノ構造体。
【請求項10】
グラフェンシート、ナノチューブ、及び 60 バックミンスターフラーレンサブセットは、変更され、 60 バックミンスターフラーレン、ナノチューブ、分子、及びベンゼンを前記曲線の中間点に回転させるためのサイクロイド曲線になる、
請求項1記載のナノ構造体。
【請求項11】
任意の材料は、物理的にサイクロイド曲線に成形されている、
請求項9記載のナノ構造体。
【請求項12】
高速度写真は、設計目標を測定することによって高速ナノテクノロジー製造(同一機器)と同期し、
人工知能を適用することによって同期し、変更されたエネルギー波、原子、分子、及びサブ原子粒子で製造を変更する、
請求項1記載のナノ構造体。
【請求項13】
六角形の平面に対して90°回転した2つの体心六角形の六角形リンクと、各六角形の中心点(ゼロ質量及びエネルギ)は1つの六角形の辺(質量)中間点周りに体心であって、
a)第1六角形及び第2六角形の6員(原子)炭素元素C1及びC2を備え、
b)2つの前記炭素元素C1及びC2は、それらの六角形平面に対して90°(角度)回転し、各六角形中心点(既知の座標点)は、各六角形の1つの六角形の辺の中間点(既知の座標点)の周りに配置され、相対的な90°平面に向けられた、2つのトラップされた、体心六角形(六角形のリンク)を提供する、
請求項1記載のナノ構造体。
【請求項14】
六角形の炭素C1は、グラフェンタイプの材料中の1つの六角形リングであり、
六角形のハニカム結晶格子に密に詰め込まれた、sp結合炭素原子の1原子の厚さの平面シートである、
請求項13記載のナノ構造体。
【請求項15】
サイクロイド場の形状は、n個の電場で頂点を移動するすべての粒子をまとめて結合し、他の電荷に力を及ぼし、それらを引き付け又は反発する電荷を取り巻くベクトル場である、
請求項13記載のナノ構造体。
【国際調査報告】